專利名稱：成膜裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及通過將分層保持有多張基板的基板保持器送入到在周圍配置有加熱部的立式的反應管內而對基板進行成膜處理的成膜裝置。
背景技術：
公知一種使用ALD (Atomic Layer Deposition)法來形成薄膜的方法,該ALD法通過對基板、例如半導體晶圓(以下稱為“晶圓”)依次(交替地)供給互相反應的多種、例如兩個種類的處理氣體而層疊反應生成物。在利用立式熱處理裝置實施該ALD法的情況下，使用用于供給第I處理氣體的噴射器和用于供給第2處理氣體的噴射器，這些噴射器作為在與各晶圓相對應的位置具有氣體噴射孔的、所謂的分散噴射器設在反應管內。于是，在切換處理氣體時,例如,從上述兩個噴射器供給吹掃氣體。另一方面，研究了 3維結構的半導體器件，具體而言，對于例如在表面的多個部位形成有深度尺寸為30nm、開口徑為2000nm左右的、具有較大的徑深比的開口部的晶圓，有時利用上述的ALD法進行成膜處理。在這樣的晶圓中，與平滑的晶圓相比，表面積有時成為例如40倍 80倍的大小。因此，利用從上述的噴射器供給的吹掃氣體的流量，有可能難以對物理吸附于晶圓的表面的處理氣體進行排氣(置換)。因而，例如在處理氣氛中(反應管內)，處理氣體彼此之間相互混合、所謂的CVD(Chemical Vapor Deposition)式地發(fā)生反應，在比上述的開口部的下端側靠上端側的位置，薄膜的膜厚變厚，有時例如開口部的上端部被堵住等、不能得到良好的覆蓋性(coverage)。在專利文獻I中記載有下述這樣的技術在成膜處理過程中，為了限制處理氣體的流動而從非活性氣體噴嘴22c、22d的非活性氣體噴射口 24c、24d向晶圓10供給非活性氣體，另外，在專利文獻2中記載有在立式的熱處理裝置中使用ALD法來形成薄膜的方法，但沒有研究上述的問題。專利文獻I :日本特開2010-118462號公報(段落0048、0051)專利文獻2 :日本特開2005-259841號公報(段落0019)

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于這樣的情況而做成的，其目的在于提供一種在對被分層載置在基板保持器中的多張基板依次供給互相反應的多個種類的處理氣體而進行成膜處理時能夠容易地對切換處理氣體時的氣氛氣體進行置換的成膜裝置。本發(fā)明提供一種成膜裝置，其通過將分層保持有多張基板的基板保持器送入到在周圍配置有加熱部的立式的反應管內而對基板進行成膜處理，其特征在于，該成膜裝置包括
第I氣體噴射器，其針對各基板之間的高度位置分別形成有用于向基板供給第I處理氣體的多個氣體噴射口；第2氣體噴射器，為了向基板供給與第I處理氣體反應的第2處理氣體，該第2氣體噴射器在上述反應管的周向上與上述第I氣體噴射器分開地設置，該第2氣體噴射器沿著上述反應管的長度方向延伸且在靠基板側形成有氣體噴射口；第3氣體噴射器，其在上述反應管的周向上與上述第I氣體噴射器分開的位置以沿著上述反應管的長度方向延伸的方式設置，該第3氣體噴射器從被保持在上述基板保持器中的基板的保持區(qū)域的上端一直 到下端地形成有吹掃氣體供給用的狹縫；排氣口，其隔著上述保持區(qū)域形成在與上述第I氣體噴射器相反一側，用于排出上述反應管內的氣氛氣體；控制部，其用于輸出控制信號，以便向上述反應管內依次供給第I處理氣體及第2處理氣體，并且在切換這些處理氣體時向上述反應管內供給吹掃氣體而置換該反應管內的氣氛氣體。將在下面的說明中闡述本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點，其部分地從下面的說明中顯現(xiàn)或者可以通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和優(yōu)點可以借助于在下文中特別指示的手段和組合實現(xiàn)及獲得。


被并入本說明書中并且構成本說明書的一部分的附示出本發(fā)明的實施方式，并且與上述概略說明及下面給出的對實施方式的詳細說明一起，用于解釋本發(fā)明的原理。圖I是表示本發(fā)明的立式熱處理裝置的一例的縱剖視圖。圖2是表示上述立式熱處理裝置的橫剖俯視圖。圖3是從側方側觀察上述立式熱處理裝置的各氣體噴射器的示意圖。圖4是從上方側觀察上述氣體噴射器的橫剖視圖。圖5是表示上述立式熱處理裝置的作用的橫剖俯視圖。圖6是表示上述立式熱處理裝置的作用的橫剖俯視圖。圖7是表示上述立式熱處理裝置的作用的橫剖俯視圖。圖8是表示本發(fā)明的其他的例的氣體噴射器的示意圖。圖9是表示本發(fā)明的又一其他例的氣體噴射器的示意圖。圖10是表示本發(fā)明的其他的例的氣體噴射器的示意圖。圖11是表示本發(fā)明的其他的例的橫剖俯視圖。圖12是表示上述立式熱處理裝置的其他的例的縱剖視圖。圖13是表示上述立式熱處理裝置的其他的例的反應管的立體圖。圖14是表示利用本發(fā)明的實施例所能得到的特性的特性圖。圖15是示意性地表示上述實施例所使用的晶圓的概略的縱剖視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在，將參照

基于上面給出的發(fā)現(xiàn)而實現(xiàn)的本發(fā)明的實施方式。在下面的說明中，用相同的附圖標記指示具有實質相同的功能和結構的構成元件，并且僅在必需時才進行重復說明。參照圖I 圖4說明本發(fā)明的成膜裝置的實施方式的一例。首先，簡單地說明該成膜裝置的概略，該成膜裝置構成為利用將互相反應的多個種類、在該例中為兩個種類的處理氣體依次(交替地)向晶圓W供給而層疊反應生成物的ALD (AtomicLayer Deposition)法來形成薄膜的立式熱處理裝置。另外，在切換處理氣體時，以大于這些處理氣體的流量的大流量將非活性氣體作為吹掃氣體進行供給，從而能夠迅速地置換用于進行成膜處理的處理氣氛氣體。以下，詳細說明該成膜裝置的具體的結構。
成膜裝置包括作為基板保持器的晶圓舟皿11，其由例如石英構成，用于將直徑尺寸為例如300_的晶圓W分層載置；反應管12，其由例如石英構成，用于將該晶圓舟皿11氣密地收容在內部并進行成膜處理。在反應管12的外側設有加熱爐主體14，該加熱爐主體14沿著內壁面的整個周向配置有作為加熱部的加熱器13，利用在水平方向上延伸的底板15來沿著整個周向支承反應管12的下端部及加熱爐主體14的下端部。在晶圓舟皿11中設有在上下方向上延伸的多根、例如3根支柱32，在各個支柱32的內周側針對各個晶圓W的保持位置形成有用于從晶圓W的下方側支承晶圓W的槽部32a。另外，圖I中的附圖標記37是晶圓舟皿11的頂板、附圖標記38是晶圓舟皿11的底板。在該例中反應管12是由外管12a和被收容在該外管12a內部的內管12b構成的雙層管結構，該外管12a及內管12b分別以下表面?zhèn)乳_口的方式形成。內管12b的頂面水平地形成，外管12a的頂面以向外側膨出的方式大致圓筒形狀地形成。該外管12a及內管12b分別由大致圓筒形狀的凸緣部17從下方側氣密地支承，該凸緣部17的下端面形成為凸緣狀且上下表面開口。即，利用凸緣部17的上端面氣密地支承外管12a，利用從凸緣部17的內壁面朝向徑向內側水平地突出的突出部17a氣密地支承內管12b。該內管12b的側面的一端側以沿著該內管12b的長度方向向徑向外側膨出的方式形成,在該向外側膨出的部分收容有氣體噴射器51。在該例中，配置有3個氣體噴射器51，各個氣體噴射器51沿著晶圓舟皿11的長度方向配置，并且沿著反應管12的周向以彼此分開的方式排列。這些氣體噴射器51例如分別由石英構成。如圖2所示，對于這3個氣體噴射器51，從上方側觀察反應管12而按順時針(右旋)方向分別稱為“第I氣體噴射器51a”、“第2氣體噴射器51b”及“第3氣體噴射器51c”時，第I氣體噴射器51a與含有鋯(Zr)的Zr系氣體(原料氣體)、例如四(乙基甲基氨基)錯(tetrakis (ethylmethylamino) zirconium) (TEMAZr)氣體的積存源 55a 連接。另外，第2氣體噴射器51b與O3(臭氧)氣體的積存源55b連接，第3氣體噴射器51c與N2 (氮氣)氣體的積存源55c連接。在圖2中，附圖標記53是閥，附圖標記54是流量調整部。如圖3所示，在氣體噴射器51a、51b的靠晶圓W的保持區(qū)域(處理區(qū)域)側的管壁的整個上下方向上等間隔地分別形成有多個氣體噴射口 52，各個氣體噴射口 52的開口徑為例如0. 5mm。另外，各個氣體噴射口 52以與晶圓舟皿11的各個晶圓W的保持位置相對應的方式、即以朝向一張晶圓W的上表面與在該一張晶圓W的上方側與該晶圓W相對的其他的晶圓W的下表面之間的區(qū)域的方式形成。另外，圖3表示從晶圓W側觀察的各個氣體噴射器51的狀態(tài)，對各個晶圓W以從氣體噴射器51向側方側錯開的方式進行描畫。另外，在圖3中省略了晶圓舟皿11、反應管12。
另外，以從該保持區(qū)域的上端一直到下端地在上下方向上延伸的方式在第3氣體噴射器51c的靠上述保持區(qū)域側的管壁上形成有大致矩形的狹縫50。S卩，將被保持在晶圓舟皿11中的晶圓W的張數(shù)設為N張時，狹縫50從比上述保持區(qū)域的上端(第I張)的晶圓W的表面靠上方的位置延伸到比保持區(qū)域的下端(第N張)的晶圓W的下表面靠下方的位置。如圖4所示，該狹縫50的寬度尺寸(詳細而言，沿著第3氣體噴射器51c的外周面的周向的寬度尺寸H為0. Olmm Imm,在該例中為0. 3mm。另外,俯視第3氣體噴射器51c時的吹掃氣體的流路的內徑尺寸(管主體的內徑)R為例如11. 4_。此時，如圖3所示，彼此相鄰的晶圓W之間的分開距離h為例如11mm。
也如圖2所示，以與各個氣體噴射器51相對的方式在上述的內管12b的側面沿著該內管12b的長度方向形成有狹縫狀的排氣口 16。S卩，排氣口 16隔著在晶圓舟皿11中收容晶圓W的保持區(qū)域形成在各個氣體噴射器51的相反側、在該例中以與各氣體噴射器51相對的方式形成。該排氣口 16以上端位置位于與第3氣體噴射器51c的狹縫50的上端位置相同的高度位置、下端位置位于與第3氣體噴射器51c的狹縫50的下端位置相同的高度位置的方式形成。因此，從各個氣體噴射器51向內管12b供給的處理氣體及吹掃氣體經(jīng)由該排氣口 16向內管12b與外管12a之間的區(qū)域排出。此時，如圖2所示，上述“相反側”是指，在從上方側觀察反應管12時，如果將與氣體噴射器51a、51c排列而成的列平行且通過反應管12中心的直線標注附圖標記“L”，則是指反應管12內的由該直線L劃分而成的兩個區(qū)域中的未設有氣體噴射器51的區(qū)域。另外，在上述的凸緣部17的側壁上以向該內管12b與外管12a之間的區(qū)域連通的方式形成有排氣口 21，從該排氣口 21延伸的排氣管路22經(jīng)由蝶形閥等壓力調整部23與真空泵24連接。在凸緣部17的下方側設有蓋體25，該蓋體25形成為概略圓板狀，該蓋體25以外緣部在整個周向上與作為該凸緣部17的下端部的凸緣面氣密地接觸的方式設置，該蓋體25借助未圖示的舟皿升降機等升降機構與晶圓舟皿11 一起升降自如。圖I中的附圖標記26是形成在晶圓舟皿11與蓋體25之間的圓筒狀的絕熱體，附圖標記27是用于使晶圓舟皿11及絕熱體26繞鉛垂軸線旋轉的電動機等旋轉機構。另外，圖I中的附圖標記28是將蓋體25氣密地貫穿并將電動機27與晶圓舟皿11、絕熱體26連接的旋轉軸，附圖標記21a是排氣口。在該立式熱處理裝置中設有用于進行裝置整體的動作的控制的由計算機構成的控制部100，在該控制部100的存儲器內存儲有用于進行下述的成膜處理的程序。將該程序從作為硬盤、光盤、光磁盤、存儲卡、軟盤等存儲介質的存儲部101安裝到控制部100內。接著，說明上述實施方式的作用。首先，在反應管12的下方側，利用未圖示的輸送臂向晶圓舟皿11載置例如150張12英寸(300_)尺寸的晶圓W。在各個晶圓W的表面形成有例如用于埋入高電介體的孔。從晶圓舟皿11的最上層(第I張)到第5張、從最下層(第N張)到第(N-4)張載置有模擬晶圓，在這些模擬晶圓之間(第6張 第(N-5)張)保持有產品用的晶圓W。然后，將晶圓舟皿11氣密地插入到反應管12內，一邊利用真空泵24對反應管12內的氣氛氣體進行真空排氣，并且使晶圓舟皿11繞鉛垂軸線旋轉，一邊利用加熱器13將該晶圓舟皿11上的晶圓W加熱到例如250°C左右。接著，一邊利用壓力調整部23將反應管12內的壓力調整成處理壓力、例如I. 0Torr(133Pa)，如圖5所示，一邊以例如0. 4ml/min (液體流量)從第I氣體噴射器51a的氣體噴射口 52向該反應管12內供給作為第I處理氣體的上述的Zr系氣體。如果晶圓W的表面與Zr系氣體接觸，則該Zr系氣體的原子層或者分子層吸附在該晶圓W的表面。未反應的Zr系氣體、由于向晶圓W吸附而生成的有機氣體等向排氣口 16排出。接著，停止Zr系氣體的供給，并且在將例如150張12英寸尺寸的晶圓W保持在晶圓舟皿11中的情況下，如圖6所示，優(yōu)選以20slm(升/分) IOOslm從第3氣體噴射器51c向反應管12內供給作為吹掃氣體的N2氣體，在該例中以60slm在例如20秒的期間內進行供給。這樣，以大于Zr系氣體流量的流量將吹掃氣體向反應管12內供給，因此，極其迅速地置換該反應管12內的氣氛氣體。接著，停止吹掃氣體的供給，如圖7所示，以例如300g/Nm3 (使O2以20slm流動而得到的O3濃度)向反應管12內供給作為第2處理氣體的O3氣體。該O3氣體同樣從各個氣體噴射口 52朝向晶圓W通流，使吸附于各個晶圓W的Zr系氣體的成分氧化而生成由氧 化鋯(Zr-O)構成的反應生成物。然后，在停止O3氣體的供給之后，利用吹掃氣體以上述的方式置換反應管12內的氣氛氣體。多次進行這樣將Zr系氣體、吹掃氣體、O3氣體及吹掃氣體以該順序供給的供給循環(huán)，從而層疊上述反應生成物的層。采用上述的實施方式，在將互相反應的兩個種類的處理氣體交替地向晶圓W供給而利用ALD法層疊反應生成物時，與處理氣體供給用的第I氣體噴射器51a相對獨立地設有第3氣體噴射器51c，在切換處理氣體時從沿著第3氣體噴射器51c的長度方向形成的狹縫50供給吹掃氣體，于是，與例如以往的裝置(使用形成有氣體噴射口 52的氣體噴射器51來供給吹掃氣體的情況)相比，該吹掃氣體的流量設定成以往的例如40倍左右的大流量。因此，在切換處理氣體時，能夠將流量比處理氣體的流量大很多的吹掃氣體向反應管12內穩(wěn)定地(例如不會引起第3氣體噴射器51c的破損等)供給，因此，能夠迅速地置換該反應管12內的氣氛氣體。因而，能夠抑制處理氣氛氣體中的處理氣體彼此之間的例如CVD式的反應，因此，即使是3維結構的(表面積較大的)晶圓W，也如下述的實施例所示，也能夠進行在晶圓W的整個面內覆蓋(coverage)性良好且膜厚及膜質的均勻性較高的成膜處理。另外，對于吹掃氣體用的第3氣體噴射器51c,在該第3氣體噴射器51c上從上方側到下方側形成有狹縫50，因此，能夠抑制例如紊亂氣流的發(fā)生，而是以層流的狀態(tài)向各晶圓W供給吹掃氣體。因此，能夠以沒有不均勻的狀態(tài)或者抑制了不均勻的狀態(tài)向晶圓W的保持區(qū)域供給吹掃氣體，而且能夠抑制例如由沉積在第3氣體噴射器51c的管壁(狹縫50的周緣部)的CVD膜的剝離等引起的微粒的發(fā)生。另外，由于將狹縫50的寬度尺寸t設定在上述的范圍內，因此，能夠以使流量在該狹縫50的整個長度方向上一致的狀態(tài)供給吹掃氣體。另外，為了在切換處理氣體時抑制處理氣體彼此相互混合，如上所述將吹掃氣體的流量設定成大于各處理氣體的流量的流量，因此，如下述的實施例所示，不需要將反應管12內設定成高真空。即，能夠將反應管12內的壓力設定成適于成膜處理的處理壓力，因此，能夠抑制成膜速率的下降地進行成膜處理。在此，對于用于供給處理氣體的第I氣體噴射器51a，形成有氣體噴射口 52，使該處理氣體的流量保持成最小限度。即，如果是從狹縫50向各晶圓W間的區(qū)域均勻地供給處理氣體，則該處理氣體的流量會大到需要量以上，因此，從處理氣體(原料氣體)的成本較高這方面考慮不是良策。但是，在本發(fā)明中，對于作為原料氣體的Zr系氣體，通過在第I氣體噴射器51a上形成有氣體噴射口 52而謀求氣體流量的少量化，另一方面，對于吹掃氣體，在第3氣體噴射器51c上形成有狹縫50以便以大流量供給吹掃氣體，也就是說與各氣體的供給流量相對應地調整了氣體的噴射面積(氣體噴射口 52及狹縫50)。另外，對于O3氣體，也與大流量用的第3氣體噴射器51c相對獨立地設有專用的第2氣體噴射器51b,從而謀求該O3氣體的流量的少量化(最優(yōu)化)。因此，能夠抑制處理氣體(原料氣體、O3氣體)的成本，并且迅速地進行利用ALD法進行的成膜。作為上述的狹縫50，也可以在上下方向上形成為錐形狀，具體而言，也可以如下述這樣形成將該狹縫50的上端側的寬度尺寸t設定成4mm，將該狹縫50的下端側的寬度尺寸t設定成1mm，狹縫50的4個外緣中的在上下方向上延伸的兩個外緣與鉛垂軸線形成的角度分別為1°。另外，對于狹縫50，也可以在長度方向上劃分成多個區(qū)域。圖8表示將狹縫50在長度方向上等間隔地劃分為3部分的例。在該例中，若對3個狹縫50分別標注附圖標記 “50a”,則相互相鄰的狹縫50a、50a之間的分開距離d被設定成例如0. 05cm I. Ocm(與晶圓W的厚度尺寸相同的尺寸)左右。另外，圖9表示將狹縫50a的長度尺寸設定得最短的例、即將狹縫50的劃分數(shù)量設定得最多的例。具體而言，各個狹縫50a被相互相鄰的2張晶圓W共用，形成在從第k (k 自然數(shù))張晶圓W的下端位置到該晶圓W的下方側的第(k+2)張晶圓W的上端位置的區(qū)域。在圖9中，上述分開距離d也設定成同樣的尺寸。另外，在圖9中，將第3氣體噴射器51c的一部分放大描畫。另外，圖10表示第3氣體噴射器51c的其他的例。在圖10中，與圖8及圖9同樣，沿著第3氣體噴射器51c的長度方向形成有多個狹縫50a。而且，在該例中，狹縫50a的長度尺寸j從第3氣體噴射器51c的上方側朝向下方側而漸漸地變長。具體而言，第3氣體噴射器51c的最上層的狹縫50a的長度尺寸j為例如I. 6cm，最下層的長度尺寸j為例如12cm,隨著從該最上層朝向下方側去而每層變長例如0. 8cm。BP,由于從第3氣體噴射器51c的下方側導入吹掃氣體，因此，在該第3氣體噴射器51c內通流的吹掃氣體的流量隨著從下方側朝向上方側去而變少。因此，在該例中，與在第3氣體噴射器51c內通流的吹掃氣體流量相對應地在吹掃氣體流量較多的下方側的區(qū)域中將狹縫50a的長度尺寸j設定得較長、隨著朝向吹掃氣體流量變少的上方側去而將狹縫50a的長度尺寸j漸漸地設定得較短。因而，能夠使從各個狹縫50a向晶圓W供給的吹掃氣體壓力在第3氣體噴射器51c的整個長度方向上一致。在該例中，也將相互相鄰的狹縫50a、50a之間的分開距離d設定成與上述的尺寸相同的尺寸。在此，由于如上所述從下方側向第3氣體噴射器51c供給吹掃氣體,因此,在該第3氣體噴射器51c的下方側，向晶圓W供給過多的吹掃氣體，而在上方側，也有時向晶圓W供給的吹掃氣體的流量不足。在此情況下，也可以以如下這樣的方式設置狹縫50a :在下方側將長度尺寸j設定得較短，隨著朝向第3氣體噴射器51c的上方側去而長度尺寸j漸漸地變長的方式、即，將上述的圖10中的各個狹縫50a的配置上下顛倒。在此，由于如上所述O3氣體的流量比Zr系氣體的流量多，因此，也可以從N2氣體的第3氣體噴射器51c向反應管12內供給O3氣體。S卩，如圖11所示，也可以使O3氣體用的第2氣體噴射器51b與N2氣體用的第3氣體噴射器51c共用。在圖11中，從O3氣體的積存源55b延伸的氣體供給管路56在反應管12的外側區(qū)域中和在N2氣體的積存源55c與第3氣體噴射器51c之間的氣體供給管路57連接。另外，將反應管12形成為雙層管結構，但也可以如下這樣形成使用單層管結構的反應管12，并且將分別在晶圓舟皿11的長度方向上延伸的風道狀的氣體供給部(氣體噴射器)及排氣部分別氣密地配置在反應管12的外側，且在反應管12的側面形成氣體噴射口 52、狹縫50及排氣口 16以便分別與該氣體供給部及排氣部連通。圖12及圖13表示這樣的構成例的主要部分。在圖12及圖13中，附圖標記80是排氣風道，附圖標記81是氣體供給部，針對Zr系氣體、O3氣體及N2氣體分別獨立地設有氣體供給部81。另外，在圖13中，切除了排氣風道80的一部分來表示內部的排氣口 16。在上述的例中，將從第3氣體噴射器51c向反應管12內供給的隊氣體的流量設定成了 20slm IOOslm，但也可以在將被保持在晶圓舟皿11中的晶圓W的張數(shù)設為N張時將N2氣體流量設定成0. 05Nslm 2. ONslm,具體而言，也可以設定成7. 5slm 300slm(晶圓W的保持張數(shù)150張)。實施例接著，說明對在如上所述將吹掃氣體的流量設定得比各處理氣體的流量多的情況下得到的薄膜的特性進行評價的實驗。在該實驗中使用了將晶圓W的收容張數(shù)設定成33張(產品晶圓W :25張、模擬晶圓上下各4張)的小型的實驗用裝置。另外，如圖15所示，使用了在多個部位形成有開口部(孔)200的3維結構的晶圓W。另外，如上所述使用Zr系氣體及O3氣體并在切換這些氣體時供給吹掃氣體，基于以下所示的各實驗條件，以目標膜厚為5nm ( 50人)形成了氧化鋯膜。另外，在以下的表中“通用”是指與其他的實驗例一致的條件。(實驗條件)
權利要求
1.一種成膜裝置，其通過將分層保持有多張基板的基板保持器送入到在周圍配置有加熱部的立式的反應管內而對基板進行成膜處理，其特征在于， 該成膜裝置包括 第I氣體噴射器，其針對各基板之間的高度位置分別形成有用于向基板供給第I處理氣體的多個氣體噴射口； 第2氣體噴射器，為了向基板供給與第I處理氣體反應的第2處理氣體，該第2氣體噴射器在上述反應管的周向上與上述第I氣體噴射器分開地設置，該第2氣體噴射器沿著上述反應管的長度方向延伸且在靠基板側形成有氣體噴射口； 第3氣體噴射器，其在上述反應管的周向上與上述第I氣體噴射器分開的位置以沿著上述反應管的長度方向延伸的方式設置，該第3氣體噴射器從被保持在上述基板保持器中的基板的保持區(qū)域的上端一直到下端地形成有吹掃氣體供給用的狹縫； 排氣口，其隔著上述保持區(qū)域形成在與上述第I氣體噴射器相反一側，用于排出上述反應管內的氣氛氣體； 控制部，其用于輸出控制信號，以便向上述反應管內依次供給第I處理氣體及第2處理氣體，并且在切換這些處理氣體時向上述反應管內供給吹掃氣體而置換該反應管內的氣氛氣體。
2.根據(jù)權利要求I所述的成膜裝置，其特征在于， 在將基板的保持張數(shù)設為N時，在切換處理氣體時從上述第3氣體噴射器供給的吹掃氣體的總流量為0. 05XN升/分 2. OXN升/分。
3.根據(jù)權利要求I所述的成膜裝置，其特征在于， 上述第3氣體噴射器兼作上述第2氣體噴射器。
4.根據(jù)權利要求I所述的成膜裝置，其特征在于， 上述狹縫在上述第3氣體噴射器的長度方向上被劃分成多個，分割而成的狹縫被設定成比從第k層基板的下表面到第k+2層基板的上表面的高度尺寸長，其中，k為整數(shù)。
5.根據(jù)權利要求I所述的成膜裝置，其特征在于， 上述狹縫在上述第3氣體噴射器的長度方向被劃分成多個，分割而成的狹縫的長度尺寸被設定成從上述第3氣體噴射器的上方側及下方側中的一側朝向另一側漸漸地變長。
全文摘要
本發(fā)明提供一種成膜裝置。與分別形成有用于向反應管內供給Zr系氣體、O3氣體等處理氣體的氣體噴射口的第1體噴射器及第2氣體噴射器相對獨立地形成第3氣體噴射器，在該第3氣體噴射器上，沿著反應管的長度方向形成有狹縫，在切換處理氣體時，通過從該狹縫向反應管內供給吹掃氣體而該置換反應管內的氣氛氣體。
文檔編號H01L21/67GK102634773SQ20121002897
公開日2012年8月15日 申請日期2012年2月9日 優(yōu)先權日2011年2月9日
發(fā)明者兩角友一朗, 佐藤泉, 淺利伸二 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社