專利名稱：電子傳輸材料及有機(jī)發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種材料及兀件,且特別是有關(guān)于一種電子傳輸材料及有機(jī)發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
隨著科技的進(jìn)步，平面顯示器是近年來(lái)最受矚目的顯示技術(shù)。其中，有機(jī)電致發(fā)光顯示器因其自發(fā)光、無(wú)視角依存、省電、制程簡(jiǎn)易、低成本、低溫度操作范圍、高應(yīng)答速度以及全彩化等優(yōu)點(diǎn)而具有極大的應(yīng)用潛力，可望成為下一代的平面顯示器的主流。有機(jī)發(fā)光元件包括陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光層以及陰極。有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光原理是將空穴、電子分別由陽(yáng)極、陰極注入至有機(jī)發(fā)光層。當(dāng)電子與空穴在有機(jī)發(fā)光層中相遇時(shí)，會(huì)進(jìn)行再結(jié)合而形成激子(exiton)，進(jìn)而產(chǎn)生放光的現(xiàn)象，放射出光子(photon)。一般而言，有機(jī)材料的電子傳導(dǎo)速率遠(yuǎn)小于空穴傳導(dǎo)速率，這種特性導(dǎo)致電荷再結(jié)合區(qū)域靠近陰極而增加激子(exiton)粹熄的機(jī)率。為了使電子與空穴達(dá)到傳輸上的平衡，以幫助激子的再結(jié)合區(qū)域位于有機(jī)發(fā)光層中，有機(jī)發(fā)光元件通常會(huì)在有機(jī)發(fā)光層與陰極之間配置具有高電子傳輸速率材料的電子傳輸層(ETL)。一般而言，電子傳輸材料需具備有合適的最低未占有分子軌域(Lowest Unoccupied Molecular Orbital,LUM0)能階、高電子傳輸速率以及高玻璃轉(zhuǎn)換溫度與熱穩(wěn)定性等特性。由于三嗪(triazine)為典型缺電子雜環(huán)系統(tǒng),且具有高電子親合性、較佳的電子傳導(dǎo)速率以及簡(jiǎn)易的合成方法，因此廣泛使用諸如1，3，5_三嗪衍生物作為電子傳輸材料。然而，以目前已知的1，3，5-三嗪衍生物，具有約-I. 93 -2. 08eV的高LUMO能階， 會(huì)導(dǎo)致電子從陰極注入至電子傳輸層的能障過大，進(jìn)而影響元件的起始電壓與操作電壓。 因此，本領(lǐng)域亟需開發(fā)適當(dāng)?shù)碾娮觽鬏敳牧稀?br>
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種有機(jī)發(fā)光兀件，其具有較佳的發(fā)光效率。本發(fā)明另一目的在于提供一種電子傳輸材料，其具有較低的LUMO能階。本發(fā)明提出一種有機(jī)發(fā)光元件，其包括第一電極層、第二電極層以及發(fā)光材料層。 第二電極層與第一電極層相對(duì)設(shè)置。發(fā)光材料層配置于第一電極層與第二電極層之間，包括一有機(jī)發(fā)光材料與一電子傳輸材料，其中電子傳輸材料包括下式(I)的化合物
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光兀件，包括
2.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中基團(tuán)A表示苯環(huán)、苯并環(huán)或苯聯(lián)環(huán)。
3.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中基團(tuán)A表示苯環(huán)、萘環(huán)或聯(lián)苯。
4.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中基團(tuán)B為選自以下所構(gòu)成的族群
5.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光兀件，其中所述電子傳輸材料包括下式(2)的化合物
6.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中所述電子傳輸材料包括下式(3)的化合物
7.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中所述電子傳輸材料包括下式(4)的化合物
8.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中所述電子傳輸材料包括下式(5)的化合物
9.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光兀件，其中所述電子傳輸材料的最低未占有分子軌域能階介于-2. 6eV至-3. OeV。
10.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光兀件，其中所述電子傳輸材料與所述有機(jī)發(fā)光材料均勻混合。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光兀件,其中所述電子傳輸材料包括一發(fā)光主體材料，所述有機(jī)發(fā)光材料包括一發(fā)光摻雜材料。
12.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光兀件，其中所述發(fā)光材料層還包括一空穴傳輸材料， 且所述空穴傳輸材料跟所述電子傳輸材料與所述有機(jī)發(fā)光材料均勻混合。
13.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光兀件，其中所述發(fā)光材料層包括一電子傳輸層與一有機(jī)發(fā)光層，且所述電子傳輸層配置于所述有機(jī)發(fā)光層與第二電極層之間，其中所述電子傳輸層由電子傳輸材料所構(gòu)成，所述有機(jī)發(fā)光層由有機(jī)發(fā)光材料所構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光兀件，更包括一空穴傳輸層，位于所述第一電極層與所述發(fā)光材料層之間。
15.—種電子傳輸材料,適用于一有機(jī)發(fā)光兀件,所述電子傳輸材料包括下式(I)的化合物
16.如權(quán)利要求15所述的電子傳輸材料，其中基團(tuán)A表示苯環(huán)、苯并環(huán)或苯聯(lián)環(huán)。15所述的電子傳輸材料，其中基團(tuán)A表示苯環(huán)、萘環(huán)或聯(lián)苯。15所述的電子傳輸材料，其中基團(tuán)B為選自以下所構(gòu)成的族群
17.如權(quán)利要求
18.如權(quán)利要求
19.如權(quán)利要求15所述的電子傳輸材料,其中所述電子傳輸材料包括下式⑵的化合物
20.如權(quán)利要求15所述的電子傳輸材料,其中所述電子傳輸材料包括下式(3)的化合物
21.如權(quán)利要求15所述的電子傳輸材料,其中所述電子傳輸材料包括下式(4)的化合物
22.如權(quán)利要求15所述的電子傳輸材料,其中所述電子傳輸材料包括下式(5)的化合物
23.如權(quán)利要求15所述的電子傳輸材料,其中所述電子傳輸材料的最低未占有分子軌域能階介于-2. 6eV至-3. OeV0
24.—種電子傳輸材料,適用于一有機(jī)發(fā)光兀件,所述電子傳輸材料包括下式(6)的化合物
25.如權(quán)利要求24所述的電子傳輸材料，其中基團(tuán)B為選自以下所構(gòu)成的族群
26.如權(quán)利要求24所述的電子傳輸材料，其中基團(tuán)A表示苯環(huán)、苯并環(huán)或苯聯(lián)環(huán)。
27.如權(quán)利要求24所述的電子傳輸材料，其中基團(tuán)A表示苯環(huán)、萘環(huán)或聯(lián)苯。
全文摘要
本發(fā)明提供一電子傳輸材料與一有機(jī)發(fā)光元件。該有機(jī)發(fā)光元件包括第一電極層、第二電極層以及發(fā)光材料層；第二電極層與第一電極層相對(duì)配置；發(fā)光材料層配置于第一電極層與第二電極層之間，包括一有機(jī)發(fā)光材料與一電子傳輸材料，其中電子傳輸材料包括下式(1)的化合物其中基團(tuán)A表示芳香環(huán)，a為1，基團(tuán)B表示含有氮的五元雜環(huán)基團(tuán)以及其衍生物，具有至少一氮基，且基團(tuán)B的氮基連接于基團(tuán)A的間位位置上。
文檔編號(hào)H01L51/54GK102593374SQ201210063119
公開日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2012年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月19日
發(fā)明者何孟寰, 卓庭毅, 李重君, 林仕偉, 柳琦淵, 汪根欉, 洪文誼, 王婷芝, 陳介偉, 陳小凡 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司