專利名稱：顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有像素電極的半導體器件，特別涉及顯示器件。
背景技術(shù)：
當制造有源矩陣型顯示器件時，一般情況，形成與薄膜晶體管(TFT =Thin Film Transistor)的半導體膜連接的布線，在該布線上形成用作像素電極的導電膜.因此，需要用于形成布線的抗蝕劑掩模和用于形成像素電極的抗蝕劑掩模.此外，其他示例如下形成與TFT的半導體膜連接的導電膜，并使該導電膜用作像素電極，在該導電膜上形成金屬膜(例如專利文獻I)。這與上述示例不同，采用透明導電膜作為導電膜，透明導電膜與半導體膜直接連接。由于有很多情況透明導電膜的材料的電阻高，所以為了補償透明導電膜的電阻大，在透明導電膜上形成金屬膜。在使透明導電膜與半導體膜直接連接的專利文獻I中，也必須要用于蝕刻透明導電膜而形成像素電極的抗蝕劑掩模和用于蝕刻金屬膜的抗蝕劑掩模。[專利文獻I]特開平6-230425號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題在常規(guī)的有源矩陣型顯示器件中，當形成疊層布線時，對于每個層分別需要抗蝕劑掩模.特別是，當形成像素電極時，疊層結(jié)構(gòu)的情況很多，至少需要用于形成像素電極的抗蝕劑掩模和用于蝕刻層疊于像素電極的膜的抗蝕劑掩模，因此需要很多制造工序。因此， 半導體器件如顯示器件的制造成本不會降低.由此，本發(fā)明的目的在于通過使用一個抗蝕劑掩模形成像素電極和疊層于像素電極的膜，縮短制造工序。解決課題的方法本發(fā)明的特征之一是一種顯示器件，包括在襯底上的薄膜晶體管；與薄膜晶體管電連接的像素電極；以及在像素電極上接觸的金屬膜，其中金屬膜覆蓋像素電極具有的臺階部分并與像素電極接觸.根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以防止像素電極在臺階部分中破裂。破裂指如下狀態(tài)在具有臺階部分的面上形成膜導致膜在臺階部分產(chǎn)生裂縫；在臺階部分中，膜的覆蓋性不好，即一部分沒有形成膜。本發(fā)明的特征之一是一種顯示器件，包括在襯底上的薄膜晶體管；與薄膜晶體管電連接的像素電極；以及在像素電極上接觸的金屬膜，其中金屬膜的平面面積比像素電極小，并且金屬膜的側(cè)面配置為沿著所述像素電極的側(cè)面，金屬膜的側(cè)面位置在所述像素電極的側(cè)面的內(nèi)側(cè)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以使用金屬膜作為遮光膜的一部分，從而可以容易調(diào)整遮光膜的位置。
本發(fā)明的特征之一是一種顯示器件，包括在襯底上的薄膜晶體管；與薄膜晶體管電連接的像素電極；在像素電極上的一部分接觸的金屬膜；形成在像素電極及所述金屬膜上且使所述像素電極的一部分露出的隔壁；與隔壁及所述像素電極接觸地形成的電場發(fā)光層；以及在電場發(fā)光層上的電極，其中金屬膜的至少一個側(cè)面傾斜且被隔壁覆蓋。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在電場發(fā)光顯示器件中，可以防止發(fā)光元件的短路.使用一個抗蝕劑圖案可以形成像素電極和與像素電極的一部分接觸的金屬膜。由于使用一個抗蝕劑圖案形成像素電極和金屬膜這兩個圖案，可以縮短制造工序，以實現(xiàn)低成本的顯示器件.發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以減少制造工序，并可以降低半導體器件的制造成本。此外，由于在像素電極上接觸地形成金屬膜，可以防止像素電極在臺階部分產(chǎn)生破裂。因此，可以提供廉價、顯示問題少、且可靠性高的顯示器件.
(實施方式I) (實施方式I)
(實施方式I) (實施方式2) (實施方式2)


圖IA至IC是表示半導體器件的制造工序的剖面2A至2C是表示半導體器件的制造工序的剖面3是表示半導體器件的俯視圖(實施方式I)圖4A和4B是表示半導體器件的制造工序的剖面5A至5C是表示半導體器件的制造工序的剖面6A至6C是表示半導體器件的制造工序的剖面7是表示半導體器件的俯視圖(實施方式2)；圖8是表示半導體器件的制造工序的剖面圖(實施方式2)；圖9A至9D是表示半導體器件的制造工序的剖面圖(實施方式2)；圖10是表示半導體器件的剖面圖(實施方式2)；圖IlA至IlD是表示曝光掩模的俯視圖及光強度分布的圖(實施方式3)；圖12A和12B是表示EL顯示器件的俯視圖及剖面圖(實施方式4)；圖13A和13B是表示EL顯示器件的俯視圖及剖面圖(實施方式4)；圖14A和14B是表示液晶顯示器件的俯視圖及剖面圖(實施方式5)圖15A和15B是表示液晶顯示器件的俯視圖及剖面16A和16B是表示液晶顯示器件的俯視圖及剖面17A和17B是表示液晶顯示器件的俯視圖及剖面18是表不液晶顯不器件的俯視圖(實施方式5)圖19是表示半導體器件的剖面圖(實施方式I)；圖20A至20D是表示電子器具的圖(實施方式6)；圖21是表示移動電話的圖(實施方式6)。
(實施方式5) (實施方式5) (實施方式5)
具體實施例方式下面，將描述本發(fā)明的實施方式.注意，本發(fā)明可以在可以實施的范圍內(nèi)通過多種不同的方式來實施。所屬領(lǐng)域的普通人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式，而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍.因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在本實施方式所記載的內(nèi)容中.此外，下面將描述的實施方式可以適當?shù)亟M合.實施方式I在本實施方式中，參照圖IA至IC描述在襯底I上形成頂部柵極型的TFT的方法.襯底I是具有透光性的襯底，例如石英襯底、玻璃襯底或塑料襯底.另外，襯底I也可以是遮光性的襯底、半導體襯底、SOI (Silicon On Insulator :硅絕緣體)襯底。在襯底I上形成絕緣膜2作為基底膜。作為絕緣膜2，使用氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化娃膜(SiOxNy)等絕緣膜的單層或由這些膜的至少兩個膜構(gòu)成的疊層。接著，在絕緣膜2上形成島狀半導體膜3.在通過濺射法、LPCVD法、或等離子體CVD法等在絕緣膜2的整個表面上形成半導體膜之后，使用通過光刻法等形成的掩模加工半導體膜的形狀，而形成島狀半導體膜3.當使用結(jié)晶半導體膜形成島狀半導體膜3時，包括如下方法在襯底I上直接形成結(jié)晶半導體膜的方法；以及在襯底I上形成非晶半導體膜，然后進行加熱處理使非晶半導體膜晶化而形成結(jié)晶半導體膜的方法。在后者的方法中，作為晶化時的加熱處理，使用加熱爐、激光照射、或者以從燈發(fā)射的光的照射(以下稱作燈退火)代替激光，或者組合這些而使用。此外，也可以通過在將鎳等添加到非晶半導體膜之后進行上述加熱處理的熱晶化法來形成結(jié)晶半導體膜。另外，當通過利用鎳的熱晶化法進行晶化來獲得結(jié)晶半導體膜時， 優(yōu)選在晶化后執(zhí)行吸除處理以去除鎳。在采用激光照射進行晶化來制作結(jié)晶半導體膜的情況下，可以使用連續(xù)振蕩(CW continuous-wave)型激光束或者脈沖振蕩型激光束(脈沖激光束).此處，作為激光束可以采用由如下的一種或多種激光器振蕩的激光束，即氣體激光器諸如Ar激光器、Kr激光器、受激準分子激光器等；將在單晶的YAG、YVO4、鎂橄欖石(Mg2SiO4)、YA103、GdVO4、或者多晶(陶瓷)的 YAG、Y203、YV04、YA103、GdV04 中添加 Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta 之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質(zhì)的激光器；玻璃激光器；紅寶石激光器；變石激光器；Ti :蘭寶石激光器；銅蒸氣激光器；或金蒸氣激光器.通過照射這種激光束的基波或者基波的第二次到第四次高次諧波，可以獲得大粒度尺寸的結(jié)晶.例如，可以采用NchYVO4 激光器(基波1064nm)的第二次高次諧波(532nm)或第三次高次諧波(355nm).該激光束既可以CW發(fā)射，又可以脈沖振蕩發(fā)射.當以CW發(fā)射時，需要大約O. 01至lOOMW/cm2 (優(yōu)選 0. I至lOMW/cm2)的激光能量密度.而且，以大約10至2000cm/sec左右的掃描速度來照射激光.另外，將在單晶的YAG、YV04、鎂橄欖石(Mg2SiO4)、YA103、GdV04、或多晶(陶瓷)的 YAG、Y2O3、YVO4、YAIO3，GdVO4 中添加 Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta 之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質(zhì)的激光器、Ar離子激光器、或Ti :蘭寶石激光器可以使激光束進行連續(xù)振蕩，而且，通過Q開關(guān)動作或模式同步等可以以IOMHz或更高的振蕩頻率使激光束進行脈沖振蕩.當使用IOMHz或更高的振蕩頻率來使激光束振蕩時，在用激光束熔化半導體膜之后并在凝固半導體膜之前向半導體膜發(fā)射下一個脈沖。因此，由于固相和液相之間的界面可以在半導體膜中連續(xù)地移動，這不同于使用振蕩頻率低的脈沖激光的情況，可以獲得沿掃描方向連續(xù)生長的晶粒。
通過使用陶瓷(多晶體)作為介質(zhì)，可以以短時間和低成本形成任何形狀的介質(zhì)。 當采用單晶體時，通常使用直徑為幾_、長度為幾十_的圓柱形的介質(zhì)，但是，當采用陶瓷時可以形成更大的介質(zhì).由于在直接有助于發(fā)光的介質(zhì)中的Nd、Yb等摻雜物的濃度，在單晶體中也好在多晶體中也好不能被大幅度地更改，因此，通過增加濃度而提高激光輸出就有一定的界限。然而，在用陶瓷的情況下，因為與單晶體相比，可以顯著增大介質(zhì)的尺寸，所以可以實現(xiàn)大幅度地提高輸出。而且，在用陶瓷的情況下，可以容易地形成平行六面體形狀或長方體形狀的介質(zhì).通過使用這樣形狀的介質(zhì)使振蕩光在介質(zhì)內(nèi)部以之字型前進，可以增加振蕩光路的距離。因此，振幅變大，使以大輸出進行振蕩成為可能。另外，由于從這樣形狀的介質(zhì)發(fā)射的激光束在發(fā)射時的剖面形狀是矩形形狀，所以與圓形狀的激光束相比有利于將其整形為線狀激光束。通過利用光學系統(tǒng)整形這樣被發(fā)射的激光束，可以容易地獲取短邊長度為1_ 或更短、長邊長度為幾_到幾m的線狀激光束。此外，通過將激發(fā)光均勻地照射在介質(zhì)上， 線狀激光束沿著長邊方向具有均勻能量分布.通過將上述線狀激光束照射在半導體膜上，可以對于整個半導體膜表面更均勻地進行退火.當需要對直到線狀激光束的兩端進行均勻地退火時，需要采用在激光束的兩端布置以對能量的衰減部分進行遮光等的方法。當使用根據(jù)上述工藝而得到的具有均勻強度的線狀激光束對于半導體膜進行退火，并使用該半導體膜制造電子器具時，該電子器具的特性良好且均勻.接下來，如果有必要，將少量的雜質(zhì)元素(硼或磷)摻雜到半導體膜中，以便控制 TFT的閾值。在此采用離子摻雜方法，在該方法中，激發(fā)成等離子體，并使之沒有質(zhì)量分離。島狀半導體膜3形成為25至80nm的厚度(優(yōu)選為30至70nm)。半導體膜的材料沒有特別的限定，但是優(yōu)選的是，使用硅或硅鍺(SiGe)合金等形成。然后，形成柵極絕緣膜4使其覆蓋島狀半導體膜3。作為柵極絕緣膜4，可以使用熱氧化膜、氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等的單層或疊層結(jié)構(gòu)。與島狀半導體膜3接觸的柵極絕緣膜4優(yōu)選為氧化硅膜。這是因為，當將氧化硅膜用于柵極絕緣膜4時，在與島狀半導體膜的界面中俘獲能級變少。此外，當使用Mo形成柵電極時，與柵電極接觸的柵極絕緣膜優(yōu)選為氮化硅膜。這是因為氮化硅膜不使Mo氧化.在此，通過等離子體CVD法形成厚度為115nm的氧氮化硅膜(組成比為Si = 32%、 O = 59%,N = 7%,H = 2% )作為柵極絕緣膜4.接下來，在柵極絕緣膜4上形成導電層，使用通過光刻法等形成的掩模加工該導電層的形狀來形成柵電極5.作為柵電極的材料，有Mo、Ti、W、Al、Nd、Cr、以及這些元素的合金等?；蛘?，也可以通過層疊這些元素，或者層疊這些元素的合金來構(gòu)成柵電極5。在此， 使用Mo形成柵電極。接著，以柵電極5或抗蝕劑為掩模，將雜質(zhì)元素摻雜到島狀半導體膜 3，來形成溝道形成區(qū)域8和將成為源極區(qū)域及漏極區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域9。然后，使用氮化硅形成第一層間絕緣膜6.并且，進行添加到島狀半導體膜3的雜質(zhì)元素的活化及氫化.另外，也可以不形成第一層間絕緣膜6。接下來，使用具有透光性的無機材料(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等)或介電常數(shù)低的有機化合物材料(光敏性或非光敏性的有機樹脂材料)來形成第二層間絕緣膜7。此外，也可以使用具有硅氧烷的材料來形成第二層間絕緣膜.注意，硅氧烷是由硅(Si)-氧 (O)鍵形成其骨架結(jié)構(gòu)的材料。使用至少包含氫的有機基(諸如烷基或芳烴)作為取代基。 氟基也可以用作取代基.或者，至少包含氫的有機基和氟基可以用作取代基。第二層間絕緣膜7也可以為疊層結(jié)構(gòu)。接下來，使用光掩模形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，使用該掩模選擇性地蝕刻第一層間絕緣膜6、第二層間絕緣膜7、以及柵極絕緣膜4來形成接觸孔。然后，除去由抗蝕劑構(gòu)成的掩模。然后，使用濺射法或印刷法在第二層間絕緣膜7上形成導電膜。導電膜既可為透明導電膜，又可具有反射性.在為透明導電膜的情況下，例如可以使用將氧化錫混合到氧化銦來制作的銦錫氧化物(ITO)膜、將氧化硅混合到銦錫氧化物(ITO)來制作的銦錫硅氧化物(ITSO)膜、將氧化鋅混合到氧化銦來制作的銦鋅氧化物(IZO)膜、氧化鋅膜、或氧化錫膜.注意，IZO指的是使用將2至20wt%的氧化鋅(ZnO)混合到ITO制作的靶通過濺射法形成的透明導電材料.在第二層間絕緣膜7上形成透明導電膜10，接著在透明導電膜10上層疊金屬膜
11。透明導電膜10和金屬膜11可以通過濺射法連續(xù)地形成.在透明導電膜的材料中，電阻高的材料很多，因此，金屬膜11優(yōu)選為其電阻比透明導電膜低的材料。例如可以使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al等.此外，也可以為層疊Ti、Mo、 Ta、Cr、W中任何一個和Al而構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)；Ti、Mo、Ta、Cr、W等金屬夾Al而構(gòu)成的三層疊層結(jié)構(gòu)。接著，在金屬膜11的整個表面上涂敷抗蝕劑膜，然后使用圖IA所示的曝光掩膜進行曝光.在使用ITO膜作為透明導電膜的情況下，必須要對于ITO膜進行熱處理并晶化的工序。此時，優(yōu)選使用濺射法形成ITO膜，進行烘燒，然后形成金屬膜11。當使用ITSO膜時，由于不需要晶化的工序，所以工序數(shù)量少。在圖IA中，曝光掩模包括曝光光被遮光的遮光部分12a、12b和透過曝光光的一部分的半透光部分13.半透光部分13設(shè)置有半透光膜19，由此降低曝光光的光強度.遮光部分12a、12b通過在半透光膜19上層疊有金屬膜20構(gòu)成.遮光部分12b的寬度表示為tl， 而半透光部分13的寬度表示為t2.在此示出了使用半透光膜作為半透光部分的示例，但是不局限于此，半透光部分只要是降低曝光光的光強度即可。此外，也可以將衍射光柵圖案用于半透光部分.通過使用圖IA所示的曝光掩模來進行抗蝕劑膜的曝光，非曝光區(qū)域14a和曝光區(qū)域14b形成在抗蝕劑膜中.當進行曝光時，光既反射遮光部分12a、12b又透過半透光部分 13，由此形成圖IA所示的曝光區(qū)域14b。然后，通過進行顯像來除去曝光區(qū)域14b，如圖IB所示，大致分類包括兩個膜厚度的抗蝕劑圖案15a和包括幾乎均勻膜厚度的抗蝕劑圖案16a形成在金屬膜11上?？刮g劑圖案15a具有膜厚度厚的區(qū)域和膜厚度比該區(qū)域薄的區(qū)域，在膜厚度薄的區(qū)域中，通過調(diào)整曝光能或半透光膜19的透過率，可以調(diào)整膜厚度?？刮g劑圖案15a為左右不對稱，而抗蝕劑圖案16a為左右對稱。接下來，通過干式蝕刻進行金屬膜11及透明導電膜10的蝕刻.通過使用高密度等離子體源如 ECR(Electron Cycrotron Resonance :電子回旋共振)或 ICP(InductiveCoupled Plazma :感應(yīng)稱合等離子體)等的干式蝕刻裝置進行干式蝕刻.注意，在此示出了使用ICP型蝕刻裝置的示例，但不局限于此.例如，可以使用平行板式蝕刻裝置、磁控管型蝕刻裝置、ECR型蝕刻裝置、螺旋型蝕刻裝置。也可以使用濕式蝕刻進行金屬膜11及透明導電膜10的蝕刻。另外，由于干式蝕刻適合于微細加工，所以優(yōu)選進行干式蝕刻.此外，由于金屬膜11及透明導電膜10的材料和第二層間絕緣膜7的材料不同，即使進行干式蝕刻，第二層間絕緣膜7可以獲得比金屬膜 11及透明導電膜10高的蝕刻選擇比。為了進一步提高蝕刻選擇比，也可以使用氮化硅膜形成第二層間絕緣膜7的至少最上層。像這樣，如圖IC所示，由透明導電膜17a和金屬膜17b的疊層構(gòu)成的圖案以及由透明導電膜18a和金屬膜18b的疊層構(gòu)成的圖案形成在第二層間絕緣膜7上.接下來，使抗蝕劑圖案15a、16a灰化或蝕刻(圖2A).通過該工序，在抗蝕劑圖案 15a的膜厚度薄的區(qū)域被蝕刻的同時，抗蝕劑圖案15a、16a的膜厚度整體也變薄與該膜厚度薄的區(qū)域的膜厚度相同厚度。這樣，形成抗蝕劑圖案15b、16b.由于抗蝕劑圖案15a、16a 除了在膜厚度方向以外，還在寬度方向被蝕刻，所以抗蝕劑圖案15b、16b的寬度比金屬膜 17b及18b、透明導電膜17a及18a的寬度小。因此，抗蝕劑圖案15b、16b的側(cè)面與在其下層的金屬膜及透明導電膜的側(cè)面不一致，并且抗蝕劑圖案15b、16b的側(cè)面在更內(nèi)側(cè).在圖 2B中，抗蝕劑圖案15b為左右不對稱，而抗蝕劑圖案16b為左右對稱。接下來，使用抗蝕劑圖案15b蝕刻金屬膜18b，來形成金屬膜18c (圖2B)。此時， 優(yōu)選使用對于透明導電膜18a可以具有高選擇比的材料作為金屬膜18b的材料，以便不使透明導電膜18a無用地蝕刻.例如，如果透明導電膜18a的材料是ITS0，優(yōu)選使用Ti、Mo、 Cr、Al等作為金屬膜18b的材料，并且金屬膜18b也可以為由這些材料構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。這樣，形成與透明導電膜18a相比，圖案小，S卩，平面面積小的金屬膜18c。另一方面，金屬膜 17b也由抗蝕劑圖案16b蝕刻，以形成平面面積比透明導電膜17a小的金屬膜17c。雖然可以使用干式蝕刻和濕式蝕刻中的任一蝕刻來進行圖2A至2B中的金屬膜 17b及18b的蝕刻，但是圖2B示出了使用干式蝕刻形成金屬膜17c及18c的情況.在使用干式蝕刻的情況下，金屬膜18c的剖面的側(cè)面為不對稱。這是因為，抗蝕劑圖案15b的形狀為不對稱，金屬膜18c形成為反映該形狀的緣故。金屬膜18c的剖面形狀為如下一個側(cè)面的傾斜比另一個側(cè)面更大.金屬膜17c形成為其側(cè)面與抗蝕劑圖案16b的側(cè)面一致。在金屬膜18c中，一個側(cè)面位于抗蝕劑圖案15b的一個側(cè)面的延長線上，而另一個側(cè)面與抗蝕劑圖案15b的另一個側(cè)面一致.當對于金屬膜17b及18b進行濕式蝕刻時，由于各向同性地進行蝕刻，所以就形成比抗蝕劑圖案15b、16b小的金屬膜。圖4A和4B示出了進行濕式蝕刻的情況的圖。在圖4A 中，對于金屬膜17b及18b分別進行濕式蝕刻，來形成金屬膜17d及18d.其他部分與圖2B 相同?？刮g劑圖案15b、16b的側(cè)面和金屬膜17d及18d的側(cè)面不一致.因此，即使以同一抗蝕劑圖案15b、16b為掩模，與干式蝕刻相比，使用濕式蝕刻形成的金屬膜17d及18d更小。圖4B是金屬膜17d為以三層疊層形成的情況的圖.例如，金屬膜17d為Ti膜91a、 93a夾有鋁膜92a而成的疊層結(jié)構(gòu)，金屬膜17d和抗蝕劑圖案16b的側(cè)面不一致。此外，金屬膜18d也為Ti膜91b、93b夾有鋁膜92b而成的疊層結(jié)構(gòu)，金屬膜18d和抗蝕劑圖案15b 的側(cè)面不一致.在圖4A和4B中，由于使用干式蝕刻形成透明導電膜17a、18a，所以其側(cè)面具有對于襯底一面大致垂直或近于90°的角度Q1。另一方面，當使用濕式蝕刻形成金屬膜I7d及 18d時，由各向同性蝕刻，其側(cè)面具有對于襯底一面銳角的角度θ2.因此，比較透明導電膜的側(cè)面的角度91和金屬膜的側(cè)面的角度θ2，就為G1 > θ2。在此，角度G1是透明導電膜的側(cè)面對于襯底I的表面的傾斜角度，角度Θ 2是金屬膜的側(cè)面對于襯底I的表面的傾斜角度，并且Θ !> θ2都在0°至90°的范圍內(nèi).在金屬膜為如圖4Β那樣的疊層結(jié)構(gòu)的情況下，有可能蝕刻速度根據(jù)各層不同.伴隨此，有可能各層的側(cè)面對于襯底表面的角度分別不同。因此，當金屬膜為疊層結(jié)構(gòu)時，以最下層的膜的側(cè)面對于襯底表面的角度為θ2。另外，有可能金屬膜17d、18d及作為透明導電膜的透明導電膜17a、18a的側(cè)面具有凹凸而不是平滑的表面。在此情況下，適當?shù)卮_定角度& θ2，即可.例如，可以對于具有凹凸的表面畫粗略的直線或曲線，使用該線來確定角度θ2.此外，也可以基于側(cè)面的凹凸，算出多個角度Q1R θ2，并且以其平均值為Q1R θ2。換言之，采用最合理的方法即可。如上所述，使用干式蝕刻和濕式蝕刻中任一蝕刻方法形成金屬膜17c、18c或金屬膜17d、18d.無論使用哪個蝕刻方法形成，都可以形成具有側(cè)面位于透明導電膜17a及18a 的側(cè)面的內(nèi)側(cè)的金屬膜17c、18c或金屬膜17d、18d.也就是說，平面面積比透明導電膜17a 小的金屬膜17c或17d、以及平面面積比透明導電膜18a小的金屬膜18c或18d被形成.其原因之一如下用于形成透明導電膜17a、18a的掩模即抗蝕劑圖案15a、16a和用于形成金屬膜的掩模即抗蝕劑圖案15b、16b的大小不同，抗蝕劑圖案15b、16b更小。然后，除去抗蝕劑圖案15b、16b (圖2C).由此形成由透明導電膜17a及金屬膜17c 構(gòu)成的布線或電極、由透明導電膜18a及金屬膜18c構(gòu)成的布線或電極.透明導電膜18a 起到像素電極的作用.在圖4A和4B中，通過除去抗蝕劑圖案15b、16b，形成由透明導電膜 17a及金屬膜17d構(gòu)成的布線或電極、由透明導電膜18a及金屬膜18d構(gòu)成的布線或電極.當以抗蝕劑圖案15b為掩模蝕刻金屬膜18b時，透明導電膜18a的表面的一部分也稍微被蝕刻.特別是，由于當使用干式蝕刻形成金屬膜18c時，難以獲得與下層的透明導電膜的選擇比，所以透明導電膜18a的表面的一部分更容易被蝕刻.因此，比較圖2C的透明導電膜18a的膜厚度a和膜厚度b，就為膜厚度a <膜厚度b。另外，膜厚度a是與金屬膜18c或金屬膜18d不重疊的部分中的透明導電膜18a的平均膜厚度，而膜厚度b是在達到雜質(zhì)區(qū)域9的接觸孔底部的透明導電膜18a的膜厚度.當在圖2C所不的TFT上層疊發(fā)光兀件來形成向襯底I的方向發(fā)光的發(fā)光器件時， 因透明導電膜18a的膜厚度薄而透過率提高，所以可以提供明亮的顯示.因此，膜厚度a優(yōu)選薄。此外，當以抗蝕劑圖案15b為掩模蝕刻金屬膜18b時，由于可以蝕刻透明導電膜18a 的表面，所以可以除去表面的塵埃，可以防止起因于塵埃的發(fā)光元件的短路。在本實施方式中形成的金屬膜18c的一個側(cè)面具有傾斜。因此，在利用于液晶顯示器件的情況下，如果從金屬膜18c的具有傾斜的側(cè)面一側(cè)研磨，就可以順利地研磨金屬膜18c的側(cè)面.如果從金屬膜18c的側(cè)面為垂直的方向研磨,有時因研磨布在垂直的側(cè)面上受到壓力等原因而導致研磨不充分，以至定向不充分.因此，優(yōu)選從金屬膜18c的側(cè)面具有傾斜一側(cè)研磨。此外，如圖4所示，在使用濕式蝕刻形成雙側(cè)面都具有傾斜的金屬膜17d及18d的情況下，可以從任意方向順利地研磨，因此更有效。圖3示出了圖2C的俯視圖.圖2C是沿圖3的A-A’的剖面圖。如從圖3看得出， 由透明導電膜17a及金屬膜17c的疊層構(gòu)成的布線或電極用作TFT的源電極或漏電極，還用作源布線。此外，由透明導電膜18a及金屬膜18c構(gòu)成的布線或電極用作TFT的源電極或漏電極，還用作像素電極。嚴密地說，與金屬膜18c不重疊的透明導電膜18a的部分用作像素電極，是透過光的部分.此外，電容布線21由與柵電極5相同的層形成，并且電容布線 21通過與透明導電膜18a重疊來形成電容器.另外，電容布線21也可以由與柵電極5不同的層形成。金屬膜17c的側(cè)面與透明導電膜17a的側(cè)面不一致，并位于透明導電膜17a的側(cè)面的內(nèi)側(cè)。金屬膜18c的側(cè)面與透明導電膜18a的側(cè)面不一致，并位于透明導電膜18a 的側(cè)面的內(nèi)側(cè).在圖4中所說明的金屬膜17d和透明導電膜17a的關(guān)系、金屬膜18d和透明導電膜18a的關(guān)系也與此同樣.在本實施方式中，在平坦的面上形成用作像素電極的透明導電膜非常有利于防止透明導電膜的破裂.當蝕刻并形成金屬膜18c時，露出于金屬膜18c的下層的透明導電膜 18a的表面也稍微被蝕刻.由此，如果在透明導電膜18a形成在具有臺階的面上的狀態(tài)下， 該透明導電膜的膜厚度不均勻，由形成金屬膜18c的蝕刻，透明導電膜的膜厚度薄的部分也被蝕刻，透明導電膜有可能產(chǎn)生破裂.當產(chǎn)生破裂時，在破裂部分中產(chǎn)生漏光，像素電極的面積又縮小由此導致開口率降低。因此，優(yōu)選在平坦的面上形成露出于金屬膜18c的透明導電膜18a的部分.為此而優(yōu)選使用有機材料形成第二層間絕緣膜7，形成具有平坦面的第二層間絕緣膜。在根據(jù)本發(fā)明形成金屬膜和導電膜的疊層的情況下，導電膜接觸并位于金屬膜下。但是，在臺階大的部分上，導電膜不一定接觸并位于金屬膜下.這是因為有可能導電膜由于臺階而產(chǎn)生破裂的緣故。因此，在達到圖IA至IC中雜質(zhì)區(qū)域9的接觸孔的部分，優(yōu)選在導電膜上配置金屬膜。圖19示出了導電膜在接觸孔中產(chǎn)生破裂的狀態(tài).導電膜94、95由于接觸孔側(cè)面的傾斜一部分斷裂。但是，如果在接觸孔部分中，金屬膜96、97形成在導電膜94、95上，即使透明導電膜斷裂，也可以通過金屬膜電連接被斷裂了的導電膜.在此情況下，在接觸孔的側(cè)面上有金屬膜96、97與第二層間絕緣膜7接觸的部分。此外，由于在接觸孔中的導電膜不起到像素電極的作用，所以其上部殘存有金屬膜也沒有問題。因此，在本實施方式的結(jié)構(gòu)中，即使透明導電膜在接觸孔中產(chǎn)生破裂，也可以由形成在其上部的金屬膜補償透明導電膜的電連接，所以可以防止顯示問題。此外，在圖3中，在導電膜的起因于電容布線21產(chǎn)生的臺階的部分上，也優(yōu)選使金屬膜在導電膜上殘存.即使導電膜由于臺階斷裂，也可以通過金屬膜電連接導電膜，因此可以確實地形成電容器。另外，在圖3所示的透明導電膜18a的形狀只是一個例子，也可以為其他形狀.例如，既通過使透明導電膜具有梳子齒兒形狀來形成使用IPS(In-Plane-Switching :板內(nèi)切換)方式、FFS(Fringe Field Switching :邊緣區(qū)域切換)方式的像素電極,又通過設(shè)置裂縫來形成使用MVA(Multi-domain Vertical Alignment :多項限垂直配向)方式、 PVA(Patterned Vertical Alignment :特定豎向定線)方式的像素電極.根據(jù)以上，由于可以使用一個抗蝕劑圖案形成透明導電膜和金屬膜，所以可以減少制造工序數(shù)量。此外，通過在作為布線或電極利用透明導電膜的同時疊層金屬膜，可以減少電阻而提高導電性。在一種情況下,可以不設(shè)置使抗蝕劑圖案灰化或蝕刻并形成抗蝕劑圖案15b、16b 的工序，所述情況是如下在圖IB所示的狀態(tài)至蝕刻透明導電膜10及金屬膜11之間，抗蝕劑圖案15a、16a也自然被蝕刻，來形成抗蝕劑圖案15b、16b。另外，雖然在本實施方式中，使用具有由結(jié)晶半導體膜構(gòu)成的島狀半導體膜的頂部柵極型TFT來進行說明，但是本實施方式也可以應(yīng)用于由結(jié)晶半導體膜構(gòu)成的底部柵極型TFT。此外，在本實施方式中，島狀半導體膜具有將成為源極區(qū)域及漏極區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域 9和溝道形成區(qū)域8，但除此之外還可以具有低濃度雜質(zhì)區(qū)域、偏移區(qū)域等.實施方式2將參照圖5A至5C描述本實施方式.關(guān)于在本實施方式中將描述的構(gòu)成TFT的襯底的種類、各層的形成方法及材料等，可以參照實施方式I.在襯底401上形成絕緣膜402作為基底膜。另外，也可以不設(shè)置基底膜。接著，在絕緣膜402上形成導電層，使用通過光刻法等形成的掩模加工導電層的形狀，來形成柵電極 403.形成柵極絕緣膜404使其覆蓋柵電極403。在柵極絕緣膜404上形成非晶半導體膜.非晶半導體膜的材料沒有特別的限制，優(yōu)選使用硅或硅鍺(SiGe)合金等來形成。接著， 在非晶半導體膜上形成導電層.作為導電層，例如可以使用含有磷的非晶硅膜.然后，使用通過光刻法等形成的掩模加工非晶半導體膜及導電層的形狀，來形成島狀半導體膜405和導電層406.在導電層406上層疊并形成透明導電膜407及金屬膜408.另外，也可以使用具有反射性的導電層代替透明導電膜.此外，作為透明導電膜可以使用實施方式I所示的透明導電膜材料。接著，在金屬膜408的整個表面上涂敷抗蝕劑膜，然后使用圖5A所示的曝光掩模來進行曝光。在圖5A中，曝光掩模具有遮光部分409a、409b、半透光部分410.可以將衍射圖案或半透光膜用于半透光部分410。當使用圖5A所示的曝光掩模進行抗蝕劑膜的曝光時，非曝光區(qū)域411和曝光區(qū)域412形成在抗蝕劑膜中。然后進行顯像，如圖5B所示，抗蝕劑圖案413a和抗蝕劑圖案414a被形成.抗蝕劑圖案414a由被遮光部分409b曝光并顯像了的區(qū)域422 (抗蝕劑圖案414a中的虛線的左側(cè)部分)和被半透光部分410曝光并顯像了的區(qū)域423 (抗蝕劑圖案414a中的虛線的右側(cè)部分)構(gòu)成。接下來，使用干式蝕刻進行對于金屬膜408及透明導電膜407的蝕刻。由此，如圖 5C所不，由透明導電膜415及金屬膜416的疊層構(gòu)成的圖案和由透明導電膜419及金屬膜 420的疊層構(gòu)成的圖案被形成。作為該蝕刻，也可以使用濕式蝕刻。但是，由于干式蝕刻適合于微細加工，所以優(yōu)選使用干式蝕刻。此外，由于金屬膜408及透明導電膜407的材料與柵極絕緣膜404的材料不同，所以即使使用干式蝕刻，也可以獲得高蝕刻選擇比。為了使兩者的蝕刻選擇比更高，也可以使用氮化硅膜形成柵極絕緣膜404的至少最上層.
接下來，如圖6A所示，灰化或蝕刻抗蝕劑圖案413a、414a。通過該工序，抗蝕劑圖案414a的區(qū)域423被除去。此外，抗蝕劑圖案414a的區(qū)域422變薄與上述區(qū)域423的膜厚度d2相同的厚度，形成抗蝕劑圖案414b?？刮g劑圖案413a也被灰化與膜厚度d2相同的厚度，形成抗蝕劑圖案413b.此外，由于在寬度方向中也被蝕刻，所以抗蝕劑圖案413b、414b 的寬度比金屬膜416、420、透明導電膜415、419的寬度小·因此，抗蝕劑圖案413b、414b的側(cè)面與在下層的金屬膜及透明導電膜的側(cè)面不一致，并且抗蝕劑圖案413b、414b的側(cè)面在更內(nèi)側(cè).此外，抗蝕劑圖案414b的兩側(cè)面對于襯底表面的角度互相不同.另一方面，抗蝕劑圖案413b的兩側(cè)面對于襯底表面的角度大致相同.接下來，使用抗蝕劑圖案414b蝕刻金屬膜416，來形成金屬膜421.此外，使用抗蝕劑圖案413b蝕刻金屬膜420，來形成金屬膜424 (圖6B)。此時，不使透明導電膜415無用地蝕刻.金屬膜424、421由比透明導電膜419、415小的圖案形成.此外，以透明導電膜 419,415為掩模蝕刻導電層406，以形成導電層417及418.島狀半導體膜405的一部分也稍微被蝕刻。透明導電膜419的一個端部和導電層417的一個端部、以及透明導電膜415 的一個端部和導電層418的一個端部分別一致.金屬膜421及424在同一工序中形成。此外，在用于形成金屬膜421及424的蝕刻的同時,也可以蝕刻導電層406。然后，除去抗蝕劑圖案413b、414b，以形成由透明導電膜419及金屬膜424構(gòu)成的布線或電極、由金屬膜421及透明導電膜415構(gòu)成的布線或電極。透明導電膜415起到像素電極的作用(圖6C)。雖然可以在圖5C中所示的蝕刻的同時形成導電層417及418，但是，如圖6A至6C 所示，優(yōu)選當形成金屬膜424、421時或之后形成導電層417及418.這是因為，如果在圖5C 的臺階中使島狀半導體膜露出，當形成金屬膜424、421時，就有可能進一步蝕刻島狀半導體膜.圖6B的蝕刻既可為干式蝕刻，又可為濕式蝕刻.在使用干式蝕刻的情況下，如圖 6B和6C所示，金屬膜421的剖面形狀反映抗蝕劑圖案414b的形狀，左右不對稱。也就是說， 金屬膜421具有其一個側(cè)面的傾斜比另一個側(cè)面更大的剖面形狀，一個側(cè)面位于抗蝕劑圖案414b的一個側(cè)面的延長線上，另一個側(cè)面與抗蝕劑圖案414b的另一個側(cè)面一致。金屬膜424形成為其側(cè)面與抗蝕劑圖案413b的側(cè)面一致.將參照圖8描述使用濕式蝕刻形成金屬膜421及424的情況.以使用濕式蝕刻形成的金屬膜為金屬膜425、426，而代替使用干式蝕刻形成的金屬膜421、424.在使用濕式蝕刻的情況下，如圖8所示，小于抗蝕劑圖案413b、414b的金屬膜425、 426被形成，抗蝕劑圖案413b、414b的側(cè)面和金屬膜425、426的側(cè)面不一致.因此，即使使用同一抗蝕劑圖案413b、414b作為掩模，與干式蝕刻相比，使用濕式蝕刻可以形成平面面積更小的金屬膜.此外，與圖4相同，在使用濕式蝕刻形成金屬膜的情況下，比較透明導電膜415、419的側(cè)面的角度01和金屬膜425、426的側(cè)面的角度θ2，就為Q1S Θ 2。在此， 角度Θ i是透明導電膜的側(cè)面對于襯底401的表面的傾斜角度，角度92是金屬膜的側(cè)面對于襯底401的表面的傾斜角度，并且θ” θ2都在0°至90°的范圍內(nèi).此外，當金屬膜 425、426為如圖4Β那樣的疊層結(jié)構(gòu)時，以最下層的膜的側(cè)面對于襯底表面的角度為θ 2.另外，當使用濕式蝕刻時，導電層406的蝕刻既可在與圖5C的蝕刻同時進行，又可在圖6Β中形成金屬膜425、426之后進行。
無論使用哪個蝕刻方法形成金屬膜，都可以形成具有側(cè)面位于透明導電膜419的側(cè)面的內(nèi)側(cè)的金屬膜425或金屬膜424、具有側(cè)面位于透明導電膜415的側(cè)面的內(nèi)側(cè)的金屬膜421或金屬膜426.也就是說，平面面積比透明導電膜419小的金屬膜424或425、以及平面面積比透明導電膜415小的金屬膜421或426被形成。然后，除去抗蝕劑圖案413b、414b，形成由透明導電膜419及金屬膜424構(gòu)成的布線或電極、由金屬膜421及透明導電膜415構(gòu)成的布線或電極(圖6C)。在圖8中，通過除去抗蝕劑圖案413b、414b，形成由透明導電膜419及金屬膜425構(gòu)成的布線或電極、由透明導電膜415及金屬膜426構(gòu)成的布線或電極。在使用本發(fā)明的具有膜厚度不同的區(qū)域的抗蝕劑圖案414a層疊并形成金屬膜 421及透明導電膜415的情況下，當形成金屬膜421時，透明導電膜415的表面的一部分也稍微被蝕刻。特別是，由于當使用干式蝕刻形成金屬膜421時，難以獲得與下層的透明導電膜415的選擇比，所以透明導電膜415的表面的一部分更容易被蝕刻.因此，比較圖6C的透明導電膜415的膜厚度a (露出于金屬膜421的透明導電膜415的膜厚度)和膜厚度c (與柵極絕緣膜404和金屬膜421接觸的透明導電膜的膜厚度)，就為膜厚度a <膜厚度c.另外，膜厚度a和膜厚度c是平均的膜厚度.當在圖6C的TFT上層疊發(fā)光元件來形成發(fā)光器件時，膜厚度a <膜厚度c帶來如下效果.在向襯底401的方向發(fā)光的發(fā)光器件中，因膜厚度a薄而可以提供明亮的顯示.此外，由于可以蝕刻透明導電膜415的表面，所以可以除去表面的塵埃，可以防止發(fā)光元件的短路.在本實施方式中形成的金屬膜421的一個側(cè)面具有傾斜。因此，在利用于液晶顯示器件的情況下，如果從金屬膜421的具有傾斜的側(cè)面一側(cè)研磨，就可以順利地研磨金屬膜421的側(cè)面。如果從金屬膜421的側(cè)面為垂直的方向研磨,有時因研磨布在垂直的側(cè)面上受到壓力等原因而導致研磨不充分，以至定向不充分。因此，優(yōu)選從金屬膜421的側(cè)面具有傾斜一側(cè)研磨。此外，如圖8所示，在使用濕式蝕刻形成兩側(cè)面都具有傾斜的金屬膜425及426的情況下，可以從任意方向順利地研磨，因此更有效.圖7示出了圖6C的俯視圖.圖6C是沿圖7的A-A’的剖面圖。如從圖7看得出， 由透明導電膜419及金屬膜424的疊層構(gòu)成的布線或電極用作TFT的源電極或漏電極，還用作源布線。此外，由透明導電膜415及金屬膜421的疊層構(gòu)成的布線或電極用作TFT的源電極或漏電極，還用作像素電極。嚴密地說，與金屬膜421不重疊的透明導電膜415的部分用作像素電極.此外，由與柵電極403相同的層形成的電容布線430通過與透明導電膜 415重疊來形成電容器.另外，電容布線430也可以由與柵電極不同的層形成.金屬膜424 的側(cè)面與透明導電膜419的側(cè)面不一致，并位于透明導電膜419的側(cè)面的內(nèi)偵彳。金屬膜421 的側(cè)面與透明導電膜415的側(cè)面不一致，并位于透明導電膜415的側(cè)面的內(nèi)側(cè).在圖8中所說明的金屬膜425和透明導電膜419的關(guān)系、金屬膜426和透明導電膜415的關(guān)系也與此同樣.此外，使用金屬膜421覆蓋形成在起因于電容布線430、柵電極403或島狀半導體膜405的臺階上的透明導電膜415，有益于防止用作像素電極的透明導電膜的破裂。由于當通過蝕刻形成金屬膜421時透明導電膜415也稍微被蝕刻，因此，如果透明導電膜的膜厚度不均勻，當進行該蝕刻時，透明導電膜就產(chǎn)生破裂.因此，優(yōu)選利用透明導電膜的在平坦面上的部分作為像素電極，這是因為在平坦面上容易形成為膜厚度均勻。為此，形成金屬膜 421以覆蓋位于具有臺階的面上的透明導電膜415即可.由此，在具有臺階的面上的透明導電膜415不會被蝕刻，從而不會產(chǎn)生破裂。此外，為了以金屬膜421覆蓋在臺階面上的透明導電膜415，當以圖5B的抗蝕劑圖案414a的區(qū)域423的膜厚度為d2并且以區(qū)域422中最薄的膜厚度為dl時，必須至少為dl > d2.這是因為，雖然當在圖6A中灰化抗蝕劑時，膜厚度d2被灰化，從而抗蝕劑整體的膜厚度變薄了 d2，但是即使通過該灰化使膜厚度變薄了 d2，區(qū)域422也需要殘存有抗蝕劑.因此，優(yōu)選是至少在抗蝕劑圖案414a中，區(qū)域422中的膜厚度最薄的部分的膜厚度dl 比區(qū)域423的膜厚度d2厚·通過以上工序，可以形成具有由非晶半導體膜構(gòu)成的島狀半導體膜的底部柵極型 TFT.在利用透明導電膜作為布線或電極的同時，通過疊層金屬膜可以降低電阻，以提高導電性.此外，由于不需要另外設(shè)置用于形成金屬膜421的抗蝕劑圖案，因此可以減少工序數(shù)量·另外，圖9A示出了具有溝道保護膜的TFT的結(jié)構(gòu)作為本實施方式的另一個TFT的結(jié)構(gòu)。在圖9A的TFT中，與圖5至圖8相同的部分由相同的符號表示，并且省略詳細說明.直到在襯底401上形成島狀半導體膜405的工序與圖5A相同.接下來，形成絕緣膜如氮化硅膜等，通過蝕刻加工該絕緣膜的形狀，來在島狀半導體膜405上的大致中央形成溝道保護膜601.然后，順序形成導電層406、透明導電膜407、金屬膜408以覆蓋該溝道保護膜601.然后，在金屬膜408的整個表面上涂敷抗蝕劑膜.接著，在使用具有半透光部分的曝光掩模曝光抗蝕劑膜之后，進行顯像來形成抗蝕劑圖案413a、414a。接下來，通過干式蝕刻使用抗蝕劑圖案413a、414a進行蝕刻來形成導電層417、導電層418、透明導電膜415、透明導電膜419、金屬膜416、金屬膜420。透明導電膜415用作像素電極(圖9B).溝道保護膜601成為當形成導電層417、418時防止島狀半導體膜405 被蝕刻的保護膜。接下來，將抗蝕劑圖案413a、414a灰化來形成抗蝕劑圖案413b、414b (圖9C).使用抗蝕劑圖案413b、414b蝕刻金屬膜420、416來形成金屬膜424、421(圖9D).圖9D示出了使用干式蝕刻形成金屬膜424、421的情況.另外，也可以使用濕式蝕刻形成圖8所示的金屬膜425、426。該情況的金屬膜和透明導電膜的端部的形狀與圖8所說明的形狀相同。具有溝道保護膜601的結(jié)構(gòu)的TFT包括如下效果.首先，在圖9B所示的透明導電膜407、金屬膜408的蝕刻工序中，當進行干式蝕刻時，沒有島狀半導體膜被蝕刻的憂慮.因此透明導電膜及金屬膜的蝕刻工序具有自由度，可以以最合適的蝕刻條件進行蝕刻.此外，可以使用干式蝕刻微細地加工。此外，可以形成薄的島狀半導體膜405，以提高TFT的特性。因此，最合適于有源矩陣型有機發(fā)光二極管，其需要大電流流出的TFT作為驅(qū)動TFT.此外，圖10示出了另一個TFT的結(jié)構(gòu).該結(jié)構(gòu)是用結(jié)晶半導體膜形成的底部柵極型TFT。直到在襯底401上形成柵極絕緣膜404的工序與圖5A相同。然后，在柵極絕緣膜上形成結(jié)晶半導體膜.既可在柵極絕緣膜上直接形成結(jié)晶半導體膜，又可如實施方式I那樣在形成非晶半導體膜之后進行晶化來形成結(jié)晶半導體膜.通過蝕刻加工結(jié)晶半導體膜的形狀來形成島狀半導體膜405。通過將雜質(zhì)選擇性地摻雜到島狀半導體膜405中，在島狀半導體膜405中形成一對雜質(zhì)區(qū)域602和溝道形成區(qū)域603.在島狀半導體膜405上形成層間絕緣膜604，然后在該層間絕緣膜604中形成到達雜質(zhì)區(qū)域602的接觸孔，層疊透明導電膜及在該透明導電膜上的金屬膜。然后，使用由圖5A所示的曝光掩模曝光并顯像了的抗蝕劑圖案進行蝕刻，來形成由透明導電膜419及金屬膜424構(gòu)成的電極或布線、以及由透明導電膜415及金屬膜421構(gòu)成的電極或布線.在圖10的結(jié)構(gòu)中，通過使用有機樹脂材料等形成層間絕緣膜604，層間絕緣膜604具有平坦面.也就是說，由于可以將透明導電膜415 形成在平坦面上，因此可以防止當進行蝕刻形成金屬膜421時產(chǎn)生透明導電膜415的破裂。另外，在圖10中所示的TFT中，除了一對雜質(zhì)區(qū)域602之外，還可以具有雜質(zhì)區(qū)域·此外，在圖9A至9D及圖10中，起因于用于形成金屬膜421、424的蝕刻方法的金屬膜的形狀的特征與上述特征相同.既可使用濕式蝕刻形成如圖8所示的形狀的金屬膜425、 426而代替金屬膜421、424，又可使用疊層結(jié)構(gòu)的金屬膜.此外，在此作為用作像素電極的導電膜使用了透明導電膜，也可以使用反射型導電膜.作為透明導電膜的材料，可以使用實施方式I所示的材料.本實施方式可以在能夠?qū)嵤┑姆秶鷥?nèi)自由地組合實施方式I.實施方式3在本實施方式中，將參照圖IlA至IlD描述在實施方式I及2中使用的曝光掩模.圖IIA至IIC示出了圖IA或圖5A所示的曝光掩模的遮光部分12b及半透光部分13的俯視圖。曝光掩模的遮光部分12b的寬度表示為tl，并且半透光部分13的寬度表示為t2。在半透光部分13中可以設(shè)置衍射光柵圖案.圖IIA和IIB示出了曝光裝置的具有由分辨率極限或更低的多個狹縫構(gòu)成的狹縫部分的衍射光柵圖案.衍射光柵圖案是配置有至少一個或更多的圖案如狹縫、點等的圖案.在配置多個圖案如狹縫、點等的情況下，既可配置為具有周期性，又可配置為沒有周期性.通過使用分辨率極限或更低的微細圖案， 可以調(diào)整實際的曝光量，并且可以調(diào)制被曝光的抗蝕劑的顯像后的膜厚度.所述狹縫部分的狹縫延伸的方向既可如狹縫部分301那樣與遮光部分303的一邊平行，又可如狹縫部分302那樣與遮光部分303的一邊垂直。或者,對于遮光部分303的一邊傾斜的方向也可以為狹縫延伸的方向。另外，在該光刻工序中使用的抗蝕劑優(yōu)選為正型抗蝕劑.此外，作為半透光部分的另一個示例，圖IlC示出了設(shè)置具有降低曝光光的光強度的功能的半透光膜304的示例。作為半透光膜，可以使用MoSiN、MoSi, MoSiO, MoSiON, CrSi等。使用具備半透光部分的曝光掩模的曝光法也稱作半色調(diào)曝光方法.在將曝光光照射到這些圖IlA至IlC所示的曝光掩模的情況下，遮光部分303的光強度為0，而透光部分305的光強度為100%。另一方面，經(jīng)過狹縫部分301、302、或由半透光膜304構(gòu)成且具有光強度降低功能的半透光部分的光強度以10至70%的范圍內(nèi)可以調(diào)整.圖IlD示出了光強度分布的典型示例。在半透光部分是衍射光柵圖案的情況下，通過調(diào)整狹縫部分301、302的間隔及狹縫寬度來實現(xiàn)經(jīng)過半透光部分的光強度的調(diào)整.本實施方式可以與實施方式1、2自由地組合。實施方式4在本實施方式中，將參照圖12A和12B、圖13A和13B描述EL (ElectroLuminescence :電致發(fā)光)顯示器件。作為構(gòu)成TFT的襯底和各層的形成方法、材料等，可以參照實施方式I及2.圖12A和12B、圖13A和13B中的TFT采用了實施方式I的頂部柵極型TFT的結(jié)構(gòu)，但是也可以采用底部柵極型TFT結(jié)構(gòu)。與實施方式I的圖IA至IC及圖2A 至2C相同的部分由相同的符號表示，并且省略詳細說明.另外，像素結(jié)構(gòu)不局限于圖12A 和12B、圖13A和13B，也可以采用其他像素結(jié)構(gòu).圖12A示出了 EL顯示器件的像素部分的俯視圖.在像素中，設(shè)置有兩種TFT，BP, 開關(guān)TFT140和控制流入EL元件的電流的驅(qū)動TFT141。將用作開關(guān)TFT140的源電極或漏電極的透明導電膜123及金屬膜124與驅(qū)動TFT141的柵電極5b電連接.圖12B是沿著圖 12A中的A-A，及B-B’的剖面圖。通過實施方式I的方法，在襯底I上形成TFT.在襯底I上形成絕緣膜2，在其上形成島狀半導體膜3a、3b。島狀半導體膜3a、3b是非晶半導體膜或結(jié)晶半導體膜.接著，形成柵極絕緣膜4、柵電極5a、5b。柵電極5a是通過柵極布線延伸而成的，而柵電極5b形成為與柵極布線(柵電極5a)分離.以柵電極5a、5b為掩模將雜質(zhì)元素摻雜到島狀半導體膜 3a、3b，來在每個島狀半導體膜3a、3b中形成一對雜質(zhì)區(qū)域和溝道形成區(qū)域。接下來，在柵電極5a、5b上形成第一層間絕緣膜6、第二層間絕緣膜7.接下來，蝕刻柵極絕緣膜4、第一層間絕緣膜6及第二層間絕緣膜7，來形成到達島狀半導體膜的一對雜質(zhì)區(qū)域的接觸孔。與此同時，蝕刻第一層間絕緣膜6及第二層間絕緣膜7，來形成到達柵電極5b的接觸孔。在第二層間絕緣膜7上形成透明導電膜，在其上層疊金屬膜.然后，通過與實施方式I相同的方法蝕刻透明導電膜及金屬膜，來形成由金屬膜 122及透明導電膜121構(gòu)成的布線或電極、由金屬膜124及透明導電膜123構(gòu)成的布線或電極、由金屬膜126及透明導電膜125構(gòu)成的布線或電極、以及由金屬膜128及透明導電膜 127構(gòu)成的布線或電極。透明導電膜127用作像素電極。金屬膜122、124、126分別具有與位于其下層的透明導電膜121、123、125大致相似的關(guān)系，并且分別具有比每個透明導電膜小一圈的圖案。如圖IA至IC所示的抗蝕劑圖案 16a那樣，通過使用具有遮光部分的曝光掩模曝光、顯像了的抗蝕劑圖案來蝕刻并形成金屬膜122、124、126。另一方面，由于透明導電膜127的一部分用作像素電極,所以金屬膜128 并不一定具有與透明導電膜127相似的關(guān)系，并且具有比透明導電膜127更小的圖案.因此，如圖IA至IC所示的抗蝕劑圖案15a那樣，通過使用具有半透光部分及遮光部分的曝光掩模曝光、顯像了的抗蝕劑圖案，來蝕刻并形成透明導電膜127及金屬膜128。在形成金屬膜122、124、126、128之后，也可以研磨透明導電膜127的露出于金屬膜128的部分的表面，來除去透明導電膜上的金屬膜的殘渣。通過 CMP(Chemical-Mechanical Polishing :化學機械拋光)法等可以進行研磨.該研磨具有防止透明導電膜127和在電場發(fā)光層上的導電層131短路的效果，所述短路是因如下情況而引起的，即，由于接著形成在透明導電膜127上的電場發(fā)光層非常薄，所以電場發(fā)光層因金屬膜的殘渣而不均勻地形成.接下來，在TFT上形成用作堤的絕緣膜129 (也稱作隔壁)。絕緣膜129形成為使透明導電膜127的用作像素電極的部分露出。此外，絕緣膜129形成為覆蓋金屬膜128.這是因為，金屬膜128露出于絕緣膜129導致產(chǎn)生EL元件的短路問題.另一方面，絕緣膜129 形成為在使透明導電膜127露出的附近，膜厚度漸漸變薄并具有曲面。這是為了防止形成在上部形成的電場發(fā)光層因絕緣膜129的臺階產(chǎn)生破裂的。由于像這樣絕緣膜129是具有曲面的形狀，所以有金屬膜128的端部容易露出于絕緣膜129的擔心。但是，如實施方式I 及2所說明那樣，在本發(fā)明中形成的金屬膜128由于其端部具有傾斜或角度θ2，因此為不容易露出于絕緣膜129的結(jié)構(gòu)，并且非常合適于EL顯示器件.在通過干式蝕刻形成金屬膜128的情況下，金屬膜128反映形成在其上部的抗蝕劑圖案的形狀，并且在圖12Β的剖面圖中，金屬膜128的接近于絕緣膜129的曲面一側(cè)的端部的傾斜比另一側(cè)端部的傾斜大.并且，在圖12Α的俯視圖中，金屬膜128的四邊中更離開于透明導電膜127的端部的兩邊的傾斜比另兩邊的傾斜大。另一方面，在通過濕式蝕刻形成金屬膜128的情況下，金屬膜128的端部具有比透明導電膜127的端部的角度Θ 銳的 θ 2.換言之，由于即使使用哪個形成方法，金屬膜128的接近于絕緣膜129的曲面一側(cè)的端部也形成為具有傾斜或角度Θ 2，所以為不容易露出于絕緣膜129的形狀.接下來，與露出于絕緣膜129的透明導電膜127接觸地形成電場發(fā)光層130，接著形成導電層131.在上述結(jié)構(gòu)中，如果驅(qū)動發(fā)光元件的TFT是N溝道型TFT，透明導電膜127 和導電層131就分別相當于陰極和陽極。如果將透明導電膜用于導電層131，就為向上方及下方雙方發(fā)光的顯示器件.圖13Α和13Β示出了與圖12Α和12Β不同的結(jié)構(gòu)的EL顯示器件.圖13Α示出了 EL顯示器件的像素部分的俯視圖，而圖13Β示出了沿著圖13Α中的Α-Α’及Β-Β’的剖面圖.圖13Β的直到在形成第二層間絕緣膜7之后進行蝕刻，來形成到達島狀半導體膜的一對雜質(zhì)區(qū)域的接觸孔的工序和圖12Β中相同.形成開關(guān)TFTl 101和驅(qū)動TFTl 102.然后，形成導電層，接著蝕刻來形成布線或電極1103a至1103d.在布線或電極1103a至1103d上，形成第三層間絕緣膜1104.優(yōu)選使用有機樹脂膜形成第三層間絕緣膜1104.這是因為，將形成在第三層間絕緣膜1104上且用作像素電極的透明導電膜形成在平坦面上。蝕刻第三層間絕緣膜1104，來形成到達布線或電極1103d的接觸孔。在第三層間絕緣膜1104上層疊透明導電膜及金屬膜，蝕刻來形成透明導電膜1105、金屬膜1106。透明導電膜1105和金屬膜1106如圖IA至IC所示的抗蝕劑圖案15a那樣通過使用具有半透光部分的曝光掩模曝光、顯像了的抗蝕劑圖案來蝕刻.透明導電膜1105用作像素電極。形成在第二層間絕緣膜7中的接觸孔和形成在第三層間絕緣膜1104中的接觸孔優(yōu)選形成為重疊.通過重疊接觸孔，可以提高開口率.另一方面，在接觸孔中的臺階變大， 而導致透明導電膜1105的破裂的問題，但是，通過使金屬膜1106殘存在接觸孔中的透明導電膜1105上，可以補償破裂的問題。形成金屬膜1106之后，與圖12B相同，形成絕緣膜129、電場發(fā)光層130、導電層 131。在本實施方式中，以用作像素電極的導電膜為透明導電膜，但是也可以為反射型導電膜。作為透明導電膜的材料，可以使用實施方式I所示的材料。此外，本實施方式以能夠?qū)嵤┑姆秶鷥?nèi)，可以與實施方式I至3自由地組合。實施方式5在本實施方式中，將描述本發(fā)明適用于液晶顯示器件的示例。首先，使用圖14A描述液晶顯示面板的制造方法.首先，與實施方式2的圖6C相同，在襯底401上形成底部柵極型TFT。TFT的結(jié)構(gòu)不局限于實施方式2的圖6C的TFT，可以使用各種結(jié)構(gòu)的TFT。在使用實施方式3的方法形成TFT之后，形成定向膜801以覆蓋金屬膜424、421、 透明導電膜419、415。并且，準備形成有濾色鏡802、遮光膜807、相對電極803及定向膜804 的襯底805，使用密封劑(未圖示)貼合襯底401和襯底805.遮光膜807配置為與TFT重疊，而濾色鏡802配置為與用作像素電極的透明導電膜415的部分重疊。然后,注入液晶 806來完成具備顯示功能的顯示器件。未圖示,每個襯底401、805的與液晶806相反一側(cè)貼附有偏光板.通過以上工序，就完成液晶顯示面板。另外，可以使用反射型導電膜而代替透明導電膜。接下來，在本實施方式中，將描述在液晶顯示器件中，形成在透明導電膜上的金屬膜的配置.圖14B是液晶顯示器件的俯視圖的一個示例，圖14A是沿著圖14B中A-A’的剖面圖。島狀半導體膜405重疊于柵極布線403上，并且與島狀半導體膜405重疊的柵極布線部分成為柵電極。就是說，符號403既是柵極布線又是柵電極.此外，島狀半導體膜405 通過導電層417與用作源極布線的金屬膜424和透明導電膜419的疊層膜電連接，并且通過導電層418與用作漏極布線的金屬膜421和透明導電膜415的疊層膜電連接.電容布線 808在與透明導電膜415重疊的部分形成電容器。既可在與柵極布線403相同的層中形成電容布線808，又可在其他層中形成。遮光膜807由虛線表示。遮光膜807與源極布線、漏極布線及TFT重疊，但是與透明導電膜415的用作像素電極的部分不重疊。在透明導電膜415上的金屬膜421沿著透明導電膜415的邊緣形成。詳細地說，金屬膜421的側(cè)面沿著透明導電膜415的側(cè)面形成。但是，金屬膜421的側(cè)面與透明導電膜 415的側(cè)面不一致，并且位于透明導電膜415的側(cè)面的內(nèi)側(cè)。像這樣，通過將金屬膜421沿著透明導電膜415的邊緣形成，可以緩和遮光像素電極之間的遮光膜807的配置精度。這是因為，即使遮光膜807的位置稍微錯開，金屬膜421也起到遮光膜的作用，因此在金屬膜 421存在的范圍內(nèi)，遮光膜807的位置錯開是可以允許的.特別是，如圖14A和14B所示， 在將遮光膜設(shè)置在相對襯底的情況下，需要高位置調(diào)整精度。因此，為了確保像素之間的遮光，在透明導電膜上沿著像素電極的邊緣形成金屬膜421是很有效果的。作為另一個液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)，將描述圖15A和15B.圖15A和15B是在圖14A 和14B的結(jié)構(gòu)中設(shè)置層間絕緣膜的示例。圖15A是沿圖15B所示的液晶顯示器件的俯視圖的A-A’的剖面圖.在柵極布線403上重疊島狀半導體膜405，并且與島狀半導體膜405重疊的柵極布線部分成為柵電極。此外，島狀半導體膜405通過導電層417與源極布線501電連接，并且通過導電層418與漏極布線502電連接.電容布線808在與透明導電膜504重疊的部分形成電容器。既可在與柵極布線403相同的層中形成電容布線808，又可在其他層中形成.在源極布線501及漏極布線502上形成有層間絕緣膜503，并且在層間絕緣膜503 中形成有到達漏極布線502的接觸孔.層間絕緣膜503是有機樹脂膜或無機絕緣膜.在層間絕緣膜503上形成有透明導電膜504及金屬膜505。在以層間絕緣膜503為有機樹脂膜的情況下，由于因柵電極403和島狀半導體膜405的臺階被緩和，所以可以將用作像素電極的透明導電膜504形成在平坦面上.因此，可以形成比圖14A和14B中的結(jié)構(gòu)大的像素電極，以可以提聞開口率。
通過使用如圖IA至IC所示的抗蝕劑圖案16a那樣具有遮光部分的曝光掩模曝光并顯像了的抗蝕劑圖案，來蝕刻并形成透明導電膜504及金屬膜505.由于透明導電膜504 和漏極布線502的連接部分具有大的臺階，所以有可能透明導電膜504產(chǎn)生破裂，因此優(yōu)選使金屬膜505殘存在透明導電膜504上。圖15B的俯視圖也與圖14B同樣，金屬膜505沿著透明導電膜504的邊緣形成，也可以用作遮光膜的一部分。作為透明導電膜504，可以使用實施方式I中所示的透明導電膜材料。此外，圖16A和16B示出了利用在透明導電膜上的金屬膜，以便將液晶定向多個方向的示例。圖16A是像素部分的俯視圖，而圖16B是沿著圖16A的A-A’的液晶層附近的剖面圖。一個像素由TFT1001、用作像素電極的透明導電膜1002、形成在其上的金屬膜1003構(gòu)成.此外，符號1004是相對襯底，符號1005是相對電極，符號1006是液晶，符號1007是定向膜。在一個透明導電膜1002上配置有多個金屬膜1003.各個金屬膜1003的剖面形狀是三角形，并且使一個像素內(nèi)的液晶根據(jù)其斜面定向兩個方向。各個金屬膜以山梁的形狀形成在透明導電膜1002上。稱這樣的結(jié)構(gòu)為所謂的MVA(Multi-domain Vertical Alignment 多象限垂直配向)方式，這樣可以獲得高視角特性。在圖16B的剖面圖中，金屬膜1003的剖面是三角形，但是也可以是梯形.在采用梯形的情況下，也可以根據(jù)其斜面使一個像素內(nèi)的液晶定向兩個方向。圖17A和17B示出了 MVA方式中的金屬膜的另一個配置示例。圖17A是像素部分的俯視圖，而圖17B是沿著圖17A的A-A’的液晶層附近的剖面圖。一個像素由TFT1201、用作像素電極的透明導電膜1202、形成在其上的金屬膜1203構(gòu)成。此外，符號1204是相對襯底，符號1205是相對電極，符號1206是液晶，符號1207是定向膜.在圖17A和17B中， 金屬膜1203構(gòu)成多個突起物，并且每個突起物具有頂點，為像四棱錐那樣的形狀。因此，一個像素內(nèi)的液晶定向突起物具有的斜面的數(shù)量即四個方向。作為突起物的形狀，除了四棱錐以外，還可以舉出三角錐等，在采用三角錐的情況下，液晶定向三個方向.因此，圖17A和 17B的結(jié)構(gòu)可以獲得比圖16A和16B更高的視角特性?？梢岳迷诒緦嵤┓绞街兴f明的示例，而代替PVA(Patterned Vertical Alignment :特定豎向定線)方式等的給予液晶特定定向的狹縫。通過利用此而代替PVA方式的狹縫，可以省略在用作像素電極的透明導電膜中形成狹縫的工序。此外，圖18示出了金屬膜的另一個配置示例。TFT1503和用作像素電極的透明導電膜1502電連接，并且金屬膜1501層疊在透明導電膜1502上。金屬膜1501具有梳子齒兒形狀.如上那樣，通過改變在透明導電膜上的金屬膜的配置，既可確保遮光，又可提高視角特性.此外，由于不需要形成特別的掩模而形成金屬膜，因此可以減少制造工序.另外，圖13至圖18中所示的TFT表示為底部柵極結(jié)構(gòu),但是,這只是一個示例,可以使用其他TFT結(jié)構(gòu).此外，本實施方式以能夠?qū)嵤┑姆秶鷥?nèi)可以與實施方式I至4自由地組合.實施方式6作為本發(fā)明的半導體器件，可以舉出攝像機、數(shù)碼相機等的影像拍攝裝置、護目鏡式顯示器(頭戴式顯示器)、導航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn)裝置(例如，汽車音頻裝置、音頻組件裝置等)、個人計算機、游戲機、便攜式信息終端(例如，移動計算機、移動電話、便攜式游戲機、電子圖書等)、擁有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(具體來說，可以再現(xiàn)諸如Digital Versatile Disc(DVD):數(shù)字通用光盤之類的記錄介質(zhì)并包括能夠顯示圖像的顯示器的裝置)等.這些半導體器件的具體例子示于圖20A至20D和圖21.圖20A示出了數(shù)碼相機，其包括主體2101、顯示部分2102、攝像部分、操作鍵2104、 以及快門2106等。另外，圖20A是從顯示部分2102 —側(cè)來看的附圖，沒有示出攝像部分。 根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)廉價、顯示問題少、且可靠性高的數(shù)碼相機.圖20B示出了個人計算機，其包括主體2201、框體2202、顯示部分2203、鍵盤 2204、外部連接端口 2205、以及指向鼠標2206等.根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)廉價、顯示問題少、 且可靠性高的個人計算機。圖20C示出了擁有記錄介質(zhì)的便攜式圖像再現(xiàn)裝置(具體地是DVD再現(xiàn)裝置)，其包括主體2401、框體2402、顯示部分A2403、顯示部分B2404、記錄介質(zhì)(DVD等)讀取部分 2405、操作鍵2406、揚聲器部分2407等。顯示部分A2403主要顯示圖像信息，而顯示部分 B2404主要顯示文本信息.另外，擁有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置還包括家用游戲機等.根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)廉價、顯示問題少、且可靠性高的圖像再現(xiàn)裝置.此外，圖20D示出了顯示器件，其包括框體1901、支撐體1902、顯示部分1903、揚聲器1904、以及視頻輸入端子1905等.通過將使用上述實施方式中所示的制造方法形成的薄膜晶體管用于顯示部分1903及驅(qū)動電路，來制作該顯示器件。另外，顯示器件包括液晶顯示器件、發(fā)光器件等，具體來說，包括所有的用于顯示信息的顯示器件例如用于計算機、接收電視、顯示廣告等.根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)廉價、顯示問題少、且可靠性高的顯示器件，特別是具有22至50英寸大屏幕的大型顯示器件。此外，在圖21所示的移動電話機900中，具備有操作開關(guān)類904、麥克風905等的主體A901和具備有顯示面板A908、顯示面板B909、揚聲器906等的主體B902在鉸鏈910 處可以開閉地連接.顯示面板A908和顯示面板B909與電路襯底907 —起收容在主體B902 的框體903中。顯示面板A908和顯示面板B909的像素部分配置為從形成在框體903的窗口可以被視覺確認。根據(jù)該移動電話機900的功能可以適當?shù)卦O(shè)定顯示面板A908和顯示面板B909 的規(guī)格如像素數(shù)量等.例如，可以組合作為主屏的顯示面板A908和作為副屏的顯示面板 B909。根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)廉價、顯示問題少、且可靠性高的便攜式信息終端.涉及本實施方式的移動電話機可以對應(yīng)于其功能或用途變?yōu)楦鞣N各樣的方式。 例如，也可以通過將影像拍攝元件嵌入在鉸鏈910處，制作裝有影像拍攝裝置的移動電話機.此外，采用將操作開關(guān)類904、顯示面板A908、顯示面板B909收納到一個框體內(nèi)的結(jié)構(gòu)，也可以發(fā)揮上述功能效果。此外，將本實施方式的結(jié)構(gòu)適用于具備有多個顯示部分的信息顯示終端中，也可以獲得相同的效果。如上那樣，通過使用實施方式I至8中的任何結(jié)構(gòu)或制造方法作為圖20A至20D 中的顯示部分或圖21中的顯示面板，可以完成各種各樣的電子器具。工業(yè)適用性可以使用一個掩膜形成作為像素電極的導電膜和在其上層疊的金屬膜。此外，在由于臺階導致導電膜斷裂時，可以通過金屬膜連接斷裂的導電膜。由此，可以制作制作工序少且廉價的半導體器件，此外還可以實現(xiàn)高可靠性的半導體器件。本說明書根據(jù)2005年10月14日在日本專利局受理的日本專利申請編號 2005-301022而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。
權(quán)利要求
1.一種顯不器件，包括襯底之上的柵電極；所述柵電極之上的柵極絕緣膜；所述柵極絕緣膜之上的島狀半導體膜；所述島狀半導體膜之上的導電層，所述導電層電連接到所述島狀半導體膜；所述柵極絕緣膜之上的透明導電膜；以及所述透明導電膜之上并與所述透明導電膜接觸的金屬膜，所述金屬膜電連接到所述導電層，其中所述透明導電膜是邊緣場開關(guān)模式液晶顯示器件的像素電極。
2.一種電子器件，包括根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器件；揚聲器;麥克風；以及開關(guān)。
3.—種顯不器件,包括襯底之上的柵電極；所述柵電極之上的柵極絕緣膜；所述柵極絕緣膜之上的島狀半導體膜；所述島狀半導體膜之上的導電層，所述導電層電連接到所述島狀半導體膜；所述柵極絕緣膜之上的透明導電膜；以及所述透明導電膜之上并與所述透明導電膜接觸的金屬膜，所述金屬膜電連接到所述導電層，其中所述透明導電膜包括其厚度比接觸所述金屬膜的部分的厚度小的部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件，其中所述透明導電層是邊緣場開關(guān)模式液晶顯示器件的像素電極。
5.一種電子器件，包括根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器件；揚聲器;麥克風；以及開關(guān)。
6.—種顯不器件,包括襯底之上的柵電極；所述柵電極之上的柵極絕緣膜；所述柵極絕緣膜之上的島狀半導體膜；所述島狀半導體膜之上的導電層，所述導電層電連接到所述島狀半導體膜；所述柵極絕緣膜之上的透明導電膜；以及所述透明導電膜之上并與所述透明導電膜接觸的金屬膜，所述金屬膜電連接到所述導電層，其中所述透明導電膜和所述金屬膜各自具有不同的尖角
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件，其中所述透明導電層是邊緣場開關(guān)模式液晶顯示器件的像素電極。
8.一種電子器件，包括根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件；揚聲器;麥克風；以及開關(guān)。
全文摘要
本發(fā)明涉及顯示器件及其制造方法。本發(fā)明的目的在于如下當在像素電極上形成金屬膜并為層疊結(jié)構(gòu)時，使用一個抗蝕劑掩模形成像素電極及金屬膜。本發(fā)明的技術(shù)方案在于如下層疊用作像素電極的導電膜和金屬膜；使用具有半透光部分的曝光掩模在金屬膜上形成具有膜厚度厚的區(qū)域和膜厚度比該區(qū)域薄的區(qū)域的抗蝕劑圖案；以及使用抗蝕劑圖案形成像素電極和接觸于該像素電極的一部分的金屬膜。根據(jù)以上，可以使用一個抗蝕劑掩模形成像素電極及金屬膜。
文檔編號H01L27/02GK102610605SQ201210057909
公開日2012年7月25日 申請日期2006年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月14日
發(fā)明者木村肇 申請人:株式會社半導體能源研究所