專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶載(tape carrier)型半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年，在大多數(shù)半導(dǎo)體裝置的制造工序中，為了牢固地固定被配置在基板上的半導(dǎo)體元件等電子部件，多采用利用樹脂來封裝被配置在基板上的電子部件的技術(shù)。而在采用上述技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的制造工序中，為了實(shí)現(xiàn)提高半導(dǎo)體元件質(zhì)量、削減制造成本、縮短制造時(shí)間等目的，如何更有效地利用樹脂來封裝電子部件已成為亟待解決的問題。在此，對(duì)于利用樹脂來封裝被配置在基板上的電子部件的技術(shù)，以往已經(jīng)揭露了各種用于提聞封裝效率的技術(shù)。例如，在專利文獻(xiàn)I中揭露了以下技術(shù)。即，在用樹脂封裝被裝載在配線基板上的裸芯片(bare chip)時(shí),為了防止樹脂向外側(cè)大幅蔓延,在配線基板的裸芯片裝載部上,設(shè)置比裸芯片大的圍欄，用于防止樹脂流向外側(cè)。在專利文獻(xiàn)2中揭露了以下技術(shù)。即，為了防止過量填充的液體狀樹脂流到基板上，在焊錫蝕刻膠部上設(shè)置貯存液體狀樹脂的凹部。在專利文獻(xiàn)3中揭露了以下技術(shù)。即，為了用最少量的樹脂有效地封裝IC芯片，將IC芯片的外形各邊、與絕緣保護(hù)膜的開口邊緣部之間的距離(間隙(clearance))設(shè)置為 0. 2mm 0. 5mm。此外，在專利文獻(xiàn)4中揭露了以下技術(shù)。即，為了使當(dāng)柔性基板彎曲時(shí)，底部填充(underfill)樹脂不易與基板剝離，在裝載電子部件的區(qū)域的外側(cè)，即應(yīng)力最集中的位置上，設(shè)有絕緣覆蓋膜的開口部。在該開口部中，使底部填充樹脂牢固地粘貼在柔性基板上。(現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置)在此，對(duì)現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。該現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置采用了利用樹脂來封裝被配置在基板上的電子部件的技術(shù)。圖7為表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置700的頂面圖。圖8為表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置700的側(cè)斷面圖。如圖7和圖8所示，半導(dǎo)體裝置700具有基板702、配線圖形704、絕緣保護(hù)膜706、以及半導(dǎo)體元件708。圖7和圖8所示的是，填充劑710被填充之前的半導(dǎo)體裝置700。而填充有填充劑710的半導(dǎo)體裝置700如下述圖9所示。 基板702即所謂柔性基板，具有柔軟性。在基板702的頂面，形成有配線圖形704。而形成有配線圖形704的基板702的頂面還被具有絕緣性的絕緣保護(hù)膜706所覆蓋。在絕緣保護(hù)膜706中，在用于設(shè)置半導(dǎo)體元件708的部分形成有開口部706a。在該現(xiàn)有技術(shù)例中，半導(dǎo)體元件708的外形為長(zhǎng)方形。相應(yīng)地，開口部706a的外形也與半導(dǎo)體元件708的外形大致相同，也為長(zhǎng)方形。然而，所述開口部706a的尺寸比半導(dǎo)體元件708大。具體來說，開口部706a所形成的長(zhǎng)方形的各邊長(zhǎng)與半導(dǎo)體元件708所形成的長(zhǎng)方形的各相應(yīng)邊長(zhǎng)相比，長(zhǎng)0. 4mm I. 0mm。因此，開口部706a的邊緣部與半導(dǎo)體元件708的邊緣部之間的間隙dl為0. 2mm .0.5mmo半導(dǎo)體元件708被設(shè)置在基板702的頂面，且位于開口部706a內(nèi)。該半導(dǎo)體元件708通過電極708a與配線圖形704相連接。(填充劑710的填充)在圖7和圖8所示的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置700中，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，如圖9所示，填充有填充劑710。圖9為表示填充有填充劑710后的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置700的側(cè)斷面擴(kuò)大圖。具體來說，將半導(dǎo)體元件708封裝在基板702的頂面上之后，再將填充劑710填充在形成于基板702頂面的開口部706a中。使用分配器900來填充填充劑710。在分配器900中，事先填充好充足的填充劑710。在使用填充劑710進(jìn)行填充時(shí)，首先，將分配器900的噴嘴部902置于開口部706a和半導(dǎo)體元件708之間的間隙內(nèi)(例如，圖7所示的位置P1)。然后，使填充劑710從噴嘴部902的前端噴出，同時(shí)沿開口部706a和半導(dǎo)體元件708之間的間隙移動(dòng)分配器900，將填充劑710注入開口部706a內(nèi)。由此，使填充劑710填充整個(gè)開口部706a的內(nèi)部?！船F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)〉專利文獻(xiàn)I :日本國(guó)專利申請(qǐng)公開公報(bào)“特開平11-214586號(hào)公報(bào)”，1999年8月6
日公開。專利文獻(xiàn)2 :日本國(guó)專利申請(qǐng)公開公報(bào)“特開2004-349399號(hào)公報(bào)”，2004年12月
9日公開。專利文獻(xiàn)3 :日本國(guó)專利申請(qǐng)公開公報(bào)“特開2005-175113號(hào)公報(bào)”，2005年6月30日公開。專利文獻(xiàn)4 :日本國(guó)專利申請(qǐng)公開公報(bào)“特開2009-4710號(hào)公報(bào)”，2009年I月8日公開。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，不能實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)靥畛錁渲?，即不可避免地使半?dǎo)體元件和基板之間的間隙內(nèi)產(chǎn)生未填充部分或氣泡等問題。例如，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)在基板頂面上形成絕緣保護(hù)膜，并使該絕緣保護(hù)膜硬化時(shí)，絕緣保護(hù)膜會(huì)產(chǎn)生硬化收縮。在上述現(xiàn)有技術(shù)中，由于只在基板頂面設(shè)有絕緣保護(hù)膜，因此當(dāng)所述絕緣保護(hù)膜產(chǎn)生硬化收縮時(shí)，基板會(huì)產(chǎn)生彎曲或起伏。而在半導(dǎo)體元件與基板之間的供注入樹脂的間隙僅為10 y m 30 y m左右，因此，若基板產(chǎn)生彎曲或起伏，則樹脂不能很好地流入半導(dǎo)體元件和基板之間的整個(gè)間隙。結(jié)果，導(dǎo)致在半導(dǎo)體元件和基板之間的間隙中產(chǎn)生未填充部分或氣泡等問題。上述問題會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的信賴性下降，例如產(chǎn)生半導(dǎo)體元件與基板間的粘合強(qiáng)度下降等問題。本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，該半導(dǎo)體裝置及其制造方法能夠?qū)崿F(xiàn)適當(dāng)?shù)靥畛涮畛鋭乖诎雽?dǎo)體元件和帶狀基材之間的間隙內(nèi)不會(huì)產(chǎn)生未填充部分或氣泡等問題。為了解決上述問題，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置為帶載型半導(dǎo)體裝置，在該半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件以與在帶狀基材的頂面所形成的配線圖形進(jìn)行電連接的狀態(tài)，被封裝在所述帶狀基材的頂面上，該半導(dǎo)體裝置的特征在于具有頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜，覆蓋所述帶狀基材的頂面；以及底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜，覆蓋所述帶狀基材的底面；在所述頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜中，設(shè)置有頂面?zhèn)乳_口部，該頂面?zhèn)乳_口部在所述帶狀基材的頂面上，且在與所述半導(dǎo)體元件對(duì)向的對(duì)向區(qū)域的至少一部分區(qū)域開口 ；在所述頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜中，還設(shè)置有突出開口部，該突出開口部向與所述半導(dǎo)體元件對(duì)向的所述對(duì)向區(qū)域的外側(cè)突出；在所述底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜中，設(shè)置有底面?zhèn)乳_口部，該底面?zhèn)乳_口部在位于所述頂面?zhèn)乳_口部背面?zhèn)鹊牟糠珠_口 ；所述底面?zhèn)乳_口部的開口尺寸為，位于所述帶狀基材頂面上的所述對(duì)向區(qū)域的尺寸的I. OO倍 8. 50倍；所述半導(dǎo)體元件與所述對(duì)向區(qū)域之間填充有填充劑。根據(jù)上述技術(shù)方案，由于使帶狀基材的頂面和底面均產(chǎn)生絕緣保護(hù)膜硬化時(shí)產(chǎn)生的收縮，因此，能夠使帶狀基材的頂面?zhèn)人a(chǎn)生的彎曲與帶狀基材底面?zhèn)人a(chǎn)生的彎曲相互抵消。這一方案在帶載型半導(dǎo)體裝置的制造工序中很有意義。具體來說，在帶載型半導(dǎo)體裝置的制造工序中，在形成了絕緣保護(hù)膜之后，將半導(dǎo)體元件封裝在未形成絕緣保護(hù)膜的頂面?zhèn)乳_口部(內(nèi)導(dǎo)線部)，半導(dǎo)體元件被封裝后，在半導(dǎo)體元件和頂面?zhèn)乳_口部之間填充樹脂。由于設(shè)置有封裝半導(dǎo)體元件所需的頂面?zhèn)乳_口部，因此，需要抑制在形成頂面?zhèn)乳_口部的區(qū)域中帶狀基材所產(chǎn)生的彎曲。因此，假使不設(shè)置底面?zhèn)乳_口部，而在底面的整個(gè)面上都形成絕緣保護(hù)膜，則在頂面?zhèn)乳_口部中，帶狀基材的單側(cè)的面會(huì)產(chǎn)生彎曲。對(duì)此，根據(jù)上述技術(shù)方案，通過設(shè)置底面?zhèn)乳_口部，能夠避免上述事態(tài)的發(fā)生。因此，能夠使填充劑很好地流入半導(dǎo)體元件與帶狀基材之間的整個(gè)間隙中。 此外，通常，在帶狀基材的頂面上，且在位于半導(dǎo)體元件和頂面?zhèn)乳_口部的邊緣部之間的間隙部分中，設(shè)置有用于在裝載半導(dǎo)體元件時(shí)進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)記(十字形或L字形等)。然而，若帶狀基材底面上的位于該標(biāo)記背面?zhèn)鹊奈恢帽坏酌鎮(zhèn)冉^緣保護(hù)膜覆蓋，則在半導(dǎo)體元件裝載時(shí)會(huì)給位置對(duì)準(zhǔn)帶來問題。在此，底面?zhèn)乳_口部的尺寸至少為，帶狀基材頂面上與半導(dǎo)體元件對(duì)向的區(qū)域的尺寸的I. 00倍，從而可以避免帶狀基材底面上的位于所述標(biāo)記背面?zhèn)鹊奈恢帽坏酌鎮(zhèn)冉^緣保護(hù)膜覆蓋。因此，在裝載半導(dǎo)體元件時(shí)，在進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的過程中不會(huì)產(chǎn)生問題。此外，如上所述，所述底面?zhèn)乳_口部的尺寸為，位于所述帶狀基材頂面上的所述對(duì)向的區(qū)域的尺寸的I. 00倍 8. 50倍，由此，通過半導(dǎo)體裝置的底面來固定該半導(dǎo)體裝置時(shí)，既能夠避免裝置工具與底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜相互干涉，又能夠防止帶狀基材彎曲。本發(fā)明的制造方法為帶載型半導(dǎo)體裝置的制造方法，在該半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件以與在帶狀基材的頂面所形成的配線圖形進(jìn)行電連接的狀態(tài)，被封裝在所述帶狀基材的頂面上，該半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包含形成頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的工序，形成頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜，該頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜覆蓋所述帶狀基材的頂面；以及形成底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的工序，形成底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜，該底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜覆蓋所述帶狀基材的底面；在經(jīng)所述形成頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的工序而形成的所述頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜中，設(shè)置有頂面?zhèn)乳_口部和突出開口部，該頂面?zhèn)乳_口部在所述帶狀基材的頂面上，且在與所述半導(dǎo)體元件對(duì)向的對(duì)向區(qū)域的至少一部分區(qū)域開口，該突出開口部向與所述半導(dǎo)體元件對(duì)向的所述對(duì)向區(qū)域的外側(cè)突出；在經(jīng)所述形成底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的工序而形成的所述底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜中，設(shè)置有底面?zhèn)乳_口部，該底面?zhèn)乳_口部在位于所述頂面?zhèn)乳_口部背面?zhèn)鹊牟糠珠_口，且該底面?zhèn)乳_口部的開口尺寸為，位于所述帶狀基材頂面上的所述對(duì)向區(qū)域的尺寸的1.00倍 8. 50倍；所述半導(dǎo)體裝置的制造方法還包括填充填充劑的工序，將填充劑自所述突出開口部，填充入位于所述帶狀基材的頂面上的與所述半導(dǎo)體元件對(duì)向的區(qū)域。根據(jù)上述技術(shù)方案，在制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，能夠起到與以上所述本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置同樣的效果。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，能夠?qū)崿F(xiàn)適當(dāng)?shù)靥畛涮畛鋭?，使在半?dǎo)體元件和帶狀基材之間的間隙內(nèi)不會(huì)產(chǎn)生未填充部分或氣泡等問題。


圖I為表示實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的頂面圖。圖2為表示實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的側(cè)斷面圖。圖3為表示實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的側(cè)斷面擴(kuò)大圖。圖4為表示實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的頂面圖。圖5為表示實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的頂面圖。圖6為表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的頂面圖。圖7為表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的頂面圖。圖8為表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的側(cè)斷面圖。圖9為表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的側(cè)斷面擴(kuò)大圖?！锤綀D標(biāo)記說明〉100 半導(dǎo)體裝置102 帶狀基材104 配線圖形106 頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106a 頂面?zhèn)乳_口部106b 突出開口部108 半導(dǎo)體元件108a 電極110 填充劑112 底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112a 底面?zhèn)乳_口部
具體實(shí)施例方式下面參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。[實(shí)施方式I]圖I為表示本發(fā)明實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100的頂面圖。圖2為表示實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100的側(cè)斷面圖。在此，雖然在圖I中僅表示了一個(gè)半導(dǎo)體裝置100的例子，但實(shí)際上，在帶狀基材102的延伸方向上等間距地形成有多個(gè)半導(dǎo)體裝置100。下面僅對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體裝置100中的一個(gè)半導(dǎo)體裝置100進(jìn)行說明。多個(gè)半導(dǎo)體裝置100中的其他半導(dǎo)體裝置100均與在此將要說明的一個(gè)半導(dǎo)體裝置100相同，因此省略了關(guān)于其他半導(dǎo)體裝置100的說明。<半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)>
實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100為帶載型半導(dǎo)體裝置，具有帶狀基材102、配線圖形104、頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106、半導(dǎo)體元件108、填充層110、以及底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112。(帶狀基材IO2)帶狀基材102即所謂柔性基板，具有柔軟性。使用具有柔軟性的絕緣體來作為帶狀基材102的材料。例如，帶狀基材102可以采用厚度為1211111 5011111的呈帶狀的聚亞胺樹脂等材料。(半導(dǎo)體元件108)半導(dǎo)體元件108為用于封裝在帶狀基材102上的元件。在半導(dǎo)體元件108的與帶狀基材102對(duì)向的面上，設(shè)有電極108a。電極108a、與帶狀基材102上所形成的配線圖形104的端子，通過金屬錫球等進(jìn)行了電連接(參照?qǐng)D3)?？梢圆捎矛F(xiàn)有的半導(dǎo)體元件來作為半導(dǎo)體元件108。例如，若本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100被用作圖像顯示裝置的驅(qū)動(dòng)單元，則 可以采用顯示驅(qū)動(dòng)裝置作為半導(dǎo)體元件108。(配線圖形104)為了使半導(dǎo)體元件108與未圖示的外部裝置進(jìn)行電連接，在帶狀基材102的頂面上，形成有配線圖形104。若如上所述將顯示驅(qū)動(dòng)裝置用作半導(dǎo)體元件108，則通過形成于帶狀基材102上的配線圖形104，能夠?qū)︼@示驅(qū)動(dòng)裝置、和相當(dāng)于所述外部裝置的顯示單元進(jìn)行電連接。如下所述，配線圖形104中的一部分被頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106所覆蓋。具體來說，配線圖像104與半導(dǎo)體元件108的電極108a進(jìn)行電連接的部分、以及該部分附近的部分，未被頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106所覆蓋。該未覆蓋部分(露出部分)也稱為配線圖形104的內(nèi)導(dǎo)線部。并且，在配線圖像104中，位于與半導(dǎo)體元件108 —側(cè)相反的一側(cè)的外部端子連接用端部、以及該端部附近的部分，也未被頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106所覆蓋。該未覆蓋部分(露出部分)也稱為配線圖形104的外導(dǎo)線部。 延長(zhǎng)部 104a在配線圖形104的內(nèi)導(dǎo)線部的一部分中還形成有延長(zhǎng)部104a。該延長(zhǎng)部104a自所述配線圖形104與半導(dǎo)體元件108連接的部分起，向所述頂面?zhèn)乳_口部106a的中心部延長(zhǎng)。具體來說，延長(zhǎng)部104a大致從半導(dǎo)體元件108的電極108a的位置起，向頂面?zhèn)乳_口部106a的中心延伸。按照上述方案設(shè)置延長(zhǎng)部104a，從而使注入頂面?zhèn)乳_口部106a內(nèi)的填充劑110沿延長(zhǎng)部104a，流入整個(gè)頂面?zhèn)乳_口部106a。即，對(duì)于本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100，填充劑110能夠經(jīng)半導(dǎo)體元件和帶狀基材之間的間隙，容易地流入頂面?zhèn)乳_口部106a的內(nèi)側(cè)。因此，根據(jù)本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100，能夠在半導(dǎo)體元件與帶狀基材之間的間隙中適當(dāng)?shù)靥畛涮畛鋭?。在本?shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，延長(zhǎng)部104a的線寬為0. 05mm 0. 20mm。
其理由如下所示。在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，所述延長(zhǎng)部104a被用作電源線。因此，當(dāng)所述延長(zhǎng)部104a的線寬小于0. 05mm時(shí)，若向所述延長(zhǎng)部104a施加電壓，則該延長(zhǎng)部104a有可能因無法承受電力而被燒焦。
此外，當(dāng)所述延長(zhǎng)部104a的線寬大于0. 20mm時(shí)，由于所述延長(zhǎng)部104a的表面積較大，因而有礙半導(dǎo)體裝置100的小型化。而且，當(dāng)所述延長(zhǎng)部104a的線寬大于0. 20mm時(shí)，帶狀基材中位于頂面?zhèn)乳_口部106a內(nèi)側(cè)的部分的露出面積將會(huì)減少，而所述延長(zhǎng)部104a的表面積將會(huì)增加。一般來說，用于封裝半導(dǎo)體元件的填充劑與配線圖形表面間的密合性，沒有該填充劑與帶狀基材的露出部分間的密合性高。因此，在頂面?zhèn)乳_口部106a內(nèi)側(cè)，延長(zhǎng)部104a的表面積越大，填充劑就越容易剝離?？傊?，在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，為了兼顧防止延長(zhǎng)部104a被燒焦，和提高防止填充劑110剝離的效果,延長(zhǎng)部104a的線寬的最佳值為0. 05mm 0. 20mm。 然而，延長(zhǎng)部104a的線寬并不限于0.05mm 0.20mm。延長(zhǎng)部104a的線寬既可以小于0. 05mm,又可以大于0. 20mm。此外，圖I等所示的是，延長(zhǎng)部104a的一端與電極108a相連，而另一端在中途中斷。而本發(fā)明并不限于此，如延長(zhǎng)部104a的兩端均與電極108a相連等配置方案都可以。(頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106)頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106覆蓋了形成有配線圖形104的帶狀基材102的頂面中的一部分。頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106主要用于防止配線圖形104相互接觸導(dǎo)致短路。因此，使用絕緣性材料來作為頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106。頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106即所謂焊錫蝕刻膠。舉例來說，頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106可以采用蜜胺樹脂、環(huán)氧樹脂、聚亞胺樹脂等材料。頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106中設(shè)有頂面?zhèn)乳_口部106a，該頂面?zhèn)乳_口部106a在位于帶狀基材102的頂面、且與半導(dǎo)體元件108對(duì)向的區(qū)域中開口。 頂面?zhèn)乳_口部106a在本實(shí)施方式I中，頂面?zhèn)乳_口部106a具有與半導(dǎo)體元件108的外形大致相同的形狀。具體來說，如圖I所示，半導(dǎo)體元件108的外形為長(zhǎng)方形。相應(yīng)地，頂面?zhèn)乳_口部106a的外形也與半導(dǎo)體元件108的外形大致相同，也為長(zhǎng)方形。通過形成頂面?zhèn)乳_口部106a，使上述配線圖形104的內(nèi)導(dǎo)線部露出。從而使設(shè)置在頂面?zhèn)乳_口部106a上的半導(dǎo)體元件108的電極(錫球)108a、與配線圖形104的內(nèi)導(dǎo)線部的端子進(jìn)行電連接。在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，如圖I所示，頂面?zhèn)乳_口部106a僅比半導(dǎo)體元件108稍大一點(diǎn)。具體來說，頂面?zhèn)乳_口部106a所形成的長(zhǎng)方形的各邊長(zhǎng)與半導(dǎo)體元件108所形成的長(zhǎng)方形的各相應(yīng)邊長(zhǎng)相比，僅稍長(zhǎng)一點(diǎn)。特別優(yōu)選，頂面?zhèn)乳_口部106a所形成的長(zhǎng)方形的各邊長(zhǎng)與半導(dǎo)體元件108所形成的長(zhǎng)方形的各相應(yīng)邊長(zhǎng)相比，長(zhǎng)出的范圍不超過0.50mm。由此，頂面?zhèn)乳_口部106a的邊緣部與半導(dǎo)體元件108的邊緣部之間的間隙d2在0. 25mm以下。其理由如下所示。優(yōu)選使頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸在比半導(dǎo)體元件108的尺寸大的基礎(chǔ)上盡量小。其理由在于，頂面?zhèn)乳_口部106a越大，在將半導(dǎo)體元件108裝載在帶狀基材102的頂面上時(shí)，沒有被絕緣覆蓋的配線區(qū)域就越大，則因附著導(dǎo)電性異物而導(dǎo)致產(chǎn)生短路等問題的可能性就越大。
然而，通過特意設(shè)置間隙d2，在該間隙d2內(nèi)，能夠設(shè)置在裝載半導(dǎo)體元件時(shí)用于對(duì)準(zhǔn)位置的標(biāo)記(十字形或L字形等)。由此，能夠在裝載半導(dǎo)體元件時(shí)提高對(duì)準(zhǔn)位置時(shí)的精度。而且，還能夠使半導(dǎo)體元件108的側(cè)面適度地被填充劑110所覆蓋，從而能夠更好地確保半導(dǎo)體元件108的粘合強(qiáng)度。因以上理由，在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，優(yōu)選設(shè)置間隙d2，且該間隙d2的寬度不超過0.2mm。此外，頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸所允許的公差為0.05mm。因此，優(yōu)選間隙d2的寬度為不超過0. 25mm。如上所述，在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，頂面?zhèn)乳_口部106a與半導(dǎo)體元件108的邊緣部之間的間隙非常小。即，使頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸在比半導(dǎo)體元件108 的尺寸大的基礎(chǔ)上盡量小。由此，本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100能夠防止產(chǎn)生諸如過量使用填充劑110等因開口部過大所導(dǎo)致的各種問題。如上所述，填充劑110是從突出開口部106b注入的。因此，盡管頂面?zhèn)乳_口部106a與半導(dǎo)體元件108的邊緣部之間的間隙非常小，也不會(huì)產(chǎn)生難以注入填充劑110等問題。 突出開口部106b在本實(shí)施方式I中，在頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106上所形成的頂面?zhèn)乳_口部106a的附圖左上角以及附圖右上角的部分中，分別形成有突出開口部106b。該突出開口部106b大致呈圓形，自頂面?zhèn)乳_口部106a的中心部分起向外側(cè)局部性突出。由此，如在下述制造工序中所說明的，在注入填充劑110時(shí)，可以向突出開口部106b注入填充劑110。在此，在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，突出開口部106b位于距離半導(dǎo)體元件108最遠(yuǎn)的位置上，自帶狀基材102上與半導(dǎo)體元件108對(duì)向的區(qū)域的端部起向外側(cè)偏離0. 4mm I. 0_。其理由如下所示。如圖3所示，在注入填充劑110時(shí)，使用分配器300，使填充劑110從該分配器300的噴嘴部302向突出開口部106b內(nèi)噴出。一般來說，用來注入填充劑110的分配器的噴嘴部?jī)?nèi)徑約為0. 25mm。本實(shí)施方式I的噴嘴部302也不例外，其內(nèi)徑約為0. 25mm。因此，若所述偏離值小于0. 4mm，則注入填充劑110時(shí)，不易對(duì)準(zhǔn)噴嘴部302的位置。此外，若噴嘴部302與半導(dǎo)體元件108接觸，則注入填充劑110時(shí)會(huì)產(chǎn)生問題。因此，在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，偏離半導(dǎo)體元件108的所述偏離值至少為0. 4mm。此外，若所述偏離值超過I. Omm,則未被絕緣覆蓋的配線區(qū)域變大，從而使產(chǎn)生因附著導(dǎo)電性異物而導(dǎo)致的短路、或因配線部分的強(qiáng)度不足而導(dǎo)致的斷線等問題的可能性增大。因此，在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，所述偏離值為I. Omm以下。總之，在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，為了更易于注入填充劑110，并防止產(chǎn)生因配線區(qū)域變大所導(dǎo)致的問題，所述偏離值被設(shè)置為最佳數(shù)值，即0. 4mm I. 0_。然而，所述偏離值并不限于0.4_ 1.0mm。S卩，所述偏離值既可以小于0.4_，也可以超過1. 0_，這些數(shù)值都落在本發(fā)明的范圍內(nèi)?？傊怀鲩_口部106b只要與半導(dǎo)體元件108之間能夠形成足夠注入填充劑110的間隙即可。在此，“帶狀基材102上與半導(dǎo)體元件108對(duì)向的對(duì)向區(qū)域的端部”實(shí)質(zhì)上相當(dāng)于在圖I所示的半導(dǎo)體裝置100的頂面圖中的半導(dǎo)體元件108的外圍。此外，在注入填充劑110時(shí)，不需要將噴嘴部302完全置于突出開口部1 06b內(nèi)，只要噴嘴部302內(nèi)徑的50%以上被置于突出開口部106b內(nèi)即可。(填充劑110)如圖3所示，填充劑110被填充在圖I及圖2所示的半導(dǎo)體裝置100中。圖3為表示填充了填充劑110后的實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100的側(cè)斷面擴(kuò)大圖。在將半導(dǎo)體元件108設(shè)置在帶狀基材102的頂面上之后，將填充劑110填充在形成于帶狀基材102的頂面上的頂面?zhèn)乳_口部106a。所述填充劑110主要用于提高半導(dǎo)體元件108與帶狀基材102之間的粘合強(qiáng)度，保護(hù)半導(dǎo)體元件108的電極108a的表面，以及防止異物混入半導(dǎo)體元件108和帶狀基材102之間。在此，半導(dǎo)體元件108的電極108a自半導(dǎo)體元件108本身向其下方(即，靠近帶狀基材102的方向)稍有突出。因此，設(shè)置半導(dǎo)體元件108之后，在半導(dǎo)體元件108與帶狀基材102之間會(huì)產(chǎn)生非常小的間隙。在頂面?zhèn)乳_口部106a中填充的填充劑110，在所述頂面?zhèn)乳_口部106a內(nèi)，因毛細(xì)管現(xiàn)象的作用，進(jìn)入半導(dǎo)體元件108與帶狀基材102之間的間隙，從而填充該間隙。此外，通過頂面?zhèn)乳_口部106a的邊緣部，亦即通過帶狀基材102與頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106之間的高低差，不僅能夠堵住填充劑110，使填充劑110沿該邊緣部填充，還能夠防止填充劑110輕易地流至頂面?zhèn)乳_口部106a外。此時(shí)，在頂面?zhèn)乳_口部106a與半導(dǎo)體元件108之間的間隙中，填充劑110呈帶狀(fillet)，且覆蓋半導(dǎo)體元件108的側(cè)面。采用具有流動(dòng)性和絕緣性的材料來作為填充劑110。例如，填充劑110可以采用環(huán)氧樹脂。作為優(yōu)選，填充劑110采用經(jīng)加熱而產(chǎn)生熱硬化的材料或者經(jīng)紫外線等光的照射而產(chǎn)生光硬化的材料。另外，在頂面?zhèn)乳_口部106a的周邊部分上形成有厚度為5 i! m 30 i! m的薄膜，其中，所述周邊部分是指，在頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106的頂面，自頂面?zhèn)乳_口部106a起向外側(cè)延伸2mm 3mm的部分。在下述填充填充劑的工序中，對(duì)于遍布整個(gè)頂面?zhèn)乳_口部106a的填充劑110來說，有時(shí)，該填充劑110的一部分會(huì)越過頂面?zhèn)乳_口部106a的所述邊緣部，而蔓延至頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106的上部。在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，正是利用該現(xiàn)象來形成上述薄膜的。由此，能夠提高所述頂面?zhèn)乳_口部106a的周邊部分的強(qiáng)度，從而提高配線圖形104在被施加應(yīng)力等情況下的耐斷線性。用于封裝半導(dǎo)體元件的填充劑分為與頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜非浸潤(rùn)的填充劑、和與頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜浸潤(rùn)的填充劑。在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，采用的是與頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106相親和的填充劑110。因此，即使填充劑110如上述那樣蔓延至頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106的上部，該填充劑110的厚度也僅為5 ii m 30 ii m。因此，可以保持帶載型半導(dǎo)體裝置的彎曲性，因而并不存在使用上的問題。
(底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112)如圖2所示，本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100還具有底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112。底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112覆蓋帶狀基材102的底面。底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112主要用于防止帶狀基材102單側(cè)的面彎曲。此外，若帶狀基材102的底面上設(shè)置有配線圖形或金屬端子等具有導(dǎo)電性的部件，則底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112還用于防止這些具有導(dǎo)電性的部件彼此發(fā)生接觸導(dǎo)致短路。因此，底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112與頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106 —樣，優(yōu)選采用蜜胺樹脂、環(huán)氧樹脂、聚亞胺樹脂等絕緣性材料。如圖I和圖2所示，在底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112的位于頂面?zhèn)乳_口部106a的背面?zhèn)鹊牟糠种校哂械酌鎮(zhèn)乳_口部112a。在該實(shí)施方式I中，底面?zhèn)乳_口部112a的外形、與半導(dǎo)體元件108的外形和頂面?zhèn)乳_口部106a的外形大致相同。具體為，如圖I所示，半導(dǎo)體元件108的外形和頂面?zhèn)乳_口部106a的外形均為長(zhǎng)方形。相應(yīng)地，底面?zhèn)乳_口部112a的外形也為長(zhǎng)方形。如上所述，在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，帶狀基材102的底面設(shè)有底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112，該底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112具有底面?zhèn)乳_口部112a。由此，通過使帶狀基材102的頂面和底面均產(chǎn)生絕緣保護(hù)膜的硬化收縮，能夠使帶狀基材的頂面?zhèn)犬a(chǎn)生的彎曲、與帶狀基材底面?zhèn)犬a(chǎn)生的彎曲相互抵消。因此，能夠防止帶狀基材102單側(cè)的面發(fā)生彎曲。該底面?zhèn)乳_口部112a的尺寸特別優(yōu)選為帶狀基材102頂面上與半導(dǎo)體元件108對(duì)向的區(qū)域的尺寸的I. 00倍 8. 50倍。其理由如下所示。通常，在帶狀基材的頂面上，在半導(dǎo)體元件與頂面?zhèn)乳_口部的邊緣部之間的間隙部分上，設(shè)有在裝載半導(dǎo)體元件時(shí)用來對(duì)準(zhǔn)位置的標(biāo)記(十字形或L字形等)。然而，若帶狀基材的底面中位于該標(biāo)記背面?zhèn)鹊奈恢帽坏酌鎮(zhèn)冉^緣保護(hù)膜覆蓋，則會(huì)在裝載半導(dǎo)體元件時(shí)，給位置對(duì)準(zhǔn)帶來問題。在此，在本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100中，底面?zhèn)乳_口部112a的尺寸至少為帶狀基材102頂面上與半導(dǎo)體元件108對(duì)向的區(qū)域的尺寸的I. 00倍，因此能夠避免帶狀基材102的底面中位于所述標(biāo)記背面?zhèn)鹊奈恢帽坏酌鎮(zhèn)冉^緣保護(hù)膜112覆蓋。因此，在裝載半導(dǎo)體元件時(shí)所進(jìn)行的位置對(duì)準(zhǔn)的過程中不會(huì)產(chǎn)生問題。底面?zhèn)乳_口部112a的尺寸最大為帶狀基材102頂面中與半導(dǎo)體元件108對(duì)向的區(qū)域的尺寸的8. 50倍。由此，通過半導(dǎo)體裝置的底面來 固定半導(dǎo)體裝置時(shí)，既能夠避免裝置工具與底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜相互干涉，又能夠防止帶狀基材彎曲。換言之，若底面?zhèn)乳_口部112a的尺寸超過8. 50倍，則將不能使底面?zhèn)鹊膹澢c頂面?zhèn)鹊膹澢嗷サ窒?。而且，若底面?zhèn)乳_口部112a的尺寸超過8. 50倍，則底面?zhèn)乳_口部112a的尺寸將大于等于用模具切出半導(dǎo)體裝置100的形狀時(shí)所切出的區(qū)域的尺寸，從而導(dǎo)致切出后再次產(chǎn)生彎曲。因此，底面?zhèn)乳_口部112a的尺寸要為帶狀基材102頂面中與半導(dǎo)體元件108對(duì)向的對(duì)向區(qū)域的尺寸的I. 00倍 8. 50倍。〈半導(dǎo)體裝置的制造方法〉本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100的制造工序的一個(gè)例子如下所示。(形成配線圖形的工序)首先，在帶狀基材102的表面形成配線圖形104。例如，先在帶狀基材102上用層壓法(laminate)或?yàn)R射法形成銅箔，然后對(duì)銅箔進(jìn)行蝕刻加工，由此形成配線圖形104。
(形成頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的工序)然后，再在形成有配線圖形104的帶狀基材102的頂面，形成頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106。具體來說，此時(shí)，為了在該頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106中的與半導(dǎo)體元件108對(duì)向的對(duì)向區(qū)域上形成頂面?zhèn)乳_口部106a，以避開配線圖像104的內(nèi)導(dǎo)線部和外導(dǎo)線部的方式涂覆材料，從而形成具有頂面?zhèn)乳_口部106a的頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106。然后，通過熱硬化或光硬化等根據(jù)材料的不同而施加的硬化處理，使形成于帶狀基材102頂面的頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106硬化。(形成底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的工序)在帶狀基材102的底面，形成底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112。具體來說，此時(shí)，為了在該底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112中形成底面?zhèn)乳_口部112a，以避開要形成底面?zhèn)乳_口部112a的區(qū)域的方式涂覆材料，從而形成具有底面?zhèn)乳_口部112a的底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112。然后，通過熱硬 化或光硬化等根據(jù)材料的不同而施加的硬化處理，使形成于帶狀基材102底面的底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜112硬化。(封裝半導(dǎo)體元件的工序)然后，將半導(dǎo)體元件108封裝在帶狀基材102上，對(duì)配線圖形104和半導(dǎo)體元件108的電極108a進(jìn)行電連接。此時(shí),根據(jù)帶狀基材102上所設(shè)的調(diào)整標(biāo)記(alignment mark)來進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。在配線圖形104的表面，至少對(duì)該配線圖形104與半導(dǎo)體元件108進(jìn)行電連接的部分施加鍍錫或鍍金。在此，在自帶狀基材102的底面一側(cè)，對(duì)配線圖形104進(jìn)行加熱后，使半導(dǎo)體元件108的電極108a對(duì)配線圖形104進(jìn)行加壓。由此，通過形成金-錫共晶合金或金-金熱壓接，使電極108a和與該電極108a相對(duì)應(yīng)的配線圖形104以電連接的狀態(tài)緊貼在一起。即，半導(dǎo)體元件108與配線圖形104進(jìn)行了電連接，且半導(dǎo)體元件108被固定在帶狀基材102上。(填充填充劑的工序)然后，填充填充劑110。在填充過程中使用現(xiàn)有的分配器300。分配器300中事先填充了足夠量的填充劑110。填充填充劑110時(shí)，首先將分配器300的噴嘴部302置于突出開口部106b內(nèi)(例如，圖I所示的位置P2)。然后，使填充劑110從噴嘴部302的前端噴出，由此將填充劑110注入突出開口部106b內(nèi)。在本實(shí)施方式I中，突出開口部106b位于距離半導(dǎo)體元件108最遠(yuǎn)的位置，該突出開口部106b自半導(dǎo)體元件108偏離出0. 4mm I. 0mm。由此，在注入填充劑110時(shí)，可以從突出開口部106b注入填充劑110。此時(shí)，只要至少將分配器300的噴嘴部302置于突出開口部106b內(nèi)即可，因此，能夠容易地設(shè)置分配器300的噴嘴部302的位置。此外，還能夠使在設(shè)置分配器300的噴嘴部302的位置時(shí)，允許產(chǎn)生誤差。正如以上已經(jīng)說明的那樣，填充劑110具有流動(dòng)性。因此，填充劑110自突出開口部106b進(jìn)入頂面?zhèn)乳_口部106a內(nèi)后，因毛細(xì)管現(xiàn)象的作用，該填充劑110在半導(dǎo)體元件108和帶狀基材102之間蔓延，直至遍布整個(gè)頂面?zhèn)乳_口部106a。[實(shí)施方式2]在下面將要說明的本實(shí)施方式2中，僅對(duì)與上述實(shí)施方式I的不同點(diǎn)進(jìn)行說明。因此，為了便于說明，對(duì)與實(shí)施方式I中的部件具有相同功能的部件賦予相同的參照標(biāo)記，并省略其說明。圖4為表示實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置100的頂面圖。如圖4所示，圖4中的半導(dǎo)體裝置100與實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100的不同之處在于，在圖4中的半導(dǎo)體裝置100中，頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸比半導(dǎo)體元件108的對(duì)向面(與帶狀基材102對(duì)向的面)的尺寸小。具體來說，頂面?zhèn)乳_口部106a所形成的長(zhǎng)方形的各邊長(zhǎng)均比半導(dǎo)體元件108所形成的長(zhǎng)方形的相應(yīng)各邊長(zhǎng)稍短一點(diǎn)。
在不妨礙半導(dǎo)體元件108的電極108a、與配線圖形104的內(nèi)導(dǎo)線部的端子進(jìn)行連接的情況下，可以縮小頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸。此時(shí)，在本實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置100中，通過使頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸小于半導(dǎo)體元件108的對(duì)向面(與帶狀基材102對(duì)向的面)的尺寸，能夠防止產(chǎn)生過量消耗填充劑110等因開口部過大所導(dǎo)致的各種問題。在此，由于頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸小于半導(dǎo)體元件108的與帶狀基材102對(duì)向的面的尺寸，因此，半導(dǎo)體元件108的邊緣部與頂面?zhèn)乳_口部106a的邊緣部之間不存在間隙。然而，在本實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置100中，與實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100相同，突出開口部106b露出至半導(dǎo)體元件108的外側(cè)，因此能夠順利地自突出開口部106b注入填充劑110。(變形例)頂面?zhèn)乳_口部106a的形狀及設(shè)置位置并不限于實(shí)施方式I和2所述的方案。只要頂面?zhèn)乳_口部106a至少能夠保證用填充入該頂面?zhèn)乳_口部106a的填充劑110，使半導(dǎo)體元件108與帶狀基材102以適度地粘合強(qiáng)度粘貼在一起，則該頂面?zhèn)乳_口部106a無論具有什么形狀，無論被設(shè)置在什么位置都可以。另外，突出開口部106b的形狀及設(shè)置位置也并不限于實(shí)施方式I和2所述的方案。只要突出開口部106b形成有足夠的間隙，且該間隙至少能夠使填充劑110自遠(yuǎn)離半導(dǎo)體元件108的位置注入，則該突出開口部106b無論具有什么形狀，無論被設(shè)置在什么位置都可以。然而，如實(shí)施方式I和2中例舉的那樣，作為優(yōu)選，突出開口部106b為部分呈具有注入填充劑110所需的足夠間隙的圓形、矩形、多邊形、以及其他形狀。下面通過實(shí)施方式3，對(duì)頂面?zhèn)乳_口部106a和突出開口部106b的變形例進(jìn)行說明。[實(shí)施方式3]圖5為表示實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100的頂面圖。如圖5所示，在本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100中，與實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置100相同的是，在半導(dǎo)體元件108的左上角部附近設(shè)有突出開口部106b。然而，在本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100中，與實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置100不同的是，頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸與半導(dǎo)體元件108的尺寸相比，比實(shí)施方式2中的方案所示的尺寸更小。并且，在本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100中，在頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106上，設(shè)有開口部106c，該開口部106c連接頂面?zhèn)乳_口部106a和突出開口部106b，主要用作填充劑110的流入通道。至于本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100的其他結(jié)構(gòu)，均與實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置100相同，因此在此省略其說明。
如上所述，在本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100中，頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸與半導(dǎo)體元件108的尺寸相比，比實(shí)施方式2中的方案所示的尺寸更小。因此，在本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100中，能夠防止產(chǎn)生過量消耗填充劑110等因開口部過大所導(dǎo)致的各種問題。此外，在本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100、與實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置100中，雖然二者的開口部的形狀不同，但二者均具有突出開口部106b，且二者的突出開口部106b均形成有供注入填充劑110所需的足夠間隙。因此，在本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100中，在注入填充劑110時(shí)，只要是注入在突出開口部106b內(nèi)，從任何位置開始注入填充劑110都可以。
在本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100中，與實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置100相同，也是自突出開口部106b注入填充劑110。因此，雖然頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸變小，但也并不會(huì)產(chǎn)生難以注入填充劑110等問題。在圖5所示的本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100中，通過縮小頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸，配線圖形104中的要與半導(dǎo)體元件108的電極108a相連接的部分被頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106覆蓋。因此，在實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100中，在設(shè)置半導(dǎo)體元件108時(shí)，適度地對(duì)半導(dǎo)體元件108加壓，使電極108a突破頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106。由此，電極108a和/或配線圖形104突破頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106，從而實(shí)現(xiàn)電極108a與配線圖形104間的電連接。在本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100中，頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106的厚度約為lOiim，而電極108a的突出量約為15 iim 20 iim，因此，通過上述方法能夠?qū)崿F(xiàn)電極108a與配線圖形104間的電連接。[實(shí)施方式4]圖6為表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置100的頂面圖。如圖6所示，在本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置100中，與實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100的不同之處在于，整個(gè)頂面?zhèn)乳_口部106a大致呈圓形，而該頂面?zhèn)乳_口部106a中的一部分被作為突出開口部106b，該突出開口部106b自半導(dǎo)體元件108的下邊中央部分向外側(cè)突出。本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置100的其他結(jié)構(gòu)均與實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100相同，因此省略其說明。如上所述，在本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置100中，整個(gè)頂面?zhèn)乳_口部106a大致呈圓形，而該頂面?zhèn)乳_口部106a的一部分被作為突出開口部106b，該突出開口部106b自半導(dǎo)體元件108的下邊中央部分向外側(cè)突出。于是，整個(gè)頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸變小。因此，在本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置100中，能夠防止產(chǎn)生過量消耗填充劑110等因開口部過大所導(dǎo)致的各種問題。在本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置100中，由于所采用的頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106在設(shè)置半導(dǎo)體元件108的位置的中央附近具有開口部，因此，該頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106可通用于外形各異的各種半導(dǎo)體元件100中。此外，在本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置100、與實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100中，雖然二者的突出開口部106b的形狀不同，但二者均具有突出開口部106b，且二者的突出開口部106b均形成有供注入填充劑110所需的足夠間隙。因此，在本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置100中，在注入填充劑110時(shí)，只要是注入在突出開口部106b內(nèi)，從任何位置開始注入填充劑110都可以。
在本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置100中，與實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置100相同，也是自突出開口部106b注入填充劑110。因此，雖然整個(gè)頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸變小，但也并不會(huì)產(chǎn)生難以注入填充劑110等問題。此外，與實(shí)施方式3相同，在本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置100中，也是通過縮小頂面?zhèn)乳_口部106a的尺寸，使配線圖形104中的要與半導(dǎo)體元件108的電極108a相連接的部分被頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106覆蓋。因此，在本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置100中，在設(shè)置半導(dǎo)體元件108時(shí),也是適度地對(duì)半導(dǎo)體元件108加壓,使電極108a突破頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106。由此，電極108a和/或配線圖形104突破頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106，從而實(shí)現(xiàn)電極108a與配線圖形104間的電連接。在本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置100中，頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜106的厚度也約為lOiim，而電極108a的突出量也約為15 y m 20 y m，因此，通過上述方法能夠?qū)崿F(xiàn)電極108a與配線圖形104間的電連接。本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，能夠在權(quán)利要求所示的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。即，組合在權(quán)利要求所示的范圍內(nèi)經(jīng)適當(dāng)變更的技術(shù)方案所得到的實(shí)施方式也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。 (總結(jié))綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置為帶載型半導(dǎo)體裝置，在該半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件以與在帶狀基材的頂面所形成的配線圖形進(jìn)行電連接的狀態(tài)，被封裝在所述帶狀基材的頂面上，該半導(dǎo)體裝置的特征在于具有頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜，覆蓋所述帶狀基材的頂面；以及底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜，覆蓋所述帶狀基材的底面；在所述頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜中，設(shè)置有頂面?zhèn)乳_口部，該頂面?zhèn)乳_口部在所述帶狀基材的頂面上，且在與所述半導(dǎo)體元件對(duì)向的對(duì)向區(qū)域的至少一部分區(qū)域開口 ；在所述頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜中，還設(shè)置有突出開口部，該突出開口部向與所述半導(dǎo)體元件對(duì)向的所述對(duì)向區(qū)域的外側(cè)突出；在所述底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜中，設(shè)置有底面?zhèn)乳_口部，該底面?zhèn)乳_口部在位于所述頂面?zhèn)乳_口部背面?zhèn)鹊牟糠珠_口 ；所述底面?zhèn)乳_口部的開口尺寸為，位于所述帶狀基材頂面上的所述對(duì)向區(qū)域的尺寸的1.00倍 8. 50倍；所述半導(dǎo)體元件與所述對(duì)向區(qū)域之間填充有填充劑。根據(jù)上述技術(shù)方案，由于使帶狀基材的頂面和底面均產(chǎn)生絕緣保護(hù)膜硬化時(shí)產(chǎn)生的收縮，因此，能夠使帶狀基材的頂面?zhèn)人a(chǎn)生的彎曲與帶狀基材底面?zhèn)人a(chǎn)生的彎曲相互抵消。這一方案在帶載型半導(dǎo)體裝置的制造工序中很有意義。具體來說，在帶載型半導(dǎo)體裝置的制造工序中，在形成了絕緣保護(hù)膜之后，將半導(dǎo)體元件封裝在未形成絕緣保護(hù)膜的頂面?zhèn)乳_口部(內(nèi)導(dǎo)線部)，半導(dǎo)體元件被封裝后，在半導(dǎo)體元件和頂面?zhèn)乳_口部之間填充樹脂。由于設(shè)置有封裝半導(dǎo)體元件所需的頂面?zhèn)乳_口部，因此，需要抑制在形成頂面?zhèn)乳_口部的區(qū)域中帶狀基材所產(chǎn)生的彎曲。因此，假使不設(shè)置底面?zhèn)乳_口部，而在底面的整個(gè)面上都形成絕緣保護(hù)膜，則在頂面?zhèn)乳_口部中，帶狀基材的單側(cè)的面會(huì)產(chǎn)生彎曲。對(duì)此，根據(jù)上述技術(shù)方案，通過設(shè)置底面?zhèn)乳_口部，能夠避免上述事態(tài)的發(fā)生。因此，能夠使填充劑很好地流入半導(dǎo)體元件與帶狀基材之間的整個(gè)間隙中。此外，通常，在帶狀基材的頂面上，且在位于半導(dǎo)體元件和頂面?zhèn)乳_口部的邊緣部之間的間隙部分中，設(shè)置有用于在裝載半導(dǎo)體元件時(shí)進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)記(十字形或L字形等)。然而，若帶狀基材底面上的位于該標(biāo)記背面?zhèn)鹊奈恢帽坏酌鎮(zhèn)冉^緣保護(hù)膜覆蓋，則在半導(dǎo)體元件裝載時(shí)會(huì)給位置對(duì)準(zhǔn)帶來問題。在此，底面?zhèn)乳_口部的尺寸至少為，帶狀基材頂面上與半導(dǎo)體元件對(duì)向的區(qū)域的尺寸的I. OO倍，從而可以避免帶狀基材底面上的位于所述標(biāo)記背面?zhèn)鹊奈恢帽坏酌鎮(zhèn)冉^緣保護(hù)膜覆蓋。因此，在裝載半導(dǎo)體元件時(shí)，在進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的過程中不會(huì)產(chǎn)生問題。此外，如上所述，所述底面?zhèn)乳_口部的尺寸為，位于所述帶狀基材頂面上的所述對(duì)向的區(qū)域的尺寸的I. 00倍 8. 50倍，由此，通過半導(dǎo)體裝置的底面來固定該半導(dǎo)體裝置時(shí)，既能夠避免裝置工具與底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜相互干涉，又能夠防止帶狀基材彎曲。 本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，作為優(yōu)選，所述半導(dǎo)體元件和所述頂面?zhèn)乳_口部分別呈矩形；所述頂面?zhèn)乳_口部所形成的矩形的各邊長(zhǎng)，分別小于所述半導(dǎo)體元件所形成的矩形的相應(yīng)各邊長(zhǎng)加上0. 50mm后的長(zhǎng)度。根據(jù)上述技術(shù)方案，與“頂面?zhèn)乳_口部所形成的矩形的各邊長(zhǎng)與半導(dǎo)體元件所形成的矩形的相應(yīng)各邊長(zhǎng)相比，長(zhǎng)0. 50mm以上”的技術(shù)方案相比，能夠防止產(chǎn)生過量消耗填充劑等因頂面?zhèn)乳_口部過大所導(dǎo)致的各種問題。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，作為優(yōu)選，所述突出開口部從與所述半導(dǎo)體元件對(duì)向的所述對(duì)向區(qū)域的端部向外側(cè)突出0. 4mm I. 0_。根據(jù)上述技術(shù)方案，在注入填充劑時(shí)，只要自突出開口部?jī)?nèi)注入，則無論從什么位置開始注入填充劑110都可以。因此能夠容易地設(shè)置用于注入填充劑的分配器等裝置的位置。此外，還能夠使在設(shè)置用于注入填充劑的分配器等裝置的位置時(shí)，允許產(chǎn)生誤差。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，作為優(yōu)選，在所述帶狀基材的頂面上，且在所述頂面?zhèn)乳_口部?jī)?nèi)，形成有所述配線圖形的延長(zhǎng)部，該延長(zhǎng)部自所述配線圖形與所述半導(dǎo)體元件相連接的部分起，向所述頂面?zhèn)乳_口部的中心部延伸；所述延長(zhǎng)部的寬度為 0. 05mm 0. 20mm。根據(jù)上述技術(shù)方案，注入頂面?zhèn)乳_口部?jī)?nèi)的液體狀填充劑在半導(dǎo)體元件和帶狀基材之間的間隙中，因表面張力的作用，沿延長(zhǎng)部流入頂面?zhèn)乳_口部的內(nèi)側(cè)。因此，能夠使填充劑經(jīng)半導(dǎo)體元件與帶狀基材之間的間隙，容易地流入頂面?zhèn)乳_口部的內(nèi)側(cè)。特別是，延長(zhǎng)部的線寬為0. 05mm 0. 20mm,因此既能夠防止延長(zhǎng)部104a被燒焦，又能夠提高防止填充劑110剝離的效果。作為優(yōu)選，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，在所述頂面?zhèn)乳_口部的周邊部分上形成有厚度為5 y m 30 y m的薄膜，其中，所述周邊部分是指，在所述頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的頂面，自所述頂面?zhèn)乳_口部起向外側(cè)延伸2mm 3mm的部分。根據(jù)上述技術(shù)方案，由于能夠提高所述頂面?zhèn)乳_口部的周邊部分的強(qiáng)度，因此，能夠提高配線圖形在被施加應(yīng)力等的情況下的耐斷線性。而且，所述薄膜的厚度僅為5 30 u m,因此，能夠保持帶載型半導(dǎo)體裝置的彎曲性，并不存在使用上的問題。本發(fā)明的制造方法為帶載型半導(dǎo)體裝置的制造方法，在該半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件以與在帶狀基材的頂面所形成的配線圖形進(jìn)行電連接的狀態(tài)，被封裝在所述帶狀基材的頂面上，該半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包含形成頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的工序，形成頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜，該頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜覆蓋所述帶狀基材的頂面；以及形成底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的工序，形成底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜，該底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜覆蓋所述帶狀基材的底面；在經(jīng)所述形成頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的工序而形成的所述頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜中，設(shè)置有頂面?zhèn)乳_口部和突出開口部，該頂面?zhèn)乳_口部在所述帶狀基材的頂面上，且在與所述半導(dǎo)體元件對(duì)向的對(duì)向區(qū)域的至少一部分區(qū)域開口，該突出開口部向與所述半導(dǎo)體元件對(duì)向的所述對(duì)向區(qū)域的外側(cè)突出；在經(jīng)所述形成底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的工序而形成的所述底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜中，設(shè)置有底面?zhèn)乳_口部，該底面?zhèn)乳_口部在位于所述頂面?zhèn)乳_口部背面?zhèn)鹊牟糠珠_口，且該底面?zhèn)乳_口部的開口尺寸為，位于所述帶狀基材頂面上的所述對(duì)向區(qū)域的尺寸的1.00倍 8. 50倍；所述半導(dǎo)體裝置的制造方法還包括填充填充劑的工序，將填充劑自所述突出開口部，填充入位于所述帶狀基材的頂面上的與所述半導(dǎo)體元件對(duì)向的區(qū)域。根據(jù)上述技術(shù)方案，在制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，能夠起到與以上所述本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置同樣的效果。(工業(yè)上的利用可能性)
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法能夠適用于各種采用以下技術(shù)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，所述技術(shù)是指，用填充劑來封裝配置在帶狀基材上的電子部件的技術(shù)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，為帶載型半導(dǎo)體裝置，在該半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件(108)以與在帯狀基材(102)的頂面所形成的配線圖形(104)進(jìn)行電連接的狀態(tài)，被封裝在所述帶狀基材(102)的頂面上，該半導(dǎo)體裝置的特征在于 具有 頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜(106)，覆蓋所述帯狀基材(102)的頂面；以及 底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜(112)，覆蓋所述帯狀基材(102)的底面； 在所述頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜(106)中，設(shè)置有頂面?zhèn)乳_ロ部(106a)，該頂面?zhèn)乳_ロ部(106a)在所述帶狀基材(102)的頂面上，且在與所述半導(dǎo)體元件(108)對(duì)向的對(duì)向區(qū)域的至少一部分區(qū)域開ロ； 在所述頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜(106)中，還設(shè)置有突出開ロ部(106b)，該突出開ロ部(106b)向與所述半導(dǎo)體元件(108)對(duì)向的所述對(duì)向區(qū)域的外側(cè)突出； 在所述底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜(112)中，設(shè)置有底面?zhèn)乳_ロ部(112a)，該底面?zhèn)乳_ロ部(112a)在位于所述頂面?zhèn)乳_ロ部(106a)背面?zhèn)鹊牟糠珠_ロ ； 所述底面?zhèn)乳_ロ部(112a)的開ロ尺寸為，位于所述帯狀基材(102)頂面上的所述對(duì)向區(qū)域的尺寸的I. 00倍 8. 50倍； 所述半導(dǎo)體元件(108)與所述對(duì)向區(qū)域之間填充有填充劑(110)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在干， 所述半導(dǎo)體元件(108)和所述頂面?zhèn)乳_ロ部(106a)分別呈矩形； 所述頂面?zhèn)乳_ロ部(106a)所形成的矩形的各邊長(zhǎng)，分別小于所述半導(dǎo)體元件(108)所形成的矩形的相應(yīng)各邊長(zhǎng)加上O. 50mm后的長(zhǎng)度。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在干， 所述突出開ロ部(106b)從與所述半導(dǎo)體元件(108)對(duì)向的所述對(duì)向區(qū)域的端部向外側(cè)突出O. 4mm I. 0_。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在干， 在所述帶狀基材(102)的頂面上，且在所述頂面?zhèn)乳_ロ部(106a)內(nèi)，形成有所述配線圖形(104)的延長(zhǎng)部(104a)，該延長(zhǎng)部(104a)自所述配線圖形(104)與所述半導(dǎo)體元件(108)相連接的部分起，向所述頂面?zhèn)乳_ロ部(106a)的中心部延伸； 所述延長(zhǎng)部(104a)的寬度為O. 05mm O. 20mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在干， 在所述頂面?zhèn)乳_ロ部(106a)的周邊部分上形成有厚度為5 μ m 30 μ m的薄膜，其中，所述周邊部分是指，在所述頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜(106)的頂面，自所述頂面?zhèn)乳_ロ部(106a)的端部起向外側(cè)延伸2mm 3mm的部分。
6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，為帶載型半導(dǎo)體裝置的制造方法，在該半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件(108)以與在帯狀基材(102)的頂面所形成的配線圖形(104)進(jìn)行電連接的狀態(tài)，被封裝在所述帶狀基材(102)的頂面上，該半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在干 包含 形成頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的エ序，形成頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜(106)，該頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜(106)覆蓋所述帯狀基材(102)的頂面；以及 形成底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的エ序，形成底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜(112)，該底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜(112)覆蓋所述帯狀基材(102)的底面； 在經(jīng)所述形成頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的エ序而形成的所述頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜(106)中，設(shè)置有頂面?zhèn)乳_ロ部(106a)和突出開ロ部(106b)，該頂面?zhèn)乳_ロ部(106a)在所述帶狀基材(102)的頂面上，且在與所述半導(dǎo)體元件(108)對(duì)向的對(duì)向區(qū)域的至少一部分區(qū)域開ロ，該突出開ロ部(106b)向與所述半導(dǎo)體元件(108)對(duì)向的所述對(duì)向區(qū)域的外側(cè)突出； 在經(jīng)所述形成底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜的エ序而形成的所述底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜(112)中，設(shè)置有底面?zhèn)乳_ロ部(112a)，該底面?zhèn)乳_ロ部(112a)在位于所述頂面?zhèn)乳_ロ部(106a)背面?zhèn)鹊牟糠珠_ロ，且該底面?zhèn)乳_ロ部(112a)的開ロ尺寸為，位于所述帯狀基材(102)頂面上的所述對(duì)向區(qū)域的尺寸的I. 00倍 8. 50倍； 所述半導(dǎo)體裝置的制造方法還包括填充填充劑的エ序，將填充劑(110)自所述突出開ロ部(106b)，填充入位于所述帯狀基材(102)的頂面上的與所述半導(dǎo)體元件(108)對(duì)向的區(qū)域。
全文摘要
半導(dǎo)體裝置具有帶狀基材；配線圖形；半導(dǎo)體元件，與配線圖形進(jìn)行了電連接；頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜，覆蓋帶狀基材的頂面，且在帶狀基材頂面上的與半導(dǎo)體元件對(duì)向的對(duì)向區(qū)域中具有頂面?zhèn)乳_口部；底面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜，覆蓋帶狀基材的底面，且在位于頂面?zhèn)乳_口部背側(cè)的部分中具有底面?zhèn)乳_口部。頂面?zhèn)冉^緣保護(hù)膜具有突出開口部，該突出開口部向所述對(duì)向區(qū)域的外側(cè)突出。底面?zhèn)乳_口部的開口尺寸為，位于帶狀基材頂面上的與半導(dǎo)體元件對(duì)向區(qū)域的尺寸的1.00倍～8.50倍。
文檔編號(hào)H01L21/56GK102651353SQ201210046998
公開日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2012年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月23日
發(fā)明者巖根知彥 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社