專利名稱：刻蝕控制方法以及半導(dǎo)體制造工藝控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種刻蝕控制方法以及采用了該刻蝕控制方法的半導(dǎo)體制造工藝控制方法。
背景技術(shù)：
刻蝕是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域常用的工藝。半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備包括諸如Lam公司的型號(hào)為 9400DFM和9600DFMP的設(shè)備之類的刻蝕設(shè)備。
在半導(dǎo)體刻蝕工藝中，上述半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的傳送模塊TM中會(huì)發(fā)生氣壓偏移。此時(shí)，沒(méi)有處理的晶圓存在落有灰塵的風(fēng)險(xiǎn)，由此進(jìn)一步造成刻蝕失敗。
當(dāng)由于諸如門閥泄漏之類的原因而造成氣壓偏移(例如大于200mt)發(fā)生時(shí)，諸如 9400DFM和9600DFMP之類的刻蝕設(shè)備的設(shè)備自動(dòng)化系統(tǒng)將暫停當(dāng)前處理的批次的晶圓，但是設(shè)備自動(dòng)化系統(tǒng)并不停止設(shè)備運(yùn)行。
具體地，如圖1所示，其中示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的在出現(xiàn)氣壓偏移時(shí)的刻蝕控制方法。
在狀態(tài)1中，第一裝貨卸貨腔LCl中的工藝正在進(jìn)行，這屬于正常處理狀態(tài)。
另一方面，在狀態(tài)2中，第二裝貨卸貨腔LC2工作完成并準(zhǔn)備卸載；第二裝貨卸貨腔LC2從真空充氣到大氣即狀態(tài)3，如果此時(shí)存在狀態(tài)4即第二裝貨卸貨腔LC2和傳送模塊TM的隔離閥門漏氣，會(huì)出現(xiàn)例如傳送模塊TM的氣壓> 200mt (狀態(tài)5)。由此，進(jìn)入狀態(tài) 6的傳送模塊氣壓警告。
在狀態(tài)6的傳送模塊氣壓警告出現(xiàn)時(shí)，暫停第一裝貨卸貨腔LCl的晶圓工序(狀態(tài)7)。
在第二裝貨卸貨腔LC2完成卸載以后，第二裝貨卸貨腔LC2裝貨繼續(xù)工作(狀態(tài) 8)，第二裝貨卸貨腔LC2抽氣，即從真空大氣(狀態(tài)9)，由于狀態(tài)4，使得傳送模塊TM的氣壓變成90mt (狀態(tài)10)。此后，TM氣壓自動(dòng)消除(狀態(tài)11)。最后，第一裝貨卸貨腔LCl中的工序繼續(xù)(狀態(tài)12)。
但是，上述過(guò)程存在一個(gè)問(wèn)題，由于系統(tǒng)在氣壓偏移發(fā)生時(shí)僅僅使晶圓流程工序暫停等待傳送模塊TM的氣壓穩(wěn)定成90mt ；所以，如果傳送模塊TM的氣壓穩(wěn)定之后晶圓處理流程繼續(xù)，則有可能導(dǎo)致在氣壓偏移期間落有灰塵的晶圓仍被處理，從而阻擋刻蝕反應(yīng)， 造成刻蝕失敗，由此造成晶圓報(bào)廢以及器件失效。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠在傳送模塊氣壓偏移發(fā)生時(shí)盡量避免晶圓報(bào)廢以及器件失效的刻蝕控制方法以及采用了該刻蝕控制方法的半導(dǎo)體制造工藝控制方法。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種刻蝕控制方法，其包括在發(fā)生傳送模塊氣壓偏移時(shí)發(fā)出傳送模塊氣壓警告；利用設(shè)備自動(dòng)化系統(tǒng)檢查傳送模塊氣壓警告記錄，確定是否有傳送模塊氣壓警告；在存在傳送模塊氣壓警告的情況下，給機(jī)臺(tái)發(fā)出停止工藝流程的命令，蝕刻機(jī)臺(tái)根據(jù)設(shè)備自動(dòng)化系統(tǒng)的命令，停止裝貨卸貨腔的工藝流程，使有缺陷的晶圓停止反應(yīng)；從而單獨(dú)處理有缺陷的晶圓。
優(yōu)選地，所述刻蝕控制方法還包括步驟對(duì)篩選出來(lái)的有缺陷的晶圓進(jìn)行處理以消除缺陷，隨后對(duì)消除了缺陷的晶圓進(jìn)行正常處理。
優(yōu)選地，傳送模塊氣壓偏移是由于裝貨卸貨腔和傳送模塊的(LC2&TM)隔離閥泄漏造成的。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種半導(dǎo)體制造工藝控制方法，其特征在于采用了根據(jù)本發(fā)明的第一方面的刻蝕控制方法。
通過(guò)采用本發(fā)明的技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠在傳送模塊氣壓偏移發(fā)生時(shí)盡量避免晶圓報(bào)廢以及器件失效。


結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中
圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的在出現(xiàn)氣壓偏移時(shí)的刻蝕控制方法。
圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在出現(xiàn)氣壓偏移時(shí)的刻蝕控制方法。
需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在出現(xiàn)氣壓偏移時(shí)的刻蝕控制方法。
如圖2所示，狀態(tài)1至狀態(tài)7與圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)相同。
S卩，在狀態(tài)1中，第一裝貨卸貨腔LCl中的工藝正在進(jìn)行，這屬于正常處理狀態(tài)。
另一方面，在狀態(tài)2中，第二裝貨卸貨腔LC2工作完成并準(zhǔn)備卸載；第二裝貨卸貨腔LC2從真空充氣到大氣此即狀態(tài)3，如果此時(shí)存在狀態(tài)4即第二裝貨卸貨腔LC2和傳送模塊TM的隔離閥門漏氣，在狀態(tài)3 (第二裝貨卸貨腔LC2從真空充氣到大氣)和狀態(tài)4 (第二裝貨卸貨腔LC2和傳送模塊TM的隔離閥門漏氣)同時(shí)發(fā)生時(shí)，會(huì)出現(xiàn)傳送模塊TM的氣壓 > 200mt (狀態(tài)5)。由此，進(jìn)入狀態(tài)6的傳送模塊氣壓警告。在狀態(tài)6的傳送模塊氣壓警告出現(xiàn)時(shí)，暫停LCl的晶圓工序(狀態(tài)7)。
與圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)不同的是，在狀態(tài)6的傳送模塊氣壓警告出現(xiàn)之后，執(zhí)行步驟A 利用設(shè)備自動(dòng)化系統(tǒng)EAP實(shí)時(shí)檢查傳送模塊氣壓警告記錄，確定是否有傳送模塊氣壓目口 ο
在存在傳送模塊氣壓警告的情況下執(zhí)行步驟B 發(fā)出機(jī)臺(tái)停止運(yùn)行的命令。
此后，執(zhí)行步驟C 蝕刻機(jī)臺(tái)收到EAP的命令后，停止第一裝貨卸貨腔LCl工藝流程，，從而使有缺陷的晶圓停止反應(yīng)。
最后，執(zhí)行步驟D 單獨(dú)處理有缺陷的晶圓。
利用上述方案，可以盡早地檢測(cè)系統(tǒng)異常狀態(tài)，并且可以盡早地避免晶圓報(bào)廢。
優(yōu)選地，可對(duì)步驟C中篩選出來(lái)的有缺陷的晶圓進(jìn)行處理以消除缺陷，隨后對(duì)消除了缺陷的晶圓進(jìn)行正常處理。
需要說(shuō)明的是，雖然示出的示例中傳送模塊氣壓偏移是由于第二裝貨卸貨腔LC2 和傳送模塊TM的隔離閥泄漏造成的，但是顯然也可能是其它原因造成的，而且本發(fā)明對(duì)其它原因造成的傳送模塊氣壓偏移同樣有用。
可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下， 都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種刻蝕控制方法，其特征在于包括在發(fā)生傳送模塊氣壓偏移時(shí)發(fā)出傳送模塊氣壓警告；利用設(shè)備自動(dòng)化系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢查傳送模塊氣壓警告記錄，確定是否有傳送模塊氣壓警生 P=I ；在存在傳送模塊氣壓警告的情況下，設(shè)備自動(dòng)化系統(tǒng)立刻給機(jī)臺(tái)發(fā)出停止運(yùn)行的命令，蝕刻機(jī)臺(tái)收到命令后，蝕刻設(shè)備自動(dòng)停止裝貨卸貨腔運(yùn)行工藝流程，并且使有缺陷的晶圓停止反應(yīng)；單獨(dú)繼續(xù)處理有缺陷的晶圓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕控制方法，其特征在于還包括步驟對(duì)篩選出來(lái)的有缺陷的晶圓進(jìn)行處理以消除缺陷，隨后對(duì)消除了缺陷的晶圓進(jìn)行正常處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的刻蝕控制方法，其特征在于，傳送模塊氣壓偏移是由于裝貨卸貨腔和傳送模塊的隔離閥泄漏造成的。
4.一種半導(dǎo)體制造工藝控制方法，其特征在于采用了根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的刻蝕控制方法。
全文摘要
本發(fā)明提供了刻蝕控制方法以及半導(dǎo)體制造工藝控制方法。根據(jù)本發(fā)明的刻蝕控制方法包括在發(fā)生傳送模塊氣壓偏移時(shí)發(fā)出傳送模塊氣壓警告；利用設(shè)備自動(dòng)化系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢查傳送模塊氣壓警告記錄，確定是否有傳送模塊氣壓警告；在存在傳送模塊氣壓警告的情況下，設(shè)備自動(dòng)化系統(tǒng)立刻給機(jī)臺(tái)發(fā)出停止運(yùn)行的命令，蝕刻機(jī)臺(tái)收到命令后，蝕刻設(shè)備自動(dòng)停止裝貨卸貨腔運(yùn)行工藝流程，并且使有缺陷的晶圓停止反應(yīng)；繼續(xù)處理有缺陷的晶圓。通過(guò)采用本發(fā)明的技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠在傳送模塊氣壓偏移發(fā)生時(shí)盡量避免晶圓報(bào)廢以及器件失效。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102543799SQ20121003044
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2012年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月10日
發(fā)明者施海銘, 曹玖明, 杜廷衛(wèi) 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司