專利名稱：一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的mems電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電容器及其制造技術(shù)，具體是一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器及其制造方法。
背景技術(shù)：
電容器是一種電子設(shè)備中最基礎(chǔ)、最重要的的電子元器件，目前廣泛地應(yīng)用于計算機(jī)、通信、電力、交通、航空、航天、國防等重點領(lǐng)域。在點火、定時、濾波、耦合、執(zhí)行機(jī)構(gòu)電源、不間斷電源等裝置的電子設(shè)備中，電容器起到儲存和強(qiáng)化電能的效果，其穩(wěn)定性、安全性決定整個系統(tǒng)的可靠運(yùn)行。因而，電容器作為可靠儲能器件得到日益廣泛關(guān)注，尤其微型電容器更是研究的熱點。微型電容器屬于新型高端電源器件，其發(fā)展勢頭迅猛，應(yīng)用領(lǐng)域正在擴(kuò)展，物聯(lián)網(wǎng)、節(jié)能環(huán)保、信息技術(shù)、新能源等前瞻性新型產(chǎn)業(yè)為微型電容器帶來了新的發(fā)展機(jī)遇，因此，微型電容器憑借其體積小、易集成、可靠性好、性能穩(wěn)定等優(yōu)勢占有廣闊的應(yīng)用市場。目前，常見的微型電容器有陶瓷電容器、有機(jī)薄膜介質(zhì)電容器、鉭電解電容器、鋁電解電容器等。隨著微能源應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛，對儲能器件在過載環(huán)境和惡劣環(huán)境方面提出了更為苛刻的要求。而現(xiàn)有微型電容器儲能器件普遍面臨抗過載能力低、環(huán)境適應(yīng)性差、容量體積比小等技術(shù)瓶頸問題。其中，陶瓷電容器承受瞬態(tài)高壓脈沖的能力較弱，易被脈沖電壓擊穿。有機(jī)薄膜介質(zhì)電容器電容量小、損耗較大、耐高溫能力差。鉭電解電容器因其電容量與體積成正比，實現(xiàn)大容量的同時難以滿足系統(tǒng)對微小型化的要求，并且在高過載環(huán)境下，器件容易出現(xiàn)“軟擊穿”及脫落現(xiàn)象。鋁電解電容器對溫度和使用頻率要求敏感、 容量誤差大、泄露電流較大。因此，實現(xiàn)微小型、高可靠性的電容器已成為智能化微能源技術(shù)發(fā)展亟需解決的關(guān)鍵技術(shù)問題。微機(jī)電系統(tǒng)(MicroElectro Mechanical Systems，MEMS)是集成有微型機(jī)構(gòu)、微型傳感器、微型執(zhí)行器以及信號處理和控制電路等部件的微型器件或系統(tǒng)，具有體積小、重量輕、可靠性高、能實現(xiàn)復(fù)雜功能、可集成等特點，適應(yīng)現(xiàn)代儲能系統(tǒng)的發(fā)展要求，可以促使微能源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大革新和升級換代，是提升微能源系統(tǒng)性能和實現(xiàn)電子器件微型化、智能化、集成化的重要技術(shù)途徑。因此，MEMS技術(shù)應(yīng)用為實現(xiàn)大容量體積比、高抗過載能力的高性能電容器提供了一種新的思路。近年來，基于MEMS技術(shù)的微型電容器研究受到科研人員的廣泛關(guān)注，其結(jié)構(gòu)主要集中在基底表面多層電極疊加的三明治結(jié)構(gòu)、以聚酰亞胺為支撐體的上下電極和電介質(zhì)層卷繞型結(jié)構(gòu)、納米陣列孔結(jié)構(gòu)、三維梳齒狀電極對結(jié)構(gòu)等，但針對硅片級技術(shù)的芯片一體化 MEMS電容器研究則非常有限。其中，2008年韓國浦項大學(xué)研制出的MEMS柔性超級電容器是采用光刻技術(shù)，由聚合物為基底制作的多層電極陣列結(jié)構(gòu)而形成，但由于缺乏電極周邊密封結(jié)構(gòu)，不能作為完整的器件獲得應(yīng)用。Y. Q. Jiang等人在硅片上采用80 μ m高的碳納米管森林作為超級電容器電極材料制作出^8yF/cm2比容值的雙電層超級電容器，因其比功率為0. 28mff /cm2，在儲能系統(tǒng)中能量密度有限，而且，流體電解液增加了其集成的難度和限制了其應(yīng)用場合。S. B. Lee和G. W. Rubleff小組制備了比容值為100 μ F/cm2的氧化鋁納米孔結(jié)構(gòu)MEMS電容器，這種靜電式電容器在安全性、以加工性等方面有較大優(yōu)勢， 但由于低比表面積使其電容器電容量沒有達(dá)到最佳值。因此，為了適應(yīng)更高過載能力下的儲能電源供電要求，使用一種性能優(yōu)越的MEMS新型電容器已經(jīng)成為微能源領(lǐng)域中儲能系統(tǒng)發(fā)展必須采取的措施。綜合上述分析，現(xiàn)有MEMS微型電容器由于自身結(jié)構(gòu)所限，普遍存在抗過載能力低、容量體積比小、環(huán)境適應(yīng)性差、以及可靠性差的問題。針對上述問題，有必要發(fā)明一種全新的MEMS微型電容器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決現(xiàn)有MEMS微型電容器抗過載能力低、容量體積比小、環(huán)境適應(yīng)性差、以及可靠性差的問題，提供了一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器及其制造方法。本發(fā)明是采用如下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器，包括硅基底；硅基底上表面加工有大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)；硅基底上表面和大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)內(nèi)腔表面形成有電學(xué)絕緣層(此電學(xué)絕緣層用于制備過程中所需的下電極金屬薄膜的電學(xué)絕緣，避免任何由于自然氧化層形成所帶來的復(fù)雜化干擾因素)；電學(xué)絕緣層上表面形成有下電極層；下電極層上表面形成有電介質(zhì)層；電介質(zhì)層上表面形成有上電極層； 下電極層部分曝露于上電極層外；大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)的微孔隙中填充有填充層。所述硅基底的材料為單晶硅；所述電學(xué)絕緣層的材料為SiO2 ；所述下電極層的材料為Pt、TaN, TiN, Al、Pt-Ti合金中的一種或組合；所述電介質(zhì)層的材料為SiO 2、Ta2O5, TiO2、金屬氧化物、金屬聚合物中的一種或組合；所述上電極層的材料為Pt、TaN, TiN, Al、 Pt-Ti合金中的一種或組合；所述填充層的材料為金屬漿料或膠體漿料。一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器的制造方法(所述方法用于制造本發(fā)明所述的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器)，該方法是采用如下步驟實現(xiàn)的a.選擇硅基底；b.在硅基底上表面涂上光刻膠；c.在光刻膠上表面光刻形成窗口 ；d.沿窗口在硅基底上表面形成大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)；e.在硅基底上表面和大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)內(nèi)腔表面形成電學(xué)絕緣層；f.在電學(xué)絕緣層上表面形成下電極層；g.在下電極層上表面形成電介質(zhì)層；h.在電介質(zhì)層上表面形成上電極層；i.在上電極層上表面依次進(jìn)行光刻、刻蝕， 使下電極層部分曝露于上電極層外；j.在大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)的微孔隙中填充形成填充層。所述步驟a中，硅基底的材料為單晶硅。所述步驟d中，沿窗口在硅基底上表面形成大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)的方法為深反應(yīng)離子刻蝕。所述步驟e中，電學(xué)絕緣層的材料為SiO2 ；在硅基底上表面和大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)內(nèi)腔表面形成電學(xué)絕緣層的方法為 熱氧化生長。所述步驟f中，下電極層的材料為Pt、TaN、TiN、Al、Pt-Ti合金中的一種或組合；在電學(xué)絕緣層上表面形成下電極層的方法為原子層沉積。所述步驟g中，電介質(zhì)層的材料為3102、1^205、1102、金屬氧化物、金屬聚合物中的一種或組合；在下電極層上表面形成電介質(zhì)層的方法為原子層沉積。所述步驟h中，上電極層的材料為Pt、TaN、TiN、Al、Pt-Ti 合金中的一種或組合；在電介質(zhì)層上表面形成上電極層的方法為原子層沉積。所述步驟j 中，填充層的材料為金屬漿料或膠體漿料；在大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)的微孔隙中填充形成填充層的方法為深槽微孔隙填充。與現(xiàn)有MEMS微型電容器相比，本發(fā)明所述的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器及其制造方法具有如下優(yōu)點一、利用深反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)形成大比表面積三維硅微結(jié)構(gòu)，有效提升了 MEMS電容器的容量體積比，實現(xiàn)了體積微型化的大比容值MEMS電容器的制備，適用于空間有限環(huán)境下大比容值電容器器件的開發(fā)和設(shè)計。二、采用原子層沉積技術(shù)沉積均勻致密的電介質(zhì)層與電極層材料，解決了現(xiàn)有MEMS微型電容器抗過載能力低、儲能密度小等瓶頸問題，實現(xiàn)了材料體系環(huán)保無毒副作用，性能優(yōu)異等優(yōu)勢，適用于高擊穿場強(qiáng)、 高抗過載環(huán)境下器件的開發(fā)和設(shè)計。三、使用深槽微孔隙填充技術(shù)，選擇具高導(dǎo)電性、高穩(wěn)定性漿料進(jìn)行填充，工藝簡單，成本低，實現(xiàn)了高可靠性、高安全性的全固態(tài)靜電式MEMS電容器的制造，適用于惡劣環(huán)境下器件的開發(fā)和設(shè)計。綜上所述，本發(fā)明所述的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器及其制造方法基于全新的結(jié)構(gòu)和原理，有效解決了現(xiàn)有MEMS微型電容器抗過載能力低、容量體積比小、環(huán)境適應(yīng)性差、以及可靠性差的問題。本發(fā)明有效解決了現(xiàn)有MEMS微型電容器抗過載能力低、容量體積比小、環(huán)境適應(yīng)性差、以及可靠性差的問題。本發(fā)明所述的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器是一種具有高儲能密度、高抗過載能力、大容量體積比的可靠性器件，具有安全、可靠、使用壽命長等特點。本發(fā)明是一種全固態(tài)靜電式MEMS電容器，其完全滿足引信電源、MEMS微能源、交通運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域中的微型化、智能化、集成化的發(fā)展需求，同時其具有可擴(kuò)展性，通過在原有結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上更改基底材料、電介質(zhì)層與電極層材料，可以使器件更加多樣化、復(fù)雜化與實用化。


圖1是本發(fā)明的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖纊圖11是本發(fā)明的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器的制造方法的步驟 a 步驟j的示意圖。圖中1-硅基底，2-電學(xué)絕緣層，3-下電極層，4-電介質(zhì)層，5-上電極層，6-填充層，7-大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)，8-光刻膠，9-窗口。
具體實施例方式一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器，包括硅基底1 ；硅基底1上表面加工有大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)7 ；硅基底1上表面和大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)7內(nèi)腔表面形成有電學(xué)絕緣層2 ；電學(xué)絕緣層2上表面形成有下電極層3 ；下電極層3上表面形成有電介質(zhì)層 4 ；電介質(zhì)層4上表面形成有上電極層5 ；下電極層3部分曝露于上電極層5外；大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)7的微孔隙中填充有填充層6 ；
所述硅基底1的材料為單晶硅；所述電學(xué)絕緣層2的材料為S^2 ；所述下電極層3的材料為Pt、TaN, TiN, Al、Pt-Ti合金中的一種或組合；所述電介質(zhì)層4的材料為SiO 2、Ta2O5, TiO2、金屬氧化物、金屬聚合物中的一種或組合；所述上電極層5的材料為Pt、TaN、TiN、Al、 Pt-Ti合金中的一種或組合；所述填充層6的材料為金屬漿料或膠體漿料；
一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器的制造方法，該方法是采用如下步驟實現(xiàn)的(如圖纊圖11所示)
a.選擇硅基底1;如圖2所示；b.在硅基底1上表面涂上光刻膠8；如圖3所示；
c.在光刻膠8上表面光刻形成窗口9;如圖4所示；
d.沿窗口9在硅基底1上表面形成大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)7 ；如圖5所示；
e.在硅基底1上表面和大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)7內(nèi)腔表面形成電學(xué)絕緣層2；如圖 6所示；
f.在電學(xué)絕緣層2上表面形成下電極層3；如圖7所示；
g.在下電極層3上表面形成電介質(zhì)層4；如圖8所示；
h.在電介質(zhì)層4上表面形成上電極層5；如圖9所示；
i.在上電極層5上表面依次進(jìn)行光刻、刻蝕，使下電極層3部分曝露于上電極層5外； 如圖10所示；
j.在大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)7的微孔隙中填充形成填充層6 ；如圖11所示；
所述步驟a中，硅基底1的材料為單晶硅；
所述步驟d中，沿窗口 9在硅基底1上表面形成大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)7的方法為 深反應(yīng)離子刻蝕；其具體過程為通入流量為150SCCnT300SCCm，速率為2μπι/πι Γ4μπι/ min的刻蝕氣體SF6,同時通入流量為60SCCnTl00SCCm的鈍化氣體C4F8，邊刻蝕邊保護(hù)，最后刻蝕形成側(cè)壁完全垂直的高深寬比三維深槽結(jié)構(gòu)，其深寬比為10 :Γ20 1 ；
所述步驟e中，電學(xué)絕緣層2的材料為SW2 ；在硅基底1上表面和大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)7內(nèi)腔表面形成電學(xué)絕緣層2的方法為熱氧化生長；其具體過程為選擇氧化溫度為 7000C ^lOOO0C，在硅基底1上表面和大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)7內(nèi)腔表面進(jìn)行氧化生長，形成電學(xué)絕緣層2 ;
所述步驟f中，下電極層3的材料為Pt、TaN、TiN、Al、Pt-Ti合金中的一種或組合；在電學(xué)絕緣層2上表面形成下電極層3的方法為原子層沉積；其具體過程為(以Pt為例) 將Pt有機(jī)原引入反應(yīng)室使之發(fā)生化學(xué)吸附，直至襯底表面達(dá)到飽和，過剩的反應(yīng)物被氮?dú)獬槌銮宄蝗缓髮⑶膀?qū)體H2O充入反應(yīng)室，使之和襯底上被吸附的Pt有機(jī)原發(fā)生反應(yīng)，剩余的反應(yīng)物和反應(yīng)副產(chǎn)品再次通過氮?dú)馇宄蓛?；?jīng)過退火，獲得厚度為5rniT20nm，電阻率為ΙΟμΩ . cm 20μΩ. cm的均勻致密Pt薄膜下電極層3 ；
所述步驟g中，電介質(zhì)層4的材料為SiO 2、Ta2O5, TiO2、金屬氧化物、金屬聚合物中的一種或組合；在下電極層3上表面形成電介質(zhì)層4的方法為原子層沉積；其具體過程為 (以Al2O3為例):選擇金屬前體Al (CH3)3與氧前體H20/03，反應(yīng)溫度為200°C、00°C，反應(yīng)速率為0. 05nm/cycle^0. 11 nm/cycle進(jìn)行反應(yīng)，最后經(jīng)過700°C、00°C的退火，形成厚度為 3rniT8nm，介電常數(shù)為8_10，禁帶寬度為7eV IOeV的均勻致密Al2O3薄膜電介質(zhì)層4 ；
所述步驟h中，上電極層5的材料為Pt、TaN、TiN、Al、Pt-Ti合金中的一種或組合；在電介質(zhì)層4上表面形成上電極層5的方法為原子層沉積；其具體過程為(以Pt為例)將 Pt有機(jī)原引入反應(yīng)室使之發(fā)生化學(xué)吸附，直至襯底表面達(dá)到飽和，過剩的反應(yīng)物被氮?dú)獬槌銮宄?；然后將前?qū)體H2O充入反應(yīng)室，使之和襯底上被吸附的Pt有機(jī)原發(fā)生反應(yīng)，剩余的反應(yīng)物和反應(yīng)副產(chǎn)品再次通過氮?dú)馇宄蓛?；?jīng)過退火，獲得厚度為5rniT20nm，電阻率為 ΙΟμΩ. cm 20μΩ. cm的均勻致密Pt薄膜下電極層3 ；
所述步驟j中，填充層6的材料為金屬漿料或膠體漿料；在大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)7 的微孔隙中填充形成填充層6的方法為深槽微孔隙填充；其具體過程為(以銅為例)使用Tatsuta公司提供的AE1650型復(fù)合銅導(dǎo)電漿料，利用深槽微孔隙填充技術(shù)，通過真空輔助的高壓漿料印刷工藝，選擇粒徑為2 μ πΓ3 μ m,電阻率為25μΩ . cm~40μΩ . cm的銅顆粒漿料對大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)7中的微孔隙進(jìn)行填充，最后形成全固態(tài)靜電式MEMS電容器。
權(quán)利要求
1.一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器，其特征在于包括硅基底(1);硅基底(1)上表面加工有大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)(7)；硅基底(1)上表面和大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)(7 )內(nèi)腔表面形成有電學(xué)絕緣層(2 )；電學(xué)絕緣層(2 )上表面形成有下電極層(3 )；下電極層(3)上表面形成有電介質(zhì)層(4);電介質(zhì)層(4)上表面形成有上電極層(5);下電極層(3)部分曝露于上電極層(5)外；大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)(7)的微孔隙中填充有填充層(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器，其特征在于所述硅基底(1)的材料為單晶硅；所述電學(xué)絕緣層(2)的材料為SiO2 ；所述下電極層(3)的材料為Pt、TaN, TiN, Al、Pt-Ti合金中的一種或組合；所述電介質(zhì)層(4)的材料為SiO 2、Ta2O5,TiO2、金屬氧化物、金屬聚合物中的一種或組合；所述上電極層(5)的材料為Pt、TaN, TiN,AUPt-Ti合金中的一種或組合；所述填充層(6)的材料為金屬漿料或膠體漿料。
3.一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器的制造方法，其特征在于該方法是采用如下步驟實現(xiàn)的a.選擇硅基底(1)；b.在硅基底(1)上表面涂上光刻膠(8);c.在光刻膠(8)上表面光刻形成窗口(9);d.沿窗口(9)在硅基底(1)上表面形成大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)(7);e.在硅基底(1)上表面和大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)(7)內(nèi)腔表面形成電學(xué)絕緣層(2);f.在電學(xué)絕緣層(2)上表面形成下電極層(3);g.在下電極層(3)上表面形成電介質(zhì)層(4);h.在電介質(zhì)層(4)上表面形成上電極層(5);i.在上電極層(5)上表面依次進(jìn)行光刻、刻蝕，使下電極層(3)部分曝露于上電極層(5)外；j.在大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)(7)的微孔隙中填充形成填充層(6)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器的制造方法，其特征在于所述步驟a中，硅基底(1)的材料為單晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器的制造方法，其特征在于所述步驟d中，沿窗口(9)在硅基底(1)上表面形成大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)(7)的方法為深反應(yīng)離子刻蝕。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器的制造方法，其特征在于所述步驟e中，電學(xué)絕緣層(2)的材料為SW2 ；在硅基底(1)上表面和大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)(7)內(nèi)腔表面形成電學(xué)絕緣層(2)的方法為熱氧化生長。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器的制造方法，其特征在于所述步驟f中，下電極層(3)的材料為Pt、TaN、TiN、Al、Pt-Ti合金中的一種或組合；在電學(xué)絕緣層(2)上表面形成下電極層(3)的方法為原子層沉積。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器的制造方法，其特征在于所述步驟g中，電介質(zhì)層(4)的材料為SiO 2、Ta2O5, TiO2、金屬氧化物、金屬聚合物中的一種或組合；在下電極層(3)上表面形成電介質(zhì)層(4)的方法為原子層沉積。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器的制造方法，其特征在于所述步驟h中，上電極層(5)的材料為Pt、TaN、TiN、Al、Pt-Ti合金中的一種或組合；在電介質(zhì)層(4)上表面形成上電極層(5 )的方法為原子層沉積。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器的制造方法，其特征在于所述步驟j中，填充層(6)的材料為金屬漿料或膠體漿料；在大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)(7)的微孔隙中填充形成填充層(6)的方法為深槽微孔隙填充。
全文摘要
本發(fā)明涉及電容器及其制造技術(shù)，具體是一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器及其制造方法。本發(fā)明解決了現(xiàn)有MEMS微型電容器抗過載能力低、容量體積比小、環(huán)境適應(yīng)性差、以及可靠性差的問題。一種基于三維硅微結(jié)構(gòu)的MEMS電容器包括硅基底；硅基底上表面加工有大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)；硅基底上表面和大比表面積三維深槽結(jié)構(gòu)內(nèi)腔表面形成有電學(xué)絕緣層；電學(xué)絕緣層上表面形成有下電極層；下電極層上表面形成有電介質(zhì)層；電介質(zhì)層上表面形成有上電極層；下電極層部分曝露于上電極層外。本發(fā)明是一種全固態(tài)靜電式MEMS電容器，其完全滿足引信電源、MEMS微能源、交通運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域中的微型化、智能化、集成化的發(fā)展需求。
文檔編號H01G4/224GK102568817SQ20121005116
公開日2012年7月11日 申請日期2012年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月1日
發(fā)明者丑修建, 張文棟, 朱平, 熊繼軍, 穆繼亮, 郭茂香, 陳旭遠(yuǎn) 申請人:中北大學(xué)