專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管陣列基板、其制造方法以及有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
這里公開(kāi)的實(shí)施例涉及薄膜晶體管(TFT)陣列基板，包括該薄膜晶體管陣列基板的有機(jī)發(fā)光設(shè)備，以及制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
諸如有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和液晶顯示(IXD)設(shè)備的平板顯示設(shè)備包括薄膜晶體管(TFT)、電容器和用于連接TFT和電容器的布線(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)實(shí)施例，提供一種薄膜晶體管(TFT)陣列基板，包括TFT，設(shè)置于基板上，所述TFT包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、設(shè)置于所述有源層和所述柵電極的第一絕緣層以及設(shè)置于所述柵電極與所述源電極和漏電極之間的第二絕緣層；像素電極，設(shè)置于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上，所述像素電極連接至所述源電極和所述漏電極之一；電容器，包括與所述柵電極設(shè)置在同一層上的下電極，并且包括與所述像素電極包括相同材料的上電極；第三絕緣層，直接設(shè)置于所述第二絕緣層和所述像素電極之間以及所述下電極和所述上電極之間；以及第四絕緣層，覆蓋所述源電極、所述漏電極和所述上電極，并且暴露所述像素電極。所述第一絕緣層可以被共用地設(shè)置在所述有源層的上方且在所述下電極之下。
所述第二絕緣層可以不設(shè)置在所述上電極和所述下電極之間。所述第三絕緣層的厚度可以小于所述第二絕緣層的厚度。所述第三絕緣層的厚度可以等于或大于大約500 A且等于或小于大約2000 A。所述第三絕緣層的介電常數(shù)可以高于所述第一絕緣層的介電常數(shù)。所述第三絕緣層可以包括SiNx、SiO2, ZrO2, TiO2, Ta2O5和Al2O3中至少一種。所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕緣層可以被依次設(shè)置在所述像素電極和所述基板之間。所述第一至第三絕緣層的相鄰絕緣層的折射率可以彼此不同。 所述像素電極可以包括透明導(dǎo)電氧化物(TCO)。所述TCO可以包括氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)和氧化鋁鋅(AZO)中的至少一種。所述像素電極可以進(jìn)一步包括半透光金屬層。所述半透光金屬層可以設(shè)置在包括所述透明導(dǎo)電氧化物的層上。所述半透光金屬層可以包括銀(Ag)、Ag合金、鋁(Al)和鋁合金中的至少一種。所述TFT陣列基板可以進(jìn)一步包括設(shè)置在所述半透光金屬層上的保護(hù)層。所述保護(hù)層可以包括TC0。所述像素電極的側(cè)表面可以與所述第三絕緣層的側(cè)表面對(duì)齊。所述上電極的側(cè)表面可以與所述第三絕緣層的側(cè)表面對(duì)齊。所述源電極和所述漏電極之一的與所述像素電極連接的部分可以被設(shè)置在所述像素電極的上方。所述源電極和所述漏電極可以包括刻蝕速率與所述像素電極和所述上電極的刻蝕速率不同的材料所述TFT陣列基板可以進(jìn)一步包括由與所述源電極和所述漏電極相同的材料形成的焊盤(pán)電極。所述焊盤(pán)電極可以被設(shè)置在與所述源電極和所述漏電極相同的層上。根據(jù)一實(shí)施例，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括TFT，設(shè)置于基板，所述TFT包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、設(shè)置于所述有源層和所述柵電極之間的第一絕緣層以及設(shè)置于所述柵電極與所述源電極和漏電極之間的第二絕緣層；像素電極，設(shè)置于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上，所述像素電極連接至所述源電極和所述漏電極之一；電容器，包括與所述柵電極設(shè)置在同一層上的下電極，并且包括與所述像素電極包括相同材料的上電極；第三絕緣層，直接設(shè)置于所述第二絕緣層和所述像素電極之間以及所述下電極和所述上電極之間；第四絕緣層，覆蓋所述源電極、所述漏電極和所述上電極，并且暴露所 述像素電極；設(shè)置在所述像素電極上的有機(jī)發(fā)光層；以及設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光層上的對(duì)置電極。所述對(duì)置電極可以是反射由所述有機(jī)發(fā)光層所發(fā)射的光的反射電極。根據(jù)一實(shí)施例，提供一種制造TFT陣列基板的方法，該方法包括在基板上形成半導(dǎo)體層并且通過(guò)使用第一掩膜工藝圖案化所述半導(dǎo)體層形成TFT的有源層；形成第一絕緣層，將第一導(dǎo)電層堆疊在所述第一絕緣層上，并且通過(guò)使用第二掩膜工藝圖案化所述第一導(dǎo)電層來(lái)形成TFT的柵電極和電容器的下電極；形成第二絕緣層，并且使用第三掩膜工藝在所述第二絕緣層中形成開(kāi)口以暴露所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)以及所述電容器的上電極；在由所述第三掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)上依次形成第三絕緣層和第二導(dǎo)電層，并且通過(guò)使用第四掩膜工藝同時(shí)或依次圖案化所述第三絕緣層和所述第二導(dǎo)電層形成像素電極、所述上電極和直接設(shè)置在所述下電極上的介電膜；在由第四掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)上形成第三導(dǎo)電層，并且通過(guò)使用第五掩膜工藝圖案化所述第三導(dǎo)電層而形成所述源電極和所述漏電極；形成第四絕緣層并且去除所述第四絕緣層的使用部分以通過(guò)第六掩膜工藝暴露所述像素電極。所述方法可以進(jìn)一步包括在使用第二掩膜工藝形成所述柵電極之后使用離子雜質(zhì)摻雜所述源區(qū)和所述漏區(qū)。所述第四掩膜工藝可以包括刻蝕所述第三絕緣層的第一刻蝕工藝，以及刻蝕所述第二導(dǎo)電層的第二刻蝕工藝。所述第三導(dǎo)電層可以包括刻蝕速率與所述第二導(dǎo)電層的材料的刻蝕速率不同的材料。所述方法可以進(jìn)一步包括使用所述第五掩膜工藝形成包括與所述源電極和所述漏電極相同的材料的焊盤(pán)電極。 所述第二導(dǎo)電層可以通過(guò)依次堆疊透明導(dǎo)電層和半透光導(dǎo)電層而形成。所述方法可以進(jìn)一步包括在所述半透光導(dǎo)電層上形成保護(hù)層。所述第三絕緣層可以被形成為具有比所述第二絕緣層的厚度小的厚度。所述第三絕緣層可以由介電常數(shù)高于所述第一絕緣層的介電常數(shù)的材料形成。


對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，以上及其它特征將通過(guò)結(jié)合附圖對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行的詳細(xì)描述而變得更加明顯，附圖中圖I示出描述根據(jù)一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖；圖2A和圖2B示出描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法的第一掩膜工藝的截面圖；圖3A和圖3B示出描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法的第二掩膜工藝的截面圖；圖4A和圖4B示出描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法的第三掩膜工藝的截面圖；圖5A和圖5B示出描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法的第四掩膜工藝的截面圖； 圖6A和圖6B示出描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法的第五掩膜工藝的截面圖；圖7A和圖7B示出描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法的第六掩膜工藝的截面圖；以及圖8示出描述根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖。
具體實(shí)施例方式2011年7月14日遞交韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的名稱(chēng)為“Thin Film Transistor ArraySubstrate, Organic Light-Emitting Display Device Including the Same, and Methodof Manufacturing the Organic Light-Emitting Display Device (薄膜晶體管陣列基板、包括該薄膜晶體管陣列基板的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法)”的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No. 10-2011-0070027通過(guò)引用整體合并于此。以下結(jié)合附圖更充分地描述示例實(shí)施例，然而，這些實(shí)施例可以不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被理解為僅限于這里所給出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例的目的在于使該公開(kāi)內(nèi)容全面完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)范圍。在附圖中，層和區(qū)域的尺寸可能為了圖示的清晰而被放大。還可以理解，當(dāng)提及一層或元件位于另一層或基板“上”時(shí)，該層或元件可以直接位于另一層或基板上，也可以存在中間層。進(jìn)一步地，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提及一層位于另一層“下”時(shí)，該層可以直接位于另一層下，也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。另外，也可以理解，當(dāng)提及一層位于兩層“之間”時(shí)，該層可以是這兩層之間僅有的層，也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。圖I示出描述根據(jù)一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的截面圖。參見(jiàn)圖1，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的基板10可以包括其中可以設(shè)置至少一層有機(jī)發(fā)光層120的像素區(qū)PXL1、其中可以設(shè)置至少一個(gè)TFT的薄膜晶體管(TFT)區(qū)TFT1、其中可以設(shè)置至少一個(gè)電容器的電容器區(qū)CAPl以及其中可以設(shè)置焊盤(pán)電極418的焊盤(pán)區(qū)PAD1。TFT的有源層212可以被設(shè)置在基板10上，并且緩沖層11可以被設(shè)置在晶體管區(qū)TFTl 中。基板10可以是透明基板，例如玻璃基板或塑料基板，塑料基板包括聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亞胺等。為了平坦化基板10和防止雜質(zhì)元素滲入基板10中，在基板10上可以設(shè)置緩沖層
11。緩沖層11可以具有包括氮化硅和/或氧化硅的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
有源層212可以被設(shè)置在緩沖層11上。有源層212可以由包括非晶硅或晶體硅的半導(dǎo)體形成，并且可以包括溝道區(qū)212c以及通過(guò)用離子雜質(zhì)對(duì)溝道區(qū)212c周?chē)牟糠诌M(jìn)行摻雜而形成的源區(qū)212a和漏區(qū)212b。柵電極214可以對(duì)應(yīng)于有源層212的溝道區(qū)212c設(shè)置在有源層212上?？梢允菛沤^緣膜的第一絕緣層13可以被設(shè)置在柵電極214和有源層212之間。柵電極214可以具有包括選自鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(Wu)和銅(Cu)的至少一種金屬的單層結(jié)構(gòu)
或多層結(jié)構(gòu)。源電極218a和漏電極218b可以被設(shè)置在柵電極214上以分別連接至有源層212的源區(qū)212a和漏區(qū)212b?？梢允菍娱g絕緣膜的第二絕緣層15可以被設(shè)置在源電極218a Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一種金屬的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。第四絕緣層19可以被設(shè)置在第二絕緣層15上以覆蓋源電極218a和漏電極218b。第一絕緣層13可以被用作柵絕緣膜。第二絕緣層15可以被用作TFT區(qū)TFTl中的層間絕緣膜。第一絕緣層13和第二絕緣層15中的每一個(gè)均可以是無(wú)機(jī)絕緣膜。無(wú)機(jī)絕緣膜可以包括 Si02、SiNx、Si0N、Al203、Ti02、Ta205、Hf02、Zr02、鈦酸鍶鋇(BST)、鋯鈦酸鉛(PZT)
坐寸ο可用作柵絕緣膜的第一絕緣層13不用作電容器的介電膜，這將在下文中解釋。因此，第一絕緣層13可以根據(jù)TFT的柵絕緣膜的特性而恰當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)，而不考慮電容器的與介電常數(shù)相關(guān)的特性。例如，如果是經(jīng)常被用作電容器的介電膜以增加靜電電容的氮化硅(SiNx)被用作TFT的柵絕緣膜，那么TFT中可能發(fā)生漏電流。然而，根據(jù)本實(shí)施例，如圖I所示，電容器的介電膜和TFT的柵絕緣膜可以被分開(kāi)形成。可以分別只考慮電容器和TFT的特性來(lái)選擇介電膜和柵絕緣膜。在像素區(qū)PXLl中，由與將在下文中解釋的電容器的上電極317相同材料形成的像素電極117可以被設(shè)置在基板10、緩沖層11、第一絕緣層13以及第二絕緣層15上。第三絕緣層116可以被設(shè)置在像素電極117和第二絕緣層15之間。在像素電極117和基板10之間從基板10向像素電極117可以依次設(shè)置緩沖層11、第一絕緣層13、第二絕緣層15以及第三絕緣層116。設(shè)置在基板10和像素電極117之間的絕緣層，即緩沖層11、第一絕緣層13、第二絕緣層15以及第三絕緣層116，可以形成為具有不同的折射率。具有不同折射率的絕緣層可以被交替設(shè)置為充當(dāng)分布式布拉格反射器(DBR)。因此，可以提高發(fā)光層120發(fā)出的光的有效利用。盡管緩沖層11、第一絕緣層13、第二絕緣層15以及第三絕緣層116可以形成為如圖I所示的獨(dú)立的單層，但是緩沖層11、第一絕緣層13、第二絕緣層15以及第三絕緣層116也可以具有多層結(jié)構(gòu)。像素電極117可以直接設(shè)置在第三絕緣層116上。第三絕緣層116和像素電極117可以通過(guò)使用相同的掩膜在同一掩膜工藝中被圖案化。因此，第三絕緣層116和像素電極117可以共享相同的刻蝕側(cè)表面。例如，第三絕緣層116的側(cè)表面可以與像素電極117的側(cè)表面對(duì)齊。像素電極117可以由透明導(dǎo)電材料制成，以使得光可以向像素電極117發(fā)射。透明導(dǎo)電材料可以包括氧化銦錫(ITO)、氧化鋅錫(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)和氧化鋁鋅中(AZO)中至少一種。有機(jī)發(fā)光層120可以被形成在像素電極117上，并且由有機(jī)發(fā)光層120發(fā)出的光可以透過(guò)由透明導(dǎo)電材料形成的像素電極117射向基板10。第四絕緣層19可以被形成在像素電極117的周?chē)?。開(kāi)口 C3可以形成在第四絕緣層19中，通過(guò)開(kāi)口 C3可以暴露像素電極117。有機(jī)發(fā)光層120可以被設(shè)置在開(kāi)口 C3中。有機(jī)發(fā)光層120可以由低分子量有機(jī)材料或聞分子量有機(jī)材料形成。如果有機(jī)發(fā)光層120由低分子量有機(jī)材料形成,那么空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等可以被堆疊在有機(jī)發(fā)光層120周?chē)?。還可以堆疊其它的各種層。低分子量有機(jī)材料的示例可以包括銅鈦菁(CuPc)、N，N’ - 二萘-I-基-N，N’ -聯(lián)苯-聯(lián)苯 胺(NPB)和三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。如果有機(jī)發(fā)光層120由高分子量有機(jī)材料形成，那么除了有機(jī)發(fā)光層120之外還可以提供HTL。HTL可以由聚-3，4-乙撐-二氧噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)等形成。高分子量有機(jī)材料的示例可以包括聚亞苯基亞乙烯基(PPV)基高分子量有機(jī)材料或聚荷基聞分子量有機(jī)材料。同樣，無(wú)機(jī)材料可以進(jìn)一步被設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層120、像素電極117和對(duì)置電極121之間。對(duì)置電極121可以被設(shè)置為有機(jī)發(fā)光層120上的共用電極。在圖I的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I中，像素電極117可以操作為陽(yáng)極并且對(duì)置電極121操作為陰極。像素電極117操作為陰極并且對(duì)置電極121操作為陽(yáng)極也是可以的。對(duì)置電極121可以是包括反射材料的反射電極。對(duì)置電極121可以包括Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca和LiF/Al中至少之一。如果對(duì)置電極121是反射電極，那么由有機(jī)發(fā)光層120發(fā)射的光可以被對(duì)置電極121反射并且可以透過(guò)由透明導(dǎo)電材料形成的像素電極117射向基板10。覆蓋像素電極117周?chē)糠值牡谒慕^緣層19可以充當(dāng)像素電極117和對(duì)置電極121之間的像素限定膜。第四絕緣層19可以是有機(jī)絕緣膜。第四絕緣層19可以包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、具有苯酚基，丙烯基聚合物、亞胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、對(duì)二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和聚對(duì)二甲苯的商用聚合物及其混合物等。第四絕緣層19可以覆蓋TFT的源電極218a和漏電極218b。源電極218a和漏電極218b中的一個(gè)可以電連接至像素電極117。雖然在圖I中源電極218a被示為連接至像素電極117，但是像素電極117電連接至漏電極218b也是可以的。源電極218a和漏電極218b中一個(gè)與像素電極117連接的部分可以被設(shè)置在像素電極117上面。如下所述，在圖案化像素電極117之后圖案化源電極218a和漏電極218b。因此，源電極218a和漏電極218b可以由具有與像素電極117不同刻蝕速率的材料形成。在電容器區(qū)CAPl中，電容器的下電極314、電容器的上電極317以及第三絕緣層316可以設(shè)置在基板10和緩沖層11上，其中電容器的下電極314可以由與TFT的柵電極214相同的材料形成，電容器的上電極317可以由與像素電極117相同的材料形成，第三絕緣層316直接設(shè)置在下電極314和上電極317之間。第二絕緣層15可以設(shè)置在TFT的柵電極214與源電極218a和漏電極218b之間。第二絕緣層15不設(shè)置在電容器的上電極317和下電極314之間。因此，第二絕緣層15不主要充當(dāng)電容器的介電膜。例如，如圖I所示，第二絕緣層15可以與下電極314的外部稍稍重疊。如下所示，在通過(guò)圖案化第二絕緣層15而形 成使下電極314暴露的開(kāi)口 C2 (參見(jiàn)圖4B)時(shí)，可以保留所重疊的外部。如果在圖案化第二絕緣層15時(shí)完全暴露電容器的下電極314，那么在下電極314和形成在第二絕緣層15上的上電極317之間可能發(fā)生漏電流。因此，第二絕緣層15可以部分覆蓋下電極314的外部，而不使下電極314完全暴露。可以防止在上電極317和下電極314之間漏電流的發(fā)生?？紤]到TFT的特性，可以充當(dāng)TFT的層間絕緣膜的第二絕緣層15可以被設(shè)計(jì)為具有等于或大于預(yù)定厚度的厚度。因?yàn)殡娙萜鞯撵o電電容通常隨著介電膜厚度的增加而減小，如果介電膜具有與層間絕緣膜相同的厚度，那么靜電電容可能會(huì)減小。如圖I所示的第二絕緣層15不用作電容器的介電膜。可以用作介電膜的第三絕緣層316可以比第二絕緣層15薄。因此可以防止靜電電容的減小。當(dāng)?shù)谌^緣層316的厚度大于或等于大約500 A且小于或等于大約2000 A時(shí)，可以維持合適的靜電電容?？梢杂米鹘殡娔さ牡谌^緣層316可以由具有高介電常數(shù)的絕緣材料形成。如上所述，第三絕緣層316可以與充當(dāng)柵絕緣膜的第一絕緣層13分開(kāi)形成。當(dāng)?shù)谌^緣層316由介電常數(shù)高于第一絕緣層13的材料形成時(shí)，靜電電容可以增大。靜電電容可以由此而增大而不需要增大電容器的面積。因此，像素電極117的面積可以被相對(duì)的增大，因此可以增大有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的開(kāi)口率。第三絕緣層316可以是無(wú)機(jī)絕緣膜。例如，第三絕緣層316可以包括SiO2,、SiNx，、SiON,、Al2O3' TiO2, Ta2O5' HfO2, ZrO2, BST 和 PZT 中的至少一種。同樣，如下所述，上電極317和第三絕緣層316可以在同一掩膜工藝中圖案化。上電極317和第三絕緣層316可以具有相同的刻蝕表面。例如，上電極317的側(cè)表面可以與第三絕緣層316的側(cè)表面對(duì)齊。第四絕緣層19可以被設(shè)置在上電極317上。第四絕緣層19可以是有機(jī)絕緣膜。第四絕緣層19可以包括具有低介電常數(shù)的有機(jī)絕緣材料，并且可以被設(shè)置在對(duì)置電極121和上電極317之間。因此，可減小對(duì)置電極121和上電極317之間可能形成的寄生電容，因此可以防止由寄生電容而引起的信號(hào)干擾。焊盤(pán)區(qū)PADl中的焊盤(pán)電極418是外部驅(qū)動(dòng)的連接端子，焊盤(pán)區(qū)PADl可以被設(shè)置在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的外部區(qū)域中。在圖I中，焊盤(pán)電極418可以由與源電極218a和漏電極218b相同的材料形成。同樣，焊盤(pán)電極418可以被設(shè)置在與源電極218a和漏電極218b相同的層上。焊盤(pán)電極418直接被設(shè)置在第二絕緣層15上。在柵電極214、像素電極117和上電極317被形成之后形成焊盤(pán)電極418。因此，用于形成柵電極214、像素電極117或者上電極317的材料并不設(shè)置于焊盤(pán)電極418的上方?？梢苑乐乖谠O(shè)置用于在焊盤(pán)電極418上形成柵電極214、像素電極117或上電極317的材料的過(guò)程中或從焊盤(pán)電極418去除這種材料的過(guò)程中降低焊盤(pán)電極418的可靠性。
雖然在圖I中未示出，但有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I可以進(jìn)一步包括用于密封包括像素區(qū)PXLl、電容器區(qū)CAPl和TFT區(qū)TFTl的顯示區(qū)域的密封構(gòu)件(未示出)。該密封構(gòu)件可以形成為包括玻璃材料、金屬膜或通過(guò)交替設(shè)置有機(jī)絕緣膜和無(wú)機(jī)絕緣膜而形成的密封薄膜的基板。將結(jié)合圖2A至圖7B解釋根據(jù)一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的制造方法。圖2A和圖2B示出描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的制造方法的第一掩膜工藝的截面圖。參見(jiàn)圖2A，緩沖層11和半導(dǎo)體層12可以依次形成在基板10上。緩沖層11和半導(dǎo)體層12可以通過(guò)使用諸如等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD)、常壓CVD (APCVD)和低壓CVD (LPCVD)的各種沉積方法中的任一種來(lái)沉積。半導(dǎo)體層12可以由非晶硅或晶體硅形成。晶體硅可以通過(guò)對(duì)非晶硅結(jié)晶的方法 形成。對(duì)非晶硅結(jié)晶的方法的示例可以包括快速熱退火(RTA)、固相結(jié)晶(SPC)、準(zhǔn)分子激光退火(ELA)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)或連續(xù)橫向固化(SLS)。第一光刻膠PRl可以被涂敷至半導(dǎo)體層12，并且第一掩膜工藝可以通過(guò)使用包括擋光部分Mll和透光部分M12的第一光掩膜Ml而執(zhí)行。雖然未示出，但在通過(guò)使用曝光裝置(未示出)執(zhí)行曝光之后，可以執(zhí)行一系列諸如顯影、刻蝕和拆?；蚧一牟襟E。圖2B示出描述由第一掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的截面圖。參見(jiàn)2B，半導(dǎo)體層12的與第一光掩膜Ml的擋光部分Mll對(duì)應(yīng)的部分可以被圖案化為形成TFT的有源層212的溝道區(qū)212c。圖3A和圖3B示出描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的制造方法的第二掩膜工藝的截面圖。參見(jiàn)圖3A,第一絕緣層13和第一導(dǎo)電層14可以被依次形成在圖2B的由第一掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)上。第一絕緣層13 可以是由 Si02、SiNx、Si0N、Al203、Ti02、Ta205、HfO2、Zr02、BST 和 PZT中至少一種形成的無(wú)極絕緣膜。第一導(dǎo)電層14可以具有由選自Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一種金屬形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。第二光刻膠PR2可以被涂敷至第一導(dǎo)電層14。第二掩膜工藝可以通過(guò)使用包括擋光部分M2IT和M2IC以及透光部分M22的第二光掩膜M2來(lái)執(zhí)行。圖3B示出描述由第二掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的截面圖。參見(jiàn)圖3B，第一導(dǎo)電層14的與第二掩膜M2的擋光部分M21T對(duì)應(yīng)的部分可以被圖案化為形成TFT的柵電極214。第一導(dǎo)電層14的與擋光部分M21C對(duì)應(yīng)的部分可以被圖案化為形成電容器的下電極314。在第一絕緣層13的被設(shè)置在TFT的柵電極214和有源層212之間的部分可以充當(dāng)柵絕緣膜時(shí)，第一絕緣層13的被設(shè)置在下電極314下的部分不充當(dāng)電容器的介電膜。因此，可以只考慮TFT的特性而不考慮電容器的特性來(lái)選擇第一絕緣層13的材料?？梢詫?duì)由第二掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)摻雜離子雜質(zhì)。離子雜質(zhì)可以是B離子雜質(zhì)或P離子雜質(zhì)。由第二掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)可以通過(guò)使用TFT的有源層212作為目標(biāo)來(lái)?yè)诫s，并且提供I X IO15微粒/Cm2或更多的摻雜量。有源層212可以包括源區(qū)212a和漏區(qū)212b以及設(shè)置在源區(qū)212a和漏區(qū)212b之間的溝道區(qū)212c?？梢酝ㄟ^(guò)將柵電極214作為自對(duì)準(zhǔn)掩膜而對(duì)源區(qū)212a和漏區(qū)212b摻雜尚子雜質(zhì)。同時(shí)，雖然在圖3A和圖3B中未示出，但諸如連接至柵電極214的掃描線(xiàn)的布線(xiàn)也可以通過(guò)在第二掩膜工藝中圖案化第一導(dǎo)電層14而形成。圖4A和圖4B示出描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的制造方法的第三掩膜工藝的截面圖。參見(jiàn)圖4A，第二絕緣層15可以被形成在由圖3B的第二掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)上。第二絕緣層15 可以是由 Si02、SiNx、Si0N、Al203、Ti02、Ta205、HfO2、Zr02、BST 和 PZT中的至少一種形成的無(wú)機(jī)絕緣膜。例如，第二絕緣層15可以由與第一絕緣層13的材料具有不同折射率的材料形成。
第三光刻膠PR3可以涂敷至第二絕緣膜15。第三掩膜工藝可以通過(guò)使用包括擋光部分M31以及透光部分M32T和M32C的第三光掩膜M3而執(zhí)行。圖4B示出描述由第三掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的截面圖。參見(jiàn)圖4B，第二絕緣層15的與第三光掩膜M3的透光部分M32T對(duì)應(yīng)的部分可以被形成為包括通過(guò)其部分地暴露有源層212的源區(qū)212a和漏區(qū)212b的開(kāi)口 Cl，并且第二絕緣層15的與透光部分M32C對(duì)應(yīng)的部分可以被圖案化為形成通過(guò)其暴露電容器的下電極314 的開(kāi)口 C2。圖5A和圖5B示出描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的制造方法的第四掩膜工藝的截面圖。參見(jiàn)圖5A，第三絕緣層16和第二導(dǎo)電層17可以被依次形成在由圖4B的第三掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)上。第三絕緣層16和第二導(dǎo)電層17可以依次堆疊在電容器的下電極314和第二絕緣層15上。第三絕緣層16 可以是由選自包含 Si02、SiNx、Si0N、Al203、Ti02、Ta205、Hf02、Zr02、BST和PZT的組中的材料形成的無(wú)機(jī)絕緣膜。第三絕緣層16可以由折射率與第一絕緣層13和第二絕緣層15的折射率都不同的材料形成。第二導(dǎo)電層17可以由透明導(dǎo)電氧化物形成。例如，第二導(dǎo)電層17可以由選自包含ΙΤΟ、IZO、In2O3> IGO和AZO的組的材料形成。第四光刻膠PR4可以被涂敷至第二導(dǎo)電層17。第四掩膜工藝可以通過(guò)使用包括擋光部分M41X和M41C以及透光部分M42的第四掩膜M4而執(zhí)行。圖5B示出描述由第四掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的截面圖。參見(jiàn)圖5B，第三絕緣層16和第二導(dǎo)電層17的與第四光掩膜M4的擋光部分M41X對(duì)應(yīng)的部分可以被圖案化為形成像素電極117和設(shè)置在像素電極117下的第三絕緣層116。第三絕緣層16和第二導(dǎo)電層17的與擋光部分M41C對(duì)應(yīng)的部分可以被圖案化為形成電容器的介電膜316和上電極317。雖然第三絕緣層16和第二導(dǎo)電層17可以在同一掩膜工藝中圖案化，但是刻蝕可以被執(zhí)行兩次?？涛g第三絕緣層16和刻蝕第二導(dǎo)電層17可以分開(kāi)執(zhí)行。第三絕緣層16和第二導(dǎo)電層17可以在同一掩膜工藝中刻蝕。第三絕緣層116和像素電極117的刻蝕表面可以彼此相同，并且介電膜316和上電極317的刻蝕表面也可以彼此相同。當(dāng)刻蝕設(shè)置在像素電極117下的第三絕緣層116以及介電膜316時(shí)，像素電極117和上電極317可以充當(dāng)刻蝕掩膜，因此，它們的刻蝕表面可以彼此基本上相同。例如，像素電極117的側(cè)表面可以與第三絕緣層116的側(cè)表面對(duì)齊，并且介電膜316的側(cè)表面可以與上電極317的側(cè)表面對(duì)齊。第三絕緣層16可以被直接設(shè)置在上電極317和下電極314之間。因此，第三絕緣層16可以充當(dāng)電容器的介電膜316。第三絕緣層16不位于TFT中。因此，第三絕緣層16不充當(dāng)柵絕緣膜。第三絕緣層16的材料或厚度可以只根據(jù)電容器的特性而不考慮TFT的特性來(lái)選擇。因此，增加了設(shè)計(jì)自由度。圖6A和圖6B示出描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的制造方法的第五掩膜工藝的截面圖。參見(jiàn)圖6A，第三導(dǎo)電層18可以被形成在由圖5B的第四掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)上。第三導(dǎo)電層18可以被填充在通過(guò)其暴露源區(qū)212a和漏區(qū)212b的開(kāi)口 Cl中。第三導(dǎo)電層18可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，并且可以由選自Al、Pt、Pd、Ag、Mg、 Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W 和 Cu 中的至少一種金屬形成。第五光刻膠PR5可以被涂敷至第三導(dǎo)電層18。第五掩膜工藝可以通過(guò)使用包括擋光部分M51T和M51P以及透光部分M52的第五掩膜M5而執(zhí)行。圖6B示出描述由第五掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的截面圖。參見(jiàn)圖6B，第三導(dǎo)電層18的與第五光掩膜M5的擋光部分M51T對(duì)應(yīng)的部分可以被圖案化為形成通過(guò)開(kāi)口 Cl分別連接至有源層212的源區(qū)212a和漏區(qū)212b的源電極218a和漏電極218b。第三導(dǎo)電層18的與擋光部分M51P對(duì)應(yīng)的部分可以被圖案化為形成焊盤(pán)區(qū)的焊盤(pán)電極418。當(dāng)刻蝕第三導(dǎo)電層18以形成源電極218a和漏電極218b時(shí)，像素電極117和上電極317也可以被暴露于用于刻蝕第三導(dǎo)電層18的刻蝕劑。因此，第三導(dǎo)電層18可以由刻蝕速率與像素電極117和上電極317的刻蝕速率不同的材料形成。源電極218a和漏電極218b中的一個(gè)可以電連接至像素電極117。在如圖6A和圖6B所示形成像素電極117之后，可以圖案化源電極218a和漏電極218b。因此，源電極218a或漏電極218b之一的連接至像素電極117的部分可以形成在像素電極117的上方。雖然未示出，但是諸如連接至源電極218a和/或漏電極218b的數(shù)據(jù)線(xiàn)的布線(xiàn)可以通過(guò)在第五掩膜工藝中圖案化第三導(dǎo)電層18而形成。圖7A和圖7B示出描述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的制造方法的第六掩膜工藝的截面圖。參見(jiàn)圖7A，第四絕緣層19可以被涂敷在由圖6B的第五掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)上。第四絕緣層19可以是有機(jī)絕緣膜。具體來(lái)說(shuō)，如果第四絕緣層19是光敏性有機(jī)絕緣膜，那么可以不必要使用額外的光刻膠。第六掩膜工藝可以通過(guò)使用包括擋光部分M61以及透光部分M62X和M62P的第六光掩膜M6而執(zhí)行。圖7B示出描述由第六掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的截面圖。參見(jiàn)圖7B，第四絕緣層19的與透光部分M62X對(duì)應(yīng)的部分可以被去除以形成通過(guò)其部分地暴露像素電極117的開(kāi)口 C3。第四絕緣層19的與透光部分M62P對(duì)應(yīng)的部分可以被去除以形成通過(guò)其部分地暴露焊盤(pán)電極418的開(kāi)口 C4。
通過(guò)其暴露像素電極117的開(kāi)口 C3不僅可以限定發(fā)光區(qū)還可以增加對(duì)置電極121 (參見(jiàn)圖I)和像素電極117的邊緣之間的間隔。因此，可以防止電場(chǎng)集中在像素電極117的邊緣，并且可以防止在像素電極117和對(duì)置電極121之間發(fā)生短路。雖然未示出，但是圖I的有機(jī)發(fā)光設(shè)備I可以在第六掩膜工藝之后通過(guò)在像素電極117上形成有機(jī)發(fā)光層120并在有機(jī)發(fā)光層120上形成對(duì)置電極121 (參見(jiàn)圖I)而形成，其中對(duì)置電極121可以是共用電極。同樣，密封構(gòu)件(未示出)可以進(jìn)一步形成在對(duì)置電極121 (參見(jiàn)圖I)上。通過(guò)著眼于與圖I的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的區(qū)別，結(jié)合附圖8解釋根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2。圖8示出描述根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖。
參見(jiàn)圖8，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2的基板10包括其中可以設(shè)置至少一層有機(jī)發(fā)光層119的像素區(qū)PXL2、其中可以設(shè)置至少一個(gè)TFT的TFT區(qū)TFT2、其中可以設(shè)置至少一個(gè)電容器的電容器區(qū)CAP2以及其中可以設(shè)置至少一個(gè)焊盤(pán)電極418的焊盤(pán)區(qū)PAD2。TFT區(qū)TFT2和焊盤(pán)區(qū)PAD2可以與有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備I的TFT區(qū)TFTl和焊盤(pán)區(qū)PADl相同。在像素區(qū)PXL2中，由與電容器的上電極317相同材料形成的像素電極117_1可以被設(shè)置在基板10、緩沖層11、第一絕緣層13、第二絕緣層15以及第三絕緣層116上。如果有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2是底部發(fā)光有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，那么像素電極117-1可以是透明電極并且對(duì)置電極121可以是反射電極。有機(jī)發(fā)光層120可以被形成在像素電極117-1上，并且由有機(jī)發(fā)光層120發(fā)出的光可以透過(guò)由透明導(dǎo)電材料形成的像素電極117-1射向基板10。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2的像素電極117-1可以具有包括透明導(dǎo)電層117a和設(shè)置在透明導(dǎo)電層117a上的半透光金屬層117b的多層結(jié)構(gòu)。對(duì)置電極121可以充當(dāng)反射鏡并且半透光金屬層117b可以充當(dāng)半透光鏡。由有機(jī)發(fā)光層120發(fā)射的光可以在對(duì)置電極121和半透光金屬層117b之間諧振。因此，通過(guò)由于鏡像效應(yīng)而產(chǎn)生的諧振效應(yīng)以及由于可以設(shè)置在像素電極117-1下的第一至第三絕緣層13、15和116的DBR效應(yīng)而產(chǎn)生的諧振效應(yīng)，進(jìn)一步提高了有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2的光使用效率。半透光金屬層117b可以由選自Ag、Ag合金、Al和Al合金的至少一種材料形成。為了用作涉及可以是反射電極的對(duì)置電極121的諧振鏡，半透光金屬層117b可以具有等于或小于大約300 A的厚度。具體來(lái)說(shuō)，如果半透光金屬層117b包括銀(Ag)，那么因?yàn)樵措姌O218a和漏電極218b可以在形成半透光金屬層117b之后形成,所以當(dāng)刻蝕源電極218a和漏電極218b的時(shí)候，可能會(huì)破壞包括Ag的半透光金屬層117b。因此，用于保護(hù)Ag的保護(hù)層117c可以進(jìn)一步提供在半透光金屬層117b上。保護(hù)層117c可以由包括ITO等的透明導(dǎo)電氧化物形成。包括半透光金屬層117b的像素電極117-1可以在第四掩膜工藝中圖案化。當(dāng)像素電極117-1的上方不存在另一導(dǎo)電層時(shí)，像素電極117-1可以被單獨(dú)圖案化。如果另一導(dǎo)電層(未示出)進(jìn)一步形成在像素電極117-1的上方并且該導(dǎo)電層和像素電極117-1同時(shí)被圖案化為具有相同的圖案，這可能不易于刻蝕像素電極117-1。具體來(lái)說(shuō)，如果半透光金屬層117b包括銀，那么因?yàn)榘胪腹饨饘賹?17b可以被容易地破壞，那么這可能難以形成使用鏡像效應(yīng)的諧振結(jié)構(gòu)。然而，如圖8所示，像素電極117-1可以被單獨(dú)圖案化以充當(dāng)具有諧振結(jié)構(gòu)的半透光鏡。因此，這可以易于形成諧振鏡。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備2的像素電極117-1和電容器的上電極317可以由同種材料形成。雖然未示出，但上電極317可以如像素電極117-1那樣包括從底部依次設(shè)置的透明導(dǎo)電層、半透光金屬層和保護(hù)層。
通過(guò)總結(jié)和回顧，在平板顯示設(shè)備的形成過(guò)程中，TFT、電容器和布線(xiàn)被精細(xì)的圖案化在基板上。為了在基板上形成這樣的精細(xì)圖案，光刻經(jīng)常被用來(lái)通過(guò)使用掩膜轉(zhuǎn)印圖 案。光刻包括將光刻膠均勻涂敷至其上要形成圖案的基板上，通過(guò)使用諸如步進(jìn)光刻機(jī)的曝光設(shè)備來(lái)使光刻膠曝光，如果光刻膠是正性光刻膠的話(huà)顯影光刻膠，通過(guò)使用光刻膠的殘留部分刻蝕形成在基板上的圖案，以及在形成圖案之后去除光刻膠的不必要的殘留部分。當(dāng)使用光刻時(shí)，可以事先制備好包括預(yù)定圖案的掩膜，因此用于制備掩膜的成本增加了用于制造平板顯示設(shè)備的成本。同樣，當(dāng)執(zhí)行復(fù)雜的步驟時(shí)，平板顯示設(shè)備的制造工藝可能變復(fù)雜并且制造時(shí)間會(huì)增加，因此平板顯示設(shè)備的總制造成本增加。這里所公開(kāi)的實(shí)施例可以提供可以通過(guò)使用簡(jiǎn)單制造工藝的方法而制造的薄膜晶體管(TFT)陣列基板和包括該TFT陣列基板的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。發(fā)光顯示設(shè)備可以具有極好的信號(hào)傳輸特性。更加具體的，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列基板、包括該TFT陣列基板的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，以及包括TFT陣列基板的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法產(chǎn)生以下效果。電容器的介電膜和TFT的柵絕緣膜可以被形成為分開(kāi)的絕緣層。因此，絕緣層可以分別根據(jù)電容器的特性和TFT的特性而適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)。電容器的介電膜的厚度可以易于控制。因此，可以增大開(kāi)口率。諧振鏡可以?xún)H僅根據(jù)像素電極來(lái)圖案化，而不需要堆疊在像素電極上的用作諧振結(jié)構(gòu)的半透光鏡的導(dǎo)電層。因此，可以易于提供諧振鏡。焊盤(pán)電極可以通過(guò)后處理而形成。因此，可以防止焊盤(pán)電極可靠性降低。可以?xún)H通過(guò)執(zhí)行6步掩膜工藝來(lái)制造TFT陣列基板和有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。這里已經(jīng)公開(kāi)了示例實(shí)施例，并且盡管采用了特定術(shù)語(yǔ)，但這些術(shù)語(yǔ)以廣義和描述的意義上使用并解釋?zhuān)挥糜谙薅ǖ哪康摹Ｔ谀承┣闆r下，對(duì)于本申請(qǐng)所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)非常明顯的是，除非另外特別指出，結(jié)合特定實(shí)施例所描述的特征、特性和/或元件可以單獨(dú)使用或連同結(jié)合其他實(shí)施例所描述的特征、特性和/或元件一起使用。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解在不背離所附權(quán)利要求記載的本發(fā)明的精神和范圍的情況下對(duì)形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行多種改變。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括 薄膜晶體管，設(shè)置在基板上，所述TFT包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、設(shè)置在所述有源層和所述柵電極之間的第一絕緣層以及設(shè)置在所述柵電極與所述源電極和所述漏電極之間的第二絕緣層； 像素電極，設(shè)置在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上，所述像素電極連接至所述源電極和所述漏電極之一； 電容器，包括與所述柵電極設(shè)置在相同的層上的下電極，并且包括與所述像素電極包括相同材料的上電極； 第三絕緣層，直接設(shè)置在所述第二絕緣層和所述像素電極之間以及所述下電極和所述上電極之間；以及 第四絕緣層，覆蓋所述源電極、所述漏電極和所述上電極并且暴露所述像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第一絕緣層被共用地設(shè)置在所述有源層的上方和所述下電極的下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第二絕緣層不設(shè)置在所述上電極與所述下電極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第三絕緣層的厚度小于所述第二絕緣層的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第三絕緣層的厚度等于或大于500 A且等于或小于2000 A。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第三絕緣層的介電常數(shù)高于所述第一絕緣層的介電常數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第三絕緣層包括SiNx、SiO2,ZrO2, TiO2, Ta2O5 和 Al2O3 中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕緣層被依次設(shè)置在所述像素電極和所述基板之間，并且第一至第三絕緣層的相鄰絕緣層的折射率彼此不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述像素電極包括透明導(dǎo)電氧化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述透明導(dǎo)電氧化物包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵和氧化招鋅中的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述像素電極進(jìn)一步包括半透光金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述半透光金屬層被設(shè)置在包括所述透明導(dǎo)電氧化物的層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述半透光金屬層包括銀、銀合金、鋁和鋁合金中的至少一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列基板，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述半透光金屬層上的保護(hù)層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述保護(hù)層包括透明導(dǎo)電氧化物。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述像素電極的側(cè)表面與所述第三絕緣層的側(cè)表面對(duì)齊。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述上電極的側(cè)表面與所述第三絕緣層的側(cè)表面對(duì)齊。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述源電極和所述漏電極之一的與所述像素電極連接的部分被設(shè)置在所述像素電極的上方。
19.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述源電極和所述漏電極包括刻蝕速率與所述像素電極和所述上電極的刻蝕速率不同的材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板，進(jìn)一步包括由與所述源電極和所述漏電極相同的材料形成的焊盤(pán)電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述焊盤(pán)電極與所述源電極和所述漏電極設(shè)置在相同的層上。
22.—種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備,包括 薄膜晶體管，設(shè)置在基板上，所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、設(shè)置在所述有源層和所述柵電極之間的第一絕緣層以及設(shè)置在所述柵電極與所述源電極和所述漏電極之間的第二絕緣層； 像素電極，設(shè)置在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上，所述像素電極連接至所述源電極和所述漏電極之一； 電容器，包括與所述柵電極設(shè)置在相同的層上的下電極，并且包括與所述像素電極包括相同材料的上電極； 第三絕緣層，直接設(shè)置在所述第二絕緣層和所述像素電極之間以及所述下電極和所述上電極之間； 第四絕緣層，覆蓋所述源電極、所述漏電極和所述上電極，并且暴露所述像素電極； 有機(jī)發(fā)光層，設(shè)置在所述像素電極上；以及 對(duì)置電極，設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光層上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述對(duì)置電極是反射由所述有機(jī)發(fā)光層所發(fā)出的光的反射電極。
24.一種制造薄膜晶體管陣列基板的方法，該方法包括 在基板上形成半導(dǎo)體層，并且通過(guò)使用第一掩膜工藝圖案化所述半導(dǎo)體層形成薄膜晶體管的有源層； 形成第一絕緣層，將第一導(dǎo)電層堆疊在所述第一絕緣層上，并且通過(guò)使用第二掩膜工藝圖案化所述第一導(dǎo)電層形成所述薄膜晶體管的柵電極以及電容器的下電極； 形成第二絕緣層，并且使用第三掩膜工藝在所述第二絕緣層中形成開(kāi)口以暴露所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)以及所述電容器的上電極； 在由所述第三掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)上依次形成第三絕緣層和第二導(dǎo)電層，并且通過(guò)使用第四掩膜工藝同時(shí)或依次圖案化所述第三絕緣層和所述第二導(dǎo)電層形成像素電極、所述上電極和直接設(shè)置在所述下電極上的介電膜； 在由第四掩膜工藝產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)上形成第三導(dǎo)電層，并且通過(guò)使用第五掩膜工藝圖案化所述第三導(dǎo)電層而形成所述源電極和所述漏電極； 形成第四絕緣層并且去除所述第四絕緣層的使用部分以通過(guò)第六掩膜工藝暴露所述像素電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造薄膜晶體管陣列基板的方法，其中所述方法進(jìn)一步包括在使用第二掩膜工藝形成所述柵電極之后使用離子雜質(zhì)摻雜所述源區(qū)和所述漏區(qū)。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造薄膜晶體管陣列基板的方法，其中所述第四掩膜工藝包括刻蝕所述第三絕緣層的第一刻蝕工藝和刻蝕所述第二導(dǎo)電層的第二刻蝕工藝。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造薄膜晶體管陣列基板的方法，其中所述第三導(dǎo)電層包括刻蝕速率與所述第二導(dǎo)電層的材料的刻蝕速率不同的材料。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造薄膜晶體管陣列基板的方法，進(jìn)一步包括使用所述第五掩膜工藝形成包括與所述源電極和所述漏電極相同的材料的焊盤(pán)電極。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造薄膜晶體管陣列基板的方法，其中所述第二導(dǎo)電層通過(guò)依次堆疊透明導(dǎo)電層和半透光導(dǎo)電層而形成。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的制造薄膜晶體管陣列基板的方法，進(jìn)一步包括在所述半透光導(dǎo)電層上形成保護(hù)層。
31.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造薄膜晶體管陣列基板的方法，其中所述第三絕緣層被形成為具有比所述第二絕緣層的厚度小的厚度。
32.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造薄膜晶體管陣列基板的方法，其中所述第三絕緣層由介電常數(shù)高于所述第一絕緣層的介電常數(shù)的材料形成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)薄膜晶體管(TFT)陣列基板、其制造方法以及有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。該薄膜晶體管陣列基板包括TFT，位于基板上，該TFT包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、位于所述有源層和所述柵電極的第一絕緣層以及位于所述柵電極與所述源電極和漏電極之間的第二絕緣層；像素電極，位于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上，該像素電極連接至所述源電極和所述漏電極之一；電容器，包括與所述柵電極位于同一層上的下電極以及與所述像素電極包括相同材料的上電極；第三絕緣層，直接設(shè)置于所述第二絕緣層和所述像素電極之間以及所述下電極和所述上電極之間；以及第四絕緣層，覆蓋所述源電極、所述漏電極和所述上電極并暴露所述像素電極。
文檔編號(hào)H01L21/84GK102881695SQ20121002071
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月14日
發(fā)明者李俊雨, 崔宰凡, 鄭寬旭, 吳在煥, 陳圣鉉, 金廣海, 崔鐘炫 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司