本發(fā)明涉及射頻器件,更具體地說,涉及一種濾波器。
背景技術(shù):濾波器是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件,用來完成頻率選擇功能。常用的濾波器有介質(zhì)濾波器、腔體濾波器、集總濾波器等,介質(zhì)濾波器因其具有較高的Q值(品質(zhì)因數(shù)值)而被廣泛應(yīng)用。介質(zhì)濾波器是將具有很高Q值的陶瓷介質(zhì)材料置于諧振腔中,從而大大減小腔體自身的損耗,提高濾波器的各項性能。常規(guī)的設(shè)計方法是在陶瓷介質(zhì)的底部中央設(shè)置支撐座,來制成陶瓷介質(zhì)使其位于諧振腔的中間位置。但是對于TM模式的介質(zhì)濾波器,由于陶瓷介質(zhì)在工作時其中央的磁場強(qiáng)度是最強(qiáng)的且穿過支撐座,從而導(dǎo)致位于中央的支撐座上的損耗也較大。
技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于,針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,提供一種支撐座帶來的損耗大幅減少的濾波器。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:構(gòu)造一種濾波器,包括諧振腔和置于所述諧振腔內(nèi)的諧振子,其特征在于,還包括卡接件,所述諧振腔內(nèi)壁設(shè)有凸位,所述諧振子側(cè)表面上設(shè)有凹位,所述卡接件一端置于所述凹位內(nèi)另一端置于所述凸位上,所述凸位距離所述諧振腔內(nèi)底面的高度與卡接件自身的高度的和大于所述凹位距離所述諧振子底面的高度,使得所述諧振子懸空架設(shè)在所述諧振腔內(nèi)。在本發(fā)明所述的濾波器中,所述諧振子為階梯軸,且所述階梯軸橫截面大的一端在橫截面小的一端上方,使得兩端相接處的臺階面形成所述凹位。在本發(fā)明所述的濾波器中,所述階梯軸為方形階梯軸,其垂直于軸向的橫截面為矩形。在本發(fā)明所述的濾波器中,所述階梯軸為圓形階梯軸,其垂直于軸向的橫截面為圓形。在本發(fā)明所述的濾波器中,所述諧振腔上沿其內(nèi)壁一周設(shè)有環(huán)形凸起部,形成所述凸位。在本發(fā)明所述的濾波器中,所述卡接件為片狀,其中間設(shè)有供所述諧振子橫截面小的一端穿過、并卡在所述臺階面上的通孔,所述卡接件的外邊緣置于所述環(huán)形凸起部上。在本發(fā)明所述的濾波器中,所述凸位為設(shè)置在所述諧振腔內(nèi)壁上的至少兩個凸塊。在本發(fā)明所述的濾波器中,所述卡接件由透波材料制成。在本發(fā)明所述的濾波器中,所述透波材料為氧化鋁、二氧化硅、陶瓷或氮化硅。在本發(fā)明所述的濾波器中,所述卡接件與所述諧振子固定連接為一體。實施本發(fā)明的濾波器,具有以下有益效果:采用本發(fā)明的卡接件,一方面起到了支撐諧振子的作用;另一方面,由于卡接件位于諧振子側(cè)表面和諧振腔的內(nèi)壁側(cè)面之間,而濾波器在TM模式下,磁力線主要集中在諧振子內(nèi)部及上、下方,在側(cè)表面的磁力線較少,從而降低因磁場經(jīng)過卡接件引起的損耗,提高濾波器的Q值。附圖說明下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明,附圖中:圖1是本發(fā)明第一實施例的濾波器的俯視圖;圖2是圖1所示濾波器的A-A剖視圖;圖3是第二實施例的諧振腔的俯視圖;圖4是第三實施例的濾波器的剖視圖;圖5為第四實施例的濾波器的剖視圖。具體實施方式本發(fā)明涉及一種濾波器,優(yōu)選實施例如圖1、圖2所示,包括諧振腔1、諧振子2、卡接件3,當(dāng)然也還可包括裝在諧振腔1兩端的輸入端、輸出端(圖中未示出)。諧振子2位于所述諧振腔1內(nèi)部,通常為高介電常數(shù)、低損耗的陶瓷材料,也可以是其他符合濾波器功能要求的材料。對于TM模式的濾波器,其諧振子的高度通常與諧振腔內(nèi)部腔體的高度相當(dāng),使得磁場是比較集中在諧振子中且在諧振子內(nèi)部幾乎成豎直方向;同時,通常諧振子需要位于諧振腔的正中央,即諧振子的頂面、底面到諧振腔內(nèi)部腔體的底面、底面的距離相同,同時諧振子的各個側(cè)表面到諧振腔各個側(cè)壁的距離相當(dāng)。要將諧振子支撐在正中央,就需要支撐件。而常規(guī)的支撐件為了諧振子底部,而大量磁力線即從諧振子豎直穿過支撐件,進(jìn)而導(dǎo)致磁場在支撐件內(nèi)發(fā)生損耗...