專利名稱：電源模組及其封裝方法
技術領域：
本發(fā)明有關于電源模組，特別是關于電源模組的封裝結構與方法。
背景技術：
現(xiàn)今已有多種電源轉換器運用于商業(yè)化的電源管理領域，例如將一直流電源轉變成為另一直流電源，或是提供定電流的控制。圖IA為一先前技術中，電源轉換器 100的電路示意圖。電源轉換器100包括一脈沖寬度調(diào)制控制器(pulse width modulatingcontroller ；PWM controller),以下簡稱PWM控制器；N型金屬氧化物半導體場效應晶體管Ql及Q2，電感裝置LI以及電容裝置Cl。PWM控制器提供一周期性的第一控制信號Hdrv至晶體管Ql的柵極，并將與第一控制信號Hdrv互補的ー第二控制信號Ldrv提供至晶體管Q2的柵極，控制晶體管Ql及Q2的截止與導通。當?shù)谝豢刂菩盘朒drv為高電平時，第二控制信號Ldrv為低電平。此時晶體管Ql導通，晶體管Q2截止，輸入電壓VDD通過晶體管Ql對電感裝置LI及電容裝置Cl進行充電；當?shù)诙刂菩盘朙drv為高電平時，第一控制信號Hdrv為低電平。此時晶體管Ql截止，晶體管Q2導通，電感裝置LI及電容裝置Cl通過晶體管Q2進行放電至參考電壓節(jié)點GND，因此提供一個穩(wěn)定的輸出電壓Vload至負載Rload。隨著制程技術的演迸，電源轉換器的成本、面積以及設計彈性更加受到重視。模組化封裝比起元件各自獨立的傳統(tǒng)電源轉換器擁有更大的優(yōu)勢。如圖IB中所示的一先前技術，電源轉換器200將PWM控制器與N型金屬氧化物半導體場效應晶體管Ql及Q2共同整合于ー多晶片封裝20 (multi-chip module, MCM)結構中；又例如圖IC所示的另一先前技術，電源轉換器300將N型金屬氧化物半導體場效應晶體管Ql及Q2整合于ー獨立封裝結構30中。但是上述先前技術對于使用不同的PWM控制器來建構電源轉換器時，仍然具有一定的復雜度且其便利性仍有改善空間。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提出ー種電源模組，包括一基板；ー電感裝置，該電感裝置為形成于該基板上具有一既定的路徑圖樣的導體路徑層；一連接層，形成于該基板之上，并與該電感裝置的第一端電性連接；以及ー第一晶體管，通過連接層而構裝于基板之上。該電源模組可有效降低成本及表面積，并且易于搭配不同的脈沖寬度調(diào)制控制器，增加電路設計的便利性。本發(fā)明所述的電源模組，該基板的材質(zhì)為玻璃或絕緣體。本發(fā)明所述的電源模組，該導體路徑層以沉積或電鍍方式形成，且該路徑圖樣為螺旋型、傳輸線型或曲折型。本發(fā)明所述的電源模組，該第一晶體管包括第一端子、第三端子及第三端子，且該連接層包括一第一部分，與該第一晶體管的該第一端子電性連接，用以接收一直流電源；一第二部分，與該第一晶體管的該第二端子電性連接，用以接收一切換該第一晶體管導通或關閉的一第一控制信號；以及一第三部分，與該第一晶體管的該第三端子以及該電感裝置的該第一端電性連接。本發(fā)明所述的電源模組，還包括一第二晶體管，通過該連接層而構裝于該基板之上，該第二晶體管包括第一端子、第三端子及第三端子，其中該第二晶體管的該第一端子與該電感裝置的該第一端電性連接。該連接層還包括一第四部分，與該第二晶體管的該第二端子電性連接，用以接收與該第一控制信號互補的ー第二控制信號；以及ー第五部分，與該第二晶體管的該第三端子電性連接，用以耦接至ー參考電壓節(jié)點。本發(fā)明所述的電源模組，還包括多個導電接觸分別與該連接層以及該電感裝置的 一第二端電性連接。本發(fā)明所述的電源模組，該第一晶體管為以晶片尺寸封裝的離散式功率金屬氧化物半導體場效應晶體管。本發(fā)明所述的電源模組，該第一晶體管及該第二晶體管為分別以晶片尺寸封裝的離散式功率金屬氧化物半導體場效應晶體管。本發(fā)明還提出一種電源模組封裝方法，包括提供一基板；于該基板的一第一面上形成一連接層與ー導體路徑層，其中該導體路徑層具有一既定的路徑圖樣以形成一電感裝置，該連接層與該導體路徑的ー第一端電性連接；以及將至少一晶體管裝置通過該連接層構裝于該基板之上。本發(fā)明所述的電源模組的封裝方法，該基板的材質(zhì)為玻璃或絕緣體。本發(fā)明所述的電源模組的封裝方法，該導體路徑層以沉積或電鍍方式形成，且該路徑圖樣為螺旋型、傳輸線型或曲折型。本發(fā)明所述的電源模組的封裝方法，上述至少一晶體管裝置為分別以晶片尺寸封裝的離散式功率金屬氧化物半導體場效應晶體管。本發(fā)明所述的電源模組的封裝方法，上述至少一晶體管裝置包括一第一晶體管以及一第二晶體管，且該第一晶體管包括第一端子、第三端子及第三端子，該第二晶體管包括第一端子、第三端子及第三端子；以及其中該連接層還包括一第一部分，與該第一晶體管的該第一端子電性連接；一第二部分，與該第一晶體管的該第二端子電性連接；一第三部分，與該第一晶體管的該第三端子、該第二晶體管的該第一端子以及該導體路徑層的該第一端電性連接；一第四部分，與該第二晶體管的該第二端子電性連接；以及ー第五部分，與該第二晶體管的該第三端子電性連接。本發(fā)明所述的電源模組的封裝方法，還包括ー載體基板，暫時固定于該基板的該第一面上；于與該基板的該第一面相對的ー第二面上形成多個開ロ，使部分該連接層以及該導體路徑層的一第二端由上述開ロ露出；以及于該基板的該第二面上形成多個導電接觸，分別通過相對應的上述開ロ與部分該連接層以及該導體路徑層的該第二端電性連接。本發(fā)明所述的電源模組的封裝方法，還包括ー載體基板，暫時固定于該基板的該第一面上；于與該基板的該第一面相對的ー第二面上形成多個開ロ，使部分該連接層以及該導體路徑層的一第二端由上述開ロ露出；以及于該基板的該第二面上形成多個導電接觸。所述于該基板的該第二面上形成多個導電接觸的步驟包括一第一導電接觸，通過ー第ー開ロ與該連接層的該第一部分電性連接；一第二導電接觸，通過ー第二開ロ與該連接層的該第二部分電性連接；一第三導電接觸，通過ー第三開ロ與該導體路徑層的該第二端電性連接；一第四導電接觸，通過ー第四開ロ與該連接層的該第四部分電性連接；以及ー第五導電接觸，通過ー第五開ロ與該連接層的該第五部分電性連接。本發(fā)明所述的電源模組的封裝方法，還包括于所述導電接觸形成后，移除該載體基板；以及以模制化合物掩蓋該基板的該第一面上的上述至少一晶體管裝置以及該導體路徑層。本發(fā)明所述的電源模組可有效降低成本及表面積，并且易于搭配不同的脈沖寬度調(diào)制控制器，增加電路設計的便利性。


本發(fā)明所揭露的詳細內(nèi)容搭配以下圖式解說應可輕易理解。圖式中以數(shù)字及符號將結構、裝置及節(jié)點加以定義。圖IA顯示先前技術中，電源轉換器100的電路示意圖。圖IB顯示先前技術中，電源模組20以及相對應的電源轉換器200電路示意圖。圖IC顯示先前技術中，電源模組30以及相對應的電源轉換器300電路示意圖。圖2顯示本發(fā)明的電源模組40以及相對應的電源轉換器400電路示意圖。圖3A、圖4A、圖5A、圖6A、圖7A及圖8A顯示部分實施例中電源模組40的制作流程平面圖。圖3B、圖4B、圖5B、圖6B、圖7B及圖8B顯示部分實施例中電源模組40的制作流程剖面圖。附圖中符號的簡單說明如下100、200、300、400 :電源轉換器;20、30、40 :電源模組；41 :基板;41，:晶粒；42 :第一連接層；42-1-42-5 :第一連接層的第一至第五部分；43 :導體路徑層；43A :導體路徑層的第一端；43B :導體路徑層的第二端；44 :第一保護層；45 :第二連接層；46 :第二保護層；47 :載體基板；48 :封膠;AA，:截面；C1 :電容裝置；D1-D2 :漏極；G1-G2 :柵極；GND :參考電壓節(jié)點；Hdrv :第一控制信號；L1 :電感裝置；Ldrv :第二控制信號；01_05 :開ロ ；Q1 :第一晶體管；Q2 :第二晶體管；Rload :負載；S1-S2 :源極；SL :切割道；T1_T5 :導電接觸；VDD :輸入電壓；Vload :輸出電壓；W1、W2 :第一、第二窗ロ。
具體實施例方式圖2為本發(fā)明的一實施例中，電源模組40以及相對應的電源轉換器400電路不意圖。電源轉換器400包括ー電源模組40，將第一晶體管Q1、第二晶體管Q2以及電感裝置LI予以整合封裝；PWM控制器，以第一控制信號Hdrv控制第一晶體管Ql的截止與導通，并以與第一控制信號Hdrv互補的ー第二控制信號Ldrv控制第二晶體管Q2的截止與導通；以及電容裝置Cl。以上實施例所述的電源模組40，當?shù)谝豢刂菩盘朒drv使第一晶體管Q I導通吋，則第二控制信號Ldrv使第二晶體管Q2截止，輸入電壓VDD通過第一晶體管Ql對電感裝置LI以及電容裝置Cl進行充電；當?shù)谝豢刂菩盘朒drv使第一晶體管Ql截止時，第二控制信號Ldrv使第二晶體管Q2導通，電感裝置LI及電容裝置Cl通過第二晶體管Q2放電至參考電壓節(jié)點GND。因此，電源模組40可提供一個穩(wěn)定的輸出電壓Vload至負載Rload。于其他實施例中，電源模組40中的第二晶體管Q2亦可以ー開關元件或一二極管元件取代(未顯示于圖式)。以上實施例所掲示的電源模組40為ー降壓轉換器(buckconverter)結構，但本發(fā)明的電源模組并不僅限于以上實施例中所描述的電路結構，亦可為其他包括ー電感裝置以及至少一晶體管裝置的電源模組，如升壓轉換器(boostconverter)、升降壓轉換器(buck-boost converter)、庫克轉換器(cuk converter),或是單端初級電感轉換器(single-ended primary industry converter, SEPIC)等。
以下說明本發(fā)明所揭露的電源模組40制作流程的實施例。文中所描述的實施例僅作為說明的用途，并非用以局限本發(fā)明所揭露的專利保護范圍。于相關領域普通技術人員可輕易的對本發(fā)明所揭露的實施例、進階應用以及發(fā)明原理進行任何變化及修改。圖3A、圖4A、圖5A、圖6A、圖7A及圖8A顯示實施例中電源模組40的制作流程平面圖。圖3B、圖4B、圖5B、圖6B、圖7B及圖8B顯示實施例中電源模組40的制作流程剖面圖。圖中實施例的部分形狀或是厚度經(jīng)過調(diào)整，以簡化或是方便表示。再者，圖中未繪示或描述的元件，為所屬技術領域中普通技術人員所能知悉的形式。參照圖3A、圖3B所示，圖3B為圖3A沿AA’線段切開的剖面圖。首先提供一基板41，為簡化顯示，圖式僅顯示部分的基板41。于ー實施例中，可于基板41上同時進行多個以下所描述的制作流程，以形成多個電源模組40?；?1為玻璃材質(zhì)，然而亦可使用其他種類的絕緣材料，例如石英以及塑膠等。接著,在基板41上形成一導體層，并利用微影技術(Lithography)定義出圖案,接著蝕刻該導體層而形成圖案化的第一連接層42以及導體路徑層43。第一連接層42作為與電源模組40外部及電源模組40內(nèi)各裝置之間的電性連接，包括第一至第五部分，42-1至42-5。為簡化圖式，第一連接層42在后述的圖式中不再標注。導體路徑層43具有ー既定的路徑圖樣，可以是方形、多邊形或圓形的螺旋狀圖樣(本實施例中是以圓形螺旋圖樣為例)。但導體路徑層43的路徑圖樣亦可以是傳輸線型(transmission line)或曲折型(meander)。導體路徑層43包括第一端43A以及第二端43B，以形成一電感裝置LI。第一連接層42以及導體路徑層43的材質(zhì)可為鋁、銅等金屬，或為導電陶瓷、導電高分子，或為前述的組合，且第一連接層42以及導體路徑層43可為相同或不同材質(zhì)。第一連接層42以及導體路徑層43可同時形成于基板41上，或分別形成于基板41上。先前技術中，電感裝置在電源轉換器中占據(jù)相當大的表面積(footprint)。但由于制程技術的演迸，晶體管裝置的開關速率提升，電源轉換器可采用電感值低且表面積小的電感裝置。因此本發(fā)明的電感裝置LI的大小與晶體管裝置較相近，使電源模組400可達到緊致的表面積。于ー較佳實施例中，電感裝置LI的電感值例如約為30nH，然而亦可視實際搭配的晶體管裝置的開關速率，采用不同電感值與表面積的電感裝置LI。參照圖4A、圖4B所示，圖4B為圖4A沿AA’線段切開的剖面圖。接著于第一連接層42以及導體路徑層43之上形成一保護層，再以微影制程定義出圖形，經(jīng)蝕刻后形成圖案化的第一保護層44 (顯示于圖4B)。第一保護層44具有多個第一窗ロ Wl，使第一連接層42的第三部分42-3以及導體路徑層43的第一端43A暴露在外。第一保護層44的材質(zhì)可為抗焊絕緣層(SR)、苯并環(huán)丁烯(Benzocyclobutene,BCB)、聚酰亞胺(Polyimide)、或前述的組合。接著形成一金屬層，并以微影制程定義出圖形，經(jīng)蝕刻后形成第二連接層45。其中第ニ連接層45通過第一窗ロ Wl將第一連接層42的第三部分42-3與導體路徑層43的第一端43A電性連接。
參照圖5A、圖5B所示，圖5B為圖5A沿AA’線段切開的剖面圖，隨后于第二連接層45與第一保護層44之上形成第二保護層46，并以微影制程定義圖樣后，蝕刻第二保護層46及第一保護層44以形成多個第二窗ロ W2(顯示于圖5B)，分別露出該第一連接層42的第一至第五部分(42-1至42-5)。接著將晶體管裝置，包括第一晶體管Ql及第ニ晶體管Q2，通過該第一連接層42的第一至第五部分(42-1至42-5)而構裝(電性連接)于基板41之上。此實施例中，第一晶體管Ql與第二晶體管Q2為N型功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(Power M0SFET)。圖5B中，第一晶體管Ql通過第二窗ロ W2與第一連接層42電性連接，其中第一晶體管Ql的柵極Gl與第一連接層42的第二部分42-2電性連接；第一晶體管Ql的源極SI與第一連接層42的第三部分42-3電性連接。同理，第一晶體管Ql的漏極Dl與第一連接層42的第一部分42-1電性連接。以此類推，第二晶體管Q2通過第二窗ロ W2與第一連接層42電性連接，其中第二晶體管Q2的漏極D2與第一連接層42的第三部分42-3電性連接，第二晶體管Q2的柵極G2與第一連接層42的第四部分42-4電性連接，第二晶體管Q2的源極S2與第一連接層42的第五部分42-5電性連接。于ー較佳實施例中，第一晶體管Ql及第ニ晶體管Q2為以晶片尺寸封裝(chipscale packaging)的獨立封裝單元,并以穿基底導通孔(through substrate via)方式利用焊錫凸塊(solder bump)或銅金屬柱(copper pillar),通過第二窗ロ W2將第一晶體管Ql及第ニ晶體管Q2的各端子與第一連接層42的第一至第五部分(42-1至42-5)形成電性連接。于部分實施例中，第二晶體管Q2可用一二極管或一開關元件代替。參照圖6A、圖6B所示，圖6B為圖6A沿AA’線段切開的剖面圖。晶體管裝置Ql及Q2構裝完成后，接著將ー載體基板(carrier substrate) 47覆蓋于基板41與晶體管裝置Ql及Q2同一側的第一面上方(顯示于圖6B)，并以粘膠接合以暫時性的固定，作為后續(xù)制程翻轉基板41時固定支撐之用。部分實施例中，載體基板47可使用玻璃、塑膠等材質(zhì)，粘膠的材質(zhì)可為壓克カ(Acrylic)、環(huán)氧樹脂等聚合物。接著將基板41上與第一面相對的第ニ面沿著預定的晶粒切割道SL以激光或蝕刻方式定義出多個開ロ 01至05。開ロ的形狀可為長方形或圓形，其位置如圖6A所示。為簡化圖式，載體基板47未顯示于圖6A中。圖6B中，開ロ 02與03的側壁有ー傾斜角度，且底部分別將基板41第一面上的連接層42的第二部分42-2與導體路徑層43的第二端43B部分暴露在外。同理，開ロ 01、04與05的側壁有ー傾斜角度，其底部分別將基板41第一面上的連接層42的第一部分42-1、第四部分42-4與第五部分42-5部分暴露在外。參照圖7A、圖7B所示，圖7B為圖7A沿AA’線段切開的剖面圖。接著形成ー導體層于該基板41的第二面上，并經(jīng)過微影制程定義出圖形以及蝕刻該導體層后，于基板41第ニ面的開ロ 01至05處形成多個導電接觸Tl至T5。于部分實施例中，導電接觸Tl至T5可以濺鍍、電鍍或等離子輔助化學氣相沉積法(PECVD)等方式形成，其材質(zhì)可包括金屬，如銅、招、鎳或前述的組合。如圖7B所示，其中導電接觸T2及T3—端分別沿著開ロ 02及03的側壁延伸至開 ロ 02及03的底部，并分別與連接層42的第二部分42-2及導體路徑層43的第二端43B電性連接，另一端則分別延伸至基板41的第二面。同理，導電接觸T1、T4及T5—端分別沿著開ロ 01、04及05的側壁延伸至開ロ 01、04及05的底部，并分別與連接層42的第一部分42-1、第四部分42-4及第五部分42-5電性連接，另一端則分別延伸至基板41的第二面。接著可選擇性形成一阻焊膜(未顯示于圖式)覆蓋導電接觸Tl至T5，防止或減少導電接觸Tl至T5受破壞或污染。該阻焊膜具有多個窗ロ以形成焊錫凸塊(未顯示于圖式)，做為電源模組40與外部電性連接的接腳。接著沿著切割道SL將基板41切割成至少ー晶粒41’，隨之移除載體基板47。最后以模制化合物(molding compound)形成封膠48(顯示于圖SB)遮蓋于晶粒41’與晶體管裝置Ql及Q2同一側的的第一面上，形成一獨立封裝的電源模組40，如圖8A所示。為簡化圖式，封膠48并未顯示于圖8A中。圖8B為圖8A沿AA’線段切開的剖面圖。以上形成電源模組40方法的實施例中，各制程步驟及順序可在不悖離本發(fā)明精神范疇的前提之下，進行任何變化及修改，并無局限于特定形式。例如于另ー實施例中，亦可于第二保護層46形成后，先將載體基板47與基板41結合并形成導電接觸Tl至T5，再形 成阻焊層以及焊錫凸塊，并形成晶粒41’，接著移除載體基板47，最后再安裝晶體管裝置Ql及Q2并形成封膠48。電源模組40中，導電接觸Tl用以接收一直流電源；導電接觸T2用以接收控制第一晶體管Ql導通或關閉的第一控制信號；導電接觸T3將導體路徑層43的第二端43B與一電容裝置以及負載端電性連接；導電接觸T4用以接收與第一控制信號互補的第二控制信號，用以控制第二晶體管Q2的導通或關閉；以及導電接觸T5，用以耦接至ー參考電壓節(jié)點。本發(fā)明所掲示的電源模組，將電感裝置及連接層以薄膜制程中形成，可簡化制程并降低制造成本；并將晶片尺寸封裝的晶體管裝置與電感裝置整合封裝，除了可有效節(jié)省表面積之外，亦使電路設計者無需考量晶體管裝置與電感裝置之間的搭配；此外，尚可根據(jù)電源模組中晶體管裝置的開關速率，搭配適合的脈沖寬度調(diào)制控制器，提升電源管理設計的便利性。
權利要求
1.一種電源模組,其特征在于,包括 一基板； 一電感裝置，該電感裝置為形成于該基板上且具有一既定的路徑圖樣的一導體路徑層； 一連接層，形成于該基板之上，并與該電感裝置的一第一端電性連接；以及 一第一晶體管，通過該連接層而構裝于該 基板之上。
2.根據(jù)權利要求I所述的電源模組，其特征在于，該基板的材質(zhì)為玻璃或絕緣體。
3.根據(jù)權利要求I所述的電源模組，其特征在于，該導體路徑層以沉積或電鍍方式形成，且該路徑圖樣為螺旋型、傳輸線型或曲折型。
4.根據(jù)權利要求I所述的電源模組，其特征在于，該第一晶體管包括第一端子、第三端子及第三端子，且該連接層包括 一第一部分，與該第一晶體管的該第一端子電性連接，用以接收一直流電源； 一第二部分，與該第一晶體管的該第二端子電性連接，用以接收一切換該第一晶體管導通或關閉的一第一控制信號；以及 一第三部分，與該第一晶體管的該第三端子以及該電感裝置的該第一端電性連接。
5.根據(jù)權利要求4所述的電源模組，其特征在于，還包括一第二晶體管，通過該連接層而構裝于該基板之上； 該第二晶體管包括第一端子、第三端子及第三端子，其中該第二晶體管的該第一端子與該電感裝置的該第一端電性連接；以及該連接層還包括 一第四部分，與該第二晶體管的該第二端子電性連接，用以接收與該第一控制信號互補的一第二控制信號；以及 一第五部分，與該第二晶體管的該第三端子電性連接，用以耦接至一參考電壓節(jié)點。
6.根據(jù)權利要求4或5所述的電源模組，其特征在于，還包括多個導電接觸分別與該連接層以及該電感裝置的一第二端電性連接。
7.根據(jù)權利要求I所述的電源模組，其特征在于，該第一晶體管為以晶片尺寸封裝的離散式功率金屬氧化物半導體場效應晶體管。
8.根據(jù)權利要求5所述的電源模組，其特征在于，該第一晶體管及該第二晶體管為分別以晶片尺寸封裝的離散式功率金屬氧化物半導體場效應晶體管。
9.一種電源模組的封裝方法,其特征在于,包括 提供一基板； 于該基板的一第一面上形成一連接層與一導體路徑層，其中該導體路徑層具有一既定的路徑圖樣以形成一電感裝置，該連接層與該導體路徑層的一第一端電性連接；以及將至少一晶體管裝置通過該連接層構裝于該基板之上。
10.根據(jù)權利要求9所述的電源模組的封裝方法，其特征在于，該基板的材質(zhì)為玻璃或絕緣體。
11.根據(jù)權利要求9所述的電源模組的封裝方法，其特征在于，該導體路徑層以沉積或電鍍方式形成，且該路徑圖樣為螺旋型、傳輸線型或曲折型。
12.根據(jù)權利要求9所述的電源模組的封裝方法，其特征在于，上述至少一晶體管裝置為分別以晶片尺寸封裝的離散式功率金屬氧化物半導體場效應晶體管。
13.根據(jù)權利要求9所述的電源模組的封裝方法，其特征在于，上述至少一晶體管裝置包括一第一晶體管以及一第二晶體管，且該第一晶體管包括第一端子、第三端子及第三端子，該第二晶體管包括第一端子、第三端子及第三端子；以及 其中該連接層還包括 一第一部分，與該第一晶體管的該第一端子電性連接； 一第二部分，與該第一晶體管的該第二端子電性連接； 一第三部分，與該第一晶體管的該第三端子、該第二晶體管的該第一端子以及該導體路徑層的該第一端電性連接； 一第四部分，與該第二晶體管的該第二端子電性連接；以及 一第五部分，與該第二晶體管的該第三端子電性連接。
14.根據(jù)權利要求9所述的電源模組的封裝方法，其特征在于，還包括 一載體基板，暫時固定于該基板的該第一面上； 于與該基板的該第一面相對的一第二面上形成多個開口，使部分該連接層以及該導體路徑層的一第二端由上述開口露出；以及 于該基板的該第二面上形成多個導電接觸，分別通過相對應的上述開口與部分該連接層以及該導體路徑層的該第二端電性連接。
15.根據(jù)權利要求13所述的電源模組的封裝方法，其特征在于，還包括 一載體基板，暫時固定于該基板的該第一面上； 于與該基板的該第一面相對的一第二面上形成多個開口，使部分該連接層以及該導體路徑層的一第二端由上述開口露出；以及 于該基板的該第二面上形成多個導電接觸，包括 一第一導電接觸，通過一第一開口與該連接層的該第一部分電性連接； 一第二導電接觸，通過一第二開口與該連接層的該第二部分電性連接； 一第三導電接觸，通過一第三開口與該導體路徑層的該第二端電性連接； 一第四導電接觸，通過一第四開口與該連接層的該第四部分電性連接；以及 一第五導電接觸，通過一第五開口與該連接層的該第五部分電性連接。
16.根據(jù)權利要求14或15所述的電源模組的封裝方法，其特征在于，還包括 于所述導電接觸形成后，移除該載體基板；以及 以模制化合物掩蓋該基板的該第一面上的上述至少一晶體管裝置以及該導體路徑層。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種電源模組及其封裝方法，該電源模組包括一基板；一電感裝置，該電感裝置為形成于該基板上且具有一既定的路徑圖樣的一導體路徑層；一連接層，形成于該基板之上，并與該電感裝置的一第一端電性連接；以及一第一晶體管，通過該連接層而構裝于該基板之上。本發(fā)明所述的電源模組可有效降低成本及表面積，并且易于搭配不同的脈沖寬度調(diào)制控制器，增加電路設計的便利性。
文檔編號H01L25/07GK102624225SQ20121002068
公開日2012年8月1日 申請日期2012年1月20日 優(yōu)先權日2011年1月28日
發(fā)明者劉建宏, 姚皓然, 楊惟中, 樓百堯 申請人:精材科技股份有限公司