專利名稱：橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，尤其是涉及一種具有蕭特基二極管的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件。
背景技術(shù)：
橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體(laterallydiffused metal-oxi de-semi conductor,LDMOS)元件是一種常見的功率半導(dǎo)體元件。由于橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件具有水平式的結(jié)構(gòu)，容易制造且易于和現(xiàn)行的半導(dǎo)體技術(shù)整合，進(jìn)而減少制作成本。同時，其可以耐較高的崩潰電壓而具有高的輸出功率，因此被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換器(power converter)、功率放大器(power amplifier)、切換開關(guān)(switch)、整流器(rectifier)等元件?，F(xiàn)有橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件通常是將N型漏極摻雜區(qū)與P型基體摻雜區(qū)設(shè)于N型漂移區(qū)中，并將N型源極摻雜區(qū)設(shè)于P型基體摻雜區(qū)中。并且，柵極金屬設(shè)于N型源極摻雜區(qū)與N型漂移區(qū)之間的P型基體摻雜區(qū)上，且源極金屬設(shè)于N型源極摻雜區(qū)與P型基體摻雜區(qū)上，并電連接至電源的低壓端，而漏極金屬設(shè)于N型漏極摻雜區(qū)上，并電連接至電源的高壓端。此外，場氧化層(field oxide, FOX)設(shè)置于N型漂移區(qū)上且位于柵極金屬與漏極金屬之間，以用于承受從高壓端傳來的高電場。由此可知，現(xiàn)有橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件的P型基體摻雜區(qū)與N型漂移區(qū)構(gòu)成一寄生二極管。雖然寄生二極管提供源極至漏極的反向電流路徑，來導(dǎo)引少數(shù)載流子，但因反向電流路徑的面積與導(dǎo)通速度皆不大，使反向源極電流無法被快速排除，而造成現(xiàn)有橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件在切換上的能量損耗。所以，通過寄生二極管來排除反向源極電流已不符合目前的需求。有鑒于此，提升橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件的反向源極電流實(shí)為業(yè)界努力的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，以提升橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件的反向源極電流。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，包括一基底、一第一摻雜區(qū)、一第二摻雜區(qū)、一第三摻雜區(qū)、一第四摻雜區(qū)、一柵極結(jié)構(gòu)以及一接觸金屬。第一摻雜區(qū)設(shè)于基底中，且具有一第一導(dǎo)電類型。第二摻雜區(qū)設(shè)于第一摻雜區(qū)中，且具有一第二導(dǎo)電類型，其中第二摻雜區(qū)具有一操場跑道形(racetrack)輪廓，且第二摻雜區(qū)具有一長軸與一短軸。第三摻雜區(qū)設(shè)于第二摻雜區(qū)中，且具有第一導(dǎo)電類型，且第二摻雜區(qū)圍繞第三摻雜區(qū)。第四摻雜區(qū)設(shè)于第一摻雜區(qū)中，且具有第一導(dǎo)電類型。柵極結(jié)構(gòu)設(shè)于第三摻雜區(qū)與第四摻雜區(qū)之間的第一摻雜區(qū)與第二摻雜區(qū)上。接觸金屬設(shè)于第二摻雜區(qū)沿著長軸延伸出的一側(cè)的第一摻雜區(qū)上，并與第一摻雜區(qū)相接觸。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供另一種橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，包括二蕭特基二極管以及多個橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元。蕭特基二極管彼此平行設(shè)置，且平行于一方向。橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元設(shè)于蕭特基二極管之間，且橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元沿著此方向排列。本發(fā)明的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件將構(gòu)成蕭特基二極管的接觸金屬設(shè)置在第二摻雜區(qū)沿著長軸延伸出的至少一側(cè)的第一摻雜區(qū)上，以有效利用不會影響電流大小的區(qū)域，并節(jié)省橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件的面積。并且，本發(fā)明的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件更可通過內(nèi)建的蕭特基二極管來提升通過從源極至漏極的反向電流路徑的電流大小，進(jìn)而加快導(dǎo)通反向源極電流的速度。


圖1為本發(fā)明一第一較佳實(shí)施例的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件的上視示意圖；圖2為圖1沿著剖面線A-A’的剖面示意圖；圖3為圖1沿著剖面線B-B’的剖面示意圖；圖4為本發(fā)明一第二較佳實(shí)施例的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件的上視示意圖；圖5為本發(fā)明一第三較佳實(shí)施例的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件的上視示意圖。主要元件符號說明100橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體102基底元件104第一摻雜區(qū)106第二摻雜區(qū)106a 長軸106b 短軸106c彎道部106d直道部108場氧化層108a第二開口108b第三開108c第四開口110第三摻雜區(qū)112第四摻雜區(qū)114柵極結(jié)構(gòu)114a第一開口116接觸金屬118蕭特基二極管120柵極導(dǎo)電層122柵極絕緣層124高壓端126低壓端128第五摻雜區(qū)130第六摻雜區(qū)132護(hù)環(huán)200橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件202延伸部300橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件302橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元
具體實(shí)施例方式請參考圖1至圖3，圖1為本發(fā)明一第一較佳實(shí)施例的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件的上視示意圖，其中圖2為圖1沿著剖面線A-A’的剖面示意圖，且圖3為圖1沿著剖面線B-B’的剖面示意圖。如圖1至圖3所示，橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100包括一基底102、一第一摻雜區(qū)104、一第二摻雜區(qū)106、一場氧化層108、一第三摻雜區(qū)110、兩個第四摻雜區(qū)112、一柵極結(jié)構(gòu)114以及一接觸金屬116。第一摻雜區(qū)104、第三摻雜區(qū)110與第四摻雜區(qū)112具有一第一導(dǎo)電類型，且基底102與第二摻雜區(qū)106具有不同于第一導(dǎo)電類型的一第二導(dǎo)電類型。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電類型與第二導(dǎo)電類型分別為N型與P型，但不限于此，也可互換。并且，基底102可為硅晶片，但不限于此。此外，基底102并不限于與第二摻雜區(qū)106具有相同導(dǎo)電類型，也可不同，而與第一摻雜區(qū)104具有相同導(dǎo)電類型。在本實(shí)施例中，N型第一摻雜區(qū)104設(shè)于P型基底102中，且P型第二摻雜區(qū)106設(shè)于N型第一摻雜區(qū)104中。P型第二摻雜區(qū)106具有一操場跑道形輪廓，因此P型第二摻雜區(qū)106具有一長軸106a、一短軸106b、兩個彼此相對的彎道部106c以及兩個彼此相對的直道部106d。長軸106a垂直于短軸106b,且平行于各直道部106d。彎道部106c位于長軸106a的兩端，且直道部106d位于短軸106b的兩端。直道部106d的其中一者的兩端與各彎道部106c的一端相連接，且直道部106d的其中另一者的兩端與各彎道部106c的另一端相連接，使直道部106d與彎道部106c圍繞成操場跑道形輪廓。并且，柵極結(jié)構(gòu)114設(shè)于N型第一摻雜區(qū)104與P型第二摻雜區(qū)106上，且柵極結(jié)構(gòu)114具有一第一開口 114a，對應(yīng)P型第二摻雜區(qū)106，使第一開口 114a也具有操場跑道形輪廓。柵極結(jié)構(gòu)114包括一柵極導(dǎo)電層120與一介于柵極導(dǎo)電層120與P型基底102之間的柵極絕緣層122。N型第三摻雜區(qū)110設(shè)于P型第二摻雜區(qū)106中，且N型第三摻雜區(qū)110通過第一開口 114a形成于P型第二摻雜區(qū)106中，因而也具有操場跑道形輪廓。并且，P型第二摻雜區(qū)106與柵極結(jié)構(gòu)114圍繞N型第三摻雜區(qū)110。場氧化層108設(shè)于P型基底102的上表面，且具有一第二開口 108a、兩個第三開口 108b以及兩個第四開口 108c。其中，第二開口 108a對應(yīng)柵極結(jié)構(gòu)114與P型第二摻雜區(qū)106的位置，而具有操場跑道形輪廓。并且，柵極結(jié)構(gòu)114進(jìn)一步朝P型第二摻雜區(qū)106的外側(cè)延伸至N型第一摻雜區(qū)104與場氧化層108上，使場氧化層108可用于避免位于N型第一摻雜區(qū)中的電場破壞柵極絕緣層122。各第三開口 108b為一狹長形，且分別對應(yīng)各N型第四摻雜區(qū)112的位置。各第四開口 108c也為一狹長形，分別對應(yīng)蕭特基二極管118的位置。由上述可知，N型第一摻雜區(qū)104可作為橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100的漏極，而電連接至一高壓端124，P型第二摻雜區(qū)106作為橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100的基極，N型第三摻雜區(qū)110作為橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100的源極，而電連接至一低壓端126，且柵極導(dǎo)電層120作為橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100的柵極。此外，第三開口 108b分別位于P型第二摻雜區(qū)106的短軸106b的兩個側(cè)，因此通過第三開口 108b所形成的N型第四摻雜區(qū)112分別設(shè)于P型第二摻雜區(qū)106沿著短軸106b延伸出的兩側(cè)的N型第一摻雜區(qū)104中，且各N型第四摻雜區(qū)112為狹長形，平行于長軸106a。由此，柵極結(jié)構(gòu)114位于N型第三摻雜區(qū)110與N型第四摻雜區(qū)112之間的P型第二摻雜區(qū)106、N型第一摻雜區(qū)104以及部分場氧化層108上。并且，本實(shí)施例的各N型第四摻雜區(qū)112在平行長軸106a的方向上的寬度W1大于直道部106d在平行長軸106a的方向上的寬度W2，且各直道部106d兩端沿著平行短軸106b的一方向投影在各N型第四摻雜區(qū)112的位置位于各N型第四摻雜區(qū)112的兩端之間。由此，位于N型第一摻雜區(qū)104與N型第三摻雜區(qū)110之間且位于柵極結(jié)構(gòu)114下方的P型第二摻雜區(qū)106的直道部106d作為橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100的有效通道區(qū)。另外，N型第四摻雜區(qū)112電連接至高壓端124，使N型第一摻雜區(qū)104可通過N型第四摻雜區(qū)112電連接至高壓端124。于本發(fā)明的其他實(shí)施例中，N型第四摻雜區(qū)112在平行長軸106a的方向上的寬度W1也可等于直道部106d在平行長軸106a的方向上的寬度W2，亦即在平行短軸106b的方向上，N型第四摻雜區(qū)112的兩端與直道部106d的兩端切齊。此外，場氧化層108也可僅具有單一第二開口 108b，且橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100僅具有單一 N型第四摻雜區(qū)112。另外，N型第一摻雜區(qū)104也可作為源極，而通過N型第四摻雜區(qū)112電連接至低壓端，且N型第三摻雜區(qū)110作為漏極，而電連接至高壓端。并且，由于位于N型第一摻雜區(qū)104與N型第三摻雜區(qū)110之間的直道部106d作為有效通道區(qū)，因此柵極結(jié)構(gòu)114也可僅設(shè)于直道部106d上，而未設(shè)于彎道部106c上。另外，第四開口 108c分別位于P型第二摻雜區(qū)106的長軸106a的兩側(cè)，因此接觸金屬116可經(jīng)由第四開口 108c分別設(shè)于P型第二摻雜區(qū)106沿著長軸106a延伸出的兩側(cè)的N型第一摻雜區(qū)104上，并分別與N型第一摻雜區(qū)104相接觸，而形成一蕭特基二極管118，且各接觸金屬116為狹長形，平行于短軸106b。其中，各接觸金屬116作為蕭特基二極管118的陽極，且電連接至低壓端126，以與橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100的源極電連接。N型第一摻雜區(qū)104作為蕭特基二極管118的陰極，且N型第一摻雜區(qū)104也為橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100的漏極，使得蕭特基二極管118的陰極可與橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100的漏極電連接。由此，本實(shí)施例的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100可通過內(nèi)建的額外蕭特基二極管118來提升通過從源極至漏極的反向電流路徑的電流大小，進(jìn)而加快導(dǎo)通反向源極電流的速度。并且，狹長形接觸金屬116的長度根據(jù)有效通道區(qū)的寬度或橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100的導(dǎo)通電流大小來決定。于本發(fā)明的其他實(shí)施例中，場氧化層108也可僅具有單一第四開口 108c，且橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100僅具有單一接觸金屬116。并且，接觸金屬116可位于P型第二摻雜區(qū)106沿著長軸106a延伸出的一側(cè)的N型第一摻雜區(qū)104上?；蛘?，場氧化層108也可具有多個第四開口 108c，位于P型第二摻雜區(qū)106同一側(cè)，且橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100具有多個接觸金屬116，位于P型第二摻雜區(qū)106同一側(cè)，并分別平行于短軸106b。并且，接觸金屬116沿著平行短軸106b的方向依序排列。在本實(shí)施例中，橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100另包括兩個P型第五摻雜區(qū)128、多個P型第六摻雜區(qū)130以及一護(hù)環(huán)(guard ring) 132。各P型第五摻雜區(qū)128分別設(shè)于各接觸金屬116下的N型第一摻雜區(qū)104中，并分別與各接觸金屬116相接觸，以降低各接觸金屬116與N型第一摻雜區(qū)104的接觸電阻，并提升各蕭特基二極管118的導(dǎo)通電流。P型第六摻雜區(qū)130設(shè)于N型第三摻雜區(qū)110中，并貫穿N型第三摻雜區(qū)110而與P型第二摻雜區(qū)106相接觸。各P型第六摻雜區(qū)130有助于降低設(shè)于N型第三摻雜區(qū)110上的源極金屬134與N型第三摻雜區(qū)110的接觸電阻。并且，P型第六摻雜區(qū)130沿著長軸106a依序排列，但本發(fā)明并不限于此排列方式。護(hù)環(huán)132為一 P型摻雜區(qū)，設(shè)于P型基底102中，且圍繞N型第一摻雜區(qū)104，以用于避免N型第一摻雜區(qū)104中的電場對外界元件的影響。值得注意的是，本實(shí)施例的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100將接觸金屬116分別設(shè)于P型第二摻雜區(qū)106沿著長軸106a的兩端延伸出的兩側(cè)的N型第一摻雜區(qū)104上，使所形成的各蕭特基二極管118分別位于P型第二摻雜區(qū)106的各彎道部106c的外側(cè)。由此，由于橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100的電流大小由作為有效通道區(qū)并位于N型第一摻雜區(qū)104與N型第三摻雜區(qū)110之間的直道部106d來決定，且介于N型第一摻雜區(qū)104與N型第三摻雜區(qū)110之間的彎道部106c并未影響橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100的電流大小，因此本實(shí)施例的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100可有效利用護(hù)環(huán)132中不會影響電流大小的區(qū)域來設(shè)置蕭特基二極管118，以節(jié)省元件的面積，且橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件100更可通過內(nèi)建的蕭特基二極管118來提升通過從源極至漏極的反向電流路徑的電流大小，進(jìn)而加快導(dǎo)通反向源極電流的速度。本發(fā)明的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件并不以上述實(shí)施例為限。下文將繼續(xù)揭示本發(fā)明的其它實(shí)施例或變化形，然為了簡化說明并突顯各實(shí)施例或變化形之間的差異，下文中使用相同標(biāo)號標(biāo)注相同元件，并不再對重復(fù)部分作贅述。請參考圖4，圖4為本發(fā)明一第二較佳實(shí)施例的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件的上視示意圖。如圖4所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件200的各接觸金屬116具有兩個延伸部202，分別朝P型第二摻雜區(qū)106沿著短軸106b延伸出的兩側(cè)延伸出，亦即朝各N型第四摻雜區(qū)112延伸，但未與N型第四摻雜區(qū)112相接觸。并且，位于接觸金屬116下的P型第五摻雜區(qū)128也朝P型第二摻雜區(qū)106沿著短軸106b延伸出的兩側(cè)延伸出。本發(fā)明并不限各接觸金屬皆具有延伸部以及各接觸金屬具有兩延伸部，本發(fā)明的接觸金屬的至少一者可具有至少一延伸部。此外，本發(fā)明的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件并不限僅具有單一 N型第三摻雜區(qū)、單一 P型第二摻雜區(qū)與單一柵極結(jié)構(gòu)。請參考圖5，圖5為本發(fā)明一第三較佳實(shí)施例的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件的上視示意圖。如圖5所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件300包括多個P型第二摻雜區(qū)106、多個N型第三摻雜區(qū)110、多個柵極結(jié)構(gòu)114以及多個N型第四摻雜區(qū)112。其中，各P型第二摻雜區(qū)106、各N型第三摻雜區(qū)110、各柵極結(jié)構(gòu)114以及N型第一摻雜區(qū)104構(gòu)成一橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元302。并且，由各接觸金屬116與N型第一摻雜區(qū)104接觸所構(gòu)成的蕭特基二極管118可沿著平行于各P型第二摻雜區(qū)106的短軸106b的一方向延伸，且其延伸長度可依據(jù)橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件300的導(dǎo)通電流大小來決定。各蕭特基二極管118彼此平行設(shè)置，且平行于短軸106b，使橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元302設(shè)于蕭特基二極管118之間。此外，N型第四摻雜區(qū)112設(shè)于各橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元302的兩側(cè)，且兩個相鄰的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元302共用同一 N型第四摻雜區(qū)112，使各N型第四摻雜區(qū)112與各橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元302依序沿著平行短軸106b的方向交替排列。再者，護(hù)環(huán)132圍繞蕭特基二極管118、橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元302以及N型第四摻雜區(qū)112。綜上所述，本發(fā)明的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件將構(gòu)成蕭特基二極管的至少一接觸金屬設(shè)置在P型第二摻雜區(qū)沿著長軸延伸出的至少一側(cè)的N型第一摻雜區(qū)上，以有效利用護(hù)環(huán)中不會影響電流大小的區(qū)域，并節(jié)省橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件的面積。并且，本發(fā)明的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件更可通過內(nèi)建的蕭特基二極管來提升通過從源極至漏極的反向電流路徑的電流大小，進(jìn)而加快導(dǎo)通反向源極電流的速度。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，包括: 基底； 第一摻雜區(qū)，設(shè)于該基底中，且具有第一導(dǎo)電類型； 第二摻雜區(qū)，設(shè)于該第一摻雜區(qū)中，且具有一第二導(dǎo)電類型，其中該第二摻雜區(qū)具有操場跑道形(racetrack)輪廓，且該第二摻雜區(qū)具有長軸與短軸； 第三摻雜區(qū)，設(shè)于該第二摻雜區(qū)中，且具有該第一導(dǎo)電類型； 第四摻雜區(qū)，設(shè)于該第一摻雜區(qū)中，且具有該第一導(dǎo)電類型； 柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)于該第三摻雜區(qū)與該第四摻雜區(qū)之間的該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)上；以及 接觸金屬，設(shè)于該第二摻雜區(qū)沿著該長軸延伸出的一側(cè)的該第一摻雜區(qū)上，并與該第一摻雜區(qū)相接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，其中該第四摻雜區(qū)位于該第二摻雜區(qū)沿著該短軸延伸出的一側(cè)的該第一摻雜區(qū)中。
3.如權(quán)利要求2所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，其中該第二摻雜區(qū)具有直道部，位于該短軸的一端，且該第四摻雜區(qū)在平行該長軸的一方向上的寬度大于或等于該直道部在該方向上的寬度。
4.如權(quán)利要求2所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，其中該第三摻雜區(qū)電連接至一低壓端，且該第四摻雜區(qū)電連接至一高壓端。
5.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，另包括第五摻雜區(qū)，設(shè)于該接觸金屬下的該第一摻雜區(qū)中，并與該接觸金屬相接觸，其中該第五摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電類型。
6.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，其中該接觸金屬具有至少一延伸部，朝該第二摻雜區(qū)沿著該短軸延伸出的一側(cè)延伸出。
7.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，另包括多個第六摻雜區(qū)，設(shè)于該第三摻雜區(qū)中，并貫穿該第三摻雜區(qū)而與該第二摻雜區(qū)相接觸，且該多個第六摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電類型。
8.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，另包括護(hù)環(huán)，設(shè)于該基底中，并圍繞該第一摻雜區(qū)。
9.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，另包括另一接觸金屬，設(shè)于該第二摻雜區(qū)沿著該長軸延伸出的另一側(cè)的該第一摻雜區(qū)上，并與該第一摻雜區(qū)相接觸。
10.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，其中該柵極結(jié)構(gòu)圍繞該第三慘雜區(qū)。
11.一種橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，包括: 兩個蕭特基二極管，彼此平行設(shè)置，且平行于一方向；以及 多個橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元，設(shè)于該多個蕭特基二極管之間，且該多個橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元沿著該方向排列。
12.如權(quán)利要求11所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，另包括護(hù)環(huán)，圍繞該多個蕭特基二極管與該多個 橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體單元。
13.如權(quán)利要求11所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，另包括多個摻雜區(qū)，且各該摻雜區(qū)與各該橫向擴(kuò)散金屬 氧化半導(dǎo)體單元依序沿著該方向交替排列。
全文摘要
本發(fā)明公開一種橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體元件，其包括一第一摻雜區(qū)、一第二摻雜區(qū)、一第三摻雜區(qū)、一柵極結(jié)構(gòu)以及一接觸金屬。第一摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)具有一第一導(dǎo)電類型，且第二摻雜區(qū)具有一第二導(dǎo)電類型。第二摻雜區(qū)設(shè)于第一摻雜區(qū)中，且具有一操場跑道形輪廓，并具有一長軸。第三摻雜區(qū)設(shè)于第二摻雜區(qū)中。柵極結(jié)構(gòu)設(shè)于第三摻雜區(qū)一側(cè)的第一摻雜區(qū)與第二摻雜區(qū)上。接觸金屬設(shè)于第二摻雜區(qū)沿著長軸延伸出的一側(cè)的第一摻雜區(qū)上，并與第一摻雜區(qū)相接觸。
文檔編號H01L29/78GK103208520SQ201210064850
公開日2013年7月17日 申請日期2012年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月13日
發(fā)明者林安宏, 林宏澤, 黃柏睿, 廖偉善, 顏挺洲, 周昆宜, 陳純偉, 簡明勇 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司