專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置。更具體地，實(shí)施方式涉及透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示裝置在視角、對(duì)比度、響應(yīng)速度和功耗方面具有極好性能。因此，有 機(jī)發(fā)光裝置被廣泛應(yīng)用于個(gè)人便攜式設(shè)備，如MP3播放器、移動(dòng)電話和電視(TV)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括襯底；多個(gè)像素，位于所述襯底的第一表面上，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素都具有朝向所述襯底發(fā)光的第一區(qū)和允許外部光穿透的第二區(qū)；多個(gè)像素電路單元，位于每個(gè)像素的所述第一區(qū)中，所述多個(gè)像素電路單元中的每個(gè)像素電路單元均包括至少一個(gè)薄膜晶體管；第一絕緣膜，覆蓋所述像素電路單元；多個(gè)第一電極，位于所述第一絕緣膜上，所述多個(gè)第一電極中的每個(gè)第一電極都獨(dú)立設(shè)置在每個(gè)像素的第一區(qū)中，并且每個(gè)第一電極都電連接至每個(gè)像素電路單元；第二絕緣膜，覆蓋所述第一電極的至少一部分；第二電極，面對(duì)所述第一電極，所述第二電極在所述像素上電連接，而且所述第二電極形成在每個(gè)像素的至少第一區(qū)中；有機(jī)膜，位于所述第一電極與所述第二電極之間；密封部件，面對(duì)所述襯底的第一表面；以及防反射膜，位于所述襯底的第二表面上，其中所述防反射膜包括與所述第一區(qū)相對(duì)應(yīng)的防反射器和與所述第二區(qū)相對(duì)應(yīng)的透明單元。所述防反射器可包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜。所述防反射器可包括圓偏振膜。所述透明單元可包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜中的任一種。所述透明單元可具有孔。所述第二電極可以是光反射電極。每個(gè)像素的所述第一區(qū)可包括發(fā)光區(qū)和電路區(qū)，所述像素電路單元可設(shè)置在所述電路區(qū)中，所述第一電極可設(shè)置在所述發(fā)光區(qū)中，而且每個(gè)像素的所述發(fā)光區(qū)和所述電路區(qū)可彼此相鄰。一個(gè)像素的第二區(qū)可獨(dú)立于相鄰像素的第二區(qū)，而且所述透明單元可獨(dú)立于另一相鄰?fù)该鲉卧?。一個(gè)像素的第二區(qū)可連接至相鄰像素的第二區(qū)，而且所述透明單元可連接至另一相鄰?fù)该鲉卧?br> 所述第二電極可包括多個(gè)第一穿透窗，所述多個(gè)第一穿透窗分別位于與所述第二區(qū)相對(duì)應(yīng)的位置。所述第二絕緣膜可包括連接至所述多個(gè)第一穿透窗的多個(gè)第二穿透窗。根據(jù)另一實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括襯底；多個(gè)像素，位于所述襯底的第一表面上，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素都具有在與所述襯底相對(duì)的方向上發(fā)光的第一區(qū)和允許外部光穿透的第二區(qū)；多個(gè)像素電路單元，位于每個(gè)像素的所述第一區(qū)中，所述多個(gè)像素電路單元中的每個(gè)像素電路單元均包括至少一個(gè)TFT ;第一絕緣膜，覆蓋所述像素電路單兀；多個(gè)第一電極，位于所述第一絕緣膜上，所述多個(gè)第一電極中的每個(gè)第一電極都獨(dú)立設(shè)置在每個(gè)像素的第一區(qū)中，并且每個(gè)第一電極均電連接至每個(gè)像素電路單元；第二絕緣膜，覆蓋所述第一電極的至少一部分；第二電極，面對(duì)所述第一電極，所述第二電極在所述像素上電連接，而且所述第二電極形成在每個(gè)像素的至少第一區(qū)中；有機(jī)膜，位于所述第一電極與所述第二電極之間；密封部件，面對(duì)所述襯底的第一表面；以及防反射膜，位于所述襯底的第二表面上，其中所述防反射膜包括與所述第一區(qū)相對(duì)應(yīng)的防反射器和與所述第二 區(qū)相對(duì)應(yīng)的透明單元。所述防反射器可包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜。所述防反射器可包括圓偏振膜。所述透明單元可包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜中的任一種。所述透明單元可具有孔。 每個(gè)第一電極均可以是光反射電極。每個(gè)像素的所述第一區(qū)可包括發(fā)光區(qū)和電路區(qū)，所述像素電路單元可設(shè)置在所述電路區(qū)中，所述第一電極可設(shè)置在所述發(fā)光區(qū)中，而且所述發(fā)光區(qū)可與所述電路區(qū)交疊并覆蓋所述電路區(qū)。至少兩個(gè)相鄰像素的第二區(qū)可彼此獨(dú)立，而且所述透明單元可獨(dú)立于另一相鄰?fù)该鲉卧Ｖ辽賰蓚€(gè)相鄰像素的第二區(qū)可彼此連接，而且所述透明單元可連接至另一相鄰?fù)该鲉卧?。所述第二電極可包括多個(gè)第一穿透窗，所述多個(gè)第一穿透窗分別位于與所述第二區(qū)相對(duì)應(yīng)的位置。所述第二絕緣膜可包括連接至所述多個(gè)第一穿透窗的多個(gè)第二穿透窗。


通過(guò)結(jié)合附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式，以上和其他特征將變得更加顯而易見(jiàn)，在附圖中圖I是根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；圖2是根據(jù)另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；圖3是詳細(xì)示出根據(jù)實(shí)施方式的、圖I或圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖；圖4是詳細(xì)示出根據(jù)另一實(shí)施方式的、圖I或圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖；圖5A和圖5B是描述通過(guò)防反射器來(lái)防止外部光反射的原理的概念圖；圖6是根據(jù)實(shí)施方式的、圖3或圖4的有機(jī)發(fā)光器的示意性平面圖7是根據(jù)另一實(shí)施方式的、圖3或圖4的有機(jī)發(fā)光器的示意性平面圖；圖8是根據(jù)實(shí)施方式的、圖3或圖4的有機(jī)發(fā)光器的像素的剖視圖；圖9是根據(jù)另一實(shí)施方式的、圖3或圖4的有機(jī)發(fā)光器的像素的剖視圖；圖10是根據(jù)另一實(shí)施方式的、圖3或圖4的有機(jī)發(fā)光器的示意性平面圖；圖11是根據(jù)另一實(shí)施方式的、圖3或圖4的有機(jī)發(fā)光器的像素的剖視圖；圖12和圖13是根據(jù)實(shí)施方式的防反射膜的平面圖。
具體實(shí)施例方式下文中將參照附圖更加全面地描述示例性實(shí)施方式；然而，示例性實(shí)施方式可以以不同形式實(shí)施，而且不應(yīng)該被解釋為受本文所闡明的實(shí)施方式的限制。 應(yīng)該理解，雖然本文中可以使用如“第一”、“第二”等術(shù)語(yǔ)描述不同元件，但是這些元件不應(yīng)該受到這些術(shù)語(yǔ)的限制。相反，這些術(shù)語(yǔ)只是用來(lái)彼此區(qū)分組成元件。本說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述具體實(shí)施方式
，而非旨在限制實(shí)施方式。單數(shù)形式包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文中另有明確說(shuō)明。在本說(shuō)明書(shū)中，應(yīng)該理解的是，如“包括(including) ”和/或“包含(having) ”等術(shù)語(yǔ)旨在表示存在說(shuō)明書(shū)中所公開(kāi)的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但是并不排除存在或附加有一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。下面，將參照示出實(shí)施例實(shí)施方式的附圖更加全面地描述實(shí)施方式。圖I是根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。參照?qǐng)DI，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括位于襯底I上的有機(jī)發(fā)光器(未示出)，以及覆蓋有機(jī)發(fā)光器的密封襯底2。而且，有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括位于襯底I顯現(xiàn)圖像的外表面上的防反射膜4。在有機(jī)發(fā)光顯不裝置中，外部光穿過(guò)襯底I、有機(jī)發(fā)光器和密封襯底2。另外，如后面所述，有機(jī)發(fā)光器和密封襯底2被配置為使得外部光穿過(guò)有機(jī)發(fā)光器和密封襯底2，而且如圖I所示，位于顯現(xiàn)圖像一側(cè)的使用者能夠觀看到襯底I的上部外側(cè)的圖像。圖I的有機(jī)發(fā)光顯示裝置是底部發(fā)射型，其中圖像朝向襯底I顯示。可替換地，如圖2所示，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以是頂部發(fā)射型，其中圖像在襯底I的相對(duì)方向上顯現(xiàn)。如圖2所示，使用者可以在襯底I上或者在底部外側(cè)處觀看圖像。然而，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的類(lèi)型不限于此。有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以是雙發(fā)射型，其中圖像在朝向襯底I的方向以及在襯底I的相對(duì)方向上顯現(xiàn)。圖I和2示出了第一像素Pl和第二像素P2，它們是有機(jī)發(fā)光顯示裝置的兩個(gè)相鄰像素。第一像素Pl和第二像素P2中的每一個(gè)都包含第一區(qū)31和第二區(qū)32。圖像通過(guò)第一區(qū)31顯現(xiàn)，而且外部光穿過(guò)第二區(qū)32。換句話說(shuō)，第一像素Pl和第二像素P2都包括顯現(xiàn)圖像的第一區(qū)31以及外部光穿過(guò)的第二區(qū)32。因此，當(dāng)使用者不觀看由有機(jī)發(fā)光顯示裝置顯現(xiàn)的圖像時(shí)，使用者可以觀看外部場(chǎng)景。在這里，在第二區(qū)32中沒(méi)有形成裝置，即薄膜晶體管(TFT)、電容器和有機(jī)發(fā)光裝置，從而使第二區(qū)32中的外部光透射率最大化。因此，在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，外部光透射率增加。另外，可以減少裝置(即，TFT、電容器和有機(jī)發(fā)光裝置)所引起的穿透圖像的失真。圖3是詳細(xì)示出根據(jù)實(shí)施方式的、圖I或圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。參照?qǐng)D3,有機(jī)發(fā)光顯不裝置還包括形成在襯底I的第一表面11上的有機(jī)發(fā)光器21、對(duì)有機(jī)發(fā)光器21進(jìn)行密封的密封襯底2、以及使襯底I和密封襯底2相結(jié)合的密封材料24。密封襯底2由透明材料形成，從而圖像從有機(jī)發(fā)光器顯現(xiàn)。密封襯底2防止任何外部空氣或水分滲透到有機(jī)發(fā)光器中。襯底I和密封襯底2的邊界通過(guò)密封材料24結(jié)合。因此，襯底I與密封襯底2之間的空間25被密封。吸濕劑或填充材料可以設(shè)置在空間25中。如圖4所示，代替密封襯底2的密封膜23可以形成在有機(jī)發(fā)光器21上，以保護(hù)有機(jī)發(fā)光器21不受外部空氣影響。密封膜23可以具有這樣一種結(jié)構(gòu),在該結(jié)構(gòu)中，由無(wú)機(jī)材 料(即，硅氧化物或硅氮化物)形成的膜和由有機(jī)材料(即，環(huán)氧樹(shù)脂或聚酰亞胺)形成的膜彼此交替疊置。然而，密封膜23的結(jié)構(gòu)不限于此，并且可以具有由透明薄膜形成的任何密封結(jié)構(gòu)。雖然未示出，但是圖3的密封襯底2可以形成在圖4的密封膜23上。而且，圖3和圖4詳細(xì)示出根據(jù)實(shí)施方式的、圖I的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。由于圖I的有機(jī)發(fā)光顯示裝置朝向襯底I的底部顯現(xiàn)圖像，因此用于防止外部光反射的防反射膜4形成在該底部上，即，襯底I的第二表面12上?？商鎿Q地，雖然在圖3和圖4中未示出，但是由于圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置在襯底I的相反方向上顯現(xiàn)圖像，因此用于防止外部光反射的防反射膜4形成在密封襯底2的外部表面上或密封膜23上。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，第二區(qū)32中的外部光透射率被最大化，以增加有機(jī)發(fā)光顯示裝置中的外部光透射率。此外，防反射膜4設(shè)置在第一區(qū)31上，以防止外部光的反射，從而提高有機(jī)發(fā)光顯示裝置的對(duì)比度并顯示清晰的圖像。如后面參照?qǐng)D8和圖11的詳細(xì)描述，包括至少一個(gè)TFT的像素電路單元被設(shè)置在第一區(qū)31中。此外,包括第一電極和第二電極的有機(jī)發(fā)光裝置被設(shè)置在第一區(qū)31中。諸如像素單元電路或包括第一電極和第二電極的有機(jī)發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)對(duì)外部光進(jìn)行反射，從而導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光顯示裝置的對(duì)比度變差。具體地，第一電極和第二電極之一做為反射電極工作，以實(shí)現(xiàn)底部發(fā)射或頂部發(fā)射。因此，由于第一電極或第二電極對(duì)外部光進(jìn)行反射，因此有機(jī)發(fā)光顯示裝置的對(duì)比度進(jìn)一步變差。因此，與第一區(qū)31相對(duì)應(yīng)的部分需要具有消除外部光的反射的結(jié)構(gòu)。而且，第二區(qū)32可以不包括絕緣膜、電極或光學(xué)膜，以增加外部光透射率。因此，防反射膜4被用于降低第一區(qū)31中的外部光的反射率，并且增加第二區(qū)32中的外部光透射率。具體地，防反射膜4包括用于降低與第一區(qū)31相對(duì)應(yīng)的部分中外部光的反射率的防反射器(reflection preventer) 41和用于增加與第二區(qū)32相對(duì)應(yīng)的部分中外部光透射率的透明單元42。防反射器41包括圓偏振膜，或線偏振膜與相位轉(zhuǎn)換膜彼此疊置于其中的膜。這里，當(dāng)外部光通過(guò)圓偏振膜時(shí)，其轉(zhuǎn)換為具有預(yù)定旋轉(zhuǎn)方向的圓光?？商鎿Q地，當(dāng)外部光通過(guò)線偏振膜時(shí)，其被轉(zhuǎn)換為具有預(yù)定旋轉(zhuǎn)方向的線性光，而且當(dāng)線性光通過(guò)相位轉(zhuǎn)換膜時(shí)，線性光的相位改變1/4波長(zhǎng)。因此，線性光被轉(zhuǎn)換為具有預(yù)定旋轉(zhuǎn)方向的圓光。這里，相位轉(zhuǎn)換膜可以是Lambda/4延遲器。因此，線偏振膜與相位轉(zhuǎn)換膜彼此疊置于其中的膜可以具有與圓偏振膜相同的功能。而且，防反射膜4可以具有膜形狀，或者可以通過(guò)在涂敷的薄膜上直接模制線性結(jié)構(gòu)而形成。例如，圓偏振膜、線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜可以是粘附至防反射器41的膜。然而，防反射器41不限于此。防反射器41的相位轉(zhuǎn)換膜可以被配置為通過(guò)形成有機(jī)薄膜或無(wú)機(jī)薄膜的多層，然后調(diào)整有機(jī)薄膜或無(wú)機(jī)薄膜的厚度來(lái)改變相位。這里，通過(guò)周期性設(shè)置具有納米尺寸的金屬線性結(jié)構(gòu)，防反射器41的線偏振膜可以形成在相位轉(zhuǎn)換膜上。圖5A和圖5B是描述通過(guò)防反射器41來(lái)防止外部光反射的原理的概念圖。下面將參照?qǐng)D5A描述通過(guò)包含圓偏振膜47的防反射器41來(lái)防止外部光反射的原理。
通過(guò)穿過(guò)防反射器41，外部光51被轉(zhuǎn)換為在預(yù)定方向上旋轉(zhuǎn)的第一圓光51’。第 一圓光51’在第一電極或第二電極處被反射,該第一電極或第二電極對(duì)光進(jìn)行反射并且包含在設(shè)置于第一區(qū)31中的有機(jī)發(fā)光裝置EL中。這里，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置是底部發(fā)射型時(shí)，第二電極可以是光反射電極，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置是頂部發(fā)射型時(shí)，第一電極可以是光反射電極。這里，當(dāng)?shù)谝粓A光51’的旋轉(zhuǎn)方向改變?yōu)橄喾捶较驎r(shí)，反射的第一圓光51’被轉(zhuǎn)換為第二圓光51”。例如，當(dāng)?shù)谝粓A光51’是以順時(shí)針旋轉(zhuǎn)的右圓光時(shí)，第二圓光51”是以逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)的左圓光。由于第二圓光51”的旋轉(zhuǎn)方向是相反的，因此第二圓光51”不能再次穿過(guò)包括圓偏振膜47的防反射器41。因此，外部光51未被反射并消失。因此，從有機(jī)發(fā)光顯示裝置的第一區(qū)31反射的圖像被清晰顯示，且不存在由外部光51的反射所引起的對(duì)比度下降。下面將參照?qǐng)D5B描述通過(guò)防反射器來(lái)防止外部光反射的原理，該防反射器包括線偏振膜45與相位轉(zhuǎn)換膜43彼此疊置于其中的膜。這里，相位轉(zhuǎn)換膜43可以靠近有機(jī)發(fā)光裝置EL設(shè)置，而且線偏振膜45可以疊置在相位轉(zhuǎn)換膜43的外表面上。通過(guò)穿過(guò)線偏振膜45,夕卜部光51被轉(zhuǎn)換為以預(yù)定軸方向振動(dòng)的第一線性光51x。然后，第一線性光51x的相位通過(guò)相位轉(zhuǎn)換膜43被改變1/4波長(zhǎng)。因此，第一線性光51x被轉(zhuǎn)換為以預(yù)定旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)的第一圓光51’。第一圓光51’在第一電極或第二電極處被反射，該第一電極或第二電極對(duì)光進(jìn)行反射并且包含在設(shè)置于第一區(qū)31中的有機(jī)發(fā)光裝置EL中。這里，當(dāng)?shù)谝粓A光51’的旋轉(zhuǎn)方向改變?yōu)橄喾捶较驎r(shí)，反射的第一圓光51’被轉(zhuǎn)換為第二圓光51”。第二圓光51”再次穿過(guò)相位轉(zhuǎn)換膜43，并因此被轉(zhuǎn)換為第二線性光51y。第二線性光51y具有第一線性光51x的垂直分量。因此，第二線性光51y不能再次穿過(guò)線偏振膜45。因此，外部光51未被反射并消失。因此，從有機(jī)發(fā)光顯示裝置的第一區(qū)31反射的圖像被清晰顯示，且不存在由外部光51的反射所引起的對(duì)比度下降。而且，與防反射器41不同，透明單元42可以包括線偏振膜45和相位轉(zhuǎn)換膜43中的任一個(gè)，或者可以不包括任何光學(xué)膜并具有與第二區(qū)32相對(duì)應(yīng)的孔。由于外部光穿透沒(méi)有偏振功能的透明單元42，因此有機(jī)發(fā)光顯示裝置的外部光透射率得到提高。而且，由于線偏振膜45或相轉(zhuǎn)換膜43可以部分吸收外部光或僅允許外部光部分穿透，因此形成穿過(guò)透明單元42的孔會(huì)是更好的。可以通過(guò)在與防反射膜4中像素的第二區(qū)32相對(duì)應(yīng)的部分處產(chǎn)生孔來(lái)形成透明單元42。這樣的孔可以通過(guò)使用包含精細(xì)刀片的模具按壓防反射膜4而形成?？商鎿Q地，該孔可以通過(guò)使用精細(xì)激光束向防反射膜4的一部分施加熱量而形成。接下來(lái)，將描述根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光器21。圖6是根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光器21的紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb的示意性平面圖。紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb中的每一個(gè)都包括位于第一區(qū)31中的電路區(qū)311和發(fā)光區(qū)312。電路區(qū)311和發(fā)光區(qū)312相鄰設(shè)置。此外，外部光穿透的第二區(qū)32與第一區(qū)31相鄰設(shè)置。如圖6所示，第二區(qū)32可以根據(jù)紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb而獨(dú)立設(shè)置，或者第二區(qū)32可以在整個(gè)紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb上彼此相連。參照?qǐng)D7，外部光穿透第二區(qū)32的面積較大。因此，可以增加有機(jī)發(fā)光顯示裝置的透射率。而且，在圖6中，引線(數(shù)據(jù)線和電源線)穿過(guò)獨(dú)立的第二區(qū)32之間的空間，但是在圖7中，第 二區(qū)32相互連接。因此，引線(數(shù)據(jù)線和電源線)設(shè)置在穿透區(qū)的兩個(gè)外側(cè)。換句話說(shuō)，引線(數(shù)據(jù)線和電源線)沒(méi)有被設(shè)置為跨越第二區(qū)32。在圖7中，第二區(qū)32在整個(gè)紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb上彼此相連，但是紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb的位置不限于此。在第二區(qū)32中，紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb中任何兩個(gè)相鄰像素都可以被連接。圖8是根據(jù)實(shí)施方式的、圖6或圖7的紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb中任一個(gè)的剖視圖。如圖8所示，TFT TR設(shè)置在電路區(qū)311中，但不是僅有一個(gè)TFT TR，包含TFT TR的像素電路單元PC可以設(shè)置在電路區(qū)311中。除了 TFT TR，像素電路單元PC可以進(jìn)一步包括多個(gè)其他TFT、存儲(chǔ)電容器以及連接至TFT和存儲(chǔ)電容器的引線，S卩，掃描線、數(shù)據(jù)線和Vdd 線。構(gòu)成發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光裝置EL設(shè)置在發(fā)光區(qū)312中。有機(jī)發(fā)光裝置EL電連接至像素電路單元PC的TFT TR0緩沖膜211形成在襯底I上，而且包含TFT TR的像素電路單元PC形成在緩沖膜211 上。首先，半導(dǎo)體活性層212形成在緩沖膜211上。緩沖膜211由任意透明絕緣材料形成，該透明絕緣材料防止雜質(zhì)元素滲透并使緩沖膜211的表面平滑。例如，緩沖膜211可以由無(wú)機(jī)材料(即，硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、鋁氧化物、鋁氮化物、鈦氧化物或鈦氮化物)、有機(jī)材料(即，聚酰亞胺、聚酯、丙烯基)或無(wú)機(jī)材料與有機(jī)材料的疊置結(jié)構(gòu)形成。緩沖膜211不是基本元件，因此可不包含緩沖膜211。半導(dǎo)體活性層212可以由多晶硅形成，但不限于此，并且可以由氧化物半導(dǎo)體形成。例如，半導(dǎo)體活性層212可以是G-I-Z-O層[(In203) a (Ga203) b (ZnO) c層]，其中a，b，c分別是滿(mǎn)足a彡0、b彡0和c > 0的實(shí)數(shù)。當(dāng)半導(dǎo)體活性層212由氧化物半導(dǎo)體形成時(shí)，可以增加第一區(qū)31的電路區(qū)311的光透射率。因此，可以增加有機(jī)發(fā)光顯示裝置的外部光
透射率。由透明絕緣材料形成的柵絕緣膜213形成在緩沖膜211上，以覆蓋半導(dǎo)體活性層212，而且柵極214形成在柵絕緣膜213上。
由透明絕緣材料形成的層間絕緣膜215形成在柵絕緣膜213上，以覆蓋柵極214，而且源極216和漏極217形成在層間絕緣膜215上，源極216和漏極217中的每一個(gè)都通過(guò)接觸孔與半導(dǎo)體活性層212接觸。TFT TR的結(jié)構(gòu)不限于此，而且可以改變。形成鈍化膜218，以覆蓋包含TFT TR的像素電路單元PC。鈍化膜218可以是單個(gè)或多個(gè)絕緣膜，其中頂面是平坦的。鈍化膜218可以由透明無(wú)機(jī)絕緣材料和/或有機(jī)絕緣材料形成。鈍化膜218可以在所有像素上形成。如圖7所示，與TFT TR電連接的有機(jī)發(fā)光裝置EL的第一電極221形成在鈍化膜218上。第一電極221根據(jù)像素以單獨(dú)且獨(dú)立的島的形式形成。由有機(jī)絕緣材料和/或無(wú)機(jī)絕緣材料形成的像素限定膜219形成在鈍化膜218上。像素限定膜219覆蓋邊界并且暴露出第一電極221的中心。像素限定膜219可以覆蓋第一區(qū)31。在這種情況下，像素限定膜219可以?xún)H覆蓋第一電極221的一部分(尤其是第 一電極221的邊界)，而不是覆蓋整個(gè)第一區(qū)31。有機(jī)膜223和第二電極222順序疊置在第一電極221上。第二電極222覆蓋構(gòu)成絕緣膜的有機(jī)膜223和像素限定膜219，并且第二電極222在所有像素上電連接。有機(jī)膜223可以是低分子量有機(jī)膜或高分子量有機(jī)膜。低分子量有機(jī)薄膜可以具有單一或復(fù)合結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)彼此疊置，而且低分子量有機(jī)薄膜可以由有機(jī)材料形成，即，酞菁銅(CuPc)、N，N' -二(萘-I-基)-N，N' - 二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)或三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。低分子量有機(jī)膜可以使用真空沉積法形成。這里，HIL、HTL、ETL和EIL是公共層而且可以公共地施加于紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素。第一電極221作為陽(yáng)極工作，并且第二電極222作為陰極工作?？商鎿Q地，第一電極221和第二電極222的極性可以改變。根據(jù)實(shí)施方式，第一電極221可以是透明電極，而且第二電極222可以是反射電極。第一電極221可以由具有高功函數(shù)的銦錫氧化物(IT0)、銦鋅氧化物(IZ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In203)形成。此外，第二電極222可以由具有低功函數(shù)的金屬形成，SP，銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)或鈣(Ca)。因此，有機(jī)發(fā)光裝置EL是用于在第一電極221的方向上顯現(xiàn)圖像的底部發(fā)射型?？商鎿Q地，第二電極222也可以是透明電極。如上所述，鈍化膜218、柵絕緣膜213、層間絕緣膜215和像素限定膜219中的每一個(gè)都可以是透明絕緣膜，以增加外部光透射率。密封襯底2可以設(shè)置在第二電極222之上。如圖3所示，通過(guò)使用單獨(dú)的密封材料24使密封襯底2的邊界與襯底I結(jié)合，以使有機(jī)發(fā)光器21與外部空氣密封。單獨(dú)的填充材料(未示出)或吸濕劑可以被設(shè)置在密封襯底2與第二電極222之間的空間中。然而，有機(jī)發(fā)光器21的密封結(jié)構(gòu)不限于使用圖8的密封襯底2?？商鎿Q地，可以使用圖4的密封膜23。而且，第二電極222和像素限定膜219可以分別包括第一穿透窗224和第二穿透窗225。通過(guò)去除第二電極222與第二區(qū)32相對(duì)應(yīng)的部分，可以形成第一穿透窗224。通過(guò)去除像素限定膜219與第二區(qū)32相對(duì)應(yīng)的部分，可以形成第二穿透窗225。第一穿透窗224和第二穿透窗225可以相互連接。第二穿透窗225可以進(jìn)一步形成在鈍化膜218、層間絕緣膜215、柵絕緣膜213和緩沖膜211中的至少一層中。然而，第一穿透窗224和第二穿透窗225不是必須同時(shí)存在，可以形成第一穿透窗224和第二穿透窗225中的任一個(gè)。這里，可以在由金屬形成的第二電極222上只形成第一穿透窗224，以增加外部光透射率。圖9是根據(jù)另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光器21的相鄰紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb的剖視圖。電路區(qū)311和發(fā)光區(qū)312包含在紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb中每個(gè)像素的第一區(qū)31中，其中電路區(qū)311和發(fā)光區(qū)312彼此交疊。如圖9所示，發(fā)光區(qū)312的 面積大于電路區(qū)311的像素電路單元PC的面積。因此，電路區(qū)311的像素電路單元PC被發(fā)光區(qū)312完全覆蓋。允許外部光穿透的第二區(qū)32鄰近第一區(qū)31設(shè)置。如圖9所示，可以根據(jù)紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb而獨(dú)立地包括第二區(qū)32?？商鎿Q地，如圖10所示，第二區(qū)32可以在整個(gè)紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb上相連而形成。在圖10中，由于外部光穿透的第二區(qū)32的面積較大，因此可以增加有機(jī)發(fā)光顯示裝置的透射率。圖11是圖9或圖10的紅色像素Pr、綠色像素Pg和藍(lán)色像素Pb中任一個(gè)的剖視圖。如圖11所示，TFT TR設(shè)置在電路區(qū)311中，但不是僅有一個(gè)TFT TR，包含TFT TR的像素電路單元PC可以設(shè)置在電路區(qū)311中。除了 TFT TR，像素電路單元PC可以進(jìn)一步包括多個(gè)其他TFT、存儲(chǔ)電容器以及連接到TFT和存儲(chǔ)電容器的引線，S卩，掃描線、數(shù)據(jù)線和Vdd 線。而且，構(gòu)成發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光裝置EL設(shè)置在發(fā)光區(qū)312中，其形成為通過(guò)與電路區(qū)311交疊來(lái)覆蓋電路區(qū)311。有機(jī)發(fā)光裝置EL電連接至像素電路單元PC的TFT TR0緩沖膜211形成在襯底I上，而且包括TFT TR的像素電路單元PC形成在緩沖膜211 上。首先，半導(dǎo)體活性層212形成在緩沖膜211上。半導(dǎo)體活性層212可以由多晶硅形成，但不限于此，而且可以由氧化物半導(dǎo)體形成。例如，半導(dǎo)體活性層212可以是G-I-Z-O層[(In203) a (Ga203) b (ZnO) c層]，其中a，b，c分別是滿(mǎn)足a彡0、b彡0和c>0的實(shí)數(shù)。由透明絕緣材料形成的柵絕緣膜213形成在緩沖膜211上，以覆蓋半導(dǎo)體活性層212，而且柵極214形成在柵絕緣膜213上。由透明絕緣材料形成的層間絕緣膜215形成在柵絕緣膜213上，以覆蓋柵極214，而且源極216和漏極217形成在層間絕緣膜215上，其中源極216和漏極217通過(guò)接觸孔與半導(dǎo)體活性層212接觸。然而，TFT TR的結(jié)構(gòu)不限于此，而且可以改變。鈍化膜218形成為覆蓋包含TFT TR的像素電路單元PC。鈍化膜218可以是具有平坦頂部的單個(gè)或多個(gè)絕緣膜。鈍化膜218可以由透明無(wú)機(jī)絕緣材料和/或有機(jī)絕緣材料形成。鈍化膜218可以在所有像素上連接而成。如圖11所示，有機(jī)發(fā)光裝置EL的第一電極221形成在鈍化膜218上，以覆蓋TFTTR0第一電極221根據(jù)像素以單獨(dú)且獨(dú)立的島的形式形成。由有機(jī)絕緣材料和/或無(wú)機(jī)絕緣材料形成的像素限定膜219形成在鈍化膜218上。像素限定膜219覆蓋邊界，并且暴露出第一電極221的中央。像素限定膜219可以覆蓋第一區(qū)31，而且在這里，可以?xún)H覆蓋第一電極221的一部分(尤其是第一電極221的邊界)，而不是覆蓋整個(gè)第一區(qū)31。有機(jī)膜223和第二電極222順序疊置在第一電極221上。第二電極222覆蓋構(gòu)成絕緣膜的有機(jī)膜223和像素限定膜219，并且第二電極222在所有像素上電連接。第二電極 222可以形成在整個(gè)第一區(qū)域31和第二區(qū)32中。第一電極221作為陽(yáng)極工作，而且第二電極222作為陰極工作，或者可替換地，第一電極221和第二電極222的極性可以改變。根據(jù)像素，第一電極221具有與第一區(qū)31相對(duì)應(yīng)的尺寸。第二電極222可以是公共電極，以覆蓋有機(jī)發(fā)光器21的所有像素。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，第一電極221可以是反射電極，而且第二電極222可以是透明電極。因此，有機(jī)發(fā)光器21是在第二電極222的方向上顯現(xiàn)圖像的頂部發(fā)射型。因此，第一電極221可以包括反射膜，該反射膜由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)或其化合物、以及具有高功函數(shù)的ITO、IZ0, ZnO或In203形成。此外，第二電極222可以由具有低功函數(shù)的金屬或其合金形成，即，銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)。為了高透射率，第二電極222可形成為薄膜。因此，當(dāng)?shù)谝浑姌O221是反射電極時(shí)，設(shè)置在第一電極221下面的像素電路單元PC被第一電極221覆蓋。因此，如圖11所示，位于第二電極222的上部外側(cè)的使用者不能觀看位于第一電極221下面的TFT TR部分以及電容器(未示出)、掃描線、數(shù)據(jù)線和Vdd線的每個(gè)圖案部分。由于第一電極221是反射電極，因此發(fā)射的光只傳遞給使用者，即，向上傳遞，從而可以減少在使用者的相對(duì)方向上光損失的量。此外，如上所述，由于第一電極221覆蓋位于其下面的像素電路的各種圖案，因此使用者能夠通過(guò)其清楚地觀看。如上所述，鈍化膜218、柵絕緣膜213、層間絕緣膜215和像素限定膜219可以是透明絕緣膜，以增加外部光透射率。而且，第二電極222和像素限定膜219可以分別進(jìn)一步包括第一穿透窗224和第二穿透窗225。通過(guò)去除第二電極222與第二區(qū)32相對(duì)應(yīng)的一部分，可以形成第一穿透窗224，通過(guò)去除像素限定膜219與第二區(qū)32相對(duì)應(yīng)的一部分，可以形成第二穿透窗225。第一穿透窗224和第二穿透窗225可以相互連接。可替換地，與形成在像素限定膜219上的第二穿透窗225相連的開(kāi)口或穿透窗可以進(jìn)一步形成在鈍化膜218、層間絕緣膜215、柵絕緣膜213和緩沖膜211中的至少一個(gè)上，以增加第二區(qū)32的光透射率。圖12和圖13是根據(jù)實(shí)施方式的防反射膜4的平面圖。
圖12示出了包含在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中的防反射膜4，其中如圖6和圖9所示，根據(jù)像素獨(dú)立形成第二區(qū)32。在圖12中，圖6和圖9中所示的4個(gè)像素組彼此連接。參照?qǐng)D12，透明單元42獨(dú)立于另一相鄰?fù)该鲉卧?2形成，以對(duì)應(yīng)于第二區(qū)32。圖13示出了包含在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中的防反射膜4，其中如圖7和圖10所示，至少兩個(gè)相鄰像素的第二區(qū)32彼此連接。在圖13中，圖7和圖10中所示的4個(gè)像素組彼此連接。參照?qǐng)D13，透明單元42連接到另一相鄰?fù)该鲉卧?2，以對(duì)應(yīng)于第二區(qū)32。通過(guò)總結(jié)與回顧，已經(jīng)嘗試通過(guò)在透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置中設(shè)置透明薄膜晶體管(TFT)或透明有機(jī)發(fā)光裝置來(lái)制造透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置。由于來(lái)自物體或者圖像的光穿透透明有機(jī)發(fā)光裝置、透明TFT、若干引線的圖案以及引線之間的空間，因此使用者看到位于透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置的相對(duì)側(cè)的對(duì)象或物體。然而，透明有機(jī)發(fā)光裝置、TFT和引線的透射率不高。而且，引線之間的空間很小。因此，透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置的透射率不高。相比較而言，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)阻止反射電極反射外部光，使用者能夠看到具 有高對(duì)比度的圖像。而且，根據(jù)本實(shí)施方式，可以減少外部光透射率的降低。因此，使用者能夠容易地觀看圖像。本文已經(jīng)公開(kāi)了示例性實(shí)施方式，而且雖然采用了具體術(shù)語(yǔ)，但是這些術(shù)語(yǔ)僅旨在一般意義和描述意義上進(jìn)行解釋?zhuān)侵荚谙拗啤?br> 權(quán)利要求
1.有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括 襯底； 多個(gè)像素，位于所述襯底的第一表面上，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素都具有朝向所述襯底發(fā)光的第一區(qū)和允許外部光穿透的第二區(qū)； 多個(gè)像素電路單元，位于每個(gè)像素的所述第一區(qū)中，所述多個(gè)像素電路單元中的每個(gè)像素電路單元均包括至少一個(gè)薄膜晶體管； 第一絕緣膜，覆蓋所述像素電路單元； 多個(gè)第一電極，位于所述第一絕緣膜上，所述多個(gè)第一電極中的每個(gè)第一電極都獨(dú)立設(shè)置在每個(gè)像素的第一區(qū)中，并且每個(gè)第一電極都電連接至每個(gè)像素電路單元； 第二絕緣膜，覆蓋所述第一電極的至少一部分； 第二電極，面對(duì)所述第一電極，所述第二電極在所述像素上電連接，而且所述第二電極形成在每個(gè)像素的至少第一區(qū)中； 有機(jī)膜，位于所述第一電極與所述第二電極之間； 密封部件，面對(duì)所述襯底的第一表面；以及 防反射膜，位于所述襯底的第二表面上， 其中所述防反射膜包括與所述第一區(qū)相對(duì)應(yīng)的防反射器和與所述第二區(qū)相對(duì)應(yīng)的透明單元。
2.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述防反射器包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜。
3.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述防反射器包括圓偏振膜。
4.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述透明單元包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜中的任一種。
5.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述透明單元具有孔。
6.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二電極是光反射電極。
7.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中每個(gè)像素的所述第一區(qū)包括發(fā)光區(qū)和電路區(qū)，所述像素電路單元設(shè)置在所述電路區(qū)中，所述第一電極設(shè)置在所述發(fā)光區(qū)中，而且每個(gè)像素的所述發(fā)光區(qū)和所述電路區(qū)彼此相鄰。
8.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中一個(gè)像素的第二區(qū)獨(dú)立于相鄰像素的第二區(qū)，而且所述透明單元獨(dú)立于另一相鄰?fù)该鲉卧?br> 9.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中一個(gè)像素的第二區(qū)連接至相鄰像素的第二區(qū)，而且所述透明單元連接至另一相鄰?fù)该鲉卧?br> 10.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二電極包括多個(gè)第一穿透窗，所述多個(gè)第一穿透窗分別位于與所述第二區(qū)相對(duì)應(yīng)的位置。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二絕緣膜包括連接至所述多個(gè)第一穿透窗的多個(gè)第二穿透窗。
12.有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括 襯底； 多個(gè)像素，位于所述襯底的第一表面上，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素都具有在與所述襯底相對(duì)的方向上發(fā)光的第一區(qū)和允許外部光穿透的第二區(qū)；多個(gè)像素電路單元，位于每個(gè)像素的所述第一區(qū)中，所述多個(gè)像素電路單元中的每個(gè)像素電路單元均包括至少一個(gè)TFT ； 第一絕緣膜，覆蓋所述像素電路單元； 多個(gè)第一電極，位于所述第一絕緣膜上，所述多個(gè)第一電極中的每個(gè)第一電極都獨(dú)立設(shè)置在每個(gè)像素的第一區(qū)中，并且每個(gè)第一電極均電連接至每個(gè)像素電路單元； 第二絕緣膜，覆蓋所述第一電極的至少一部分； 第二電極，面對(duì)所述第一電極，所述第二電極在所述像素上電連接，而且所述第二電極形成在每個(gè)像素的至少第一區(qū)中； 有機(jī)膜，位于所述第一電極與所述第二電極之間； 密封部件，面對(duì)所述襯底的第一表面；以及 防反射膜，位于所述襯底的第二表面上， 其中所述防反射膜包括與所述第一區(qū)相對(duì)應(yīng)的防反射器和與所述第二區(qū)相對(duì)應(yīng)的透明單元。
13.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述防反射器包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜。
14.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述防反射器包括圓偏振膜。
15.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述透明單元包括線偏振膜和相位轉(zhuǎn)換膜中的任一種。
16.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述透明單元具有孔。
17.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中每個(gè)第一電極均是光反射電極。
18.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中每個(gè)像素的所述第一區(qū)包括發(fā)光區(qū)和電路區(qū)，所述像素電路單元設(shè)置在所述電路區(qū)中，所述第一電極設(shè)置在所述發(fā)光區(qū)中，而且所述發(fā)光區(qū)與所述電路區(qū)交疊并覆蓋所述電路區(qū)。
19.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中至少兩個(gè)相鄰像素的第二區(qū)彼此獨(dú)立，而且所述透明單元獨(dú)立于另一相鄰?fù)该鲉卧?br> 20.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中至少兩個(gè)相鄰像素的第二區(qū)彼此連接，而且所述透明單元連接至另一相鄰?fù)该鲉卧?br> 21.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二電極包括多個(gè)第一穿透窗，所述多個(gè)第一穿透窗分別位于與所述第二區(qū)相對(duì)應(yīng)的位置。
22.如權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二絕緣膜包括連接至所述多個(gè)第一穿透窗的多個(gè)第二穿透窗。
全文摘要
有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括像素，位于所述襯底的第一表面上，每個(gè)像素都具有第一區(qū)和第二區(qū)；像素電路單元，位于所述第一區(qū)中，每個(gè)像素電路單元均包括至少一個(gè)TFT；第一絕緣膜，覆蓋所述像素電路單元；第一電極，位于所述第一絕緣膜上，每個(gè)第一電極都獨(dú)立設(shè)置在第一區(qū)中，并且每個(gè)第一電極都電連接至每個(gè)像素電路單元；第二絕緣膜，覆蓋所述第一電極的至少一部分；第二電極，面對(duì)所述第一電極，所述第二電極在所述像素上電連接，而且所述第二電極形成在至少第一區(qū)中；有機(jī)膜，位于所述第一電極與所述第二電極之間；密封部件，面對(duì)所述襯底的第一表面；以及防反射膜，位于所述襯底的第二表面上。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102769107SQ201210012089
公開(kāi)日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2012年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月3日
發(fā)明者樸贊永 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社