專利名稱：薄膜芯片天線制作方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種天線，尤其涉及一種薄膜芯片天線的制作方法及其結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)隨著通訊數(shù)據(jù)量的需求不斷攀升，無(wú)線都會(huì)區(qū)域網(wǎng)路(worldwideinteroperability for microwave access, WiMAX)的快速崛起，根據(jù) IEEE 802.16e 預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)，此種WiMAX標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用于基地臺(tái)與可移動(dòng)式裝置間的無(wú)線傳輸，例如筆記型電腦、智能型手機(jī)、平板電腦、個(gè)人助理裝置、導(dǎo)航器等，其操作頻帶為2 6GHz，以提供更高品質(zhì)的多媒體影音傳輸與即時(shí)的信息交流。目前所使用的芯片天線，該天線為一介電材料為多層基板架構(gòu)，在每一層的基板表面上各自形成有螺旋狀或蜿蜒曲折等不同形狀的金屬圖案，該金屬圖案分別為第一電極層、第一輻射層、第二輻射層、第二電極層及外部端電極，在這些多層的基板制作完成后，再將每一層的基板堆疊組 成一芯片型的天線。另一種芯片天線具有一長(zhǎng)方塊狀陶瓷材料的基體，于該基體的各表面上印刷金屬層，利用蝕刻技術(shù)將各表面金屬層形成多個(gè)線段，再由多個(gè)線段連接組成螺旋狀纏繞或呈蜿蜒曲折的導(dǎo)線披覆于基體的各表面上。由前述兩者的芯片天線在制作完成后，該芯片天線的體積大，芯片天線的精確度不易控制，須要連接儀器檢測(cè)修補(bǔ)調(diào)整，導(dǎo)致制作速度慢、成本增加，而且芯片天線的體積過(guò)大時(shí)，也占去過(guò)多電路板上的安裝空間，也造成后續(xù)加工制作上的困擾。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的，在于解決傳統(tǒng)缺失，避免缺失存在，本發(fā)明利用薄膜工藝技術(shù)來(lái)制作芯片天線，使芯片天線的體積縮小，厚度變薄，讓芯片天線的精確度更加提聞。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種薄膜芯片天線制作方法，該方法包含:備有一基板；在基板的表面形成有一層的第一金屬層；在基板的另一表面上形成有一層的第二金屬層；于第一金屬層表面上形成有一第一絕緣層； 于第二金屬層表面上形成有一第一絕緣層；于第一絕緣層的表面上形成有一上金屬層；在第二絕緣層的表面上形成有一下金屬層；及，在基板兩側(cè)形成有一電極層與上金屬層及下金屬層電性連接。其中，該基板為陶瓷材料的三氧化二鋁。其中，該基板的表面上還包含有多層的第一金屬層及多層的第一絕緣層，該多層的第一金屬層與該多層第一絕緣層呈交錯(cuò)堆疊。其中，該第一金屬層為銅材料。
其中，該第一絕緣層為環(huán)氧樹(shù)脂或聚亞酰胺。其中，該基板的另一表面上還包含有多層的第二金屬層及多層的第二絕緣層，該多層的第二金屬層與該多層第二絕緣層呈交錯(cuò)堆疊。其中，該第二金屬層為銅材料。其中，該第二絕緣層為環(huán)氧樹(shù)脂或聚亞酰胺。其中，該上金屬層為銅材料。其中，該上金屬層上形成一缺口，該缺口使該上金屬層的左側(cè)金屬層與右側(cè)金屬層未電性連接。其中，該下金屬層為銅材料。其中，該下金屬層上形成一缺口，該缺口使該下金屬層的左側(cè)金屬層與右側(cè)金屬層未電性連接。其中，該上金屬層及下金屬層上形成有一玻璃材料的保護(hù)層。其中，于保護(hù)層上形成有一圖案層。其中，該圖 案層為公司商標(biāo)、產(chǎn)品型號(hào)或制造日期。其中，于保護(hù)層與圖案層制作完成后進(jìn)行燒結(jié)。其中，該電極層包含有一第一電極層，及一設(shè)于該第一電極層表面上的第二電極層。其中，該電極層使該上金屬層左側(cè)金屬層與下金屬層的左側(cè)金屬層電性連接，以及上金屬層右側(cè)金屬層與下金屬層的右側(cè)金屬層電性連接。其中，該第一電極層為鎳材料。其中，該第二電極層為錫材料。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，包含:一基板；—第一金屬層，設(shè)于該基板的表面上；—第二金屬層，設(shè)于該基板的另一表面上；一第一絕緣層，設(shè)于該第一金屬層的表面上—第二絕緣層，設(shè)于該第二金屬層的表面上；一上金屬層，設(shè)于該第一絕緣層上；一下金屬層，設(shè)于該第二絕緣層上；一電極層，設(shè)于該基板兩側(cè)與上金屬層及下金屬層電性連接。其中，該基板為陶瓷材料的三氧化二鋁。其中，該基板的表面上還包含有多層的第一金屬層及多層的第一絕緣層，該多層的第一金屬層與該多層第一絕緣層呈交錯(cuò)堆疊。其中，該第一金屬層為銅材料。其中，該第一絕緣層為環(huán)氧樹(shù)脂或聚亞酰胺。其中，該基板的另一表面上還包含有多層的第二金屬層及多層的第二絕緣層，該多層的第二金屬層與該多層第二絕緣層呈交錯(cuò)堆疊。其中，該第二金屬層為銅材料。其中，該第二絕緣層為環(huán)氧樹(shù)脂或聚亞酰胺。
其中，該上金屬層為銅材料。其中，該上金屬層上形成一缺口，該缺口使該上金屬層的左側(cè)金屬層與右側(cè)金屬層未電性連接。其中，該下金屬層為銅材料。其中，該下金屬層上形成一缺口，該缺口使該下金屬層的左側(cè)金屬層與右側(cè)金屬層未電性連接。其中，該上金屬層及下金屬層設(shè)有一玻璃材料的保護(hù)層。其中，該保護(hù)層上印制有一圖案層。其中，該圖案層為公司商標(biāo)、產(chǎn)品型號(hào)或制造日期。其中，該電極層包含有一第一電極層，及一設(shè)于該第一電極層表面上的第二電極層。其中，該電極層使該上 金屬層左側(cè)金屬層與下金屬層的左側(cè)金屬層電性連接，以及上金屬層右側(cè)金屬層與下金屬層的右側(cè)金屬層電性連接。其中，該第一電極層為鎳材料。其中，該第二電極層為錫材料。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖1本發(fā)明的薄膜芯片天線的第一金屬層制作流程示意圖；圖2a至圖2f本發(fā)明的薄膜芯片天線的第一金屬層結(jié)構(gòu)制作流程示意圖；圖3本發(fā)明的薄膜芯片天線的第二金屬層制作流程示意圖；圖4a至圖4f本發(fā)明的薄膜芯片天線的第二金屬層結(jié)構(gòu)制作流程示意圖；圖5本發(fā)明的薄膜芯片天線的第一及第二絕緣層的制作流程示意圖；圖6a至圖6h本發(fā)明的薄膜芯片天線的第一及第二絕緣層的結(jié)構(gòu)制作流程示意圖；圖7本發(fā)明的薄膜芯片天線的上金屬層及下金屬層的制作流程示意圖；圖8a至圖8j本發(fā)明的薄膜芯片天線的上金屬層及下金屬層的結(jié)構(gòu)制作流程示意圖；圖9本發(fā)明的薄膜芯片天線外觀的制作流程示意圖；圖1Oa至圖1Oe本發(fā)明的薄膜芯片天線外觀的結(jié)構(gòu)制作流程示意圖；圖11本發(fā)明的薄膜芯片天線的外觀立體示意圖；圖12本發(fā)明的薄膜芯片天線的側(cè)剖視示意圖；圖13本發(fā)明的薄膜芯片天線的另一實(shí)施例示意圖；圖14本發(fā)明的薄膜芯片天線的第一種使用狀態(tài)示意圖；圖15本發(fā)明的薄膜芯片天線的第二種使用狀態(tài)示意圖。其中，附圖標(biāo)記步驟100 114步驟200 210步驟300 314
步驟400 422步驟500 508基板I光阻層10凹穴IOa第一金屬層2金屬膜2a光阻層20凹穴20a第二金屬層3金屬膜3a光阻層30第二絕緣層4光阻層40 第三絕緣層5光阻層50凹穴50a上金屬層6金屬膜6a左側(cè)金屬層61右側(cè)金屬層62光阻層60凹穴60a下金屬層7金屬膜7a左側(cè)金屬層71右側(cè)金屬層72電路板70接地面701絕緣空間702絕緣通道703信號(hào)饋入線段704。電纜線705角邊706保護(hù)層8圖案層9電極層101第一電極層102第二電極層10具體實(shí)施例方式茲有關(guān)本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及詳細(xì)說(shuō)明，現(xiàn)配合

如下:請(qǐng)參閱圖1、圖2a至圖2f，本發(fā)明的薄膜芯片天線的第一金屬層的制作流程及結(jié)構(gòu)制作流程示意圖。如圖所示:本發(fā)明的薄膜芯片天線的制作方法，首先，在步驟100，備有一陶瓷材料的三氧化二鋁的基板I (如圖2a)。步驟102，將基板I的表面清洗干凈。步驟104，在基板I清洗后，于該基板I的表面上先鍍或印刷有一層鈦鎢(TiW)及銅材料(如圖2b)的金屬膜2a。步驟106，于該金屬膜2a的表面上涂布或印刷有一層薄膜的光阻層10(如圖2c)。步驟108，進(jìn)行曝光、顯影處理(如圖2d)后，形成一凹穴10a，以供該基板I表面外露。步驟110，再進(jìn)行沉積，利用化學(xué)或物理氣相沉積于凹穴IOa中沉積有一銅材料。步驟112，去除該光阻層10(如圖2e)。步驟114，再清除殘留的鈦鎢及銅材料的金屬膜2a，使該基板I的表面上形成有一第一金屬層2 (如圖2e、圖2f)。請(qǐng)參閱圖3、圖4a至圖4f，本發(fā)明的薄膜芯片天線的第二金屬層的制作流程及結(jié)構(gòu)制作流程示意圖。如圖所示:將上述圖1、圖2a至圖2f制作完成第一金屬層2后，在于基板I的另一表面制作第二金屬層3。首先，如步驟200，將基板I的另一表面鍍或印刷有一層鈦鎢(TiW)及銅材料的金屬膜3a(如圖`4b)。步驟202，于該金屬膜3a表面上涂布或印刷有一層光阻層20 (如圖4c)。步驟204，利用處曝、顯影處理(如圖4d)后，形成一凹穴20a供基板I外露。步驟206，再進(jìn)行沉積，利用化學(xué)或物理氣相沉積于凹穴20a中沉積有一銅材料。步驟208，去除金屬膜3a表面上的光阻層20(如圖4e)。步驟210，清除殘留的鈦鎢及銅材料的金屬膜3a，使該基板I的另一表面形成有一第二金屬層3 (如圖4e、圖4f)。請(qǐng)參閱圖5、圖6a至圖6h，本發(fā)明的薄膜芯片天線的第一及第二絕緣層的制作流程及結(jié)構(gòu)制作流程示意圖。如圖所示:在上述圖1至圖44a至圖4f的制作后，接著，如步驟300利用薄膜沉積技術(shù)在第一金屬層2的表面沉積有以環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)或聚亞酰胺(Polyimide, PI)為材料的第一絕緣層4(如圖6a)。步驟302，在第一絕緣層4沉積后，于該第一絕緣層4的表面涂布一光阻層30 (如圖 6b)。步驟304，再對(duì)涂布有光阻層30的第一絕緣層4進(jìn)行曝光及顯影處理(如圖6c)。步驟306，在上述的曝光及顯影后，再將第一絕緣層4表面的光阻層30去除(如圖6d)。步驟308,于利用薄膜沉積技術(shù)在第二金屬層3的表面沉積有以環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)或聚亞酰胺(Polyimide，PI)為材料的第二絕緣層5 (如圖6e)。步驟310，在第二絕緣層5沉積后，于該第二絕緣層5的表面涂布一光阻層40 (如圖 6f)。
步驟312，再對(duì)涂布有光阻層40的第二絕緣層5進(jìn)行曝光及顯影處理(如圖6g)。步驟314，在上述的曝光及顯影后，再將第二絕緣層5表面的光阻層40去除(如圖6h)。請(qǐng)參閱圖7、圖8a至圖8j，本發(fā)明的薄膜芯片天線的上金屬層及下金屬層的制作流程及結(jié)構(gòu)制作流程示意圖。如圖所示:本發(fā)明在制作上金屬層6時(shí)，如步驟400，于第一絕緣層4的表面鍍或印刷有一層鈦鎢(TiW)及銅材料的金屬膜6a(如圖8a)。步驟402,于該金屬膜6a的表面上涂布有一層光阻層50 (如圖8b)。步驟404，再進(jìn)行曝光及顯影處理形成一凹穴50a供第一絕緣層4外露(如圖Sc)。步驟406，再進(jìn)行沉積，利用化學(xué)或物理氣相沉積于凹穴50a中沉積有一銅材料。步驟408，再將金屬膜6a表面的光阻層50去除。步驟410，清除殘留的鈦鎢及銅材料的金屬膜6a，使該第一絕緣層4的表面上形成一上金屬層6,該上金屬層6上形成一缺口 63,使該第一絕緣層4部份外露,該缺口 63使該上金屬層6的左右兩金屬層不電性連接(如圖8d、圖Se)。如步驟412，于第二絕緣層5的表面鍍有一層鈦鎢(TiW)及銅材料的金屬膜7a (如圖 8f)。步驟414，于金屬膜7a的表面上涂布有一層光阻層60(如圖8g)。步驟416，再進(jìn) 行曝光及顯影處理，形成一凹穴60a(如圖8h)。步驟418，再進(jìn)行沉積，利用化學(xué)或物理氣相沉積于凹穴60a中沉積有一銅材料。步驟420，將金屬膜7a表面的光阻層60去除。步驟422，清除殘留的鈦鎢及銅材料的金屬膜7a，使該第二絕緣層5的表面形成一下金屬層7(如圖81、圖8j)后，在下金屬層7上形成一缺口 73，該缺口 73使該下金屬層7的左右金屬層不電性連接。請(qǐng)參閱圖9、圖1Oa至圖2e，本發(fā)明的薄膜芯片天線外觀的制作流程及結(jié)構(gòu)制作流程示意圖。如圖所示:于在制作芯片天線外觀制作時(shí)，如步驟500，于該上金屬層6及下金屬層7上印制有一玻璃材料的二保護(hù)層8 (如圖1Oa)。步驟502，于該其一的保護(hù)層8上印制有一圖案層9，該圖案層9為公司商標(biāo)、產(chǎn)品型號(hào)或制造日期等。步驟504，在二保護(hù)層8與圖案層9制作完成后，進(jìn)行燒結(jié)，并以220±10°C的高溫?zé)Y(jié)(如圖1Ob)。步驟506,于基板I的兩側(cè)鍍或印刷上有一層第一電極層102,該二第一電極層102讓該上金屬層6左側(cè)金屬層與下金屬層7的左側(cè)金屬層電性連接，以及上金屬層6右側(cè)金屬層與下金屬層7的右側(cè)金屬層電性連接(如圖1Oc)。在本圖中，該第一電極層為鎳材料。步驟508,于二第一電極層102表面鍍或印刷有一層第二電極層103。在本圖中，該第二電極層103為錫材料。以該第一電極層102及該第二電極層103組成一電極層101 (如圖1Od的右側(cè)視、圖1Oe的左側(cè)視)。請(qǐng)參閱圖11、圖12，本發(fā)明的薄膜芯片天線的外觀立體及側(cè)剖視示意圖。如圖所不:在本發(fā)明的薄膜芯片制作完成后，包括:一基板1、第一金屬層2、第二金屬層3、一第一絕緣層4、一第二絕緣層5、一上金屬層6、一下金屬層7、一保護(hù)層8、一圖案層9及一電極層101。
該基板1，為陶瓷材料的三氧化二鋁。該第一金屬層2,設(shè)于該基板I的表面上,該第一金屬層2為銅材料。該第二金屬層3，設(shè)于該基板I的另一表面上，該第二金屬層3為銅材料。該第一絕緣層4,設(shè)于該第一金屬層2的表面上，該第一絕緣層4為環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)或聚亞酰胺(Polyimide, PI)材料。該第二絕緣層5，設(shè)于該第二金屬層3的表面上，該第二絕緣層5為環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)或聚亞酰胺(Polyimide, PI)材料。該上金屬層6,設(shè)于該第一絕緣層4上,具有一左側(cè)金屬層61及右側(cè)金屬層62。該上金屬層6為銅材料。該下金屬層7，設(shè)于該第二絕緣層5上，具有一左側(cè)金屬層71及右側(cè)金屬層72。該下金屬層7為銅材料。該保護(hù)層8，設(shè)于該上金屬層6及下金屬層7的表面上，該保護(hù)層8以玻璃為材料。該圖案層9，設(shè)于該其一保護(hù)層8上，該圖案層9為公司商標(biāo)、產(chǎn)品型號(hào)或制造日期
坐寸ο該電極層101，設(shè)于該基板I兩側(cè)，分別與該上金屬層6的左側(cè)金屬層61及下金屬層7的左側(cè)金屬層71電性連接及上金屬層6的右側(cè)金屬層62及下金屬層7的右側(cè)金屬層72電性連接。該電極層101包含有一第一電極層102及一第二電極層103,該第一電極層102為鎳材料，該第二電極層103為錫材料。請(qǐng)參閱圖13，本發(fā)明的薄膜芯片天線的另一實(shí)施例示意圖。如圖所示:在本圖中，該薄膜芯片天線的內(nèi)部第一金屬層2及第二金屬層3為至少兩層以上的設(shè)計(jì)，且每一層的第一金屬層2與第一金屬層2之間夾有一層第一絕緣層4，同樣每一層的第二金屬層3與第二金屬層3之間夾有一層第二絕緣層5。因此,利用多層的第一金屬層2及第二金屬層3來(lái)耦合形成電容特性的薄膜芯片天線。由薄膜芯片天線利用薄膜制成技術(shù)制作，可以使芯片天線的體積縮小，厚度變薄，使芯片天線的精確度提高，在與電路板(圖中未)結(jié)合使用，使天線收發(fā)效率更佳。請(qǐng)參閱圖14、圖15，本發(fā)明的薄膜芯片天線的第一種及第二種使用狀態(tài)示意圖。如圖所示:在圖中，該電路板70上具有一接地面701，該接地面701 —側(cè)邊具有絕緣空間702，該絕緣空間702延伸有一絕緣通道703，該絕緣通道703上具有一信號(hào)饋入線段704。在薄膜芯片天線位于絕緣空間702上，該電極層101與該兩側(cè)的接地面701及信號(hào)饋入線段704電性連接，該信號(hào)饋入線段704的一端可以電性連接一電纜線705，再信號(hào)由電纜線705傳入后經(jīng)信號(hào)饋入線段704至薄膜芯片天線中處理后，再傳至電路板70上，以達(dá)收發(fā)信號(hào)的處理。另，本發(fā)明的薄膜芯片天線除 了可電性連接的位于電路板側(cè)邊的中間位置外，還可以位于該電路板70的每一角邊上，以調(diào)整最佳的接收信號(hào)的位置。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該方法包含: a)、備有一基板； b)、在基板的表面形成有一層的第一金屬層； c)、在基板的另一表面上形成有一層的第二金屬層； d)、于第一金屬層表面上形成有一第一絕緣層； e)、于第二金屬層表面上形成有一第一絕緣層； f)、于第一絕緣層的表面上形成有一上金屬層； g)、在第二絕緣層的表面上形成有一下金屬層；及， h)、在基板兩側(cè)形成有一電極層與上金屬層及下金屬層電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該基板為陶瓷材料的三氧化二招。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該基板的表面上還包含有多層的第一金屬層及多層的第一絕緣層，該多層的第一金屬層與該多層第一絕緣層呈交錯(cuò)堆疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該第一金屬層為銅材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該第一絕緣層為環(huán)氧樹(shù)脂或聚亞酰胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該基板的另一表面上還包含有多層的第二金屬層及多層的第二絕緣層，該多層的第二金屬層與該多層第二絕緣層呈交錯(cuò)堆疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該第二金屬層為銅材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該第二絕緣層為環(huán)氧樹(shù)脂或聚亞酰胺。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該上金屬層為銅材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該上金屬層上形成一缺口，該缺口使該上金屬層的左側(cè)金屬層與右側(cè)金屬層未電性連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該下金屬層為銅材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該下金屬層上形成一缺口，該缺口使該下金屬層的左側(cè)金屬層與右側(cè)金屬層未電性連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，步驟h后還包含有步驟i，該步驟i于該上金屬層及下金屬層上形成有一玻璃材料的保護(hù)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，于步驟i后還包含有一步驟j，該步驟j于保護(hù)層上形成有一圖案層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該圖案層為公司商標(biāo)圖案層、產(chǎn)品型號(hào)圖案層或制造日期圖案層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，于步驟j后進(jìn)行步驟k，該步驟k將在保護(hù)層與圖案層制作完成后進(jìn)行燒結(jié)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，步驟h的電極層包含有一第一電極層，及一設(shè)于該第一電極層表面上的第二電極層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該電極層使該上金屬層左側(cè)金屬層與下金屬層的左側(cè)金屬層電性連接，以及上金屬層右側(cè)金屬層與下金屬層的右側(cè)金屬層電性連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該第一電極層為鎳材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的薄膜芯片天線制作方法，其特征在于，該第二電極層為錫材料。
21.一種薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一基板； 一第一金屬層，設(shè)于該基板的表面上； 一第二金屬層，設(shè)于該基板的另一表面上； 一第一絕緣層,設(shè)于該第一金屬層的表面上 一第二絕緣層,設(shè)于該第二金屬層的表面上； 一上金屬層，設(shè)于該第一絕緣層上； 一下金屬層，設(shè)于該第二絕緣層上； 一電極層，設(shè)于該基板兩側(cè)與上`金屬層及下金屬層電性連接。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板為陶瓷材料的三氧化二鋁。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板的表面上還包含有多層的第一金屬層及多層的第一絕緣層，該多層的第一金屬層與該多層第一絕緣層呈交錯(cuò)堆疊。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一金屬層為銅材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一絕緣層為環(huán)氧樹(shù)脂或聚亞酰胺。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板的另一表面上還包含有多層的第二金屬層及多層的第二絕緣層，該多層的第二金屬層與該多層第二絕緣層呈交錯(cuò)堆疊。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二金屬層為銅材料。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二絕緣層為環(huán)氧樹(shù)脂或聚亞酰胺。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上金屬層為銅材料。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上金屬層上形成一缺口，該缺口使該上金屬層的左側(cè)金屬層與右側(cè)金屬層未電性連接。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該下金屬層為銅材料。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該下金屬層上形成一缺口，該缺口使該下金屬層的左側(cè)金屬層與右側(cè)金屬層未電性連接。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上金屬層及下金屬層設(shè)有一玻璃材料的保護(hù)層。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)層上印制有一圖案層。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案層為公司商標(biāo)圖案層、產(chǎn)品型號(hào)圖案層或制造日期圖案層。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該電極層包含有一第一電極層，及一設(shè)于該第一電極層表面上的第二電極層。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電極層使該上金屬層左側(cè)金屬層與下金屬層的左側(cè)金屬層電性連接，以及上金屬層右側(cè)金屬層與下金屬層的右側(cè)金屬層電性連接。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極層為鎳材料。
39.根據(jù)權(quán)利要求38 所述的薄膜芯片天線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極層為錫材料。
全文摘要
一種薄膜芯片天線制作方法及其結(jié)構(gòu)，以薄膜工藝制作芯片天線，首先，備有一基板，于該基板的表面上形成有一第一金屬層、一第一絕緣層。接著，于該基板的另一表面形成有一第二金屬層及一第二絕緣層，于該第一絕緣層及第二絕緣層的表面上制作有一上金屬層及一下金屬層。最后，再于該基板兩側(cè)制作電極層與該上金屬層及下金屬層電性連接后，以形成薄膜芯片天線。由于薄膜芯片天線利用第一金屬層及第二金屬層來(lái)耦合形成電容特性的薄膜芯片天線。
文檔編號(hào)H01Q1/38GK103247847SQ20121003098
公開(kāi)日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2012年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月6日
發(fā)明者簡(jiǎn)志宏 申請(qǐng)人:睿訊先進(jìn)科技股份有限公司