專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造技術(shù)，并具體涉及一種能夠有效應(yīng)用于樹脂密封的半導(dǎo)體器件及其制造技術(shù)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
日本未審專利公開No. Hei 6 (1994)-132457 (專利文獻(xiàn)I)描述了一種分開配置有厚晶體管布置部分和薄內(nèi)部引線的結(jié)構(gòu)。根據(jù)專利文獻(xiàn)1，在晶體管布置部分上方布置晶體管元件，并且通過在孔中插入銷釘(接合部分)并且擠鍛該銷釘而使該晶體管布置部分和內(nèi)部引線相互接合并且成為整體。如專利文獻(xiàn)I中的圖5所示，使用密封樹脂密封晶體管布置部分和內(nèi)部引線，從而使得它們完全被覆蓋。日本未審專利公開No. 2000-31338(專利文獻(xiàn)2)描述了專利文獻(xiàn)2中的圖2和圖 6所示的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，在基板上方布置引線框架，其中在它們之間具有樹脂絕緣層，并且在該引線框架上方布置開關(guān)半導(dǎo)體元件。[專利文獻(xiàn)I]日本未審專利公開No.Hei 6(1994)-132457[專利文獻(xiàn)2]日本未審專利公開No.2000-31338

發(fā)明內(nèi)容
—種半導(dǎo)體器件,包括半導(dǎo)體芯片，在該半導(dǎo)體芯片中形成有例如MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的半導(dǎo)體元件和多層互連；以及封裝體，其被形成為覆蓋該半導(dǎo)體芯片。上述封裝體具有如下功能(I)將形成在半導(dǎo)體芯片中的半導(dǎo)體元件與外部電路電耦合在一起；以及(2)保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受例如濕度和溫度的外部環(huán)境影響，從而防止由于振動(dòng)或者損傷引起的破壞以及防止半導(dǎo)體芯片特性退化。此外，該封裝體具有如下功能(3)便于半導(dǎo)體芯片的處理，以及(4)耗散在半導(dǎo)體芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱，以完全利用半導(dǎo)體元件的功能。因此，重要的是增強(qiáng)構(gòu)成半導(dǎo)體器件的封裝體的可靠性，以允許該封裝體充分發(fā)揮上述所需的功能。本發(fā)明的目的在于提供一種能夠增強(qiáng)構(gòu)成半導(dǎo)體器件的封裝體的可靠性的技術(shù)。從本說明書和附圖中的描述，將可以明確本發(fā)明的上述和其他目的以及新穎特征。以下是本申請中闡述的發(fā)明的代表性要素的要點(diǎn)的簡要說明。代表性實(shí)施例中的一種半導(dǎo)體器件，其包括(a)散熱器，具有第一正面以及位于與第一正面相對側(cè)上的第一背面；以及(b)具有多個(gè)引線和芯片布置部分的引線部分，該芯片布置部分具有第二正面以及位于與第二正面相對側(cè)上的第二背面。該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括(C)半導(dǎo)體芯片，其布置在芯片布置部分的第二正面上方；以及(d)密封本體，其密封散熱器的一部分、引線部分的一部分以及半導(dǎo)體芯片。構(gòu)成引線部分的引線與該半導(dǎo)體芯片相互電耦合。在密封本體中，散熱器的第一正面以及芯片布置部分的第二背面被設(shè)置為彼此相對。代表性實(shí)施例中的一種半導(dǎo)體器件的制造方法包括以下步驟(a)制備第一框架，在該第一框架中多個(gè)散熱器通過連接部分連接起來；(b)制備第二框架，在第二框架中每個(gè)都具有多個(gè)引線和芯片布置部分的多個(gè)引線部分連接在一起；以及(C)使第二框架成形，以使得芯片布置部分的表面被定位成低于引線的表面。該制造方法進(jìn)一步包括以下步驟(d)在每個(gè)芯片布置部分上方布置半導(dǎo)體芯片；(e)將每個(gè)半導(dǎo)體芯片和引線電耦合在一起；以及(f)密封每個(gè)散熱器的一部分、每個(gè)引線部分的一部分以及每個(gè)半導(dǎo)體芯片。步驟(f)包括以下步驟(fl)在模制模具中放置并設(shè)置第一框架和第二框架，以使得當(dāng)從平面圖看時(shí)從上方每個(gè)芯片布置部分與每個(gè)散熱器重疊；以及(f2)通過使用形成在第一框架中的連接部分作為樹脂阻擋部來采用樹脂填充模制模具的內(nèi)部。步驟(f)進(jìn)一步包括步驟(f3)從模制模具中取出已模制的第一框架和第二框架。以下是由本申請中闡述的發(fā)明的代表性元素得到的效果的要點(diǎn)的簡要說明。構(gòu)成半導(dǎo)體器件的封裝體的可靠性可以得以增強(qiáng)。


圖I是示意性說明了從第一封裝體產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)至本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的流程的圖；圖2A是從正面看時(shí)第一封裝體的正視圖；圖2B是從側(cè)面看時(shí)第一封裝體的側(cè)視圖；圖2C是從背面看時(shí)的第一封裝體的后視圖；圖3是說明了其上形成有樹脂毛刺的第一封裝體的外觀的配置的圖；圖4是說明了在制造第一封裝體時(shí)使用的引線框架的結(jié)構(gòu)的圖；圖5A是從正面看時(shí)第二封裝體的正視圖；圖5B是從側(cè)面看時(shí)第二封裝體的側(cè)視圖；圖5C是從背面看時(shí)第二封裝體的后視圖；圖6是說明了第二封裝體的外觀的配置的圖；圖7是說明了在制造第二封裝體時(shí)使用的引線框架的結(jié)構(gòu)的圖；圖8是說明了購買到的引線框架的圖；圖9是說明了經(jīng)歷成形的引線框架的圖；圖10是說明了購買到的引線框架的圖；圖11是說明了經(jīng)歷成形的引線框架的圖；圖12是解釋了與彎曲(翹曲)發(fā)生在用于制造第一封裝體的引線框架中的情況形成對比的、僅當(dāng)彎曲(翹曲)發(fā)生在用于制造第二封裝體的引線框架中時(shí)在密封本體中發(fā)生斷裂的機(jī)制的圖；圖13是說明了引線框架結(jié)構(gòu)的圖，其中具有通過連接部分連接起來的多個(gè)散熱器的散熱器單元與具有外部引線形成在其中的外部引線單元相互分離。
圖14A是第二封裝體的正視14B是第二封裝體的側(cè)視14C是第二封裝體的后視15是說明了在其中實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明技術(shù)構(gòu)想的引線框架的配置的圖；圖16是顯示了分離的散熱器單元和外部引線單元是如何接合起來的圖；圖17A是說明了實(shí)施例中的封裝體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖；圖17B是說明了實(shí)施例中的封裝體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖18是說明了功率MOSFET的器件結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖19是說明了在實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的制造工藝的圖；圖20是說明了在圖19之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的21是說明了在圖20之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的22是說明了在圖21之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的23是說明了在圖22之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的24是說明了在圖23之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的25是說明了在圖24之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的26是說明了在圖25之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的27是說明了實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的制造工藝的圖；圖28是說明了在圖27之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的29是說明了在圖28之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的30是說明了在圖29之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的31是說明了在圖30之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的32是說明了在圖31之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的33是說明了在圖32之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的34A是從正面看時(shí)第四封裝體的正視34B是從側(cè)面看時(shí)第四封裝體的側(cè)視34C是從背面看時(shí)第四封裝體的后視35A是說明了從正面看時(shí)如何在安裝基底上方安裝第四封裝體的圖；圖35B是說明了從側(cè)面看時(shí)如何在安裝基底上方安裝第四封裝體的圖；圖36A是從正面看時(shí)第五封裝體的正視36B是從側(cè)面看時(shí)第五封裝體的側(cè)視36C是從背面看時(shí)第五封裝體的后視37A是說明了從正面看穿時(shí)密封本體的內(nèi)部的圖；圖37B是從側(cè)面看穿時(shí)密封本體的內(nèi)部的剖視圖；圖37C是以放大方式說明了圖37B部分的剖視圖；圖38A是說明了從正面看時(shí)如何在安裝基底上方安裝第五封裝體的圖；圖38B是說明了從側(cè)面看時(shí)如何在安裝基底上方安裝第五封裝體的圖；圖39A是說明了用于第五封裝體的樹脂密封步驟的39B是說明了用于第五封裝體的樹脂密封步驟的39C是說明了用于第五封裝體的樹脂密封步驟的圖
圖40A是說明了在圖39A之后樹脂密封步驟的圖40B是說明了在圖39B之后樹脂密封步驟的圖40C是說明了在圖39C之后樹脂密封步驟的圖41A是說明了在圖40A之后樹脂密封步驟的圖41B是說明了在圖40B之后樹脂密封步驟的圖41C是說明了在圖40C之后樹脂密封步驟的圖42A是說明了在圖41A之后樹脂密封步驟的圖42B是說明了在圖41B之后樹脂密封步驟的圖42C是說明了在圖41C之后樹脂密封步驟的圖43A是說明了在圖42A之后樹脂密封步驟的圖43B是說明了在圖42B之后樹脂密封步驟的圖43C是說明了在圖42C之后樹脂密封步驟的圖44A是說明了在圖43A之后樹脂密封步驟的圖44B是說明了在圖43B之后樹脂密封步驟的圖44C是說明了在圖43C之后樹脂密封步驟的圖45A是從正面看的時(shí)實(shí)施例中的封裝體的正視圖45B是從側(cè)面看的實(shí)施例中封裝體的側(cè)視圖45C是從背面看的實(shí)施例中封裝體的后視圖46A是說明了實(shí)施例中封裝體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖46B是說明了實(shí)施例中封裝體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖47A是說明了從正面看時(shí)如何在安裝基底上方安裝實(shí)施例中的封裝體的 閱圖47B是說明了從側(cè)面看時(shí)如何在安裝基底上方安裝實(shí)施例中的封裝體的剖視圖;
圖48是說明了實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的制造工藝的圖49是說明了在圖48之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的圖50是說明了在圖49之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的圖51是說明了在圖50之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的圖52是說明了在圖51之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的圖53是說明了在圖52之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的圖54是說明了在圖53之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的圖55是說明了在圖54之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的圖56A是說明了實(shí)施例中的封裝體的樹脂密封步驟的圖56B是說明了實(shí)施例中的封裝體的樹脂密封步驟的圖56C是說明了實(shí)施例中的封裝體的樹脂密封步驟的圖57A是說明了在圖56A之后封裝體的樹脂密封步驟的圖57B是說明了在圖56B之后封裝體的樹脂密封步驟的圖57C是說明了在圖56C之后封裝體的樹脂密封步驟的圖；。
圖58A是說明了在圖57A之后封裝體的樹脂密封步驟的圖58B是說明了在圖57B之后封裝體的樹脂密封步驟的圖；CN 102593078 A圖58C是說明了在圖57C之后封裝體的樹脂密封步驟的59A是說明了在圖58A之后封裝體的樹脂密封步驟的59B是說明了在圖58B之后封裝體的樹脂密封步驟的59C是說明了在圖58C之后封裝體的樹脂密封步驟的60A是說明了在圖59A之后封裝體的樹脂密封步驟的60B是說明了在圖59B之后封裝體的樹脂密封步驟的60C是說明了在圖59C之后封裝體的樹脂密封步驟的61是說明了第七封裝體的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖62是說明了第七封裝體的配置并以放大方式說明了第七封裝體的某些區(qū)域的
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63是說明了用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思的框架結(jié)構(gòu)的圖； 64A是說明了實(shí)施例中的封裝體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖； 64B是說明了實(shí)施例中的封裝體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖； 65是說明了實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的制造工藝的圖
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66是說明了在圖65之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的 67是說明了在圖66之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的 68是說明了在圖67之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的 69是說明了在圖68之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的 70是說明了在圖69之后半導(dǎo)體器件的制造工藝的 71A是說明了第九封裝體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面71B是說明了第九封裝體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視72A是說明了第10封裝體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖 72B是說明了第10封裝體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖 73A是說明了第11封裝體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖 73B是說明了第11封裝體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖 74A是說明了從正面看時(shí)第12封裝體的平面圖 74B是說明了第12封裝體的截面結(jié)構(gòu)的74C是說明了從背面看時(shí)第12封裝體的平面75是說明了如何在安裝基底上方安裝第12封裝體的剖視圖。
具體實(shí)施例方式在以下描述中，如果出于方便的需要，則將把每個(gè)實(shí)施例劃分為多個(gè)部分。除非明確相反指示，否則它們不是相互無關(guān)聯(lián)的，并且它們的關(guān)系在于一個(gè)是另一個(gè)部分和整體的修改、細(xì)化、補(bǔ)充解釋等等。當(dāng)在以下實(shí)施例的描述中提到任何元件的數(shù)目(包括件數(shù)、數(shù)值、數(shù)量、范圍等) 等時(shí)，數(shù)目不限于該特定數(shù)目。除非明確相反指示或者數(shù)目原則上明顯限于特定數(shù)目，才使用上述，否則數(shù)目可以超過或低于該特定數(shù)目。在以下實(shí)施例的描述中，無需附加說的是，它們的構(gòu)成元件(包括元素性步驟等等)不總是必不可少的，除非明確相反指示或者原則上明顯是必不可少的。
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類似地，當(dāng)在以下實(shí)施例的描述中提到構(gòu)成元件等的形狀、位置關(guān)系等等時(shí)，其包括大致近似或者相似的外形等。除非明確相反指示或者原則上明顯某些外形等不包括大致近似或者相似的外形，這都是適用的。對于上述數(shù)值和范圍都是如此。在用于解釋實(shí)施例的每個(gè)附圖中，作為規(guī)則，相同的構(gòu)件將標(biāo)記為相同的附圖標(biāo)記，并且將省略對其重復(fù)的描述。甚至可能使平面圖陰影化來使得附圖容易理解。<本發(fā)明的基本技術(shù)構(gòu)思>本發(fā)明的特征在于，如下所描述那樣配置以增強(qiáng)構(gòu)成半導(dǎo)體器件的封裝體的可靠性。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括(a)散熱器，具有第一正面和位于與第一正面相對側(cè)上的第一背面；(b)引線部分，具有多個(gè)引線和芯片布置部分，該芯片布置部分具有第二正面和位于與第二正面相對側(cè)上的第二背面；(c)半導(dǎo)體芯片，布置在芯片布置部分的第二正面上方；以及(d)密封本體，其密封散熱器的一部分、引線部分的一部分以及半導(dǎo)體芯片。構(gòu)成引線部分的引線與半導(dǎo)體芯片相互電耦合。在密封本體中，散熱器的第一正面和芯片布置部分的第二背面設(shè)置為彼此相對。采取這種特性化配置使得能夠增強(qiáng)各種模式的封裝體產(chǎn)品中的封裝體的可靠性。即，本發(fā)明的上述特性化配置具有以下優(yōu)點(diǎn)可以應(yīng)用于各種封裝體產(chǎn)品，并且其使得可以解決每個(gè)封裝體產(chǎn)品中涉及到的問題。此后，將說明具體的示例， 其中將本發(fā)明的基本技術(shù)構(gòu)思用于各個(gè)封裝體產(chǎn)品。此外，將對在各個(gè)封裝體產(chǎn)品中涉及到的可以根據(jù)本發(fā)明來解決的問題進(jìn)行特定的和具體的說明。<第一封裝體產(chǎn)品涉及到的問題>將對本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思應(yīng)用于第一封裝體產(chǎn)品的示例進(jìn)行說明。首先，將參照附圖對第一封裝體產(chǎn)品涉及到的問題進(jìn)行說明。圖I示意性說明了從第一封裝體產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)至本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的流程。如圖I所示，在對樹脂毛刺采取措施之前，存在形式為封裝體PKI 的封裝體結(jié)構(gòu)。在該封裝體PKl中，具有熱輻射功能的散熱器HS從矩形密封本體MR的上部突出。每個(gè)封裝體PKl制造為通過引線框連接并且通過當(dāng)工件最終切割為各個(gè)封裝體PKl 時(shí)在切割部分CTl處切割每個(gè)散熱器HS而得到PKl。封裝體PKl具有如下結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)使得在散熱器HS的上部處具有切割部分CTl。據(jù)發(fā)現(xiàn)，在具有這種結(jié)構(gòu)的封裝體PKl中，當(dāng)形成密封本體MR時(shí)樹脂溢出并且形成樹脂毛刺RB。如果在其上形成有樹脂毛刺RB的封裝體PKl作為產(chǎn)品運(yùn)輸，則樹脂毛刺RB可能在運(yùn)輸目的地處從封裝體PKl脫落并且掉落的樹脂毛刺RB可能粘在安裝基底上的端子處。在這種情況下，發(fā)生以下問題，例如當(dāng)安裝基底的端子和封裝體(半導(dǎo)體器件)的引線電耦合在一起時(shí)作為樹脂絕緣體粘在安裝基底的端子處的樹脂毛刺RB干擾了安裝基底上的端子與封裝體的引線之間的電耦合。為此，據(jù)發(fā)現(xiàn)，必須改進(jìn)這種形成了樹脂毛刺RB的封裝體PKl的結(jié)構(gòu)。因此，考慮了將封裝體PKl的結(jié)構(gòu)改變?yōu)槿鐖DI所示的封裝體PK2的結(jié)構(gòu)。該封裝體PK2具有如下結(jié)構(gòu)，即該結(jié)構(gòu)使得切割部分CT2在散熱器HS側(cè)向。已驗(yàn)證的是，在具有該結(jié)構(gòu)的封裝體PK2中，當(dāng)形成密封本體MR時(shí)可以抑制樹脂泄漏，并且結(jié)果在封裝體PK2 上幾乎不形成樹脂毛刺RB。因此，猜測通過采取以下措施可能防止樹脂毛刺RB的形成將切割部分CTl位于散熱器上部的封裝體PKl的結(jié)構(gòu)改變?yōu)榍懈畈糠諧T2位于散熱器側(cè)面處的封裝體PK2的結(jié)構(gòu)。但是，已發(fā)現(xiàn)，在封裝體PK2中，產(chǎn)生了在封裝體PKl中未發(fā)生的新問題。即，已發(fā)現(xiàn)，當(dāng)封裝體PKl的結(jié)構(gòu)改變?yōu)榉庋b體PK2的結(jié)構(gòu)以解決在封裝體PKl中發(fā)生的樹脂毛刺
10RB的問題時(shí)，發(fā)生以下問題作為新問題，在密封本體MR中發(fā)生斷裂CK。S卩，當(dāng)出于防止樹脂毛刺RB形成的目的來采用封裝體PK2的結(jié)構(gòu)時(shí)，產(chǎn)生了在密封本體MR中的斷裂的新問題。因此，可以理解封裝體PKl的結(jié)構(gòu)涉及樹脂毛刺RB的形成的問題；而封裝體PK2的結(jié)構(gòu)是一種在其中可以抑制樹脂毛刺RB的形成、但是在密封本體MR中發(fā)生斷裂的結(jié)構(gòu)。此后，將描述封裝體PKl的結(jié)構(gòu)并且隨后描述為什么在封裝體PKl結(jié)構(gòu)中會(huì)形成樹脂毛刺RB的原因。圖2A至2C說明了封裝體PKl的外觀的配置；圖2A是從正面看時(shí)封裝體PKl的正視圖；而圖2B是從側(cè)面看時(shí)封裝體PKl的側(cè)視圖。圖2C是從背面看時(shí)封裝體PKl的后視圖。在圖2A中，封裝體PKl具有矩形密封本體MR，在該密封本體MR中掩埋有其中例如形成有集成電路的半導(dǎo)體芯片。散熱器HS的一部分從密封本體MR的上部突出，并且作為從引線框架分離的軌跡的切割部分CTl形成在散熱器HS的上部處。同時(shí)，柵極端子GT和源極端子ST從密封本體MR的下部突出。從圖2B可見，封裝體PKl在密封本體MR的底部處設(shè)置有散熱器HS，并且例如源極端子ST從密封本體MR突出。此外，從圖2C可見，在封裝體PKl中，散熱器HS布置在密封本體MR的背面，并且該散熱器HS也作為漏極端子DT。圖3說明了在其上形成有樹脂毛刺RB的封裝體PKl的外觀的配置。從圖3可見， 樹脂毛刺RB形成在從密封本體MR的上部突出的散熱器HS的側(cè)面處。即，在封裝體PKl的結(jié)構(gòu)的情況下，樹脂毛刺RB傾向于形成為如圖3所示。此后，將對為何樹脂毛刺RB總是形成在封裝體PKl的上述結(jié)構(gòu)中的原因做出描述。圖4說明了在制造封裝體PKl時(shí)使用的引線框架LFl的結(jié)構(gòu)。如圖4所示，引線框架LFl被構(gòu)造為提供多個(gè)散熱器HS但是各個(gè)散熱器HS未配置為相互接合。即，相鄰的散熱器HS沒有相互連接；因此，當(dāng)使用樹脂密封(模制)每個(gè)散熱器HS的一部分時(shí)，樹脂傾向于從多個(gè)散熱器HS之間的縫隙處溢出。樹脂從存在于相鄰散熱器HS之間的縫隙處溢出，并且樹脂毛刺形成在每個(gè)封裝體PKl中。即，可能的是，在封裝體PKl中形成樹脂毛刺的原因是引線框架LFl的結(jié)構(gòu)。將給出更具體的描述。形成在引線框架LFl中的多個(gè)散熱器HS沒有相互連接。結(jié)果，在樹脂密封期間在散熱器HS之間產(chǎn)生了縫隙，并且樹脂從這些縫隙溢出并且使得在每個(gè)封裝體PKl中形成樹脂毛刺。為了解決封裝體PKl中涉及到的上述問題，可以使用封裝體PK2的結(jié)構(gòu)。此后，將對封裝體PK2的結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。圖5A至5C說明了封裝體PK2的外觀的配置；圖5A是從正面看時(shí)封裝體PK2的正視圖；以及圖5B是從側(cè)面看時(shí)封裝體PK2的側(cè)視圖。圖5C是從背面看時(shí)封裝體PK2的后視圖。在圖5A中，封裝體PK2具有矩形密封本體MR，以及其中例如形成有集成電路的半導(dǎo)體芯片掩埋在密封本體MR中。散熱器HS的一部分從密封本體MR的上部突出，并且作為從引線框架分離的軌跡的切割部分CT2形成在散熱器HS的側(cè)面。如上所述，封裝體PK2的結(jié)構(gòu)與封裝體PKl的結(jié)構(gòu)的不同之處在于，切割部分CT2形成在散熱器HS的側(cè)面。同時(shí)， 柵極端子GT和源極端子ST從密封本體MR的下部突出。從圖5B可見，封裝體PK2在密封本體MR的底部處設(shè)置有散熱器HS，并且例如源極端子ST從密封本體MR突出。此外，從圖 5C可見，在封裝體PK2中，散熱器HS布置在密封本體MR的背面中并且該散熱器HS也作為漏極端子DT。
圖6說明了封裝體PK2的外觀的配置。從圖6可見，樹脂毛刺沒有形成在從密封本體MR的上部突出的散熱器HS的側(cè)面處。即，在封裝體PK2的結(jié)構(gòu)的情況下，樹脂毛刺不太傾向于形成，如圖6所示。將對在如上所述的封裝體PK2的結(jié)構(gòu)中為何不太傾向于形成樹脂毛刺的原因進(jìn)行描述。圖7說明了在制造封裝體PK2時(shí)使用的引線框架LF2的結(jié)構(gòu)。如圖7所示，該引線框架LF2被構(gòu)造為提供多個(gè)散熱器HS并且各個(gè)散熱器HS通過連接部分CON相互連接起來。該引線框架不同于用于制造封裝體PKl的引線框架LFl (參見圖4)。即，在圖7所示的弓I線框架LF2中，相鄰的散熱器HS通過連接部分CON相互連接起來；因此，當(dāng)采用樹脂密封 (模制)每個(gè)散熱器HS的一部分時(shí),不會(huì)在在多個(gè)散熱器HS之間產(chǎn)生縫隙。在如圖7所不的引線框架LF2中，連接部分CON形成在散熱器HS之間形成的縫隙中，并且這些連接部分 CON用作阻擋樹脂泄漏的阻擋部并且使得不太傾向于發(fā)生樹脂泄漏。在如圖7所示的引線框架LF2中，連接部分CON存在于相鄰的散熱器HS之間，并且這些連接部分CON用作防止樹脂泄漏的阻擋部；因此，可以防止在封裝體PK2中形成樹脂毛刺。由于上述原因，通過采用在其中相鄰的散熱器HS通過連接部分CON相互連接的引線框架LF2來抑制樹脂毛刺的形成。當(dāng)引線框架LF2用于制造封裝體PK2時(shí)，在樹脂密封之后切斷連接部分CON ;因此， 封裝體PK2被構(gòu)造為使得切割部分CT2形成在如圖6所示從密封本體MR突出的散熱器HS 的側(cè)面。由于上述原因，由以下在圖3所示的封裝體PKl中形成樹脂毛刺形成在引線框架 LFl中的散熱器HS沒有相互連接(參見圖4)。因此，在圖6所示的封裝體PK2中，通過采取以下措施抑制樹脂毛刺的形成形成在引線框架LF2中的散熱器HS通過連接部分CON連接起來，并且因此使得連接部分CON作為防止樹脂泄漏的阻擋部。在封裝體PK2中，因此可以抑制在封裝體PKl的結(jié)構(gòu)中構(gòu)成問題的樹脂毛刺的形成。但是，在封裝體PK2的結(jié)構(gòu)中，產(chǎn)生了在封裝體PKl的結(jié)構(gòu)中未使其自身顯現(xiàn)的新問題。該新問題是在密封本體MR中的斷裂。即，在封裝體PK2的結(jié)構(gòu)中，可以抑制樹脂毛刺的形成，但是在密封本體MR中的斷裂使其自身顯現(xiàn)為新問題。將對于自身并未在封裝體 PKl的結(jié)構(gòu)中顯現(xiàn)但是在封裝體PK2的結(jié)構(gòu)中顯現(xiàn)的在密封本體MR中的斷裂的原因進(jìn)行描述。如圖8上部所示，封裝體產(chǎn)品采用以下流程。接收引線框架并且使該引線框架經(jīng)受成形工藝處理。此后，在引線框架上方布置半導(dǎo)體芯片(裸片鍵合)，并且構(gòu)成引線框架的引線(外部引線)和所布置的半導(dǎo)體芯片通過接線接合在一起(接線鍵合)。隨后采用樹脂密封(模制)半導(dǎo)體芯片并且因此完成封裝體產(chǎn)品。在圖8中，注意用于制造封裝體 PKl的引線框架LF1。圖8說明了所購得的引線框架LF1。如圖8所示，在考慮到購得之后運(yùn)輸，以平坦?fàn)顟B(tài)(平直狀態(tài))接收引線框架LF1。即，考慮到抑制包裝的龐大、防止框架彎曲等等，以平直狀態(tài)接收引線框架LF1。如圖9所示，此后，對以平直狀態(tài)接收的引線框架 LFl進(jìn)行成形。圖9說明了所成形的引線框架LF1。如圖9所示，通過以擠壓(press)來使每個(gè)散熱器HS彎曲來具體地執(zhí)行引線框架LFl的成形，以使得散熱器HS被定位成低于引線。此時(shí)，并未對形成于引線框架LFl中的多個(gè)散熱器HS —次全部執(zhí)行通過擠壓使弓I 線框架LFl成形。作為替代的是，例如以形成在一個(gè)引線框架LFl中的散熱器HS之間的兩個(gè)或三個(gè)相鄰的散熱器HS來執(zhí)行擠壓成形。因此如圖9所示，在擠壓過程中產(chǎn)生了壓力的變化。結(jié)果，在一個(gè)引線框架LFl中的每個(gè)形成的散熱器HS的成形位置也產(chǎn)生變化，并且在整個(gè)引線框架LFl發(fā)生彎曲(翹曲)。對于該點(diǎn)，已采用用于制造封裝體PKl的引線框架 LFl作為示例對于在引線框架LFl中發(fā)生的彎曲(翹曲)做了描述。彎曲(翹曲)也類似地發(fā)生在用于制造封裝體PK2的引線框架LF2中。將給出更具體的描述。在圖10中，注意到用于制造封裝體PK2的引線框架LF2。 圖10說明了購得的引線框架LF2。如圖10所示，考慮到購得之后以平坦?fàn)顟B(tài)(平直狀態(tài)) 運(yùn)輸，也如此接收引線框架LF2。即，考慮到抑制包裝龐大、防止框架彎曲等等，而以平直狀態(tài)接收引線框架LF2。此后，如圖11所示，對以平直狀態(tài)接收的引線框架LF2進(jìn)行成形。圖 11說明了成形的引線框架LF2。如圖11所示，通過以擠壓使每個(gè)散熱器HS彎曲來具體地執(zhí)行引線框架LF2的成形，以使得散熱器HS被定位成低于引線。此時(shí)，也并未對形成于一個(gè)引線框架LF2中的多個(gè)散熱器HS—次全部執(zhí)行通過擠壓的引線框架LF2成形。作為替代的是，例如以形成在一個(gè)引線框架LF2中的散熱器HS之間的兩個(gè)或三個(gè)相鄰的散熱器HS來進(jìn)行擠壓成形。因此如圖11所示，在擠壓過程中產(chǎn)生了壓力的變化。結(jié)果，在一個(gè)引線框架LF2中的每個(gè)形成的散熱器HS的成形位置也產(chǎn)生變化，并且在整個(gè)引線框架LF2發(fā)生彎曲(翹曲)。從前述可見，彎曲(翹曲)既發(fā)生在用于制造封裝體PKl的引線框架LFl中，也發(fā)生在用于制造封裝體PK2的引線框架LF2中。在封裝體PK2的結(jié)構(gòu)中，該彎曲(翹曲)引起了密封本體MR中的斷裂。然而，如上所述，彎曲(翹曲)也發(fā)生在用于制造封裝體PKl的引線框架LFl中，但是在密封本體MR中的斷裂自身并未使其在封裝體PKl中呈現(xiàn)為問題。 因此，為何僅當(dāng)在用于制造封裝體PK2的引線框架LF2中發(fā)生彎曲(翹曲)時(shí)就在密封本體MR中發(fā)生斷裂，這成為問題。因此，此后，將對于為何僅當(dāng)在用于制造封裝體PK2的引線框架LF2中發(fā)生彎曲(翹曲)時(shí)就在密封本體MR中發(fā)生斷裂進(jìn)行描述。圖12解釋了僅當(dāng)在用于制造封裝體PK2的引線框架LF2中發(fā)生彎曲(翹曲)時(shí)就在密封本體MR中發(fā)生斷裂的機(jī)制。該解釋相對于在用于制造封裝體PKl的引線框架LFl 中發(fā)生彎曲(翹曲)的情況來給出。在圖12中，結(jié)構(gòu)“在采取抵抗樹脂毛刺脫落的措施之前”對應(yīng)于封裝體PKl的結(jié)構(gòu)；而結(jié)構(gòu)“在采取抵抗樹脂毛刺脫落的措施之后”對應(yīng)于封裝體PK2的結(jié)構(gòu)。注意到封裝體PKl的結(jié)構(gòu)或者“在采取抵抗樹脂毛刺脫落的措施之前”的結(jié)構(gòu)。在形成密封本體之后的狀態(tài)指示了框架的狀態(tài)。在該圖中圓形區(qū)域的放大圖描述了理想狀態(tài)和實(shí)際狀態(tài)。理想狀態(tài)顯示了在樹脂密封步驟處的理想狀態(tài)并且執(zhí)行樹脂密封使得位于相鄰的散熱器HS之間具有裸片突出部PJ1。在理想狀態(tài)，此時(shí)相鄰散熱器HS之間縫隙的尺寸大于裸片突出部PJl的尺寸；因此，可見的是，裸片突出部PJl定位在散熱器HS之間并且具有余量。然而，實(shí)際上，彎曲(翹曲)發(fā)生在所成形的引線框架LFl中，并且可能的是，散熱器HS之間縫隙的尺寸借由該彎曲(翹曲)減小。在這種情況下，裸片突出部PJl和散熱器HS被置于相互接觸。然而，因?yàn)樵谝€框架LFl中相鄰散熱器HS相互分離，所以即使當(dāng)散熱器HS之間縫隙借由彎曲(翹曲)變窄時(shí)也實(shí)施以下當(dāng)插入裸片突出部PJl時(shí)，存在散熱器HS側(cè)向偏移的自由度。因此，在用于制造封裝體PKl的引線框架LFl中，即使當(dāng)發(fā)生彎曲(翹曲)并且散熱器HS之間的縫隙變窄時(shí)也發(fā)生以下當(dāng)裸片突出部PJl插入在縫隙中時(shí)，散熱器HS側(cè)向偏移。因此，在引線框架LFl和裸片突出部PJl之間沒有施加不需要的應(yīng)力。結(jié)果，由于發(fā)生在引線框架LFl 和裸片突出部PJl之間的不需要的應(yīng)力而引起的在密封本體MR中的斷裂并未使其自身呈現(xiàn)為問題。將注意到封裝體PK2的結(jié)構(gòu)或者“在采取抵抗樹脂毛刺脫落的措施之后”的結(jié)構(gòu)。 形成密封本體之后的狀態(tài)指示了框架的狀態(tài)。在該圖中圓形區(qū)域的放大圖描述了理想狀態(tài)和實(shí)際狀態(tài)。理想狀態(tài)顯示了在樹脂密封步驟處的理想狀態(tài)。相鄰散熱器HS通過連接部分CON連接起來，并且執(zhí)行樹脂密封使得裸片突出部PJ2位于該連接部分CON的下方的空間內(nèi)。在理想狀態(tài)，此時(shí)連接部分CON下方的空間的尺寸大于裸片突出部PJ2的尺寸；因此，可見的是，裸片突出部PJ2位于連接部分CON下方的空間內(nèi)并且具有余量。然而，實(shí)際上，彎曲(翹曲)發(fā)生在所成形的引線框架LF2中，并且可能的是，連接部分CON下方的空間的尺寸借由該彎曲(翹曲)減小。在這種情況中，裸片突出部PJ2和連接部分CON被置于相互接觸。然而，因?yàn)樵谝€框架LF2中相鄰散熱器HS通過連接部分CON連接起來，連接部分CON下方的空間借由彎曲(翹曲)變窄。結(jié)果，當(dāng)插入裸片突出部PJ2時(shí)，裸片突出部PJ2和散熱器HS通過連接部分CON相互咬合。當(dāng)連接部分CON下方的空間借由彎曲(翹曲)變窄時(shí)，發(fā)生以下當(dāng)插入裸片突出部PJ2時(shí)，通過連接部分CON連接起來的散熱器HS無法側(cè)向偏移，并且裸片突出部PJ2強(qiáng)制插入在連接部分CON下方的空間內(nèi)。結(jié)果，裸片突出部PJ2和散熱器HS相互咬合。即，在用于制造封裝體PK2的引線框架LF2中發(fā)生以下當(dāng)發(fā)生彎曲(翹曲)并且連接部分CON下方的空間變窄時(shí)，裸片突出部PJ2和散熱器HS相互咬合。因此，當(dāng)樹脂密封步驟停止，并且從引線框架LF2移除裸片突出部PJ2時(shí)，在引線框架LF2和裸片突出部PJ2 之間施加了應(yīng)力。結(jié)果，由于引線框架LF2和裸片突出部PJ2之間施加的應(yīng)力，在密封本體 MR中發(fā)生斷裂。即，在用于制造封裝體PK2的引線框架LF2中，通過采用連接部分CON將相鄰散熱器HS連接起來，發(fā)生以下可以抑制由樹脂泄漏引起的樹脂毛刺的形成，但是同時(shí)借由連接部分CON的散熱器HS的固定大大促成了密封本體MR中的斷裂。從前述可以理解的是，樹脂毛刺RB的形成在封裝體PKl的結(jié)構(gòu)中造成問題，并且密封本體MR中的斷裂在封裝體PK2的結(jié)構(gòu)中造成問題。即，不可能在封裝體PKl的結(jié)構(gòu)中和在封裝體PK2的結(jié)構(gòu)的任意一者中，抑制樹脂毛刺RB而同時(shí)又防止密封本體MR斷裂。因此，將本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思應(yīng)用于第一封裝體產(chǎn)品以抑制樹脂毛刺RB并且防止密封本體MR 斷裂。此后，將對該技術(shù)構(gòu)思進(jìn)行描述。<通過將本發(fā)明應(yīng)用于第一封裝體產(chǎn)品得到的結(jié)構(gòu)>如上所述，通過借由連接部分CON將相鄰散熱器HS連接起來可以實(shí)施以下可以抑制樹脂毛刺RB的形成，這是因?yàn)檫B接部分CON作為樹脂密封中的阻擋部。因此，本發(fā)明應(yīng)用的結(jié)構(gòu)也采用了其中通過連接部分CON將相鄰散熱器HS連接起來的配置。然而，當(dāng)相鄰散熱器HS通過連接部分CON連接起來時(shí)，在形成引線框架時(shí)在散熱器HS中產(chǎn)生的彎曲 (翹曲)引起了密封本體MR中的斷裂。因此，在本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思中，采用一些方案以抑制當(dāng)形成引線框架時(shí)在散熱器HS中發(fā)生的彎曲(翹曲)。如圖13所示，該方案在于，在其中多個(gè)散熱器HS通過連接部分CON連接起來的散熱器單元HSU與其中形成有外部引線的外部引線單元OLU相互分離。這使得無需執(zhí)行成形工藝以便通過擠壓散熱器HS使得散熱器HS被定位成低于外部引線。即，通過將散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互分離可以實(shí)施以下散熱器單元HSU可以被定位成低于外部引線單元OLU而無需執(zhí)行成形工藝。因?yàn)槲磾D壓散熱器HS，翹曲未發(fā)生在散熱器單元HSU中，并且可能抑制由彎曲(翹曲)引起的密封本體MR中的斷裂。然而，僅僅將散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互分離產(chǎn)生了缺點(diǎn)。此后，將給出對于該缺點(diǎn)的描述。圖14A至圖14C說明了插入型封裝體PK2的結(jié)構(gòu)。圖14A說明了封裝體PK2的正面圖，而圖14B說明了封裝體PK2的側(cè)視圖。圖14C說明了封裝體PK2的后視圖。在插入型封裝體PK2中，如圖14A至圖14C所示，柵極端子GT、漏極端子DT以及源極端子ST從密封本體MR向下突出。漏極端子DT必須與散熱器HS電耦合，如圖14C中所示。 其中例如形成有功率MOSFET的半導(dǎo)體芯片布置在散熱器HS上方，并且該半導(dǎo)體芯片的背面提供漏極電極。因此，與半導(dǎo)體芯片的背面耦合的散熱器HS與半導(dǎo)體芯片的漏極電極電耦合。因此，當(dāng)散熱器HS與漏極端子DT電耦合在一起時(shí)，漏極端子DT通過散熱器HS與半導(dǎo)體芯片的漏極電極耦合。因此，散熱器HS和漏極端子DT必須相互電耦合。然而，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思中，其中形成有散熱器HS的散熱器單元HSU與其中形成有漏極端子DT (外部引線)的外部引線單元OLU相互分離。因此，如果沒有做出任何措施，則散熱器HS與漏極端子DT將相互分離。結(jié)果，不可能使得漏極端子DT有效地用作外部連接端子。因此，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思中，做出了另一方案。圖15說明了其中實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思的引線框架的配置。在本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思中，如圖15所示，散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互分離；并且在外部引線單元OLU中提供又一些芯片布置部分TAB。這些芯片布置部分TAB與形成在外部引線單元OLU中的外部引線(漏極端子)電耦合。因此， 當(dāng)其中例如形成有功率MOSFET的半導(dǎo)體芯片布置在芯片布置部分TAB上方時(shí)，形成在該半導(dǎo)體芯片的背面中的漏極電極與芯片布置部分TAB相互電耦合。此外，因?yàn)樾酒贾貌糠?TAB與外部引線(漏極端子)耦合，因此形成在半導(dǎo)體芯片的背面中的漏極電極通過芯片布置部分TAB而與外部引線(漏極端子)電耦合。因此，盡管散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互分離，但是半導(dǎo)體芯片的漏極區(qū)域與外部引線(漏極端子)可以相互電耦合。 如圖16所不，與外部引線單兀OLU分尚的散熱器單兀HSU布置在芯片布置部分TAB下方； 并且每個(gè)芯片布置部分TAB的背面與散熱器單元HSU的正面相互耦合。如上所述，本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的特征在于以下散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互分離；芯片布置部分TAB提供在外部引線單元OLU中；并且每個(gè)芯片布置部分TAB與每個(gè)散熱器HS均相互耦合。以下是本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思的特征的具體描述。(I)如圖15所示，本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的第一特征在于，其中形成有多個(gè)散熱器HS 的散熱器單元HSU配置為實(shí)施以下相鄰散熱器HS通過連接部分CON相互接合。結(jié)果，連接部分CON用作阻擋部，以防止當(dāng)在樹脂密封步驟處形成密封本體時(shí)樹脂泄漏，并且因此可以防止在封裝體產(chǎn)品中形成樹脂毛刺。這使得能夠防止封裝體產(chǎn)品運(yùn)輸時(shí)在其上形成有樹脂毛刺。因此，可以抑制在運(yùn)輸目的地處發(fā)生以下樹脂毛刺從封裝體產(chǎn)品脫落并且脫落的樹脂毛刺粘在安裝基底上方的端子上。因此，可以有效地防止以下，例如當(dāng)安裝基底的端子與封裝體(半導(dǎo)體器件)的引線相互電耦合時(shí)作為樹脂絕緣體粘在安裝基底的端子處的樹脂毛刺干擾了安裝基底上方的端子與封裝體的引線之間的電耦合。(2)如圖15所示，本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思的第二特征在于，以下相互分離其中形成有多
15個(gè)散熱器HS的散熱器單元HSU，以及其中形成有外部引線的外部引線單元0LU。這使得不必執(zhí)行成形工藝以使得通過擠壓散熱器HS使得散熱器HS被定位在外部引線的下方。SP， 可以通過將散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互分離，而不使用成形工藝將散熱器單元HSU布置在外部引線單元OLU下方。結(jié)果，因?yàn)闆]有擠壓散熱器HS，散熱器單元HSU中不會(huì)發(fā)生翹曲，并且可以抑制由彎曲(翹曲)引起的密封本體MR中的斷裂。(3)如圖16所示，本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思的第三特征在于芯片布置部分TAB提供在外部引線單元OLU中，并且這些芯片布置部分TAB與形成在外部引線單元OLU中的外部引線 (漏極端子)相互電耦合。因此，當(dāng)其中形成有例如功率MOSFET的半導(dǎo)體芯片布置在芯片布置部分TAB上方時(shí)，形成在半導(dǎo)體芯片的背面中的漏極電極與芯片布置部分TAB相互電耦合。此外，因?yàn)樾酒贾貌糠諸AB與外部引線(漏極端子)耦合，形成在半導(dǎo)體芯片的背面中的漏極電極通過芯片布置部分TAB與外部引線(漏極端子)電耦合。即，即使散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互分離，但可以使半導(dǎo)體芯片的漏極區(qū)域與外部引線(漏極端子)相互電耦合。(4)如圖16所示，本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思的第四特征在于與外部引線單元OLU相互分離的散熱器單元HSU布置在每個(gè)芯片布置部分TAB的下方；并且芯片布置部分TAB的背面與散熱器單元HSU的正面相互耦合。這使得可以通過芯片布置部分TAB以及耦合在一起的散熱器HS來有效耗散在布置在每個(gè)芯片布置部分TAB上方的半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的熱量。將對于通過采用本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思制造的封裝體PK3的配置給出描述。圖17A和圖 17B說明了封裝體PK3的結(jié)構(gòu)。圖17A是說明了封裝體PK3的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖，而圖17B 是說明了封裝體PK3的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖。封裝體PK3被構(gòu)造為其被矩形密封本體MR所覆蓋,并且圖17A顯示了從該密封本體MR看穿時(shí)封裝體PK3的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。如圖17A所示， 封裝體PK3具有散熱器HS，并且散熱器HS的一部分從密封本體MR的上部暴露出。切割部分CT2通過切割連接部分而形成在從密封本體MR的上部暴露出的散熱器HS的側(cè)面外側(cè)。 芯片布置部分TAB形成在散熱器HS上方，并且芯片布置部分TAB與漏極端子DT —體成形。 因此，芯片布置部分TAB與漏極端子DT相互電耦合。將半導(dǎo)體芯片CHP布置在芯片布置部分TAB上方，而在兩者之間具有焊料PST2。 例如，功率MOSFET形成在該半導(dǎo)體芯片CHP中。具體地，其中形成有功率MOSFET的半導(dǎo)體芯片CHP例如具有形成在半導(dǎo)體芯片CHP的正面的源極焊盤SP和柵極焊盤GP。柵極焊盤 GP通過接線Wl與柵極端子(外部引線)GT電耦合，并且源極焊盤SP通過接線W2與源極端子(外部引線)ST電耦合。漏極電極(未示出)形成在半導(dǎo)體芯片CHP的背面，并且漏極電極通過芯片布置部分TAB與漏極端子(外部引線)電耦合。將參照圖17B對封裝體PK3的剖面結(jié)構(gòu)給出描述。如圖17B所示，散熱器HS被形成為使得其從密封本體MR的底表面露出，并且將芯片布置部分TAB布置在散熱器HS上方而這兩者之間具有焊料PSTl。將半導(dǎo)體芯片CHP布置在芯片布置部分TAB上方，而這兩者之間具有焊料PST2。形成在半導(dǎo)體芯片CHP的正面中的源極焊盤(圖17B中未示出)以及源極端子ST通過接線W2耦合起來。芯片布置部分TAB的定位低于源極端子ST的定位，并且散熱器HS布置在芯片布置部分TAB的下部處。以下是封裝體PK3的上述配置的總結(jié)。該實(shí)施例中的封裝體PK3包括(a)散熱器HS，具有第一正面以及位于與第一正面相對側(cè)上的第一背面；以及(b)引線部分，該引線部分具有多個(gè)引線(柵極端子GT、源極端子ST、漏極端子DT)以及芯片布置部分TAB，該芯片布置部分TAB具有第二正面以及位于與第二正面相對側(cè)上的第二背面。封裝體PK3進(jìn)一步包括(c)半導(dǎo)體芯片CHP，布置在芯片布置部分TAB的第二正面上方；以及(d)密封本體MR，其密封散熱器HS的一部分、引線部分的一部分以及半導(dǎo)體芯片CHP。構(gòu)成引線部分的引線(柵極端子GT、源極端子ST、漏極端子DT)以及半導(dǎo)體芯片CHP相互電耦合。在密封本體MR中，散熱器HS的第一正面和芯片布置部分TAB的第二背面設(shè)置為彼此相對。散熱器HS的第一正面和芯片布置部分TAB的第二背面相互電耦合。上述半導(dǎo)體芯片CHP是包括功率晶體管(功率M0SFET)的芯片。半導(dǎo)體芯片CHP 包括在芯片正面中的源極焊盤SP和柵極焊盤GP，以及包括在與芯片正面相對的芯片背面中的漏極焊盤電極。同時(shí)，引線部分包括源極引線(源極端子ST)、柵極引線(柵極端子 GT)、以及漏極引線(漏極端子DT)。芯片布置部分TAB和漏極引線(漏極端子DT)相互接合。芯片布置部分TAB的第二正面與形成在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片背面中的漏極電極通過第一導(dǎo)電構(gòu)件(焊料PST1)相互電耦合。源極焊盤SP與源極引線(源極端子ST)通過第二導(dǎo)電構(gòu)件(接線W2)相互電耦合；以及柵極焊盤GP與柵極引線(柵極端子GT)通過第三導(dǎo)電構(gòu)件(接線Wl)相互電耦合。在如此配置的封裝體PK3中，散熱器HS與芯片布置部分TAB相互分離，如圖17B所示。這例如使得易于將芯片布置部分TAB的厚度以及散熱器HS的厚度設(shè)置為任意值。當(dāng)漏極端子(外部引線)DT與散熱器HS—體成形時(shí)，例如，難以使得漏極端子DT的厚度與散熱器HS的厚度相互不同。同時(shí)，當(dāng)封裝體被配置為散熱器HS與芯片布置部分TAB相互分離時(shí)，如封裝體PK3，可以容易地分立地設(shè)置芯片布置部分TAB的厚度以及散熱器HS的厚度。 例如，為了增強(qiáng)散熱器HS的散熱效率，使散熱器HS的厚度大于芯片布置部分TAB的厚度。 同時(shí)，為了進(jìn)一步減小封裝體PK3的厚度，使散熱器HS的厚度小于芯片布置部分TAB的厚度。不必說，也可以使散熱器HS的厚度與芯片布置部分TAB的厚度相互相等。在該實(shí)施例中的封裝體PK3中，如上所述，散熱器HS與芯片布置部分TAB相互分離；因此，可以增強(qiáng)設(shè)計(jì)散熱器HS和芯片布置部分TAB的自由度。在該實(shí)施例中的封裝體PK3中，存在將源極焊盤SP與源極端子ST接合在一起的多個(gè)接線W2，如圖17A所示。同時(shí)，柵極焊盤GP與柵極端子GT通過一個(gè)接線Wl接合在一起。其原因如下所述。通過將柵極焊盤GP與柵極端子GT接合在一起的接線W1，傳輸施加至形成在半導(dǎo)體芯片CHP中的功率MOSFET的柵極電極的控制信號。同時(shí)，通過將源極焊盤 SP與源極端子ST接合在一起的接線W2,傳遞大的負(fù)載電流。即，通過接線W2傳遞的電流大于通過接線Wl傳遞的電流，并且必須減小導(dǎo)通電阻；因此，源極焊盤SP與源極端子ST通過多條接線W2接合在一起。接線W2的直徑大于接線Wl的直徑，同理，使接線W2的導(dǎo)通電阻小于接線Wl的導(dǎo)通電阻。將對構(gòu)成該實(shí)施例中的封裝體PK3的主要構(gòu)成元件的材料進(jìn)行描述。在圖17A中的實(shí)施例中，柵極端子GT、漏極端子DT、源極端子ST以及芯片布置部分TAB由例如銅材料形成。與芯片布置部分TAB分離的散熱器HS也由例如銅材料形成。接線Wl和W2可以由例如鋁、金、銅等等形成，并且密封本體MR可以由例如樹脂材料形成，諸如環(huán)氧樹脂。將對于被密封本體MR所密封的半導(dǎo)體芯片CHP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。假設(shè)在該實(shí)施例中，例如，功率MOSFET形成在半導(dǎo)體芯片CHP中，并且將參照附圖對于該功率MOSFET的器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。能夠處理數(shù)瓦或以上功率的晶體管稱做功率M0SFET，并且已考慮了功率MOSFET 的多種結(jié)構(gòu)。在功率MOSFET中，存在所謂的垂直型以及所謂的水平型，并且這些結(jié)構(gòu)根據(jù)其柵極部分的結(jié)構(gòu)劃分為溝槽柵型、平面柵型等等。在這些功率MOSFET中，例如，采用其中在微圖案中并聯(lián)耦合有大量(例如數(shù)萬個(gè))M0SFET的結(jié)構(gòu)來得到大功率。將對功率MOSFET的配置的示例做出描述。圖18是說明了功率MOSFET的器件結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖18所示，例如，外延層EP形成在注入有η型雜質(zhì)的半導(dǎo)體基底IS上方。 該外延層EP是注入有η型雜質(zhì)的η型半導(dǎo)體層。溝道區(qū)域CH形成在外延層EP上方。溝道區(qū)域CH是注入有P型雜質(zhì)的P型半導(dǎo)體區(qū)域。溝槽TR被成形為使得它們穿透溝道區(qū)域CH并且延伸至外延層ΕΡ。由例如氧化硅膜構(gòu)成的柵極絕緣膜GOX形成在每個(gè)溝槽TR的內(nèi)壁上。柵極電極G被成形為經(jīng)由柵極絕緣膜GOX填充溝槽TR。柵極電極G由例如多晶硅膜構(gòu)成。源極區(qū)域SR形成在靠近每個(gè)溝道區(qū)域CH上方的溝槽TR的區(qū)域中，并且層間絕緣膜IL被成形為從上方覆蓋每個(gè)源極區(qū)域SR以及每個(gè)溝槽TR。柵極電極G被配置為使得其從溝槽TR突出，并且層間絕緣膜IL被成形為也覆蓋這些柵極電極G。接觸孔Cl形成在每個(gè)層間絕緣膜IL中，并且這些接觸孔Cl被成形為它們穿過層間絕緣膜IL以及源極區(qū)域SR。由于接觸孔Cl的緣故，每個(gè)源極區(qū)域SR形成在位于接觸孔 Cl與溝槽TR之間的區(qū)域中，使其與接觸孔Cl以及溝槽TR相鄰。體接觸區(qū)域BC形成在每個(gè)接觸孔Cl下方。即，每個(gè)體接觸區(qū)域BC形成在每個(gè)接觸孔Cl的底部下方并與該底部接觸。每個(gè)體接觸區(qū)域BC由注入有P型雜質(zhì)的P型半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成；并且P型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度高于類似地由P型半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成的每個(gè)溝道區(qū)域 CH。體接觸區(qū)域BC具有如下功能確保與通過在每個(gè)接觸孔Cl中掩埋導(dǎo)電膜而形成的源極電極構(gòu)成歐姆接觸；并且防止功率MOSFET中的寄生雙極晶體管執(zhí)行導(dǎo)通操作。將給出更具體的描述。在溝槽柵極型功率MOSFET中，ηρη寄生雙極晶體管由以下形成源極區(qū)域 SR(將為發(fā)射極)，為η型半導(dǎo)體區(qū)域；溝道區(qū)域CH(將為基極)，為P型半導(dǎo)體區(qū)域；以及外延層EP (將為集電極)，為η型半導(dǎo)體區(qū)域。因此，當(dāng)該ηρη寄生雙極晶體管執(zhí)行導(dǎo)通操作時(shí)，取決于工作環(huán)境，電流大到功率MOSFET的柵極電極G無法控制。隨后功率MOSFET產(chǎn)生比所需更多的熱并導(dǎo)致?lián)舸Ｒ虼?，必須防止ηρη寄生雙極晶體管執(zhí)行導(dǎo)通操作。為了使得ηρη寄生雙極晶體管不太傾向于執(zhí)行導(dǎo)通操作，必須減小基極電阻。因?yàn)樯鲜鲈颍w接觸區(qū)域BC的濃度被形成為高于溝道區(qū)域CH，以減小基極電阻。第一半導(dǎo)體區(qū)域Pl形成在每個(gè)體接觸區(qū)域BC下方。第一半導(dǎo)體區(qū)域Pl由P型半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成。它們注入有雜質(zhì)濃度低于每個(gè)體接觸區(qū)域BC的雜質(zhì)濃度、但是高于每個(gè)溝道區(qū)域CH的雜質(zhì)濃度的P型雜質(zhì)。第一半導(dǎo)體區(qū)域Pl被形成為比位于每個(gè)溝道區(qū)域CH 和外延層EP之間的邊界更深的區(qū)域。這使得可以緩和在形成于每個(gè)溝道區(qū)域CH和外延層EP之間的邊界處的ρ-η結(jié)處的場濃度，并且可以增大功率MOSFET的雪崩擊穿電壓。換言之，可以增強(qiáng)功率MOSFET的擊穿電壓。在此引用的功率MOSFET的擊穿電壓(BVdss)由當(dāng)施加電壓至漏極區(qū)域而柵極電極G和源極區(qū)域SR接地時(shí)發(fā)生雪崩擊穿的電壓來確定。根據(jù)上述，形成在每個(gè)體接觸區(qū)域 BC下方的第一半導(dǎo)體區(qū)域Pl具有增強(qiáng)功率MOSFET的擊穿電壓的功能。
鎢化鈦膜TW形成在包括接觸孔Cl的每個(gè)層間絕緣膜IL上方，并且鋁膜Al形成在這些鎢化鈦膜TiW上方。源極電極SE由每個(gè)鎢化鈦膜TW和鋁膜Al構(gòu)成。即，每個(gè)源極電極SE掩埋在接觸孔Cl中，并且與源極區(qū)域SR和體接觸區(qū)域BC電耦合。同時(shí)，由例如金膜形成的源極電極DE形成在半導(dǎo)體基底IS的背面中。如圖18所示的功率MOSFET如上所述配置，并且此后將對其操作進(jìn)行簡要描述。例如，在源極電極SE與漏極電極DE之間提供電勢差，并且向柵極電極G施加等于或大于閾值的電壓。隨后反型層形成在與其中掩埋有柵極電極G的溝槽TR的側(cè)面接觸的溝道區(qū)域CH 中。即，作為η型半導(dǎo)體區(qū)域的反型層形成在作為P型半導(dǎo)體區(qū)域的溝道區(qū)域CH中的與溝槽TR接觸的區(qū)域中。因此，作為η型半導(dǎo)體區(qū)域的源極區(qū)域SR與作為η型半導(dǎo)體區(qū)域的外延層EP通過該反型層相互電耦合。因此，因?yàn)樵谠礃O電極SE和漏極電極DE之間提供了電勢差，所以電流在源極電極SE和漏極電極DE之間流動(dòng)。如此配置的功率MOSFET形成在如圖17Α和圖17Β所示的半導(dǎo)體芯片CHP中。源極焊盤SP和柵極焊盤GP形成在如圖17Α所示的半導(dǎo)體芯片CHP的正面中，并且該源極焊盤SP通過暴露如圖18所示的功率MOSFET的源極電極SE的一部分來得到。同時(shí)，柵極焊盤GP是通過電耦合如圖18所示的多個(gè)柵極電極G來引出的焊盤。同時(shí)，從圖18明顯可知， 漏極電極DE形成在半導(dǎo)體基底IS (圖17Α中的半導(dǎo)體芯片)的背面中。在該實(shí)施例中的封裝體ΡΚ3 (半導(dǎo)體器件)如上配置，并且此后將參照附圖給出對制造方法示例的描述。如圖19所示，首先，制備外部引線單元(第二框架)0LU，其中每個(gè)都具有多個(gè)外部引線和芯片布置部分TAB的多個(gè)引線部分連接在一起。在該階段，考慮到購買之后的運(yùn)輸，以平整(平直狀態(tài))方式接收外部引線單元0LU。即，考慮到抑制包裝的龐大、防止框架彎曲等等，以平直狀態(tài)制備外部引線單元0LU。隨后，如圖20所示，外部引線單元OLU被成形為使得每個(gè)芯片布置部分TAB的正面被定為成低于多個(gè)外部引線的表面。通過以擠壓來使芯片布置部分TAB彎曲來執(zhí)行外部引線單元OLU的該成形步驟。此時(shí)，在成本和工藝方面，難以制備大型擠壓機(jī)器，并且難以通過使用小型擠壓機(jī)器來擠壓成形外部引線單元0LU。因此，不對形成于一個(gè)外部引線單元 OLU中的多個(gè)芯片布置部分TAB上一次全部執(zhí)行擠壓成形外部引線單元0LU。作為替代的是，例如通過對形成于一個(gè)外部引線單元OLU中的芯片布置部分TAB中的兩個(gè)或三個(gè)相鄰芯片布置部分TAB來執(zhí)行擠壓成形。因此，在擠壓過程中產(chǎn)生了壓力變化，并且因此可能的是，在一個(gè)外部引線單元OLU中的每個(gè)所形成的芯片布置部分TAB的成形位置也產(chǎn)生了變化。然而，在該實(shí)施例中，在樹脂密封步驟固定裸片突出部的散熱器本身不通過擠壓成形； 因此可以抑制由散熱器彎曲(翹曲)引起的密封本體MR中的斷裂。即，即便在芯片布置部分TAB中發(fā)生彎曲(翹曲)，因?yàn)樾酒贾貌糠諸AB自身并不用于在樹脂密封步驟固定裸片突出部，所以不會(huì)在密封本體MR中發(fā)生斷裂。隨后，如圖21所示，焊料PST2被涂覆到每個(gè)芯片布置部分TAB。隨后將半導(dǎo)體芯片CHP布置在對其涂覆有焊料PST2的芯片布置部分TAB上方，如圖22所示(裸片鍵合)， 并且執(zhí)行加熱處理。作為該步驟的結(jié)果，形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的背面中的漏極電極與每個(gè)芯片布置部分TAB相互電耦合。從芯片側(cè)向外使每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的背面金屬化，例如Ti/Ni/Au、Ti/Ni/Ag, Ni/Ti/Ni/Au等等。焊料PST2與Au下層的Ni形成合金，并且形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的背面中的漏極電極與每個(gè)芯片布置部分TAB因此相互電耦合。隨后，如圖23所示，制備散熱器單元(第一框架)HSU，其中多個(gè)散熱器HS通過連接部分CON連接在一起。焊料PSTl涂覆在該散熱器單元HSU中存在的每個(gè)散熱器HS。此時(shí)制備的散熱器單元HSU在平直狀態(tài)。此后，如圖24所示，散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互接合。具體地，散熱器單元HSU與外部引線單元OLU如此布置使得外部引線單元OLU中存在的每個(gè)芯片布置部分TAB均布置在散熱器單元HSU中存在的每個(gè)散熱器HS上方。隨后執(zhí)行回流工藝(加熱工藝)以熔化焊料PSTl和焊料PST2。結(jié)果，每個(gè)散熱器HS和每個(gè)芯片布置部分TAB接合起來，并且每個(gè)芯片布置部分TAB與每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP接合起來。其中形成有多個(gè)散熱器HS的散熱器單元HSU與其中形成有多個(gè)外部引線的外部引線單元OLU相互分離。這使得無需執(zhí)行困難的成形工藝以僅通過擠壓散熱器HS而將散熱器HS布置在外部引線下方。即，通過將散熱器單元HSU和外部引線單元OLU作為分立部件制備，可以在不必使散熱器單元HSU成形的情況下，將散熱器單元HSU可以布置在外部引線OLU下方。結(jié)果，無需擠壓散熱器HS，并且不會(huì)在散熱器單元HSU中發(fā)生彎曲(翹曲)。隨后，清潔已經(jīng)接合在一起的散熱器單元HSU和外部引線單元0LU。執(zhí)行該清潔處理，移除了包含在焊料PSTl和焊料PST2中的助焊劑。為了有效移除助焊劑，常常結(jié)合使用噴嘴或超聲波。在該實(shí)施例中，在接線鍵合(wire bonding)步驟之前,散熱器HS和芯片布置部分TAB通過焊料PSTl接合起來。因此，可以在接線鍵合步驟之前，執(zhí)行用于移除包含在用于接合每個(gè)散熱器HS和每個(gè)芯片布置部分TAB的焊料PSTl中的助焊劑的清潔步驟。 這使得可以消除由清潔處理引起的對接線的損傷并且增強(qiáng)接線接合的可靠性。隨后，如圖25所不，布置在每個(gè)芯片布置部分TAB上方的半導(dǎo)體芯片CHP與外部引線通過接線(接線鍵合)相互接合起來。具體地，形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的正面中的柵極焊盤與柵極端子(外部引線)通過接線Wl接合起來；并且形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP 的正面中的源極焊盤與源極端子(外部引線)通過接線W2接合起來。此時(shí)，接線W2的線直徑大于接線Wl的線直徑，并且接線Wl的數(shù)目是I，而接線W2的數(shù)目大于I (2或以上)。期望的是，線直徑大于接線Wl的接線W2要首先經(jīng)受接線鍵合。理由如下所述。在接線鍵合中，通常功率較大的超聲波施加至線直徑較大的接線而不是直徑較小的接線。因此，如果首先接線直徑較小的接線并且隨后接線直徑較大的接線，則超聲波此時(shí)將穿透芯片；并且這增大了線直徑較小的接線與鍵合焊盤錯(cuò)位的可能性。此后，如圖26所示，采用樹脂密封每個(gè)散熱器HS的一部分、每個(gè)外部引線的一部分、每個(gè)芯片布置部分TAB以及每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP，以形成密封本體MR(樹脂密封步驟)。 將給出更具體的描述。將接合在一起的散熱器單元HSU和外部引線單元OLU設(shè)置在模制模具(molding die)中。此時(shí)，相鄰的散熱器HS通過連接部分CON連接起來。因此，在將裸片突出部布置在連接部分CON下方的空間中的情況下，固定散熱器單元HSU和外部引線單元 OLU0此后，采用樹脂填充模制模具的內(nèi)部。在該實(shí)施例中，此時(shí)，將相鄰散熱器HS連接起來的連接部分CON用作防止樹脂泄漏的阻擋部；因此，這可以防止樹脂毛刺形成在每個(gè)密封本體MR的外部。結(jié)果，可以防止封裝體產(chǎn)品在運(yùn)輸時(shí)在其上形成有樹脂毛刺。這使得可以防止在運(yùn)輸目的地處發(fā)生以下樹脂毛刺從封裝體產(chǎn)品脫落并且所脫落的樹脂毛刺粘在安裝基底上方的端子處。因此，例如當(dāng)安裝基底的端子與封裝體(半導(dǎo)體器件)的引線相互電耦合時(shí)，可以實(shí)施以下可以有效地防止樹脂毛刺作為樹脂絕緣體粘合在安裝基底的端子處，從而防止其干擾安裝基底上方的端子與封裝體的引線之間的電耦合。在隨后形成了密封本體MR之后，從模制模具中取出其上形成有密封本體MR的散熱器單元HSU和外部引線單元0LU。在該實(shí)施例中，未擠壓散熱器HS ;因此，在散熱器單元 HSU中不會(huì)發(fā)生彎曲(翹曲)。為此，當(dāng)移除插入至連接部分CON下方的空間中的裸片突出部時(shí)，裸片突出部不會(huì)與散熱器單元HSU咬合。從而，可以從模制模具中取出其上形成有密封本體MR的散熱器單元HSU和外部引線單元0LU，而不會(huì)在密封本體MR上施加應(yīng)力負(fù)擔(dān)。 這使得可以防止在密封本體MR中由裸片突出部咬合散熱器單元HSU并且在密封本體MR上施加不必要的應(yīng)力的現(xiàn)象而引起的斷裂。隨后，對散熱器單元HSU和外部引線單元OLU進(jìn)行切割并且成形以制造各個(gè)封裝體PK3?？梢匀缟纤鲋圃煸谠搶?shí)施例中的封裝體PK3 (半導(dǎo)體器件)。將參照附圖對于用于制造該實(shí)施例中的封裝體PK3(半導(dǎo)體器件)的另一種制造方法的示例做出描述。如圖27所示，首先，制備外部引線單元(第二框架)0LU，其中每個(gè)都具有多個(gè)外部引線和芯片布置部分TAB的多個(gè)引線部分連接在一起。在該階段，考慮到購得之后的運(yùn)輸， 以平坦(平直狀態(tài))方式接收外部引線單元0LU。即，考慮到抑制包裝的龐大、防止框架彎曲等等，以平直狀態(tài)制備外部引線單元0LU。隨后，如圖28所示，外部引線單元OLU被成形為使得每個(gè)芯片布置部分TAB的正面被定位成低于多個(gè)外部引線的表面。通過擠壓使芯片布置部分TAB彎曲來執(zhí)行使外部引線單元OLU成形的步驟。此時(shí)，從成本和工藝方面，難以制備大型擠壓機(jī)器，并且難以通過使用小型擠壓機(jī)器擠壓形成外部引線單元0LU。為此，并不對形成于一個(gè)外部引線單元OLU 中的多個(gè)芯片布置部分TAN—次全部執(zhí)行通過擠壓使外部引線單元OLU成形。作為替代的是，例如以在形成在一個(gè)外部引線單元OLU中芯片布置部分TAB之間的兩個(gè)或三個(gè)相鄰芯片布置部分TAB來執(zhí)行擠壓成形。因此，在擠壓過程中壓力發(fā)生變化，并且因此在一個(gè)外部引線單元OLU中的每個(gè)形成的芯片布置部分TAB的成形位置也可以產(chǎn)生變化。然而，在該實(shí)施例中，在樹脂密封步驟固定裸片突出部的散熱器自身并不由擠壓成形；因此，可以抑制散熱器中彎曲(翹曲)引起的密封本體MR中的斷裂。即，即便在芯片布置部分TAB中發(fā)生彎曲(翹曲)，因?yàn)樾酒贾貌糠諸AB自身并不用于在樹脂密封步驟固定裸片突出部，所以不會(huì)在密封本體MR中發(fā)生斷裂。隨后如圖29所示，焊料PST2施加至涂覆到每個(gè)芯片布置部分TAB。隨后將半導(dǎo)體芯片布置在其上涂覆有焊料PST2的芯片布置部分TAB上方，如圖30所示(裸片鍵合)，并且執(zhí)行加熱工藝。作為該步驟的結(jié)果，形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的背面中的漏極電極與每個(gè)芯片布置部分TAB相互電耦合。從芯片側(cè)向外使每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的背面金屬化，例如Ti/Ni/Au、Ti/Ni/Ag, Ni/Ti/Ni/Au等等。焊料PST2與Au下層的Ni形成合金，并且形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP 的背面中的漏極電極與每個(gè)芯片布置部分TAB因此相互電耦合。此后，如圖31所示，布置在每個(gè)芯片布置部分TAB上方的半導(dǎo)體芯片CHP與外部引線通過接線(接線鍵合)相互接合。具體地，形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的正面中的柵極焊盤與柵極端子(外部引線)通過接線Wl接合起來；并且形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的正面中的源極焊盤與源極端子(外部引線)通過接線W2接合起來。此時(shí)，接線W2的線直徑大于接線Wl的線直徑，并且接線Wl的數(shù)目為I而接線W2的數(shù)目多于I (2或以上)。期望的是，線直徑大于接線Wl的接線W2要首先經(jīng)受接線鍵合。理由如下所述。在接線鍵合中，通常功率較大的超聲波施加至線直徑較大的接線而不是直徑較小的接線。因此，如果首先接線直徑較小的接線并且隨后接線直徑較大的接線，則超聲波將穿透芯片；并且這增大了線直徑較小的接線與鍵合焊盤錯(cuò)位的可能性。隨后，如圖32所示，制備散熱器單元(第一框架)HSU，其中多個(gè)散熱器HS通過連接部分CON連接起來。焊料PSTl涂覆到在該散熱器單元HSU中存在的每個(gè)散熱器HS。此時(shí)制備的散熱器單元HSU在平直狀態(tài)。此后，散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互接合。具體地，散熱器單元HSU與外部引線單元OLU被布置為使得在外部引線單元OLU中存在的每個(gè)芯片布置部分TAB均布置在散熱器單元HSU中存在的每個(gè)散熱器HS上方。隨后執(zhí)行回流工藝(加熱工藝)以熔化焊料PSTl，從而將每個(gè)散熱器HS和每個(gè)芯片布置部分TAB相互接合。此時(shí)，在上述回流工藝中，用于接合每個(gè)芯片布置部分TAB和每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的焊料PST2再次熔化。然而，每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP和外部引線通過接線Wl或接線W2相互接合。為此，每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP由接線Wl和接線W2固定；因此，可以阻止每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP由于焊料PST2的重新熔化而導(dǎo)致的錯(cuò)位。其中形成有多個(gè)散熱器HS的散熱器單元HSU與其中形成有外部引線的外部引線單元OLU相互分離。這使得無需執(zhí)行困難的成形工藝以僅通過擠壓散熱器HS而將散熱器 HS布置在外部引線下方。即，通過將散熱器單元HSU和外部引線單元OLU作為分立部件制備，可以在無需使散熱器單元HSU成形的情況下，將散熱器單元HSU布置在外部引線單元 OLU下方。結(jié)果，無需擠壓散熱器HS，并且不會(huì)在散熱器單元HSU中發(fā)生彎曲(翹曲)。隨后，清潔已接合在一起的散熱器單元HSU和外部引線單元0LU。執(zhí)行該清潔工藝以移除包含在焊料PSTl和焊料PST2中的助焊劑。為了有效移除助焊劑，經(jīng)常結(jié)合使用噴嘴或超聲波。此后，如圖33所示，采用樹脂密封每個(gè)散熱器HS的一部分、每個(gè)外部引線的一部分、每個(gè)芯片布置部分TAB以及每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP以形成密封本體MR(樹脂密封步驟)。 將給出更詳細(xì)的說明。在模制模具中設(shè)置已經(jīng)接合在一起的散熱器單元HSU和外部引線單元0LU。此時(shí)，相鄰散熱器HS通過連接部分CON連接起來。因此，在將裸片突出部布置在連接部分CON下方的空間中的情況下，固定散熱器單元HSU和外部引線單元0LU。此后，采用樹脂填充模制模具的內(nèi)部。在該實(shí)施例中，此時(shí)將相鄰散熱器HS連接起來的連接部分CON用作防止樹脂泄漏的阻擋部；因此，可以防止樹脂毛刺形成在每個(gè)密封本體MR的外部。結(jié)果，可以防止在其上形成有毛刺時(shí)運(yùn)輸封裝體產(chǎn)品。這可以防止在運(yùn)輸目的地處發(fā)生以下樹脂毛刺從封裝體產(chǎn)品脫落并且脫落的樹脂毛刺粘在安裝基底上方的端子處。因此，例如當(dāng)安裝基底的端子與封裝體(半導(dǎo)體器件)的引線相互電耦合時(shí)，可以實(shí)施可以有效防止樹脂毛刺作為樹脂絕緣體粘在安裝基底的端子處，從而防止其干擾安裝基底上方端子與封裝體的引線之間的電耦合。在隨后形成密封本體MR之后，從模制模具中取出其上形成有密封本體MR的散熱
22器單元HSU和外部引線單元0LU。在該實(shí)施例中，未擠壓散熱器HS ;因此，在散熱器單元HSU 中不會(huì)發(fā)生彎曲(翹曲)。為此，當(dāng)移除插入在連接部分CON下方的空間中的裸片突出部時(shí)，裸片突出部不與散熱器單元HSU咬合。因此，可以從模制模具中取出其上形成有密封本體MR的散熱器單元HSU和外部引線單元0LU，而不在密封本體MR上產(chǎn)生應(yīng)力負(fù)擔(dān)。這使得可以防止由裸片突出部與散熱器單元HSU咬合并且在密封本體MR上施加不必要的應(yīng)力的現(xiàn)象弓I起的在密封本體MR中的斷裂。隨后對散熱器單元HSU和外部引線單元OLU進(jìn)行切割并且成形以制造各個(gè)封裝體 PK3?？梢匀缟纤龅刂圃煸搶?shí)施例中的封裝體PK3 (半導(dǎo)體器件)。<第二封裝體產(chǎn)品中涉及到的問題>將對其中本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思用于第二封裝體產(chǎn)品的示例做出描述。首先，將參照附圖描述第二封裝體產(chǎn)品中涉及的問題。在第二封裝體產(chǎn)品中存在兩種類型的封裝體散熱器暴露型的封裝體PK4以及整體成型的封裝體PK5。封裝體PK4與封裝體PK5分別具有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。首先，將對于散熱器暴露型的封裝體PK4的配置進(jìn)行描述。圖34A至圖34C說明了封裝體PK4的外觀配置。圖34A是從正面看時(shí)封裝體PK4的正視圖；圖34B是從側(cè)面看時(shí)封裝體PK4的側(cè)視圖；以及圖34C是從背面看時(shí)封裝體PK4的后視圖。在圖34A中，封裝體PK4具有矩形密封本體MR，并且其中例如形成有集成電路的半導(dǎo)體芯片掩埋在該密封本體MR中。散熱器HS的一部分從密封本體MR的上部突出，并且作為從引線框架分離的軌跡的切割部分CT2形成在散熱器HS的上部處。同時(shí)，柵極端子GT、 漏極端子DT以及源極端子ST從密封本體MR的下部突出。從圖34B可見，封裝體PK4在密封本體MR的底部處設(shè)置有散熱器HS，并且例如源極端子ST從密封本體MR突出。此外，從圖34C可見，在封裝體PK4中，散熱器HS布置在密封本體MR的背面中，并且散熱器HS從密封本體MR的背面暴露出。將對其中封裝體PK4安裝在安裝基底上方的配置進(jìn)行說明。圖35A和圖35B說明了封裝體PK4如何安裝在安裝基底SUB上方。圖35A是說明了從正面看時(shí)封裝體PK4如何安裝在安裝基底SUB上方的圖；而圖35B是說明了從側(cè)面看時(shí)封裝體PK4如何安裝在安裝基底SUB上方的剖視圖。如圖35A和圖35B所示，形成在封裝體PK4中的柵極端子GT、漏極端子DT以及源極端子ST插入到安裝基底SUB中。結(jié)果，封裝體PK4安裝在安裝基底SUB上方?？梢?，使用螺釘SCR將封裝體PK4固定在散熱片F(xiàn)IN上方，在封裝體PK4與散熱片F(xiàn)IN之間具有絕緣片IS。如此配置封裝體PK4的優(yōu)點(diǎn)在于，散熱器HS從密封本體MR暴露出。因?yàn)榉庋b體 PK4被構(gòu)造為使得散熱器HS從密封本體MR暴露，采用封裝體PK4可以實(shí)施以下可以有效地從暴露的散熱器HS耗散在半導(dǎo)體芯片CHP中產(chǎn)生的熱量。封裝體PK4的缺點(diǎn)如下所述。 在封裝體PK4中，如圖35B所示，半導(dǎo)體芯片CHP布置在散熱器HS上方；因此，形成在半導(dǎo)體芯片CHP的背面中的漏極電極與散熱器HS電耦合。為此，當(dāng)散熱片F(xiàn)IN附接至封裝體PK4 時(shí)，需要采取以下措施需要將絕緣片IS布置在散熱器HS和散熱片F(xiàn)IN之間以確保散熱器 HS和散熱片F(xiàn)IN之間的絕緣。因?yàn)楫?dāng)封裝體PK4安裝在安裝基底SUB上方時(shí)，使用了絕緣片IS，如上所述，所以成本以與絕緣片IS的使用相等的量來增加，并且工作負(fù)荷也增加。
將對于整體成型的封裝體PK5的配置進(jìn)行描述。圖36A至圖36C說明了封裝體 PK5的外觀配置。圖36A是從正面看時(shí)封裝體PK5的正視圖；圖36B是從側(cè)面看時(shí)封裝體 PK5的側(cè)視圖；以及圖36C是從背面看時(shí)封裝體PK5的后視圖。從圖36A至圖36C可見，封裝體PK5具有矩形密封本體MR，并且柵極端子GT、漏極端子DT和源極端子ST從該密封本體MR突出。圖37A至圖37C說明了看穿密封本體MR時(shí)封裝體PK5的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖37A是說明了從正面看穿時(shí)密封本體MR的內(nèi)部的圖，而圖37B是說明了從側(cè)面看穿時(shí)密封本體MR 的內(nèi)部的剖視圖。圖37C是圖37B的一部分的放大剖視圖。如圖37A所示，散熱器HS提供在密封本體MR中，并且用密封本體MR覆蓋整個(gè)散熱器HS。半導(dǎo)體芯片CHP布置在密封本體MR上方。半導(dǎo)體芯片CHP (柵極焊盤)與柵極端子GT通過接線Wl相互耦合，并且半導(dǎo)體芯片CHP與源極端子ST通過W2相互耦合。從圖37B和圖37C可見，用密封本體MR覆蓋散熱器HS，并且散熱器HS不從密封本體MR暴露出。半導(dǎo)體芯片CHP布置在形成于密封本體MR中的散熱器HS上方，并且例如半導(dǎo)體芯片CHP (源極焊盤)與源極端子ST通過接線W2相互耦合。將對于其中封裝體PK5安裝在安裝基底上方的配置進(jìn)行說明。圖38A和圖38B說明了封裝體PK5如何安裝在安裝基底SUB上方。圖38A是說明了從正面看時(shí)封裝體PK5如何安裝在安裝基底SUB上方的圖；而圖38B是說明了從側(cè)面看時(shí)封裝體PK5如何安裝在安裝基底SUB上方的剖視圖。如圖38A和圖38B所示，形成在封裝體PK5中的柵極端子GT、漏極端子DT以及源極端子ST插入到安裝基底SUB中。結(jié)果，封裝體PK5安裝在安裝基底SUB上方?？梢?，采用螺釘SCR將封裝體PK5固定在散熱片F(xiàn)IN上方，在封裝體PK5和散熱片F(xiàn)IN之間具有硅脂SG。如此配置的封裝體PK5的優(yōu)點(diǎn)在于，當(dāng)封裝體PK5與散熱片F(xiàn)IN相互接合時(shí)，無需絕緣片is。將給出更具體的描述。此外在封裝體PK5中，如圖38B所示，半導(dǎo)體芯片CHP布置在散熱器HS上方。因此，形成在半導(dǎo)體芯片CHP的背面中的漏極電極與散熱器HS相互電耦合。然而，在封裝體PK5中，用密封本體MR覆蓋整個(gè)散熱器HS，并且當(dāng)散熱片F(xiàn)IN附接至封裝體PK5時(shí)無需絕緣片IS。盡管散熱片F(xiàn)IN通過硅脂SG直接附接至封裝體PK5，散熱器HS自身仍存在于密封本體MR中。因此，可以不使用絕緣片IS而確保散熱器HS與散熱片F(xiàn)IN之間的絕緣。因此，在整體成型的封裝體PK5中，當(dāng)散熱片F(xiàn)IN附接至封裝體PK5 時(shí)，無需布置絕緣片IS以確保散熱器HS與散熱片F(xiàn)IN之間的絕緣。這使得可以既減小成本又降低工作負(fù)荷。從上述可見，整體成型的封裝體PK5具有的優(yōu)點(diǎn)在于，因?yàn)椴皇褂媒^緣片IS，所以可以縮減成本和工作負(fù)荷。但是整體成型的封裝體PK5具有下述缺點(diǎn)。此后，將對于封裝體PK5的缺點(diǎn)進(jìn)行具體描述。在整體成型的封裝體PK5中，采用密封本體MR覆蓋整個(gè)散熱器HS。S卩，在封裝體PK5中，通過用密封本體MR覆蓋整個(gè)散熱器HS來確保散熱器HS與外部(例如散熱片 FIN)之間的絕緣。因此，在封裝體PK5中，存在于散熱器HS下方的樹脂(密封本體MR的一部分)的厚度是重要的。當(dāng)存在于散熱器HS下方的樹脂(密封本體MR的一部分)的厚度減小時(shí)，散熱器HS與散熱片F(xiàn)IN之間的介電強(qiáng)度降低。在最壞情況下，樹脂經(jīng)受介電擊穿， 并且散熱器HS與散熱片F(xiàn)IN短路。同時(shí)，當(dāng)存在于散熱器HS下方的樹脂(密封本體MR的一部分)的厚度增大時(shí)，從散熱器HS的熱輻射性能退化。為此，存在于散熱器HS下方的樹脂(密封本體MR的一部分)的厚度從實(shí)現(xiàn)確保介電強(qiáng)度以及增強(qiáng)熱輻射性能這兩者的角度而確定。同時(shí)，形成在散熱器HS上方的樹脂(密封本體MR的一部分)的厚度從足夠覆蓋密封本體MR中的構(gòu)成元件的角度而確定。因此從不同角度而確定以下厚度形成在散熱器HS下方的樹脂(密封本體MR的一部分)的厚度以及形成在散熱器HS上方的樹脂(密封本體MR的一部分)的厚度。為此，例如，發(fā)生如圖37C所示的現(xiàn)象。即，形成在散熱器HS 下方的樹脂(密封本體MR的一部分)的厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于形成在散熱器HS上方的樹脂(密封本體MR的一部分)的厚度。這導(dǎo)致其中形成在散熱器HS上方和其下方的樹脂(密封本體 MR)厚度不平衡的結(jié)構(gòu)。結(jié)果，在整體成型封裝體PK5中出現(xiàn)以下問題當(dāng)形成密封本體MR時(shí)，在封裝體 PK5的背面中產(chǎn)生未填充有樹脂的區(qū)域。此后，將參照附圖對在封裝體PK5的背面中產(chǎn)生未填充區(qū)域的機(jī)制做出說明。圖39A至圖44C說明了用于形成密封本體MR的樹脂密封步驟。具體地，圖39A、圖 40A、圖41A、圖42A、圖43A以及圖44A是用于解釋如何在引線框架夾在上模具(第一模具) UM和下模具(第二模具)BM之間的情況下執(zhí)行樹脂注入工藝的剖視圖；而圖39B、圖40B、 圖41B、圖42B、圖43B以及圖44B是從上方穿過上模具UM看時(shí)樹脂注入工藝的平面圖。圖 39C、圖40C、圖41C、圖42C、圖43C以及圖44C是從下方穿過下模具BM看時(shí)樹脂注入工藝的平面圖。首先，如圖39A至圖39C所示，將引線框架夾在上模具UM和下模具BM之間。此時(shí)， 引線框架布置在夾在上模具UM和下模具BM之間的內(nèi)部空間(密封空間)中。該引線框架包括散熱器HS，并且半導(dǎo)體芯片CHP布置在該散熱器HS上方。如圖40A至圖40C所示，在將引線框架夾在上模具UM和下模具BM之間的情況下， 開始向上述內(nèi)部空間(密封空間)注入樹脂RN。此時(shí)，從傾斜地位于散熱器HS下方的方向注入樹脂RN。因此，從傾斜地位于散熱器HS下方的方向注入的樹脂RN與散熱器HS的背面接觸，并且樹脂RN被引導(dǎo)而使其主要注入到散熱器HS的下方。然而，樹脂RN也注入到散熱器HS上方。散熱器HS被處理為使得其逐級向上彎曲并且接近散熱器HS的尖端，散熱器 HS下方的空間比散熱器HS上方的空間寬。為此，在樹脂RN注入開始時(shí)，散熱器HS下方的樹脂RN注入速率要高于散熱器HS上方的樹脂RN注入速率。隨后，如圖41A至圖41C所示，繼續(xù)樹脂RN注入。因此，散熱器HS下方的空間逐漸變得窄于散熱器HS上方的空間。因此，散熱器HS下方的樹脂RN注入速率低于散熱器HS 上方的樹脂RN注入速率。隨后，如圖42A至圖42C所示，注入的樹脂RN到達(dá)半導(dǎo)體芯片CHP上方的空間。然后因?yàn)榘雽?dǎo)體芯片CHP上方的空間遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于散熱器HS下方的空間，發(fā)生以下樹脂RN填入到散熱器HS上方空間內(nèi)的速率在一個(gè)沖程內(nèi)變得高于樹脂RN填入到散熱器HS下方空間內(nèi)的速率。結(jié)果，如圖43A至43C所示，用樹脂RN填充散熱器HS上方的空間要快于散熱器 HS下方的空間。填充在散熱器HS上方空間內(nèi)的樹脂RN從散熱器HS上方空間流動(dòng)朝向下方空間。此后，如圖44A至4C所示，空氣最終捕獲在散熱器HS下方的空間中，并且樹脂密封步驟以該空氣泡保持未破裂而結(jié)束。結(jié)果，在散熱器HS下方的空間內(nèi)產(chǎn)生空洞VD。SP，在散熱器HS下方的空間內(nèi)形成未填充有樹脂RN的區(qū)域。當(dāng)這種未填充有樹脂RN的區(qū)域形成在封裝體PK5中時(shí)，封裝體PK5的可靠性退化。將給出更具體的描述。由樹脂RN形成的密封本體MR例如具有以下功能保護(hù)半導(dǎo)體芯片不受例如濕度和溫度的外部環(huán)境影響；防止由振動(dòng)和沖擊引起半導(dǎo)體芯片特性的破損和退化等等。如果未填充有樹脂RN的區(qū)域產(chǎn)生在密封本體MR中，則密封本體MR無法執(zhí)行這些功能，并且封裝體PK5的可靠性退化。當(dāng)未填充有樹脂RN的區(qū)域產(chǎn)生在封裝體PK5中時(shí)，散熱器HS的一部分從該未填充區(qū)域暴露出。結(jié)果，當(dāng)散熱片F(xiàn)IN附接至封裝體PK5時(shí)也產(chǎn)生以下問題從未填充區(qū)域暴露出的散熱器HS的一部分與散熱片F(xiàn)IN之間的介電強(qiáng)度退化。如上所述，整體成型的封裝體PK5被構(gòu)造為使得未填充有樹脂RN的區(qū)域傾向于在密封本體MR的一部分中產(chǎn)生。結(jié)果，封裝體PK5具有可靠性退化的缺點(diǎn)。在第二封裝體產(chǎn)品中例如存在兩種類型的封裝體散熱器暴露型的封裝體PK4以及整體成型的封裝體PK5。當(dāng)散熱器暴露型的封裝體PK4安裝在安裝基底SUB上時(shí)，使用絕緣片IS。因此，封裝體PK4具有以下缺點(diǎn)成本以與絕緣片IS的使用相當(dāng)?shù)牧吭龃?，并且工作?fù)荷也增大。同時(shí)，整體成型的封裝體PK5被構(gòu)造為使得未填充由樹脂RN的區(qū)域傾向于在密封本體MR的一部分中產(chǎn)生。結(jié)果，封裝體PK5具有可靠性退化的缺點(diǎn)。為了解決該問題，將本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思應(yīng)用到第二封裝體產(chǎn)品，以解決成本和工作負(fù)荷增大以及封裝體可靠性降低這兩個(gè)問題。此后，將對于該技術(shù)構(gòu)思進(jìn)行描述。<將本發(fā)明應(yīng)用于第二封裝體產(chǎn)品得到的結(jié)構(gòu)>將對于通過應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思制造的封裝體PK6的配置進(jìn)行描述。圖45A至圖45C說明了封裝體PK6的結(jié)構(gòu)。圖45A是從正面看時(shí)封裝體PK6的正視圖；圖45B是從側(cè)面看時(shí)封裝體PK6的側(cè)視圖；以及圖45C是從背面看時(shí)封裝體PK6的后視圖。在圖45A中，封裝體PK6具有矩形密封本體MR，并且其中例如形成有集成電路的半導(dǎo)體芯片掩埋于該密封本體MR中。散熱器HS的一部分從密封本體MR的上部突出，并且作為從引線框架分離的軌跡的切割部分CT2形成在散熱器HS的上部處。同時(shí)，柵極端子GT、 漏極端子DT以及源極端子ST從密封本體MR的下部突出。從圖45B可見，封裝體PK6在密封本體MR的底部處設(shè)置有散熱器HS，并且例如源極端子ST從該密封本體MR突出。此外， 從圖45C可見，在封裝體PK6中，散熱器HS布置在密封本體MR的背面中，并且散熱器HS從密封本體MR的背面暴露出。將對于封裝體PK6的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。圖46A和圖46B說明了在該實(shí)施例中的封裝體PK6的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖46A是說明了在該實(shí)施例中的封裝體PK6的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖； 而圖46B是說明了在該實(shí)施例中的封裝體PK6的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖46A說明了看穿密封本體MR時(shí)封裝體PK6的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。如圖46A所示，在該實(shí)施例中的封裝體PK6具有散熱器HS，并且該散熱器HS的一部分從密封本體MR的上部暴露出。在從密封本體MR的上部暴露出的散熱器HS —側(cè)處，形成有通過切割連接部分得到的切割部分CT2。芯片布置部分TAB形成在散熱器HS上方，并且該芯片布置部分TAB與漏極端子DT —體成形。因此，芯片布置部分TAB與漏極端子DT相互電耦合。將半導(dǎo)體芯片CHP布置在芯片布置部分TAB上方，而它們兩者之間具有焊料PST2。 在該半導(dǎo)體芯片CHP中，例如形成有功率M0SFET。將給出更具體的描述。例如，源極焊盤SP和柵極焊盤GP形成在其中形成有功率MOSFET的半導(dǎo)體芯片CHP的正面中。柵極焊盤 GP通過接線Wl與柵極端子(外部引線)GT電耦合；以及源極焊盤SP通過接線W2與源極端子(外部引線)ST電耦合。漏極電極(未示出)形成在半導(dǎo)體芯片CHP的背面中，并且該漏極電極通過芯片布置部分TAB與漏極端子(外部引線)電耦合。將參照附圖46B對封裝體PK6的剖面結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。如圖46B所示，散熱器HS被形成為使其從密封本體MR的底面暴露出，并且芯片布置部分TAB布置在散熱器HS上方，而在它們之間具有樹脂RN。即，在該實(shí)施例中的封裝體PK6中，散熱器HS與芯片布置部分TAB 相互分離；并且樹脂RN布置在散熱器HS與芯片布置部分TAB之間，以將散熱器HS與芯片布置部分TAB相互絕緣。將半導(dǎo)體芯片CHP布置在芯片布置部分TAB上方，而它們兩者之間具有焊料 PST2(圖46B中未示出)。形成在半導(dǎo)體芯片CHP的正面中的源極焊盤(圖46B中未示出) 與源極端子ST通過接線W2耦合在一起。芯片布置部分TAB的定位低于源極端子ST的定位，并且散熱器HS布置在芯片布置部分TAB的下方，在它們之間具有樹脂RN。以下是封裝體PK6的上述配置的總結(jié)。在該實(shí)施例中的封裝體PK6包括(a)散熱器HS，具有第一正面以及位于與該第一正面相對側(cè)上的第一背面；以及引線部分，該引線部分具有多個(gè)引線(柵極端子GT、源極端子ST、漏極端子DT)和芯片布置部分TAB，該芯片布置部分TAB具有第二正面以及位于與第二正面相對側(cè)上的第二背面。封裝體PK6進(jìn)一步包括(c)半導(dǎo)體芯片，布置在芯片布置部分TAB的第二正面上方；以及(d)密封本體MR，密封散熱器HS的一部分、引線部分的一部分以及半導(dǎo)體芯片CHP。構(gòu)成引線部分的引線(柵極端子GT、源極端子ST、漏極端子DT)與半導(dǎo)體芯片CHP相互電耦合。在密封本體MR中， 散熱器HS的第一正面與芯片布置部分TAB的第二背面設(shè)置為彼此相對放置。散熱器HS的第一正面與芯片布置部分TAB的第二背面相互電絕緣。上述半導(dǎo)體芯片CHP是包括功率晶體管(功率M0SFET)的芯片。半導(dǎo)體芯片CHP 包括在芯片正面中的源極焊盤SP與柵極焊盤GP，以及包括位于在與芯片正面相對的芯片背面中的漏極電極。同時(shí)，引線部分包括源極引線(源極端子ST)、柵極引線(柵極端子GT) 以及漏極引線(漏極端子DT)。芯片布置部分TAB與漏極引線(漏極端子DT)相互接合。 芯片布置部分TAB的第二正面與形成在半導(dǎo)體芯片CHP的芯片背面中的漏極電極通過第一導(dǎo)電構(gòu)件(焊料)相互電耦合。源極焊盤SP與源極引線(源極端子ST)通過第二導(dǎo)電構(gòu)件(接線W2)相互電耦合；以及柵極焊盤GP與柵極引線(柵極端子GT)通過第三導(dǎo)電構(gòu)件 (接線Wl)相互電耦合。將對其中封裝體PK6安裝在安裝基底上方的配置進(jìn)行描述。圖47A和圖47B說明了在該實(shí)施例中的封裝體PK6如何安裝在安裝基底SUB上方。圖47A是說明了從正面看時(shí)封裝體PK6如何安裝在安裝基底SUB上方的圖；以及圖47B是說明了從側(cè)面看時(shí)封裝體PK6 如何安裝在安裝基底SUB上方的圖。如圖47A和圖47B所示，形成在封裝體PK6中的柵極端子GT、漏極端子DT以及源極端子ST插入到安裝基底SUB中。結(jié)果，封裝體PK6安裝在安裝基底SUB上方?？梢姡ㄟ^螺釘SCR將封裝體PK6固定在散熱片F(xiàn)IN上方，而在封裝體PK6和散熱片F(xiàn)IN之間具有硅脂SG。(I)將對于本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的特征進(jìn)行描述。例如如圖46B所示，本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的第一特征在于提供了與外部引線(漏極端子)一體成形的芯片布置部分TAB ;在芯片布置部分TAB上方布置半導(dǎo)體芯片CHP，并且在芯片布置部分TAB與散熱器HS之間布置樹脂RN ;芯片布置部分TAB與散熱器HS借此相互電分離。這使得可以將布置在芯片布置部分TAB上方的半導(dǎo)體芯片CHP的漏極電極與散熱器HS相互分離。例如如圖47B所示， 結(jié)果，可以實(shí)施以下散熱器HS可以從該實(shí)施例中的封裝體PK6的背面暴露出，并且散熱器 HS與散熱片F(xiàn)IN可以通過硅脂SG直接接合在一起。這樣做的理由如下所述。在該實(shí)施例中的封裝體PK6中，散熱器HS與在其上布置有半導(dǎo)體芯片CHP的芯片布置部分TAB相互電分離；因此，即使散熱器HS與散熱片F(xiàn)IN直接接合在一起，半導(dǎo)體芯片CHP的漏極電極也不與散熱片F(xiàn)IN電耦合。因此，在該實(shí)施例中的封裝體PK6中，無需在散熱器HS與散熱片F(xiàn)IN 之間布置絕緣片。這使得與使用絕緣片的情況相比，可以降低成本以及工作負(fù)荷。此外，在該實(shí)施例中的封裝體PK6中，散熱器HS與散熱片F(xiàn)IN可以直接接合在一起而無需在散熱器 HS與散熱片F(xiàn)IN之間布置絕緣片。因此，可以增強(qiáng)從散熱器HS至散熱片F(xiàn)IN的熱輻射的效率。S卩，在該實(shí)施例中的封裝體PK6中，可以克服如圖35B所示的封裝體PK4的缺點(diǎn)。(2)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的第二特征例如如圖46B所示。即，即使散熱器HS從密封本體MR暴露出，可以將散熱器HS與散熱片F(xiàn)IN接合在一起而無需在散熱器HS與散熱片 FIN之間布置絕緣片。因此，無需費(fèi)力使用密封本體MR覆蓋整個(gè)散熱器HS。將給出更具體的描述。在該實(shí)施例中的封裝體PK6中，散熱器HS與其上方布置有半導(dǎo)體芯片CHP的芯片布置部分TAB電分離。因此，可以將散熱器HS從密封本體MR的底部暴露出，并且將散熱器 HS與散熱片F(xiàn)IN直接接合在一起。結(jié)果，在該實(shí)施例中的封裝體PK6中，無需如圖38B中所示的封裝體PK5那樣采用樹脂RN覆蓋整個(gè)散熱器HS以將散熱器HS與散熱片F(xiàn)IN直接接合在一起。這意味著在該實(shí)施例中的封裝體PK6中，可以避免在其中未填充有樹脂RN的區(qū)域形成在密封本體MR的一部分中的這樣的結(jié)構(gòu)。這使得可以增強(qiáng)該實(shí)施例中的封裝體 PK6的可靠性。即，在該實(shí)施例中的封裝體PK6中，可以克服封裝體PK5的缺點(diǎn)。(3)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的第三特征如下。例如如圖46B所示，散熱器HS與芯片布置部分TAB相互分離。這使得易于任意設(shè)置例如芯片布置部分TAB的厚度以及散熱器HS 的厚度。例如，當(dāng)漏極端子(外部引線)DT與散熱器HS—體成形時(shí)，難以使得漏極端子DT 的厚度與散熱器HS的厚度相互不同。同時(shí)，當(dāng)散熱器HS與芯片布置部分TAB被配置為如在封裝體PK6中一樣相互分離時(shí)，易于分立地設(shè)計(jì)以下厚度芯片布置部分TAB的厚度以及散熱器HS的厚度。例如，從增強(qiáng)散熱器HS的熱輻射效率的角度看，可以使散熱器HS的厚度大于芯片布置部分TAB的厚度。同時(shí)，從進(jìn)一步減小封裝體PK6的外形的角度看，可以使散熱器HS的厚度小于芯片布置部分TAB的厚度。不必多言，可以使散熱器HS的厚度與芯片布置部分TAB的厚度相互相等。如上所述，在該實(shí)施例中的封裝體PK6中，散熱器HS與芯片布置部分TAB相互分離；因此，也可以得到增強(qiáng)散熱器HS與芯片布置部分TAB設(shè)計(jì)自由度的優(yōu)點(diǎn)。(4)與上述第三特征有關(guān)的本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的第四特征如下。例如如圖46B所示，散熱器HS與芯片布置部分TAB相互分離。因此，例如易于使得芯片布置部分TAB的材料與散熱器HS的材料相互不同。例如，當(dāng)漏極端子(外部引線)DT與散熱器HS —體成形時(shí)，難以使得漏極端子DT的材料與散熱器HS的材料相互不同。同時(shí)，當(dāng)散熱器HS與芯片布置部分TAB被配置為使其如該實(shí)施例中的封裝體PK6中而相互分離時(shí)，易于分立地設(shè)計(jì)以下材料芯片布置部分TAB的材料以及散熱器HS的材料。例如，從增強(qiáng)散熱器HS的熱輻射效率的角度看，可以使用熱導(dǎo)率高的材料。例如，可能使用銅作為芯片布置部分TAB的材料，而使用鋁作為散熱器HS的材料。根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，如上所述，可以通過以下配置的組合來進(jìn)一步增強(qiáng)從散熱器HS熱輻射的效率在其中散熱器HS從密封本體MR底表面暴露出的配置，以及在其中協(xié)調(diào)了散熱器HS的厚度和材料的配置。在該實(shí)施例中的封裝體PK6 (半導(dǎo)體器件)如上配置，并且此后將參照附圖對于其制造方法的示例進(jìn)行描述。首先，如圖48所示，制備外部引線單元(第二框架)0LU，其中每個(gè)均具有多個(gè)外部引線和芯片布置部分TAB多個(gè)的引線部分連接在一起。在該階段，考慮到購買之后的運(yùn)輸，以平整(平直狀態(tài))方式接收外部引線單元OLU。S卩，考慮到抑制包裝的龐大、防止框架彎曲等等，以平直狀態(tài)制備外部引線單元0LU。隨后，如圖49所示，外部引線單元OLU被成形為使得每個(gè)芯片布置部分TAB的正面定位成低于多個(gè)外部引線的表面。通過擠壓來使芯片布置部分TAB彎曲，以執(zhí)行用于外部引線單元OLU的該成形步驟。隨后，如圖50所示，將焊料PST2涂覆至每個(gè)芯片布置部分TAB。隨后將半導(dǎo)體芯片CHP布置在其上涂覆有焊料PST2的芯片布置部分TAB上方(裸片鍵合)并且執(zhí)行加熱工藝。作為該步驟的結(jié)果，形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的背面中的漏極電極與每個(gè)芯片布置部分TAB相互電耦合。從芯片側(cè)向外對每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的背面進(jìn)行金屬化，例如Ti/Ni/Au、Ti/Ni/ Ag、Ni/Ti/Ni/Au等等。焊料PST2與Au下層的Ni形成合金，并且形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片 CHP的背面中的漏極電極與每個(gè)芯片布置部分TAB借此相互電耦合。此后，如圖51所示，通過接線(接線鍵合)將布置在每個(gè)芯片布置部分TAB上方的半導(dǎo)體芯片CHP與外部引線接合起來。具體地，形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的正面中的柵極焊盤與柵極端子(外部引線)通過接線Wl接合起來；而形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP正面中的源極焊盤與源極端子(外部引線)通過接線W2接合起來。此時(shí)，接線W2的線直徑大于接線Wl的線直徑，并且接線Wl的數(shù)目為I而接線W2的數(shù)目多于I (2或以上)。期望的是，線直徑大于接線Wl的接線W2要首先經(jīng)受接線鍵合。理由如下所述。在接線鍵合中，通常功率較大的超聲波施加至線直徑較大的接線而不是直徑較小的接線。因此，如果首先接線直徑較小的接線并且隨后接線直徑較大的接線，則超聲波將穿透芯片；并且這增大了線直徑較小的接線與鍵合焊盤錯(cuò)位的可能性。隨后采用樹脂密封每個(gè)散熱器HS的一部分、每個(gè)外部引線的一部分、每個(gè)芯片布置部分TAB以及每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP，以形成密封本體MR(樹脂密封步驟)。此后，將對于該樹脂密封步驟進(jìn)行詳細(xì)描述。首先，如圖52所示，制備下模具(第二模具)BM。隨后，如圖53所示，制備散熱器單元(第一框架)HSU，其中多個(gè)散熱器HS通過連接部分CON連接在一起。此后，在下模具 BM中設(shè)置制備好的散熱器單元HSU。隨后，如圖54所示，也在下模具BM中設(shè)置以下單元外部引線單元0LU，其中已在每個(gè)芯片布置部分TAB上布置了半導(dǎo)體芯片CHP，并且半導(dǎo)體芯片CHP與外部引線已通過接線Wl和接線W2接合在一起。此時(shí)，如圖54所示，將單元設(shè)置成使得實(shí)施以下當(dāng)在平面圖中看時(shí)，形成在外部引線單元OLU中的每個(gè)芯片布置部分TAB與形成在散熱器單元HSU中的每個(gè)散熱器HS相互重疊；并且每個(gè)芯片布置部分TAB與每個(gè)散熱器HS在高度方向相互不接觸。換言之，每個(gè)芯片布置部分TAB與每個(gè)散熱器HS被布置成使得在它們之間具有空間(縫隙)。隨后，如圖55所示，在下模具BM上方布置上模具(第一框架)UM，在下模具BM中設(shè)置有散熱器單元HSU與外部引線單元0LU。此后，將樹脂注入到夾在上模具UM與下模具 BM之間的內(nèi)部空間以形成每個(gè)密封本體。此后，將對于將樹脂注入到夾在上模具UM與下模具BM之間的內(nèi)部空間以形成每個(gè)密封本體的步驟進(jìn)行描述。圖56A至圖60C說明了用于形成密封本體MR的樹脂密封步驟。具體地，圖56A、圖 57A、圖58A、圖59A以及圖60A是用于解釋如何在以下狀態(tài)執(zhí)行樹脂注入工藝的剖視圖在該狀態(tài)中，散熱器HS和與外部引線一體成形的芯片布置部分TAB夾在上模具UM與下模具 BM之間。圖56B、圖57B、圖58B、圖59B以及圖60B是從上方看穿上模具UM時(shí)樹脂注入工藝的平面圖。圖56C、圖57C、圖58C、圖59C以及圖60C是從下方看穿下模具DM時(shí)樹脂注入工藝的平面圖。首先，如圖56A至圖56C所示，在上模具UM與下模具BM之間夾設(shè)散熱器HS和與外部引線一體成形的芯片布置部分TAB。此時(shí)，散熱器HS與芯片布置部分TAB布置在夾在上模具UM和下模具BM之間的內(nèi)部空間(密封空間)中。在散熱器HS與芯片布置部分TAB 之間，在高度方向存在縫隙(空間)。即，散熱器HS與芯片布置部分TAB相互物理分離。半導(dǎo)體芯片CHP已布置在芯片布置部分TAB上方。隨后，如圖57A至圖57C所示，開始將樹脂RN注入到夾在上模具UM與下模具BM 之間的內(nèi)部空間中。當(dāng)持續(xù)將樹脂RN注入到內(nèi)部空間中時(shí)，樹脂RN逐漸填充在內(nèi)部空間中，如圖58A至圖58C所示。具體地，樹脂RN填充芯片布置部分TAB上方以及下方的整個(gè)區(qū)域。此時(shí)，也將樹脂RN注入到提供在芯片布置部分TAB與散熱器HS之間的縫隙中。此后，如圖59A至圖59C所示，注入內(nèi)部空間的樹脂RN首先完全填充芯片布置部分TAB上方的區(qū)域。隨后，樹脂RN也逐漸填充提供在芯片布置部分TAB與散熱器HS之間的縫隙。隨后，如圖60A至圖60C所示，樹脂RN完全填充夾在上模具UM和下模具BM之間的內(nèi)部空間，并且形成了密封本體MR。此時(shí)，樹脂RN也完全填充位于芯片布置部分TAB與散熱器HS之間的縫隙。在該實(shí)施例中，樹脂RN置于芯片布置部分TAB與散熱器HS之間，以將芯片布置部分TAB與散熱器HS相互分離和絕緣。從實(shí)現(xiàn)確保絕緣強(qiáng)度和增強(qiáng)熱輻射特性的角度，來確定置于芯片布置部分TAB與散熱器HS之間的樹脂RN的厚度。因此，估計(jì)置于芯片布置部分TAB與散熱器HS之間的樹脂RN的厚度大致等于以下厚度存在于上述一體成形型封裝體PK5中的散熱器HS的下方的樹脂RN的厚度。因此，懷疑的是，當(dāng)在該實(shí)施例中執(zhí)行以下工藝時(shí)，也產(chǎn)生形成如在一體成形型的封裝體PK5中的未填充有樹脂RN的區(qū)域的問題樹脂RN填充在形成在芯片布置部分TAB與散熱器HS之間的縫隙中。然而，在該實(shí)施例中，假設(shè)當(dāng)樹脂RN填入形成在芯片布置部分TAB與散熱器HS之間的縫隙中時(shí)，幾乎沒有可能形成未填充區(qū)域。以下將描述這樣的原因。在上述一體成形型封裝體PK5中，例如，散熱器HS的面積大，并且樹脂RN不太傾向于從散熱器HS的邊緣向中心流動(dòng)。為此，假設(shè)未填充有樹脂RN 的區(qū)域傾向于形成在散熱器HS的中心部分的下方。同時(shí)，在該實(shí)施例中的封裝體PK6中，
30芯片布置部分TAB的面積與半導(dǎo)體芯片CHP的面積一樣小。因?yàn)樾酒贾貌糠諸AB的面積小，所以從芯片布置部分TAB的邊緣向中心流動(dòng)的樹脂RN容易到達(dá)芯片布置部分TAB的中心點(diǎn)。因此，在該實(shí)施例中，從面積小的芯片布置部分TAB的邊緣流動(dòng)的樹脂RN傾向于到達(dá)位于芯片布置部分TAB中心下方的區(qū)域。由此，可以抑制在形成于芯片布置部分TAB與散熱器HS之間的縫隙中的未填充區(qū)域的產(chǎn)生。在如上所述形成每個(gè)密封本體MR之后，從上模具UM與下模具BM中取出散熱器單元HSU與外部引線單元0LU，并且對散熱器單元HSU與外部引線單元OLU進(jìn)行切割以及成形以制造各個(gè)封裝體PK6?？梢匀缟纤鲋圃煸谠搶?shí)施例中的封裝體PK6 (半導(dǎo)體器件)。<第三封裝體產(chǎn)品中涉及到的問題>以下將對于在其中本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思應(yīng)用于第三封裝體產(chǎn)品的示例進(jìn)行描述。首先，將參照附圖描述第三封裝體產(chǎn)品中涉及到的問題。圖61是說明了應(yīng)用于第三封裝體產(chǎn)品的封裝體PK7的結(jié)構(gòu)的剖視圖。在封裝體 PK7中，如圖61所示，散熱器HS與外部引線一體成形。將半導(dǎo)體芯片CHP布置在散熱器HS 上方，而它們兩者之間具有焊料PSTl。例如，通過接線W2將半導(dǎo)體芯片CHP與接合至外部引線的源極引線柱SPT相互電耦合。采用樹脂構(gòu)成的密封本體MR來密封半導(dǎo)體芯片CHP、 源極引線柱SPT以及接線W2。同時(shí)，散熱器HS的一部分從密封本體MR的底面暴露出。在如上所述配置的封裝體PK7中，散熱器HS例如由銅材料形成，而密封本體MR例如由環(huán)氧樹脂形成。即，在封裝體PK7中，散熱器HS與密封本體MR由不同材料形成，并且這削弱了散熱器HS與密封本體MR之間的粘附性。為此，例如當(dāng)對封裝體PK7進(jìn)行熱循環(huán)測試時(shí)，在散熱器HS與密封本體MR之間的、粘附性弱的邊界處發(fā)生剝離。當(dāng)該剝離沿圖61 中的箭頭方向進(jìn)行并且到達(dá)將散熱器HS與半導(dǎo)體芯片CHP接合起來的焊料PSTl時(shí)，在該焊料PSTl中發(fā)生斷裂。當(dāng)在焊料PSTl中發(fā)生斷裂時(shí)，這導(dǎo)致封裝體PK7中的抗熱性故障。因此，使散熱器HS的正面粗糙化，以增強(qiáng)封裝體PK7的可靠性(增強(qiáng)熱循環(huán)抵抗性)。圖62說明了封裝體PK7的配置并且以放大方式顯示了封裝體PK7的一部分。將關(guān)注例如圖62中包圍了散熱器HS與密封本體MR之間的邊界的區(qū)域A的放大圖。從附圖可見， 在散熱器HS的正面中形成了凹凸。即，使散熱器HS的正面粗糙化以在此處形成凹凸。結(jié)果，樹脂進(jìn)入形成在散熱器HS的正面中的凹凸中，并且通過由樹脂進(jìn)入凹凸引起的錨定效應(yīng)增強(qiáng)了散熱器HS與密封本體MR之間的粘附性。因此，增強(qiáng)了封裝體PK7的熱循環(huán)抵抗性，并且因此可以增強(qiáng)封裝體PK7的可靠性。但是，當(dāng)執(zhí)行粗糙化工藝時(shí)，在封裝體PK7中產(chǎn)生新的問題。此后，將對于該問題進(jìn)行描述。在封裝體PK7中，例如如圖62所示，散熱器HS與源極引線柱SPT—體成形。因此，當(dāng)散熱器HS的正面被粗糙化時(shí)，也無意地使源極引線柱SPT的正面粗糙化。從圖62中包圍了源極引線柱SPT正面的區(qū)域B的放大圖看出，也在源極引線柱SPT的正面中形成這些凹凸。當(dāng)在源極引線柱SPT的正面中形成這些凹凸時(shí)，接合至源極引線柱SPT的接線W2 剝落使其呈現(xiàn)為新的問題。懷疑的是，該問題的起因如下使源極引線柱SPT的正面粗糙化，并且因此使源極引線柱SPT與接線W2之間的粘附性退化。因此，假設(shè)可以通過僅使散熱器HS的正面粗糙化來解決接合至源極引線柱SPT的接線W2剝離的該問題。然而，至今仍沒有開發(fā)出在源極引線柱SPT與散熱器HS —體成形的情況下僅僅使散熱器HS的部分正面粗糙化的技術(shù)。將給出更具體的描述。粗糙化是在其中執(zhí)行以下工藝的技術(shù)化學(xué)蝕刻待處理的物體(框架材料)的表面，以僅蝕刻包含在待處理的物體(框架材料)中的特定物質(zhì)；并且借此在待處理的物體(框架材料)的表面中形成凹凸?？梢酝ㄟ^該粗糙化工藝僅使一個(gè)表面粗糙化；然而，仍未開發(fā)出用于僅一個(gè)表面的一部分粗糙化的技術(shù)。如上所述，使散熱器HS的正面粗糙化對于防止在散熱器HS與密封本體MR之間邊界中的剝離是有效的。然而，因?yàn)樵诜庋b體PK7中，與接線W2接合的源極引線柱SPT與散熱器HS —體成形，當(dāng)使散熱器的正面粗糙化時(shí)發(fā)生以下也自動(dòng)地使源極引線柱SPT的正面粗糙化。結(jié)果，與源極引線柱SPT接合的接線W2剝離使得其自身呈現(xiàn)為問題。S卩，封裝體PK7的結(jié)構(gòu)涉及以下問題難以實(shí)現(xiàn)通過增強(qiáng)散熱器HS與密封本體MR之間的粘附性來改進(jìn)熱循環(huán)特性以及增強(qiáng)源極引線柱SPT與接線W2之間連接的可靠性這兩者。為了解決該問題，將本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思應(yīng)用于第三封裝體產(chǎn)品，以實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)熱循環(huán)特性以及增強(qiáng)接線接合的可靠性這兩者。此后，將對于該技術(shù)構(gòu)思進(jìn)行描述。<通過將本發(fā)明應(yīng)用于第三封裝體產(chǎn)品得到的結(jié)構(gòu)>圖63說明了用于實(shí)施本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思的框架結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思中，如圖63 所示，框架包括散熱器單元HSU和外部引線單元0LU，并且散熱器單元HSU與外部引線單元 OLU相互分離。即，本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的特征在于在其中多個(gè)散熱器HS連接起來的散熱器單元HSU與在其中形成了源極引線柱SPT、柵極引線柱GPT以及芯片布置部分TAB的外部引線單元OLU相互分離；并且僅使散熱器單元HSU粗糙化。本發(fā)明的該技術(shù)構(gòu)思的優(yōu)點(diǎn)如下通過將散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互分離，可以僅使散熱器單元HSU粗糙化。當(dāng)散熱器單元HSU與外部引線單元OLU —體成形時(shí)，難以僅使散熱器單元HSU粗糙化。 為了避免該問題，將散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互分離。此后，將對于在該實(shí)施例中使用了圖63中所示框架形成為的封裝體PK8的結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。圖64A和圖64B說明了該封裝體PK8的結(jié)構(gòu)。圖64A是說明了封裝體PK8的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖，而圖64B是說明了封裝體PK8的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖。封裝體PK8被構(gòu)造為使得其被矩形密封本體MR所覆蓋，并且圖64A顯示了看穿該密封本體MR時(shí)封裝體PK8的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。如圖64A所示，封裝體PK8包括散熱器HS，并且該散熱器HS的一部分從密封本體MR的上部暴露出。芯片布置部分TAB形成在散熱器HS上方，并且芯片布置部分TAB與漏極端子DT —體成形。因此，芯片布置部分TAB與漏極端子DT相互電耦合。將半導(dǎo)體芯片CHP布置在芯片布置部分TAB上方，在這兩者之間具有焊料PST2。 在該半導(dǎo)體芯片CHP中，例如形成了功率M0SFET。將給出更具體的描述。在其中形成有功率MOSFET的半導(dǎo)體芯片CHP具有例如形成在半導(dǎo)體芯片CHP正面中的源極焊盤SP和柵極焊盤GP。柵極焊盤GP通過接線Wl與形成柵極端子(外部引線)GT的一部分的柵極引線柱GPT電耦合；并且源極焊盤SP通過接線W2與形成源極端子(外部引線)ST的一部分的源極引線柱SPT電耦合。漏極電極(未示出)形成在半導(dǎo)體芯片CHP的背面中，并且該漏極電極通過芯片布置部分TAB與漏極端子(外部引線)電耦合。將參照圖64B對封裝體PK8的剖面結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。如圖64B所示，散熱器HS被形成為使其從密封本體MR的底面暴露出，并且將芯片布置部分TAB布置在散熱器HS上方，而兩者之間具有焊料PSTl。將半導(dǎo)體芯片CHP布置在芯片布置部分TAB上方，而兩者之間具有焊料PST2。形成在半導(dǎo)體芯片CHP的正面中的源極焊盤(圖64B中未示出)與源極引線柱SPT通過接線W2相互接合。芯片布置部分TAB的定位低于源極引線柱SPT的定位，并且散熱器HS布置在該芯片布置部分TAB下方。(I)在該實(shí)施例中的封裝體PK8的第一特征如圖64B中區(qū)域A的放大圖所示。SP， 使散熱器HS的正面粗糙化以在散熱器HS的正面中形成凹凸。結(jié)果，樹脂進(jìn)入了形成在散熱器HS的正面中的凹凸。可以通過由樹脂進(jìn)入凹凸引起的錨定效應(yīng)來增強(qiáng)散熱器HS與密封本體MR之間的粘附性。結(jié)果，增強(qiáng)了封裝體PK8的熱循環(huán)抵抗性并且因此可以增強(qiáng)封裝體PK8的可靠性。(2)在該實(shí)施例中的封裝體PK8的第二特征如圖64B中區(qū)域B的放大圖所示。SP， 未使源極引線柱SPT的正面粗糙化，而是使源極引線柱SPT的正面平坦化。因?yàn)槲词乖礃O引線柱SPT的正面粗糙化，接線W2不太傾向于從源極引線柱SPT剝離。這使其可以增強(qiáng)源極引線柱SPT與接線W2之間接合的可靠性。(3)在該實(shí)施例中的封裝體PK8中，如上所述，可以實(shí)現(xiàn)以下兩者增強(qiáng)散熱器HS 與密封本體MR之間的粘附性，以及增強(qiáng)源極引線柱SPT與接線W2之間的鍵合強(qiáng)度。結(jié)果， 可以實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)熱循環(huán)特性和增強(qiáng)接線接合的可靠性這兩者。如參照圖63所述，通過借由將以下單元相互分離而配置框架導(dǎo)致了顯著效果在其中多個(gè)散熱器HS連接起來的散熱器單元HSU，以及在其中形成了源極引線柱SPT、柵極引線柱GPT以及芯片布置部分TAB的外部引線單元0LU。如圖63所示，可以通過將散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互分離而僅使散熱器單元HSU粗糙化。結(jié)果，可以配置如圖64A和圖64B所示的封裝體PK8，并且可以借此得到上述顯著效果。在該實(shí)施例中的封裝體PK8 (半導(dǎo)體器件)如上所述配置，并且此后將參照附圖對其制造方法的示例進(jìn)行描述。首先如圖65所示，制備外部引線單元0LU，在該外部引線單元OLU中，每個(gè)都具有柵極引線柱GPT、源極引線柱SPT和芯片布置部分TAB的多個(gè)引線部分連接在一起。在該階段，考慮到購買之后的運(yùn)輸，以平整(平直狀態(tài))方式接收外部引線單元0LU。即，考慮到抑制包裝的龐大、防止框架彎曲等等，以平直狀態(tài)制備外部引線單元 OLU。隨后，如圖66所示，外部引線單元OLU被成形為使得每個(gè)芯片布置部分TAB的正面被定位成低于柵極引線柱GPT和源極引線柱SPT的表面。通過擠壓使芯片布置部分TAB 彎曲來執(zhí)行該用于外部引線單元OLU的成形步驟。隨后，如圖67所示，將焊料PST2涂覆至每個(gè)芯片布置部分TAB。將半導(dǎo)體芯片CHP 布置在對其涂覆有焊料PST2的芯片布置部分TAB上方(裸片鍵合)，并且執(zhí)行加熱工藝。 作為該步驟的結(jié)構(gòu)，形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的背面中的漏極電極與每個(gè)芯片布置部分 TAB相互電耦合。從芯片側(cè)向外使每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的背面金屬化，例如Ti/Ni/Au、Ti/Ni/Ag, Ni/Ti/Ni/Au等等。焊料PST2與Au下層的Ni形成合金，并且形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP 的背面中的漏極電極與每個(gè)芯片布置部分TAB因此相互電耦合。此后，如圖68所示，布置在每個(gè)芯片布置部分TAB上方的半導(dǎo)體芯片CHP通過接線與引線相互接合(接線鍵合)。具體地，形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的正面中的柵極焊盤與柵極弓I線柱GPT通過接線Wl接合起來；并且形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的正面中的源極焊盤與源極引線柱SPT通過接線W2接合起來。此時(shí)，接線W2的線直徑大于接線Wl的線直徑，并且接線Wl的數(shù)目為I而接線W2的數(shù)目多于I (2或以上)。期望的是，線直徑大于接線Wl的接線W2要首先經(jīng)受接線鍵合。理由如下所述。在接線鍵合中，通常功率較大的超聲波施加至線直徑較大的接線而不是直徑較小的接線。因此，如果首先接線直徑較小的接線并且隨后接線直徑較大的接線，則此時(shí)超聲波將穿透芯片；并且這增大了線直徑較小的接線與鍵合焊盤錯(cuò)位的可能性。隨后，如圖69所示，制備散熱器單元(第一框架)HSU，在散熱器單元HSU中多個(gè)散熱器HS通過連接部分CON連接起來。焊料PSTl涂覆至該散熱器單元HSU中存在的每個(gè)散熱器HS。此時(shí)所制備的散熱器單元HSU為平直狀態(tài)。使每個(gè)散熱器單元HSU的正面粗糙化并且在每個(gè)散熱器HS的正面中形成凹凸。此后，使散熱器單元HSU與外部引線單元OLU相互接合。具體地，散熱器單元HSU 與外部引線單元OLU被布置成使得在存在于散熱器單元HSU中的每個(gè)散熱器HS上方均布置有存在于外部引線單元OLU中的每個(gè)芯片布置部分TAB。隨后執(zhí)行回流工藝(加熱工藝)，以熔化焊料以便將每個(gè)散熱器HS與每個(gè)芯片布置部分TAB相互接合起來。此時(shí)，接合每個(gè)芯片布置部分TAB與每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP的焊料PST2在上述回流工藝中再次熔化。然而，每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP與外部引線通過接線Wl或接線W2相互接合起來。為此，通過接線 Wl和接線W2固定每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP ;因此，可以防止每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP由于焊料PST2 的重新熔化而錯(cuò)位。隨后，清潔已接合起來的散熱器單元HSU與外部引線單元0LU。執(zhí)行該清潔工藝以移除包含在焊料PSTl和焊料PST2中的助焊劑。此后，如圖70所示，使用樹脂密封每個(gè)散熱器HS的一部分、每個(gè)柵極引線柱GPT 的一部分、每個(gè)源極引線柱SPT、每個(gè)芯片布置部分TAB以及每個(gè)半導(dǎo)體芯片CHP，以形成密封本體MR(樹脂密封步驟)。將給出更具體的描述。在模制模具中設(shè)置已接合在一起的散熱器單元HSU與外部引線單元0LU。當(dāng)隨后形成每個(gè)密封本體MR時(shí)，從模制模具中取出在其上已形成了密封本體MR的散熱器單元HSU與外部引線單元0LU。此后，對散熱器單元 HSU與外部引線單元OLU進(jìn)行切割并成形，以制造各個(gè)封裝體PK8?？梢匀缟纤鲋圃煸谠搶?shí)施例中的封裝體PK8 (半導(dǎo)體器件)?！醋冃汀祵τ诶缤ㄟ^將本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思應(yīng)用于第二封裝體產(chǎn)品而得到的對于封裝體PK6的第一變型進(jìn)行描述。圖7IA和圖71B說明了在第一變型中的封裝體PK9的結(jié)構(gòu)。 具體地，圖71A是說明了在第一變型中的封裝體PK9的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖；而圖71B是說明了在第一變型中的封裝體PK9的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖71A說明了看穿密封本體MR時(shí)封裝體PK9的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。如圖71A所示，在第一變型中的封裝體PK9包括散熱器HS，并且該散熱器HS的一部分從密封本體MR暴露出。在散熱器HS上方形成芯片布置部分TAB，并且芯片布置部分TAB與漏極端子DT —體成形。因此，芯片布置部分TAB與漏極端子DT相互電耦合。在芯片布置部分TAB上方布置半導(dǎo)體芯片CHP，在兩者具有焊料PST2。在該半導(dǎo)體芯片CHP中，形成例如功率M0SFET。將進(jìn)行更具體的描述。例如，源極焊盤SP與柵極焊盤GP形成在其中形成了功率MOSFET的半導(dǎo)體芯片CHP的正面中。柵極焊盤GP通過接線 Wl與形成柵極端子(外部引線)GT的一部分的柵極引線柱GPT電耦合；并且源極焊盤SP通過接線W2與形成源極端子(外部引線)ST的一部分的源極引線柱SPT電耦合。漏極電極(未示出)形成在半導(dǎo)體芯片CHP的背面中，并且該漏極電極通過芯片布置部分TAB與漏極端子(外部引線)電耦合。將參照附圖71B對封裝體PK9的剖面結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。如圖71B所示，散熱器HS被形成為使其從密封本體MR的底面暴露出，并且在散熱器HS上方布置芯片布置部分TAB，而兩者之間具有樹脂RN。即，在第一變型中的封裝體PK9中，散熱器HS與芯片布置部分TAB 相互分離；并且樹脂RN置于散熱器HS與芯片布置部分TAB之間，以將散熱器HS與芯片布置部分TAB相互絕緣。在芯片布置部分TAB上方布置半導(dǎo)體芯片CHP，而兩者之間具有焊料PST2。形成在半導(dǎo)體芯片CHP的正面中的源極焊盤與源極引線柱SPT通過接線W2耦合在一起。芯片布置部分TAB的定位低于源極引線柱SPT的定位，并且在芯片布置部分TAB下方布置散熱器HS，而兩者之間具有樹脂RN。在例如圖71A中說明封裝體PK9的特征。即，柵極引線柱GPT的長度以及源極引線柱SPT的長度較長，并且它們延伸至與芯片布置部分TAB側(cè)面相對的區(qū)域。將進(jìn)行更具體的描述。在封裝體PK9中，源極端子(源極引線)ST具有源極引線柱SPT，并且柵極端子 (柵極引線)GT具有柵極引線柱GPT。在源極引線柱SPT與柵極引線柱GPT之間布置芯片布置部分TAB。在芯片布置部分TAB的第二正面上方布置半導(dǎo)體芯片CHP，以使得源極焊盤 SP比柵極焊盤GP更靠近源極引線柱SPT。接線W2(第二導(dǎo)電構(gòu)件)與源極引線柱SPT電耦合，并且接線Wl (第三導(dǎo)電構(gòu)件)與柵極引線柱GPT電耦合。因?yàn)樵礃O引線柱SPT延伸至與芯片布置部分TAB —側(cè)相對的區(qū)域，所以可以實(shí)施以下形成在半導(dǎo)體芯片CHP中的源極焊盤SP與形成源極端子ST的一部分的源極引線柱SPT可以通過比圖46A所示封裝體PK6 中的數(shù)目更多的W2而相互電耦合。為此，可以減小源極焊盤SP與源極引線柱SPT之間的耦合電阻，并且結(jié)果可以進(jìn)一步減小封裝體PK9的導(dǎo)通電阻。將對于例如通過將本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思應(yīng)用于第二封裝體產(chǎn)品得到的封裝體PK6 的第二變型進(jìn)行描述。圖72A和圖72B說明了在第二變型中的封裝體PKlO的結(jié)構(gòu)。具體地，圖72A是說明了在第二變型中的封裝體PKlO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖；以及圖72B是說明了在第二變型中的封裝體PKlO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖。在第二變型中的封裝體PKlO的結(jié)構(gòu)大致與圖7IA和圖71B中所示的封裝體PK9 的結(jié)構(gòu)相同，并且將對差別進(jìn)行描述。在第二變型的封裝體PKio中，如圖72A和圖72B所不，與在第一變型中的封裝體PK9中一樣,源極引線柱SPT延伸至與芯片布置部分TAB的一側(cè)相對的區(qū)域。因此，形成在半導(dǎo)體芯片CHP中的源極焊盤SP與形成源極端子ST的一部分的源極引線柱SPT通過例如被指定為夾片(clip)CLP的板狀電極而相互電耦合。為此， 可以減小源極焊盤SP與源極引線柱SPT之間的耦合電阻，并且結(jié)果可以進(jìn)一步減小封裝體 PK9的導(dǎo)通電阻。例如，可以使用鋁形成的鋁帶、銅形成的銅夾等等來用作夾片CLP。將對于例如通過將本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思應(yīng)用于第二封裝體產(chǎn)品得到的封裝體PK6的第三變型進(jìn)行描述。圖73A和圖73B說明了在第三變型中的封裝體PKll的結(jié)構(gòu)。具體地， 圖73A是說明了在第三變型中的封裝體PKll的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平面圖；而圖73B是說明了在第三變型中的封裝體PKll的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖。在第三變型中的封裝體PKll的結(jié)構(gòu)大致與圖71A和圖71B所示的封裝體PK9的結(jié)構(gòu)相同，并且將對差別進(jìn)行描述。在第三變型中的封裝體PKll中，如圖73A和圖73B所示，在散熱器HS中形成腔部分CM，并且在該腔部分CAV中布置芯片布置部分TAB。為此， 在第三變型中，芯片布置部分TAB不僅與具有高熱導(dǎo)率的散熱器HS的上表面相對，而且還與其側(cè)表面相對。因此，增強(qiáng)了從芯片布置部分TAB向散熱器HS熱傳導(dǎo)的效率。結(jié)果，可以增強(qiáng)封裝體PKll的散熱效率。將進(jìn)行更具體的描述。在芯片布置部分TAB上方布置作為熱源的半導(dǎo)體芯片CHP，并且在半導(dǎo)體芯片CHP處產(chǎn)生的熱量部分地傳導(dǎo)至與半導(dǎo)體芯片CHP接合的芯片布置部分TAB。到達(dá)芯片布置部分TAB的熱量通過樹脂RN傳導(dǎo)至散熱器 HS。在第三變型中，在形成于散熱器HS中的腔部分CAV中布置芯片布置部分TAB。因此，在上述時(shí)間時(shí)，來自芯片布置部分TAB的熱量有效地傳導(dǎo)至散熱器HS。為此，在第三變型中的封裝體PKll中，可以增強(qiáng)從散熱器HS熱輻射的效率。最后，將對于其中應(yīng)用了本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的第四變型進(jìn)行描述。圖74A至圖74C 說明了在第四變型中的封裝體PK12的結(jié)構(gòu)。具體地，圖74A是從正面看時(shí)封裝體PK12的平面圖；而圖74B是從背面看時(shí)封裝體PK12的平面圖。在圖74A中，封裝體PK12具有矩形密封本體MR，并且其中例如形成有集成電路的半導(dǎo)體芯片掩埋在該密封本體MR中。在密封本體MR的正面上方形成有散熱器HS。同時(shí)， 柵極端子GT、漏極端子DT以及源極端子ST從密封本體MR的下部突出。從圖74C可見，在封裝體PK12中，芯片布置部分TAB從密封本體MR的背面暴露出。將對于封裝體PK12的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。圖74B說明了在第四變型中的封裝體 PK12的剖面結(jié)構(gòu)。如圖74B所示，芯片布置部分TAB被成形為使其從密封本體MR的底面暴露出；并且在芯片布置部分TAB上方布置半導(dǎo)體芯片CHP，而在兩者之間具有焊料PST2。 在半導(dǎo)體芯片CHP上方布置夾片CLP，這兩者之間具有焊料PST3，并且在該夾片CLP上方布置散熱器HS，這兩者之間具有樹脂RN。如此配置的封裝體PK12的特征如下所述。芯片布置部分TAB被成形為使其從密封本體MR的背面暴露出，并且散熱器HS被布置在密封本體MR的正面上。將進(jìn)行更具體的描述。在第四變型中，在作為熱源的半導(dǎo)體芯片CHP下方布置芯片布置部分TAB，并且在半導(dǎo)體芯片CHP上方布置散熱器HS。結(jié)果，可以從芯片布置部分TAB耗散在半導(dǎo)體芯片CHP 處產(chǎn)生并且傳導(dǎo)至半導(dǎo)體芯片CHP下方的部分熱量；可以從散熱器HS耗散傳導(dǎo)至半導(dǎo)體芯片CHP上方的部分熱量。為此，可以有效地將在半導(dǎo)體芯片CHP處產(chǎn)生的熱量耗散至位于封裝體PK12外的外部空間。即，在第四變型中的封裝體PK12中，可以增強(qiáng)熱輻射效率。
在第四變型中，凸出部分提供在散熱器HS下方，并且形成在散熱器HS中的凸出部分被配置成使其足夠靠近半導(dǎo)體芯片CHP。這使得可以由凸出部分有效地拾取在半導(dǎo)體芯片CHP處產(chǎn)生的熱量，并且因此可以實(shí)現(xiàn)熱輻射效率的進(jìn)一步增強(qiáng)。圖75是說明了如何在安裝基底SUB上方安裝在第四變型中的封裝體PK12的剖視圖。如圖75所示，從封裝體PK12的背面暴露出的芯片布置部分TAB與安裝基底SUB的端子通過例如焊料PST4相互接合。也使用焊料將從封裝體PK12突出的外部引線與安裝基底 SUB接合起來。同時(shí)，從封裝體PK12的上表面(正面)暴露出的散熱器HS具有直接附接在其上的散熱片F(xiàn)IN。結(jié)果，從半導(dǎo)體芯片CHP傳導(dǎo)至散熱器HS的熱量更有效地從直接接合至散熱器HS的散熱片F(xiàn)IN耗散到外部空間。至此，已經(jīng)基于本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例對本發(fā)明人做出的本發(fā)明進(jìn)行了詳盡描述。然而，無需多言，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例并且可以在不脫離其主題的情況下而做出各種修改。上述MOSFET不限于那些柵極絕緣膜由氧化膜形成的器件。它們旨在也包括其中柵極絕緣膜由多種絕緣膜形成的MISFET(金屬絕緣體半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。S卩，在本說明書中，為了方便起見，使用了術(shù)語MOSFET。但是在本說明書中，術(shù)語MOSFET用作也旨在包括 MISFET的術(shù)語。本發(fā)明可以廣泛應(yīng)用于制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體工業(yè)中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件,包括(a)散熱器，具有第一正面以及位于與所述第一正面相對側(cè)上的第一背面；(b)引線部分，具有多個(gè)引線以及芯片布置部分，所述芯片布置部分具有第二正面以及位于與所述第二正面相對側(cè)上的第二背面；(C)半導(dǎo)體芯片，其布置在所述芯片布置部分的所述第二正面上方；以及(d)密封本體，其密封所述散熱器的一部分、所述引線部分的一部分以及所述半導(dǎo)體芯片，其中，構(gòu)成所述引線部分的所述引線和所述半導(dǎo)體芯片相互電耦合，以及其中，在所述密封本體中，所述散熱器的所述第一正面與所述芯片布置部分的所述第二背面彼此相對布置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的半導(dǎo)體器件，其中，所述散熱器的所述第一正面與所述芯片布置部分的所述第二背面相互電耦合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，其中，所述散熱器的所述第一正面與所述芯片布置部分的所述第二背面通過焊料相互耦合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件，其中，與所述散熱器的所述第一背面相比，使所述散熱器的所述第一正面的與所述密封本體接觸的區(qū)域粗糙化。
5.根據(jù)權(quán)利要求I的半導(dǎo)體器件，其中，所述散熱器的所述第一正面與所述芯片布置部分的所述第二背面相互電絕緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，其中，在所述散熱器的所述第一正面與所述芯片布置部分的所述第二背面之間布置所述密封本體的一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其中，所述散熱器的所述第一背面從所述密封本體露出。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其中，所述散熱器的材料與所述引線部分的材料相互不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件，其中，所述散熱器的材料是鋁，而所述引線部分的材料是銅。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其中，在所述散熱器的所述第一正面中形成從平面看大于所述芯片布置部分的外部形狀的凹進(jìn)部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其中，所述芯片布置部分布置在所述散熱器的所述第一正面中形成的所述凹進(jìn)部分中。
12.根據(jù)權(quán)利要求I的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體芯片是包括功率晶體管并且在芯片正面中具有源極焊盤和柵極焊盤而在位于與所述芯片正面相對側(cè)上的芯片背面中具有漏極電極的芯片，其中，所述引線部分包括源極引線、柵極引線和漏極引線，其中，所述芯片布置部分與所述漏極弓I線相互接合，其中，所述芯片布置部分的所述第二正面與所述漏極電極通過第一導(dǎo)電構(gòu)件相互電耦入 I=I，其中，所述源極焊盤與所述源極引線通過第二導(dǎo)電構(gòu)件相互電耦合，以及其中，所述柵極焊盤與所述柵極弓I線通過第三導(dǎo)電構(gòu)件相互電耦合。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體器件，其中所述源極引線包括源極引線柱，其中所述柵極引線包括柵極引線柱，其中所述芯片布置部分布置在所述源極引線柱和所述柵極引線柱之間，其中所述半導(dǎo)體芯片布置在所述芯片布置部分的所述第二正面上方，以使得所述源極焊盤比所述柵極焊盤更接近所述源極弓I線柱，其中所述第二導(dǎo)電構(gòu)件與所述源極引線柱電耦合，以及其中所述第三導(dǎo)電構(gòu)件與所述柵極弓丨線柱電耦合。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二導(dǎo)電構(gòu)件由使用鋁作為其材料的多個(gè)第一接線構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二導(dǎo)電構(gòu)件由使用鋁作為其材料的帶或者使用銅作為其材料的夾片構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二導(dǎo)電構(gòu)件由第一接線構(gòu)成，并且所述第三導(dǎo)電構(gòu)件由第二接線構(gòu)成，以及其中，所述第一接線的線直徑大于所述第二接線的線直徑。
17.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)電構(gòu)件由焊料構(gòu)成。
18.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟(a)制備第一框架，在所述第一框架中多個(gè)散熱器通過連接部分連接在一起；(b)制備第二框架，在所述第二框架中每個(gè)都具有多個(gè)引線和芯片布置部分的多個(gè)引線部分連接在一起；(C)使所述第二框架成形，以使得每個(gè)所述芯片布置部分的正面被定位成低于所述引線的正面；(d)將半導(dǎo)體芯片布置在每個(gè)所述芯片布置部分的所述正面上方；(e)將每個(gè)所述半導(dǎo)體芯片與所述引線電耦合在一起；以及(f)密封每個(gè)所述散熱器的一部分、每個(gè)所述引線部分的一部分以及每個(gè)所述半導(dǎo)體芯片，其中，步驟(f)包括以下步驟(Π)在模制模具中放置并且設(shè)置所述第一框架和所述第二框架，使得從平面看時(shí)從上方每個(gè)所述芯片布置部分與每個(gè)所述散熱器重疊，(f2)使用形成在所述第一框架中的所述連接部分作為樹脂阻擋部而在所述模制模具中填充樹脂；以及(f3)從所述模制模具中取出已模制的所述第一框架和所述第二框架。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在步驟(fl)處，在模制模具中放置并且設(shè)置所述第一框架和所述第二框架，以使得在每個(gè)所述散熱器和每個(gè)所述芯片布置部分之間存在縫隙。
20.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟(a)制備第一框架，在所述第一框架中多個(gè)散熱器通過連接部分連接在一起；(b)制備第二框架，在所述第二框架中每個(gè)都具有多個(gè)引線和芯片布置部分的多個(gè)引線部分連接在一起；(C)使所述第二框架成形，以使得每個(gè)所述芯片布置部分的正面被定位成低于所述引線的正面；(d)將半導(dǎo)體芯片布置在每個(gè)所述芯片布置部分的所述正面上方；(e)在所述第一框架上方布置所述第二框架，使得將在每個(gè)所述散熱器上方布置每個(gè)其上布置有所述半導(dǎo)體芯片的所述芯片布置部分；(f)將每個(gè)所述半導(dǎo)體芯片與所述引線電耦合在一起；以及(g)密封每個(gè)所述散熱器的一部分、每個(gè)所述引線部分的一部分以及每個(gè)所述半導(dǎo)體-H-* I I心/T，其中，步驟(g)包括以下步驟(gl)在模制模具中設(shè)置所述第一框架和所述第二框架；(g2)使用形成在所述第一框架中的所述連接部分作為樹脂阻擋部而在所述模制模具中填充樹脂；以及(g3)從所述模制模具中取出已模制的所述第一框架和所述第二框架。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，步驟(f)在步驟(d)和步驟(e) 執(zhí)行之后執(zhí)行。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，步驟(f)在步驟(d)之后且在步驟(e)之前執(zhí)行。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。提供了一種可以增強(qiáng)構(gòu)成半導(dǎo)體器件的封裝體的可靠性的技術(shù)。本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的特征在于散熱器單元與外部引線單元相互分離；并且外部引線單元具有芯片布置部分，并且每個(gè)芯片布置部分與每個(gè)散熱器接合在一起。結(jié)果，當(dāng)在樹脂密封步驟處形成密封本體時(shí)，連接部分起到用于防止樹脂泄漏的阻擋部的功能，并且因此可以防止在封裝體產(chǎn)品中形成樹脂毛刺。此外，在散熱器單元中不發(fā)生彎曲并且可以抑制由彎曲(翹曲)引起的在密封本體中的斷裂。
文檔編號H01L23/367GK102593078SQ20121001975
公開日2012年7月18日 申請日期2012年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者波多俊幸 申請人:瑞薩電子株式會(huì)社