專利名稱：電漿抗流方法及電漿抗流圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電漿抗流方法及電漿抗流圈，它能夠利用電漿抗流方法及電漿抗流圈，將外來的突波或電路內(nèi)的突波引入電漿抗流圈中，借由電漿抗流圈中的導(dǎo)電回圈的表面粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子等的電漿反應(yīng)，以達(dá)到有效地消除或吸收該突波的目的。
背景技術(shù)：
各式各樣的抗流圈(Choke coil)被運用在各種不同功能型態(tài)的電器產(chǎn)品中，以便提升能源的使用率，并降低電源損耗，以增加電器產(chǎn)品壽命。而目前一般的抗流圈，由線圈(Coil)纏繞在娃鋼片(Silicon sheet steel)外緣所構(gòu)成的電感器(Inductor)來達(dá)成。此外，一般集成電路(Integrated Circuit, IC)或大規(guī)模集成電路(Large ScaleIntegrated Circuit,LSI)等的半導(dǎo)體裝置，因高壓靜電而被破壞或特性劣化。因此,于半導(dǎo)體裝置中作為應(yīng)對靜電的方法，使用有電感器等的突波吸收元件。或由電感器〔當(dāng)作為吸收突波作用時，則被稱為「抗流圈」〕與變阻器(varistor)共同構(gòu)成的突波吸收元件。吾等均知，當(dāng)對利用長導(dǎo)線所繞成的均勻螺旋狀的螺線管(Solenoid)通電時，根據(jù)安培右手定則(Ampere’ s circuital law)會在螺線管內(nèi)產(chǎn)生均勻的磁場。而當(dāng)在螺線管內(nèi)放入軟鐵芯后，雖可使插有軟鐵芯(鐵磁性材質(zhì))的螺線管內(nèi)的磁通量，遠(yuǎn)比空心螺線管的磁通量大為增加，但不可避免地會在所放入的軟鐵芯內(nèi)部產(chǎn)生潤流Eddy Current現(xiàn)象，因而產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致磁能的損耗。雖然將鐵芯改成更薄且多層迭壓的硅鋼片，企圖降低磁路飽和，以期減少每層硅鋼片內(nèi)所產(chǎn)生的渦流現(xiàn)象所產(chǎn)生的熱量及其所連帶造成的能量損耗，可以適度地解決上述的問題。但是除了無法徹底解決的前述渦流現(xiàn)象，以及因該渦流現(xiàn)象引發(fā)的熱量及能量的損耗之外，而且還會加大整組螺線管的重量與體積。因此使用電感器作為突波吸收元件時，無法避免地會將電流內(nèi)的電能轉(zhuǎn)化成熱能，造成電感元件的質(zhì)量因素(Quality Factor,簡稱Q值)下降的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的電感器作為突波吸收元件時，尤法避免地會將電流內(nèi)的電能轉(zhuǎn)化成熱能，同時造成電感元件的質(zhì)量質(zhì)量因素(Quality Factor, Q值)下降的問題，本發(fā)明提供一種電漿抗流方法及電漿抗流圈，它可以借將封裝在密閉空間內(nèi)的反應(yīng)流體〔「流體」指氣體、液體〕電離而將突波吸收，并借由被電離的反應(yīng)流體沿著導(dǎo)電回圈表面作螺旋運動，而產(chǎn)生微量的磁場讓導(dǎo)電回圈的所需訊號的電阻下降，減少干擾，增加質(zhì)量因素(Quality Factor,Q 值)。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是本發(fā)明電漿抗流方法，它是在密閉空間內(nèi)，裝設(shè)該至少一組導(dǎo)電回圈，并在該密閉空間內(nèi)充填反應(yīng)流體〔「流體」指氣體、液體〕，可對外來的突波產(chǎn)生對應(yīng)的感抗(亦即產(chǎn)生與外來突波對應(yīng)的感應(yīng)電動勢)，進而使密閉空間內(nèi)的導(dǎo)電回圈與反應(yīng)流體產(chǎn)生電漿反應(yīng)〔亦即導(dǎo)電回圈的表面粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子等的電漿反應(yīng)〕，以消除或吸收該外來的突波。本發(fā)明所提供的電漿抗流方法，其中該導(dǎo)電回圈具有單組或數(shù)組。本發(fā)明所提供的電漿抗流方法，其中該數(shù)組導(dǎo)電回圈進一步彼此對應(yīng)設(shè)置。本發(fā)明所提供的電漿抗流方法，其中該或該等導(dǎo)電回圈之中的至少一組導(dǎo)電回圈，具有至少一支端子自密閉空間內(nèi)向外穿出。本發(fā)明所提供的電漿抗流方法，具中該或該等導(dǎo)電回圈之中的至少一組導(dǎo)電回圈，具有至少一支端子被完全封閉在密閉空間內(nèi)，并且不與密閉空間外接觸。本發(fā)明電漿抗流圈，它包含密閉空間；至少一組導(dǎo)電回圈，裝設(shè)于上述密閉空間 內(nèi)，并在該密閉空間內(nèi)充填反應(yīng)流體〔「流體」指氣體、液體〕，可對外來的突波產(chǎn)生對應(yīng)的感抗(亦即產(chǎn)生與外來突波對應(yīng)的感應(yīng)電動勢)，使電漿抗流圈產(chǎn)生電漿反應(yīng)〔亦即導(dǎo)電回圈的表面粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子等的電漿反應(yīng)〕，以消除或吸收該外來的突波。本發(fā)明所提供的電漿抗流圈，其中該導(dǎo)電回圈具有單組或數(shù)組。本發(fā)明所提供的電漿抗流圈，其中該數(shù)組導(dǎo)電回圈進一步彼此對應(yīng)設(shè)置。本發(fā)明所提供的電漿抗流圈，其中該或該等導(dǎo)電回圈之中的至少一組導(dǎo)電回圈，具有至少一支端子自密閉空間內(nèi)向外穿出。本發(fā)明所提供的電漿抗流圈，其中該或該等導(dǎo)電回圈之中的至少一組導(dǎo)電回圈，具有至少一支端子被完全封閉在密閉空間內(nèi)，并且不與密閉空間外接觸。本發(fā)明所提供的電漿抗流方法及電漿抗流圈，它可以借將封裝在密閉空間內(nèi)的反應(yīng)流體〔「流體」指氣體、液體〕電離而將突波吸收，并借由被電離的反應(yīng)流體沿著導(dǎo)電回圈表面作螺旋運動，而產(chǎn)生微量的磁場讓導(dǎo)電回圈的所需訊號的電阻下降，減少干擾，增加質(zhì)量因素(Quality Factor, Q 值)。


下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。圖I是本發(fā)明第一實施的立體示意圖。圖2是圖I所示的2-2剖面圖。圖3是本發(fā)明第二實施的剖面圖。圖4是本發(fā)明第三實施的剖面圖。圖5是本發(fā)明第四實施的剖面圖。圖6是本發(fā)明第五實施的剖面圖。圖7是本發(fā)明第六實施的剖面圖。圖中標(biāo)號說明20電漿抗流圈21密閉空間22導(dǎo)電回圈221、222端子23反應(yīng)流體
具體實施例方式請參閱圖I至圖7所示，本發(fā)明旨在于提供一種電漿抗流方法，它是在密閉空間21內(nèi)，裝設(shè)該至少一組導(dǎo)電回圈22，并在該密閉空間21內(nèi)充填反應(yīng)流體23〔「流體」指氣體、液體〕〔例如壓力O. 5Torr〕，可透過非接觸的感應(yīng)方式或直接接觸的傳導(dǎo)方式，對外來的突波產(chǎn)生與外來突波對應(yīng)的感抗(亦即產(chǎn)生與外來突波對應(yīng)的感應(yīng)電動勢)，進而使密閉空間21內(nèi)的導(dǎo)電回圈22與反應(yīng)流體23產(chǎn)生電漿反應(yīng)〔亦即導(dǎo)電回圈22的表面粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子等的電漿反應(yīng)〕，以消除或吸收該外來的關(guān)波。請參閱圖I至圖7所示，本發(fā)明所提供的電漿抗流方法，其中該導(dǎo)電回圈22具有單組〔如圖I至圖4所示〕或數(shù)組〔如圖5至圖7所示〕。而當(dāng)數(shù)組時，導(dǎo)電回圈22得進一步彼此對應(yīng)設(shè)置。且該導(dǎo)電回圈22沿著如圖I至圖4所示的圓圈狀螺旋回繞。請參閱圖I、圖2、圖4、圖5、圖6、圖7所示，本發(fā)明所提供的電漿抗流方法，其中該或該等導(dǎo)電回圈22之中的至少一組導(dǎo)電回圈22，各自具有至少一支端子221、222并穿自密閉空間21內(nèi)向外穿出。本發(fā)明所提供的電漿抗流方法，當(dāng)突波發(fā)生時，導(dǎo)電回圈22會自然的形成阻抗抵擋，抵擋的同時，導(dǎo)電回圈22產(chǎn)生的反向感抗(亦即產(chǎn)生與外來突波對應(yīng)的感應(yīng)電動勢)，會將封裝在密閉空間21內(nèi)的反應(yīng)流體23電離〔即離子化，或稱電漿化〕，相較于傳統(tǒng)設(shè)計，功率小的突波會因此被吸收，功率大的突波則會讓反應(yīng)流體23離子化的程度更多，甚至是輝光放電的方式將突波吸收，而電離后的反應(yīng)流體23會因為導(dǎo)電回圈22而讓離子化的反應(yīng)流體23的電位達(dá)到平衡，在進行平衡的同時，密閉空間21的設(shè)計會使被電離的反應(yīng)流體23沿著導(dǎo)電回圈22表面作螺旋運動，其運動會產(chǎn)生微量的磁場讓導(dǎo)電回圈22的所需訊號的電阻下降，減少干擾。請參閱圖I至圖7所示，本發(fā)明旨在于提供一種電漿抗流圈20，它包含密閉空間21 ;及，至少一組導(dǎo)電回圈22，裝設(shè)于上述密閉空間21內(nèi)，并在該密閉空間21內(nèi)充填反應(yīng)流體23〔「流體」指氣體、液體〕，可透過非接觸的感應(yīng)方式或直接接觸的傳導(dǎo)方式，對外來的突波產(chǎn)生與外來突波對應(yīng)的感抗(亦即產(chǎn)生與外來突波對應(yīng)的感應(yīng)電動勢)，使電漿抗流圈22產(chǎn)生電漿反應(yīng)〔亦即導(dǎo)電回圈22的表面粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子等的電漿反應(yīng)〕，以消除或吸收該外來的突波。請參閱圖I至圖7所示，本發(fā)明所提供的電將抗流圈20，其中導(dǎo)電回圈22具有單組〔如圖I至圖4所示〕或數(shù)組〔如圖5至圖7所示〕。而當(dāng)數(shù)組時，導(dǎo)電回圈22得進一步彼此對應(yīng)設(shè)置。且該導(dǎo)電回圈22沿著如圖I至圖4所示的圓圈狀螺旋回繞。請參閱圖I、圖2、圖4、圖5、圖6所示,本發(fā)明所提供的電楽:抗流圈20,其中該或該等導(dǎo)電回圈22之中的至少一組導(dǎo)電回圈22，各自具有至少一支端子221〔或222〕并穿自密閉空間21內(nèi)向外穿出。
本發(fā)明所提供的電漿抗流圈20，當(dāng)突波發(fā)生時，導(dǎo)電回圈22會自然的形成阻抗抵擋，抵擋的同時，導(dǎo)電回圈22產(chǎn)生的反向突波(亦即產(chǎn)生與外來突波對應(yīng)的感應(yīng)電動勢)，會將封裝在密閉空間21內(nèi)的反應(yīng)流體23電離〔離子化，或稱電漿化〕，相較于傳統(tǒng)設(shè)計，功率小的突波會因此被吸收，功率大的突波則會讓反應(yīng)流體23離子化的程度更多，甚至是輝光放電的方式將突波吸收，而電離后的反應(yīng)流體23會因為導(dǎo)電回圈22而讓離子化的反應(yīng)流體23的電位達(dá)到平衡，在進行平衡的同時，密閉空間21會使被電離的反應(yīng)流體23沿著導(dǎo)電回圈22表面作螺旋運動，其運動會產(chǎn)生微量的磁場，讓導(dǎo)電回圈22的所需訊號的電阻下降，減低干擾。本發(fā)明巧妙地利用物質(zhì)第四態(tài)(電漿態(tài))的特性，使電離后的反應(yīng)流體23以法拉第右手定則的方式運動。所以，這個效應(yīng)可以視同具有鐵磁材料的特性，對于突波而言，這是會讓阻抗增加的因素，裸銅線的電感，本身的結(jié)構(gòu)讓電離的效能增加〔導(dǎo)電回圈22本身的「自感」與「互感」都是作功的來源〕。本發(fā)明利用密閉空間21內(nèi)所充填的反應(yīng)流體23的壓力來調(diào)整其阻抗大小〔當(dāng)所需抵抗的射頻干擾訊號功率越小時，所充填的反應(yīng)流體23的壓力也越小，反之亦然〕本發(fā)明的導(dǎo)電回圈22只要具有一部份裸露，而能與反應(yīng)流體23接觸進行電漿反應(yīng)，而且裸露的部位并不彼此接觸而造成短路，即可適用于本發(fā)明中，因此導(dǎo)電回圈22可為導(dǎo)電裸線(如圖1至圖7所示)、絞線(未圖示)、導(dǎo)電片(其中一面裸面，另外一面為絕緣面)等，本發(fā)明不予自限。
權(quán)利要求
1.ー種電漿抗流方法，其特征在于，在密閉空間內(nèi)，裝設(shè)該至少ー組導(dǎo)電回圏，并在該密閉空間內(nèi)充填反應(yīng)流體，以便對外來的突波產(chǎn)生與該外來的突波對應(yīng)的感抗，使密閉空間內(nèi)導(dǎo)電回圈與反應(yīng)流體產(chǎn)生電漿反應(yīng)，從而消除該外來的突波。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電漿抗流方法，其特征在于，所述導(dǎo)電回圈沿圓圈狀螺旋回繞。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電漿抗流方法，其特征在于，所述導(dǎo)電回圈具有單組。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電漿抗流方法，其特征在于，所述導(dǎo)電回圈具有數(shù)組。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電漿抗流方法，其特征在于，所述數(shù)組導(dǎo)電回圈進一歩彼此對應(yīng)設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的電漿抗流方法，其特征在于，所述導(dǎo)電回圈或所述數(shù)組導(dǎo)電回圈之中的至少ー組導(dǎo)電回圈，各自具有至少ー支端子自密閉空間內(nèi)向外穿出。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的電漿抗流方法，其特征在于，所述導(dǎo)電回圈或所述數(shù)組導(dǎo)電回圈之中的至少ー組導(dǎo)電回圈，被完全封閉在密閉空間內(nèi)，并且不與密閉空間外接觸。
8.一種電漿抗流圈，其特征在于，包括 密閉空間； 至少ー組導(dǎo)電回圈，裝設(shè)于上述密閉空間內(nèi)，并在該密閉空間內(nèi)充填反應(yīng)流體，以便對外來的突波產(chǎn)生與該外來的突波對應(yīng)的感抗，使電漿抗流圈產(chǎn)生電漿反應(yīng)，從而消除該外來的突波。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電漿抗流圈，其特征在于，所述導(dǎo)電回圈沿圓圈狀螺旋回繞。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電漿抗流圈，其特征在于，所述導(dǎo)電回圈具有單組。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電漿抗流圈，其特征在于，所述導(dǎo)電回圈具有數(shù)組。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電漿抗流圈，其特征在于，所述數(shù)組導(dǎo)電回圈進一歩彼此對應(yīng)設(shè)置。
13.根據(jù)權(quán)利要求8、9、10、11或12所述的電漿抗流圈，其特征在于，所述導(dǎo)電回圈或所述數(shù)組導(dǎo)電回圈之中的至少ー組導(dǎo)電回圈，各自具有至少ー支端子自密閉空間內(nèi)向外穿出。
14.根據(jù)權(quán)利要求8、9、10、11或12所述的電漿抗流圈，其特征在于，所述導(dǎo)電回圈或所述數(shù)組導(dǎo)電回圈之中的至少ー組導(dǎo)電回圈，被完全封閉在密閉空間內(nèi)，并且不與密閉空間外接觸。
全文摘要
一種電漿抗流方法及電漿抗流圈，是在密閉空間內(nèi)，裝設(shè)該至少一組導(dǎo)電回圈，并在該密閉空間內(nèi)充填反應(yīng)流體，當(dāng)電路受到外來的突波或電路內(nèi)的突波干擾時，該突波則對導(dǎo)電回圈施加電場或磁場，進而使密閉空間內(nèi)的導(dǎo)電回圈產(chǎn)生對應(yīng)的感抗，進而使導(dǎo)電回圈的表面粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子等的電漿反應(yīng)，以達(dá)到有效地消除或吸收該突波的目的。
文檔編號H01F27/34GK102623154SQ20121001210
公開日2012年8月1日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月28日
發(fā)明者賴秉豊 申請人:家賀投資股份有限公司, 賴秉豊