專(zhuān)利名稱(chēng)：芯片封裝結(jié)構(gòu)及其方法
芯片封裝結(jié)構(gòu)及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域，特別是關(guān)于LED芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在流行的發(fā)光二極管(LED)，因?yàn)槠涓甙l(fā)光度、低功耗等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛應(yīng)用，但LED晶片的發(fā)熱量卻很大，越大功率的LED，發(fā)熱量越大，如果不能很好地解決LED晶片的散熱問(wèn)題，LED就不能做到大功率。如圖1所示，傳統(tǒng)的LED芯片封裝是晶片10直接固定在基板11 (比如鋁基板或者陶瓷基板)上，基板11上形成有印刷電路(未圖示)，晶片10通過(guò)金線12與基板11上的印刷電路電性連接，熱電沒(méi)有實(shí)現(xiàn)分離，完全靠基板本身散熱，功率不能做的較大。后來(lái)發(fā)展有熱電分離式的晶片承載板，通過(guò)熱電分離的方式，可以很好地對(duì)晶片的發(fā)熱進(jìn)行散熱。現(xiàn)有的一種熱電分離式的晶片承載板是先通過(guò)轉(zhuǎn)化被覆(ConversionCoating)的方式在散熱基板上形成介電層，然后晶片通過(guò)金線與介電層上的電性導(dǎo)通層連接，這樣形成的介電層制造工藝復(fù)雜，成本較高。因此有必要對(duì)現(xiàn)有的技術(shù)進(jìn) 行改良，以克服前述的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其散熱性好，組裝方便。本發(fā)明的另一目的在于提供一種芯片封裝方法，采用該方法封裝的芯片工藝簡(jiǎn)單，散熱性好。為達(dá)成前述目的，本發(fā)明一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括底層的散熱金屬板、貼附于散熱金屬板上的BT基板、貼附于散熱金屬板上的晶片，在BT基板的表面形成有鍍層，晶片通過(guò)金線與BT基板表面的鍍層電性連接。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述BT基板為圓環(huán)形，所述晶片位于圓環(huán)形BT基板內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述BT基板是通過(guò)雙面膠貼附于所述散熱金屬板上。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述晶片是通過(guò)導(dǎo)熱膠固定于所述散熱金屬板上。為達(dá)成前述另一目的，本發(fā)明一種芯片封裝方法，其包括:提供一層散熱金屬板；在散熱金屬板上貼附一層BT基板,其中BT基板的上表面形成有鍍層；使用導(dǎo)熱膠在散熱金屬板上固定晶片；通過(guò)金線將晶片與BT基板表面的鍍層電性連接。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述BT基板為圓環(huán)形，所述晶片位于圓環(huán)形BT基板內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述BT基板是通過(guò)雙面膠貼附于所述散熱金屬板上。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)及其方法，晶片直接貼附于散熱金屬板上，晶片的熱量能夠直接散出，可制作大功率的LED，節(jié)溫小，光衰小，而B(niǎo)T基板與散熱金屬板采用直接貼合的方式，制作工藝簡(jiǎn)單。

圖1是現(xiàn)有的芯片封裝方式。圖2是本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明的BT基板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明的芯片封裝方法的流程圖。
具體實(shí)施方式此處所稱(chēng)的“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”是指可包含于本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在本說(shuō)明書(shū)中不同地方出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”并非均指同一個(gè)實(shí)施例，也不是單獨(dú)的或選擇性的與其他實(shí)施例互相排斥的實(shí)施例。請(qǐng)參閱圖2所示，其顯示本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。如圖中所示，本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)包括散熱金屬板21、貼附于散熱金屬板21上的BT基板22 (BismaleimideTriazine簡(jiǎn)稱(chēng)BT，也稱(chēng)BT樹(shù)脂基板材料)、通過(guò)導(dǎo)熱膠23固定貼附于散熱金屬板21上的晶片24，其中BT基板22上形成導(dǎo)電鍍層(未圖示)，晶片24上的電路通過(guò)金線25與BT基板22上的鍍層電性連接。請(qǐng)參閱圖3所示，其顯示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中散熱金屬板21及BT基板22的形狀，在該實(shí)施例中，所封裝的晶片24為L(zhǎng)ED (發(fā)光二極管)晶片，所述散熱金屬板21為橢圓形板材，所述BT基板22為橢圓環(huán)形，在BT基板22的橢圓兩端分別形成一個(gè)圓形的焊接點(diǎn)221。請(qǐng)結(jié)合圖2所示，封裝的時(shí)候，`將橢圓環(huán)形基板22用雙面膠(未圖示)粘貼于散熱金屬板21上，兩個(gè)LED晶片24位于橢圓環(huán)形基板22中間，兩個(gè)LED晶片24通過(guò)導(dǎo)熱膠23直接固定于散熱金屬板21上，左側(cè)的一塊晶片24通過(guò)金線25與橢圓形基板22上左側(cè)的焊點(diǎn)221連接，右側(cè)的一塊晶片24通過(guò)金線25與橢圓形基板22上右側(cè)的焊點(diǎn)221連接，兩塊晶片之間也通過(guò)金線25連接。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述散熱金屬板可以是鋁板或銅板或各種合金的基板。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述BT基板是通過(guò)雙面膠粘貼于散熱金屬板上，但在其他實(shí)施例中，所述BT基板也可以通過(guò)焊接或膠水或其他方式貼附于散熱金屬板上。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述散熱金屬板為橢圓形，所述BT基板為橢圓環(huán)形，但在其他實(shí)施例中，所述散熱金屬板也可為圓形、方形等，所述BT基板也可為圓環(huán)形、方環(huán)形等。本發(fā)明的芯片封裝方式，晶片直接貼附于散熱金屬板上，熱量直接散出，可制作大功率的LED，節(jié)溫小，光衰小。請(qǐng)參閱圖4所示，其顯示本發(fā)明的芯片封裝的方法，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，本發(fā)明的芯片封裝方法包括如下步驟:步驟S1:提供一層散熱金屬板；所述散熱金屬板可以是鋁板或銅板或各種合金的基板。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述散熱金屬板為橢圓形的金屬板。步驟S2:在散熱金屬板上貼附一層BT基板，其中BT基板的上表面形成有鍍層；在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述BT基板為橢圓環(huán)形,在BT基板上電鍍一層導(dǎo)電層,其中在BT基板的橢圓兩端分別形成一個(gè)圓形的焊接點(diǎn)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中所述橢圓環(huán)形BT基板用雙面膠粘貼于散熱金屬板上，但在其他實(shí)施例中，也可以使用焊接或膠水或其他方式將所述BT基板貼附于所述散熱金屬板上。步驟S3:使用導(dǎo)熱膠在散熱金屬板上固定晶片；在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述晶片為兩塊LED晶片，兩塊LED晶片通過(guò)導(dǎo)熱膠直接固定于橢圓環(huán)形BT基板中間的散熱金屬板上。步驟S4:通過(guò)金線將晶片與BT基板表面的鍍層電性連接。如圖1所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中左側(cè)的一塊晶片通過(guò)金線與橢圓形基板上左側(cè)的焊點(diǎn)連接，右側(cè)的一塊晶片通過(guò)金線與橢圓形基板上左側(cè)的焊點(diǎn)連接。當(dāng)然，在芯片的封裝步驟中還可以包括后續(xù)的膠封等其他步驟，本發(fā)明不再一一詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的芯片封裝方法，晶片直接貼附于散熱金屬板上，晶片的熱量能夠直接散出，而B(niǎo)T基板與散熱金屬板采用直接貼合的方式，制作工藝簡(jiǎn)單。上述說(shuō)明已經(jīng)充分揭露了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。需要指出的是，熟悉該領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
所做的任何改動(dòng)均不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)的范圍。相應(yīng)地，本發(fā)明的權(quán)利要 求的范圍也并不僅僅局限于前述具體實(shí)施方式
。
權(quán)利要求
1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括底層的散熱金屬板、貼附于散熱金屬板上的BT基板、貼附于散熱金屬板上的晶片，在BT基板的表面形成有鍍層，晶片通過(guò)金線與BT基板表面的鍍層電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述BT基板為圓環(huán)形，所述晶片位于圓環(huán)形BT基板內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述BT基板是通過(guò)雙面膠貼附于所述散熱金屬板上。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述晶片是通過(guò)導(dǎo)熱膠固定于所述散熱金屬板上。
5.一種芯片封裝方法，其特征在于:其包括: 提供一層散熱金屬板； 在散熱金屬板 上貼附一層BT基板,其中BT基板的上表面形成有鍍層； 使用導(dǎo)熱膠在散熱金屬板上固定晶片； 通過(guò)金線將晶片與BT基板表面的鍍層電性連接。
6.如權(quán)利要求5所述的芯片封裝方法，其特征在于:所述BT基板為圓環(huán)形，所述晶片位于圓環(huán)形BT基板內(nèi)。
7.如權(quán)利要求5所述的芯片封裝方法，其特征在于:所述BT基板是通過(guò)雙面膠貼附于所述散熱金屬板上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及其方法，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括底層的散熱金屬板、貼附于散熱金屬板上的BT基板、貼附于散熱金屬板上的晶片，在BT基板的表面形成有鍍層，晶片通過(guò)金線與BT基板表面的鍍層電性連接。
文檔編號(hào)H01L33/00GK103247751SQ201210026648
公開(kāi)日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2012年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月7日
發(fā)明者袁永剛 申請(qǐng)人:蘇州東山精密制造股份有限公司