專利名稱：一種半導(dǎo)體處理設(shè)備及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體處理設(shè)備及其使用方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造中，經(jīng)常需要對(duì)晶圓進(jìn)行單面的處理，例如對(duì)晶圓進(jìn)行單面的擴(kuò)散、離子注入、蒸鍍、濺射、沉積或退火等操作。用以執(zhí)行上述操作的半導(dǎo)體處理設(shè)備通常包括處理容器500以及晶圓蓋600，請(qǐng)參考圖9，圖9為現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體處理設(shè)備在使用過程中的剖面示意圖。其中，在所述處理容器腔內(nèi)501的底部通常存在矩形的溝槽503，該溝槽503用于固定晶圓700、并使所述晶圓700保持豎直狀態(tài)。所述晶圓蓋600通常為一片晶圓，將所述晶圓蓋600和待處理的晶圓700貼合在一起后，豎直地插入到處理容器腔內(nèi)501底部的溝槽503內(nèi)，晶圓蓋600對(duì)與晶圓700貼合的一面起到遮擋的作用，以避免面受到污 染，并且更進(jìn)一步起到了對(duì)晶圓700進(jìn)行支撐、確保其在處理過程中保持豎直狀態(tài)的作用。但是，上述常用的半導(dǎo)體處理設(shè)備在使用中存在如下一些不足之處I)由于只是將晶圓和晶圓蓋的一端插入到處理容器的溝槽中進(jìn)行固定，而另外一端沒有采取任何固定的措施，所以，在處理過程中，處理容器腔內(nèi)的氣體會(huì)經(jīng)由所述晶圓和晶圓蓋之間的縫隙，將所述晶圓和晶圓蓋分離開，從而造成晶圓無需處理的表面受到污染；2)由于晶圓的表面與晶圓蓋的整個(gè)表面是完全接觸的，所以二者之間的摩擦，會(huì)對(duì)晶圓的表面造成較大面積的劃傷；此外，當(dāng)對(duì)晶圓進(jìn)行高溫處理的時(shí)候(例如退火)，晶圓和晶圓蓋相接觸的表面容易發(fā)生粘連；3)處理容器的溝槽的寬度通常與晶圓蓋和晶圓的厚度之和相同或者相近，進(jìn)而才能有效地保持晶圓在處理過程中的豎直狀態(tài)，所以，在將晶圓蓋和晶圓插入到處理容器的溝槽中的過程中，晶圓和溝槽的內(nèi)壁同樣也會(huì)發(fā)生摩擦，從而劃傷晶圓的表面；4)由于處理容器的溝槽的尺寸通常是固定，無法靈活地滿足對(duì)不同厚度的晶圓進(jìn)行處理的需求；5)由于處理容器的溝槽會(huì)與晶圓需要處理的一面部分貼合，導(dǎo)致該晶圓需要暴露出來的一面被部分地遮擋，降低了處理的效果和減少了晶圓的有效利用面積。因此，希望可以提出一種可以解決上述不足之處的半導(dǎo)體處理設(shè)備及其使用方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供了一種半導(dǎo)體處理設(shè)備、用于該半導(dǎo)體處理設(shè)備的晶圓蓋、處理容器和配重及該半導(dǎo)體處理設(shè)備的使用方法，可以有效地防止在處理過程中晶圓和晶圓蓋的分離，且可以大大減小晶圓與晶圓蓋以及與處理容器之間的接觸面積，以及適用于不同厚度的晶圓，具有一定的靈活性。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種晶圓蓋，該晶圓蓋包括底面、以及與該底面相連接且環(huán)繞該底面的側(cè)壁，該側(cè)壁和底面之間的空間形成凹槽。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種處理容器，在所述處理容器腔內(nèi)的底部具有一個(gè)或者多個(gè)第一溝槽，該一個(gè)或者多個(gè)第一溝槽均具兩個(gè)側(cè)壁，在所述兩個(gè)側(cè)壁中，至少有一個(gè)側(cè)壁呈傾斜狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，還提供了一種配重，該配重具有至少一個(gè)第二溝槽，該第二溝槽具兩個(gè)側(cè)壁，在所述兩個(gè)側(cè)壁中，至少有一個(gè)側(cè)壁呈傾斜狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，還提供了一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，該半導(dǎo)體處理設(shè)備包括了上述晶圓蓋、處理容器以及配重。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，還提供了一種半導(dǎo)體處理設(shè)備的使用方法，該方法包括以下步驟a)將晶圓和晶圓蓋貼合，在所述晶圓和晶圓蓋之間形成第一空腔； b)將所述晶圓和晶圓蓋豎直嵌入至處理容器腔內(nèi)底部的第一溝槽內(nèi)；c)利用配重從上方對(duì)所述晶圓和晶圓蓋進(jìn)行夾持；d)對(duì)所述晶圓進(jìn)行處理。在與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)I)配重從上端對(duì)晶圓和晶圓蓋進(jìn)行固定，使得晶圓和晶圓蓋可以緊密地貼合在一起，從而有效地防止在對(duì)該晶圓進(jìn)行處理(例如擴(kuò)散、離子注入、蒸鍍、濺射、沉積、退火)的過程中出現(xiàn)晶圓和晶圓蓋分離的情形；2)由于晶圓蓋中心部分為凹槽，所以晶圓蓋與晶圓相接觸的區(qū)域僅限于晶圓蓋的邊緣部分，從而有效地減小了晶圓與晶圓蓋之間的接觸面積，如此一來，不但減小了晶圓上由于摩擦所產(chǎn)生劃傷的區(qū)域，還可以防止晶圓與晶圓蓋在高溫狀態(tài)下(例如退火)發(fā)生粘連；3)處理容器中的第一溝槽、以及配重中的第二溝槽的側(cè)壁均具有一定的傾斜度，所以，當(dāng)對(duì)晶圓進(jìn)行固定的時(shí)候，第一溝槽和第二溝槽的側(cè)壁僅僅與晶圓直角邊緣相接觸，而與晶圓的表面之間存在較大的縫隙，從而有效地避免了第一溝槽和第二溝槽的側(cè)壁與晶圓表面相互摩擦所造成的劃傷，并且不會(huì)對(duì)晶圓表面需要處理的表面造成嚴(yán)重的遮擋；4)處理容器中的第一溝槽、以及配重中的第二溝槽的側(cè)壁均具有一定的傾斜度，可適用于固定厚度不同的晶圓，具有較大的靈活性；5)晶圓蓋可以保持晶圓在處理容器中處于豎直狀態(tài)，有助于精確控制處理效果和充分利用處理容器的有限空間。除了上述優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明還可以實(shí)現(xiàn)其他優(yōu)點(diǎn)和效果，這將在下文的描述中詳細(xì)說明。


通過閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯圖I (a)、圖1(b)以及圖1(c)分別為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的晶圓蓋的立體示意圖、俯視示意圖以及沿剖線AA’的剖面示意圖；圖2(a)、圖2(b)以及圖2(c)分別為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的晶圓蓋的立體示意圖、俯視示意圖以及沿剖線AA’的剖面示意圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的晶圓蓋的剖面示意圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的晶圓蓋的剖面示意圖；圖5 (a)為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的處理容器的剖面示意圖；圖5(b)為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的處理容器的剖面示意圖；圖5(c)為根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的處理容器的剖面示意圖；圖5 (d)為根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的處理容器的剖面示意圖；圖6(a)和圖6(b)分別為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的配重的立體示意圖以及剖面示意圖；圖6(c)為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的配重的剖面示意圖；圖6(d)為根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的配重的剖面示意圖；圖7(a)為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備的剖面示意圖；圖7(b)為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備在使用過程中的剖面示意圖；圖7(c)為根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備在使用過程中的剖面示意圖；圖7(d)為根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備在使用過程中的剖面示意圖；圖7(e)為根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備在使用過程中的剖面示意圖；圖7(f)為根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備在使用過程中的剖面示意圖；圖7(g)為圖7(f)中虛線所示內(nèi)容放大后的示意圖；圖8為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備的使用方法流程示意圖；以及圖9為現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體處理設(shè)備在使用過程中的剖面示意圖。附圖中相同或相似的附圖標(biāo)記代表相同或相似的部件。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。下文的公開提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本發(fā)明的公開，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此夕卜，本發(fā)明提供了各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以意識(shí)到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。應(yīng)當(dāng)注意，在附圖中所圖示的部件不一定按比例繪制。本發(fā)明省略了對(duì)公知組件和處理技術(shù)及工藝的描述以避免不必要地限制本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種晶圓蓋，在單面處理(例如擴(kuò)散、離子注入、蒸鍍、濺射、沉積、退火)過程中，該晶圓與晶圓的一面相貼合，暴露晶圓的另外一面進(jìn)行處理，此外，所述晶圓蓋對(duì)晶圓還起到了支撐作用，使得該晶圓在整個(gè)處理過程中不會(huì)傾斜，從而一直保持豎直的狀態(tài)。由于本發(fā)明提供的晶圓蓋具有幾種優(yōu)選結(jié)構(gòu)，所以，下面將分別對(duì)每一種所述優(yōu)選結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。實(shí)施例一請(qǐng)參考圖1(a)至圖1(c)，其中，圖1(a)、圖1(b)以及圖1(c)分別為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的晶圓蓋的立體示意圖、俯視示意圖以及沿剖線AA’的剖面示意圖。如圖所示，所述晶圓蓋100包括底面、以及與該底面相連接且環(huán)繞該底面的側(cè)壁，該側(cè)壁和底面之間的空間形成凹槽101。其中，所述晶圓蓋100的形狀(即底面 的形狀)優(yōu)選為圓形，與晶圓的形狀相同，從而在將所述晶圓蓋100和晶圓貼合在一起后，可以完全覆蓋晶圓的一個(gè)表面，僅僅暴露另外一個(gè)表面，便于對(duì)暴露的表面進(jìn)行單面處理。此外，形成圓形的晶圓蓋工藝簡(jiǎn)單，只需要用光刻膠覆蓋晶圓邊緣部分，通過直接刻蝕晶圓、在該晶圓的中心區(qū)域形成凹槽即可形成。所述晶圓蓋100直徑的范圍為100mm-450mm,例如100mm、I5OmnK2OOmnK3OOmm或者450mm，所述晶圓蓋100厚度(如圖1(c)中H1所示)范圍為
O.例如O. 1mm、lmm、2mm、3mm、4mm或者5_。位于所述晶圓蓋100中心區(qū)域的凹槽101優(yōu)選為圓形，其中，該凹槽101的直徑小于所述晶圓蓋100的直徑，其深度(如圖1(c)中比所示)在5μπι至(H1IOOym)之間。在其他實(shí)施例中，根據(jù)晶圓上需要覆蓋區(qū)域的形狀，所述晶圓蓋100以及凹槽101還可以為其他形狀，例如正方形等，在此不再一一列舉。所述晶圓蓋100的材料包括為硅、鍺以及化合物半導(dǎo)體的一種或其組合，包括但不限于氧化娃、單晶Si、單晶Ge、單晶SiGe,還可以是多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、非晶Si、非晶Ge、非晶SiGe、III-V或II-VI族化合物半導(dǎo)體或其組合或其組合，其中，所述晶圓蓋100的材料可以與待處理的晶圓的材料相同，也可以與待處理的晶圓的材料不同。在其他實(shí)施例中，所述晶圓蓋100的材料包括金屬但不限于不銹鋼、銅及表面鍍有氧化硅、氮化硅的不銹鋼和銅等。在使用上述晶圓蓋的時(shí)候，將晶圓蓋具有凹槽的一面與待處理的晶圓相貼合，SP，所述晶圓蓋側(cè)壁的上表面與晶圓貼合，從而在所述晶圓蓋和晶圓之間形成第一空腔(可參考圖7(a)至圖7(c)中晶圓蓋100與晶圓400的位置關(guān)系)。如此一來，所述晶圓蓋與晶圓之間的接觸面積變小，即僅限于所述晶圓蓋側(cè)壁上表面的面積，從而有效地減小了晶圓和所述晶圓蓋之間到的摩擦面積，進(jìn)而不但減小了晶圓上由于摩擦所產(chǎn)生劃傷的區(qū)域，還可以有效地防止晶圓與晶圓蓋在高溫狀態(tài)下(例如退火)發(fā)生粘連。實(shí)施例二 在參考實(shí)施例一中相同部分的描述的基礎(chǔ)上，請(qǐng)參考圖2(a)至圖2(c)，其中，圖2(a)、圖2(b)以及圖2 (C)分別為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的晶圓蓋的立體示意圖、俯視示意圖以及沿剖線AA’的剖面示意圖。與上述實(shí)施例一中所示的晶圓蓋不同的地方在于，如圖所示，在本實(shí)施例中，所述晶圓蓋100的側(cè)壁與底面形成兩個(gè)凹槽，該兩個(gè)凹槽分別位于該底面的兩側(cè)，如圖所示，該兩個(gè)凹槽分別為凹槽102和凹槽103。所述凹槽102的深度(如圖2(c)中H3所示)和凹槽103的深度(如圖2(c)中H4所示)優(yōu)選為相同，該深度范圍在5 μ m至(H「200) /2 μ m之間。本實(shí)施例中的晶圓蓋由于具有兩個(gè)凹槽，所以，所述晶圓蓋的兩個(gè)面都可以與待處理的晶圓相貼合(可參考圖7(d)至圖7(f)中晶圓蓋100與晶圓400的位置關(guān)系)，與實(shí)施例一中的晶圓蓋相比，本實(shí)施例中的晶圓蓋可以同時(shí)支撐兩片晶圓，其利用率更高。實(shí)施例三在參考實(shí)施例一中相同部分的描述的基礎(chǔ)上，請(qǐng)參考圖3，圖3為根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的晶圓蓋的剖面示意圖。與上述實(shí)施例一所示的晶圓蓋的區(qū)別在于，如圖3中虛線圈出的位置所示，在本實(shí)施例中，所述晶圓蓋100中環(huán)繞凹槽101的側(cè)壁的上表面(即與晶圓相接觸的區(qū)域)為粗糙結(jié)構(gòu)(例如絨面結(jié)構(gòu)等)。如果所述晶圓蓋100與晶圓相接觸的區(qū)域是光滑的，而待處理的晶圓表面通常也是光滑的，那么在處理的過程中，由于高溫的作用(例如高溫退火)，所述晶圓蓋100與所述晶圓相接觸的區(qū)域容易發(fā)生粘連，從而給處理后分離所述晶圓蓋100與所述晶圓帶來一定的困難。而上述采用粗糙結(jié)構(gòu)，會(huì)使所述晶圓蓋100與所述晶圓之間接觸面積進(jìn)一步減小，進(jìn)一步有效地防止高溫下兩者的粘連。在晶圓蓋100側(cè)壁的上表面形成粗糙結(jié)構(gòu)的方法可以在刻蝕形成凹槽101之后除去覆蓋晶圓蓋100邊緣的光刻膠，再對(duì)原來被光刻膠覆蓋的晶圓蓋100側(cè)壁的上表面進(jìn)行第二次刻蝕，形成粗糙表面。但是粗糙的接觸面有可能會(huì)在晶圓蓋100側(cè)壁與晶圓之間產(chǎn)生縫 隙，如果在處理過程中，外部氣體通過所述縫隙進(jìn)入晶圓蓋的凹槽與晶圓的表面形成第一空腔，則有可能污染被晶圓蓋覆蓋的一側(cè)晶圓。下面實(shí)施例四的方案有助于解決防止污染的問題。實(shí)施例四在參考實(shí)施例一中相同部分的描述的基礎(chǔ)上，請(qǐng)參考圖4，圖4為根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的晶圓蓋的剖面示意圖。與上述實(shí)施例一所示的晶圓蓋的區(qū)別在于，如圖4所示，在本實(shí)施例中，在所述晶圓蓋100中環(huán)繞凹槽101的側(cè)壁上，設(shè)置有貫穿該側(cè)壁的孔104。在進(jìn)行單面處理時(shí)，希望僅對(duì)晶圓暴露的一面進(jìn)行處理，當(dāng)晶圓蓋與晶圓貼合在一起之后，晶圓蓋的凹槽與晶圓的表面形成第一空腔，在處理的過程中，可以通過孔向該第一空腔內(nèi)輸入氣體，在該第一空腔內(nèi)形成正壓，以此防止處理容器中的其他氣體進(jìn)入該第一空腔內(nèi)對(duì)晶圓無需處理的一面造成污染。所謂正壓是指，在晶圓蓋的凹槽與晶圓的表面形成第一空腔內(nèi)的氣壓大于所述第一空腔外部的氣壓。這樣第一空腔的氣體可以通過晶圓蓋與晶圓的接觸面的縫隙向第一空腔外部排放，而所述第一空腔外部的氣體不會(huì)進(jìn)入到所述第一空腔。需要說明的是，在同一個(gè)晶圓蓋之中，根據(jù)實(shí)際需要可以包括上述實(shí)施例一至實(shí)施例四中所提供的一種晶圓蓋或者其任意組合，在此不再一一贅述。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種處理容器，在單面處理(例如擴(kuò)散、離子注入、蒸鍍、濺射、沉積、退火)過程中，晶圓被放置于該處理容器中進(jìn)行處理。由于本發(fā)明提供的處理容器也具有幾種優(yōu)選結(jié)構(gòu)，所以，下面將分別對(duì)每一種所述優(yōu)選結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。實(shí)施例五請(qǐng)參考圖5(a)，圖5(a)為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的處理容器的剖面示意圖。如圖所示，所述處理容器腔內(nèi)201的底部設(shè)置有用于固定晶圓以及晶圓蓋的第一溝槽202，該第一溝槽202具有兩個(gè)側(cè)壁，其中，在兩個(gè)側(cè)壁中，至少有一個(gè)側(cè)壁呈傾斜狀態(tài)。請(qǐng)注意該側(cè)壁不一定是平面的，也可以是曲面的。傾斜的側(cè)壁具有以下兩個(gè)好處第一、當(dāng)晶圓和晶圓蓋插入至所述第一溝槽202中時(shí)，所述晶圓與所述第一溝槽202呈傾斜狀態(tài)的側(cè)壁的接觸為線接觸，與傳統(tǒng)的矩形溝槽相比，本發(fā)明可以有效地減小第一溝槽202的側(cè)壁與晶圓之間的接觸面積，從而減小甚至消除了溝槽側(cè)壁對(duì)晶圓表面的劃傷?？梢愿鶕?jù)實(shí)際需要設(shè)計(jì)所述第一溝槽202的深度以及其側(cè)壁的傾斜程度，使晶圓和晶圓蓋插入到所述第一溝槽202中之后，保持穩(wěn)定的豎直狀態(tài)而不會(huì)傾倒。第二、傳統(tǒng)的矩形溝槽只適用于厚度一定的晶圓，靈活性比較差。在本發(fā)明中，所述第一溝槽202可以適用于固定多種厚度不同的晶圓。當(dāng)將晶圓蓋和不同厚度的晶圓插入至所述第一溝槽202中的時(shí)候，只需根據(jù)晶圓厚度的不同，將所述晶圓卡在所述第一溝槽202內(nèi)不同深度的位置，進(jìn)而可以靈活地實(shí)現(xiàn)固定不同厚度的晶圓。在本實(shí)施例中，所述第一溝槽202的截面(與溝槽延伸方向垂直的截面)為倒置梯形，即開口外大內(nèi)小。由于所述第一溝槽202的兩個(gè)側(cè)壁都具有一定的傾斜性，所以，所述第一溝槽202可以用于同時(shí)固定兩片晶圓。請(qǐng)參考圖7(a)至圖7(f)，其中，圖7(a)至圖7 (C)為固定一片晶圓的情況，圖7 (d)至圖7 (f)為固定兩片晶圓的情況(圖7 (a)至圖7(f)中編號(hào)400代表晶圓，編號(hào)100代表晶圓蓋)。在其他實(shí)施例中，所述第一溝槽202的截面還可以是其他形狀，例如倒置三角形等，在此不再一一列舉。 其中，所述第一溝槽202的數(shù)量可以是一個(gè)，也可以是多個(gè)，用于同時(shí)對(duì)多個(gè)晶圓進(jìn)行單面處理。所述處理容器200的材料優(yōu)選為具有耐高溫特性的石英材料。實(shí)施例六在參考實(shí)施例五中相同部分的描述的基礎(chǔ)上，請(qǐng)參考圖5(b)，圖5(b)為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的處理容器的剖面示意圖。與上述實(shí)施例一所示的處理容器的區(qū)別在于，如圖所示，在本實(shí)施例中，在所述處理容器腔內(nèi)201的頂部設(shè)置有梳狀排列的隔板203，用于進(jìn)一步防止晶圓傾斜。所述隔板203位置設(shè)定和位于其下方的第一溝槽202有關(guān)，通常情況下，每個(gè)第一溝槽202的上方會(huì)設(shè)置有兩個(gè)隔板203，該兩個(gè)隔板203之間的距離略大于所述第一溝槽202開口的寬度。在單面處理過程中，晶圓位于兩個(gè)隔板203之間，當(dāng)晶圓向左或者向右傾斜的時(shí)候，所述隔板203可以有效地阻止晶圓繼續(xù)傾斜，從而保證所述晶圓在處理過程中基本保持豎直的狀態(tài)。所述隔板203的材料可以與所述處理容器200的材料相同，也可以為其他不同的耐高溫材料。實(shí)施例七在參考實(shí)施例五中相同部分的描述的基礎(chǔ)上，請(qǐng)參考圖5(c)，圖5(c)為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的處理容器的剖面示意圖。與上述實(shí)施例五所示的處理容器的區(qū)別在于，如圖所示，在本實(shí)施例中，所述第一溝槽202具有一個(gè)底部，在每個(gè)第一溝槽202的底部進(jìn)一步設(shè)置有一個(gè)第一矩形溝槽204，該第一矩形溝槽204開口的寬度與晶圓蓋的厚度一致，該第一矩形溝槽204的深度小于晶圓蓋側(cè)壁的厚度。當(dāng)將晶圓蓋和晶圓插入至第一溝槽202的時(shí)候，可以將所述晶圓蓋對(duì)準(zhǔn)所述第一矩形溝槽204，并將其插入至所述第一矩形溝槽204內(nèi)部(請(qǐng)結(jié)合圖7(e)，其中，編號(hào)100為晶圓蓋，編號(hào)400為晶圓)。如此一來，所述晶圓蓋可以通過所述第一矩形溝槽204從下端進(jìn)行固定，不會(huì)發(fā)生傾斜，進(jìn)而有效地保證了與其貼合的晶圓一直可以保持豎直的狀態(tài)。在本實(shí)施例中可以省略實(shí)施例六中所述的隔板203，也可以保持晶圓在處理過程中保持豎直。實(shí)施例八
在參考實(shí)施例五中相同部分的描述的基礎(chǔ)上，請(qǐng)參考圖5(d)，圖5(d)為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的處理容器的剖面示意圖。與上述實(shí)施例五所示的處理容器的區(qū)別在于，如圖5(d)所示，在本實(shí)施例中，在每個(gè)第一溝槽202的底部設(shè)置有進(jìn)氣孔205。當(dāng)晶圓蓋的側(cè)壁具有孔的時(shí)候(請(qǐng)結(jié)合圖7 (f)和圖7 (g)，編號(hào)100為晶圓蓋，編號(hào)104為孔，編號(hào)400為晶圓)，可以從處理容器外部經(jīng)由所述進(jìn)氣孔205以及晶圓蓋側(cè)壁上的孔，向晶圓和晶圓蓋之間所形成的第一空腔內(nèi)輸入氣體，在該第一空腔內(nèi)形成正壓，即，所述第一空腔內(nèi)的氣壓大于第一空腔外處理容器中的氣壓，以此防止處理容器中的其他氣體進(jìn)入該第一空腔內(nèi)對(duì)晶圓無需進(jìn)行處理的一面造成污染，從而實(shí)現(xiàn)僅對(duì)晶圓暴露的一面進(jìn)行單面處理。需要說明的是，在同一個(gè)處理容器之中，根據(jù)實(shí)際需要可以包括上述實(shí)施例五至實(shí)施例八中所提供的一種處理容器或者其任意組合，在此不再一一贅述。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，還提供了一種配重，該配重具有至少一個(gè)第二溝槽。與前述處理容器腔內(nèi)底部的第一溝槽相似，所述配重的第二溝槽也具有兩個(gè)側(cè)壁，其中，在兩個(gè)側(cè)壁中，至少有一個(gè)側(cè)壁呈傾斜狀態(tài)。請(qǐng)注意該側(cè)壁不一定是平面的，也可以是曲面的。下面，請(qǐng)參考圖6(a)和圖6(b)，圖6(a)和圖6(b)分別為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的配·重的立體示意圖以及截面示意圖。如圖所示，所述配重300中設(shè)置有一個(gè)第二溝槽301，該第二溝槽301的截面(與溝槽延伸方向垂直的截面)為倒置的梯形，即開口外大內(nèi)小。由于所述第二溝槽301的兩個(gè)側(cè)壁都具有一定的傾斜度，在夾持晶圓的時(shí)候，與晶圓的接觸為線接觸，所以，所述第二溝槽301可以用于同時(shí)夾持兩片晶圓。請(qǐng)參考圖7 (a)、7 (c)至圖7(f)，其中，圖7(a)和7(c)為夾持晶圓蓋以及一片晶圓的情況，圖7(d)至圖7(f)為夾持晶圓蓋以及兩片晶圓的情況(圖7(a)至圖7(f)中編號(hào)400代表晶圓，編號(hào)100代表晶圓蓋)。在其他實(shí)施例中，所述第二溝槽301的截面還可以是其他形狀，例如倒置三角形等，在此不再一一列舉。其中，可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)計(jì)所述第二溝槽301的深度以及其側(cè)壁的傾斜程度，使晶圓400和晶圓蓋100卡在所述第二溝槽301中之后，保持貼合的狀態(tài)。所述配重300的材料為具有耐高溫特性的石英材料，其在高溫環(huán)境中(例如高溫退火中)不會(huì)融化，也不會(huì)發(fā)生變形，從而不會(huì)對(duì)晶圓造成污染或者損害。在其他實(shí)施例中，所述第二溝槽301的個(gè)數(shù)還可以是多個(gè)，可以用于對(duì)多組進(jìn)行單面處理的晶圓400和晶圓蓋100同時(shí)進(jìn)行固定，請(qǐng)結(jié)合圖7(b)參考圖6(c)。在這種情況下，多組晶圓400和晶圓蓋100通過一個(gè)配重進(jìn)行固定，其間相互制約，所以，晶圓400和晶圓蓋100之間不但不會(huì)分離，同時(shí)也不會(huì)發(fā)生其中一組晶圓400和晶圓蓋100傾斜的情況。其中，多個(gè)所述第二溝槽301的位置設(shè)定和位于其下方的處理容器腔內(nèi)201底部的第一溝槽202的位置有關(guān)，即，所述配重的第二溝槽301與所述處理容器腔內(nèi)201底部的第一溝槽202相對(duì)應(yīng)，從而可以保持多組晶圓400和晶圓蓋100嵌入至所述配重300的第二溝槽301以及所述處理容器腔內(nèi)201底部的第一溝槽202后，可以保持豎直的狀態(tài)。優(yōu)選地，請(qǐng)結(jié)合圖7(e)參考圖6(d)，當(dāng)所述配重300的第二溝槽301具有底部的時(shí)候(例如第二溝槽301的截面為倒置的梯形)，所述第二溝槽301的底部還可以進(jìn)一步設(shè)置有一個(gè)第二矩形溝槽302，該第二矩形溝槽302開口的寬度與晶圓蓋100的厚度一致。將晶圓蓋100插入至所述第二矩形溝槽302內(nèi)，與所述配重300進(jìn)行固定，如此一來，所述配重300即可穩(wěn)固地放置在晶圓400和晶圓蓋100的上方，不會(huì)掉落，進(jìn)而保證了夾持的效果。第二矩形溝槽302的深度可以設(shè)得足夠大，以便于根據(jù)晶片厚度在重力下上下自由調(diào)節(jié)。在將晶圓和晶圓蓋插入至處理容器腔內(nèi)底部的第一溝槽后，將所述配重的第二溝槽開口向下，放置在晶圓和晶圓蓋的上方，使得二者恰好卡在所述配重的第二溝槽內(nèi)，從而有效地起到了從晶圓和晶圓蓋的上方對(duì)其二者進(jìn)行固定的作用，可以防止所述晶圓蓋和晶圓在其自身重力、以及處理容器中氣體的作用下二者產(chǎn)生分離，進(jìn)而有效地防止晶圓與所述晶圓蓋相接觸的一面在處理過程中受到污染。再者，由于所述配重的第二溝槽與晶圓的接觸為線接觸，所以配重不會(huì)對(duì)晶圓表面造成劃傷。另外，所述配重中的第二溝槽至少有一個(gè)側(cè)壁是傾斜的，所以厚度不同的晶圓可以卡在不同的位置，從而可以靈活地實(shí)現(xiàn)夾持多種厚度不同的晶圓。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，還提供了一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，該半導(dǎo)體處理設(shè)備包括晶圓蓋、處理容器以及配重，其中，所述晶圓蓋、處理容器以及配重的結(jié)構(gòu)可以參考前文中相關(guān)部分的描述。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體處理設(shè)備相比，本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體處理設(shè)備具有以下優(yōu)點(diǎn) 第一、配重從上端對(duì)晶圓和晶圓蓋進(jìn)行固定，使得晶圓和晶圓蓋可以緊密地貼合在一起，從而有效地防止在單面處理(例如單面擴(kuò)散、離子注入、蒸鍍、濺射、沉積、退火等)過程中出現(xiàn)晶圓和晶圓蓋分離的情形；第二、由于晶圓蓋中心部分為凹槽，所以晶圓蓋與晶圓相接觸的區(qū)域僅限于晶圓蓋的邊緣部分，從而有效地減小了晶圓與晶圓蓋之間的接觸面積，進(jìn)而不但減小了晶圓上由于摩擦所產(chǎn)生劃傷的區(qū)域，還可以防止晶圓與晶圓蓋在高溫狀態(tài)下(例如退火)發(fā)生粘連；第三、處理容器中的第一溝槽、以及配重中的第二溝槽的側(cè)壁均具有一定的傾斜度，所以，當(dāng)對(duì)晶圓進(jìn)行固定的時(shí)候，第一溝槽和第二溝槽的側(cè)壁僅僅與晶圓的邊緣相接觸，而與晶圓的表面之間存在較大的縫隙，從而有效地避免了第一溝槽和第二溝槽的側(cè)壁與晶圓表面相互摩擦所造成的劃傷；第四、處理容器中的第一溝槽、以及配重中的第二溝槽的側(cè)壁均具有一定的傾斜度，可適用于固定厚度不同的晶圓，具有一定的靈活性。第五、晶圓蓋可以保持晶圓在處理容器中處于豎直狀態(tài)，有助于精確控制處理效果和充分利用處理容器的有限空間。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，還提供了一種半導(dǎo)體處理設(shè)備的使用方法，請(qǐng)參考圖8，圖8為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備的使用方法流程示意圖。下面，將結(jié)合圖7(a)至圖7(g)對(duì)圖8中所示的使用方法進(jìn)行說明。在步驟SlOl中，將晶圓400和晶圓蓋100貼合，在所述晶圓400和晶圓蓋100之間形成第一空腔。具體地，將所述晶圓蓋100具有凹槽的一面與晶圓400的一面相貼合,暴露所述晶圓400的另外一面進(jìn)行處理。其中，所述晶圓蓋100側(cè)壁的上表面與晶圓400的表面相接觸，而在所述晶圓蓋100上的凹槽和晶圓400的表面形成封閉的第一空腔。在步驟S102中，將所述晶圓400和晶圓蓋100豎直嵌入至處理容器腔內(nèi)201底部的第一溝槽202內(nèi)。具體地，將貼合后的所述晶圓400和晶圓蓋100豎直地插入到處理容器腔內(nèi)201底部的第一溝槽202內(nèi)，所述第一溝槽202具有一個(gè)底面和兩個(gè)側(cè)壁，其中，在兩個(gè)側(cè)壁中，至少有一個(gè)側(cè)壁呈傾斜狀態(tài)，例如，所述第一溝槽202的截面(與溝槽延伸方向垂直的截面)可以為倒置的梯形、倒置的三角形或者倒置的直角梯形等。當(dāng)將晶圓400和晶圓蓋100 —起插入至所述第一溝槽202的一定深度后，所述晶圓400和晶圓蓋100與所述第一溝槽202的側(cè)壁相接觸，并通過其間的接觸點(diǎn)，支撐所述晶圓400和晶圓蓋100，使其保持豎直的狀態(tài)。當(dāng)所述處理容器200中第一溝槽202的底部設(shè)置有專門用于固定晶圓蓋100的第一矩形溝槽204的時(shí)候，可以將晶圓蓋100插入至該第一矩形溝槽204中進(jìn)行固定。在步驟S103中，利用配重300從上方對(duì)所述晶圓400和晶圓蓋100進(jìn)行夾持。具體地，將所述配重300的第二溝槽301開口向下，放置在所述晶圓400和晶圓蓋100的上方，使得二者恰好卡在所述配重300的第二溝槽301內(nèi)。其中，所述配重300的第二溝槽301與處理容器腔內(nèi)底部的第一溝槽202相似，所述配重300的第二溝槽301也具有兩個(gè)側(cè)壁，在該兩個(gè)側(cè)壁中，至少有一個(gè)側(cè)壁呈傾斜狀態(tài)，例如，所述第二溝槽301的截面(與溝槽延伸方向垂直的截面)可以為倒置的梯形、倒置的三角形或者倒置的直角梯形等。當(dāng)所述配重300中第二溝槽301的底部設(shè)置有專門用于固定晶圓蓋100的第二矩形溝槽302的時(shí)候，可以將晶圓蓋100插入至該第二矩形溝槽302中進(jìn)行固定。
在步驟S 104中，對(duì)所述晶圓400進(jìn)行處理。具體地，當(dāng)晶圓400和晶圓蓋100通過處理容器腔內(nèi)201底部的第一溝槽202、以及配重300中的第二溝槽301固定好之后，在所述晶圓400豎直的狀態(tài)下，對(duì)所述晶圓400暴露的表面進(jìn)行單面處理，其中，所述處理包括擴(kuò)散、離子注入、蒸鍍、濺射、沉積、退火中的任何一種或多種的組合?？蛇x地，請(qǐng)參考圖7(f)和圖7(g)，對(duì)于具有進(jìn)氣孔205的處理容器200以及側(cè)壁上具有孔104的晶圓蓋100，在單面處理的過程中，可以將所述晶圓蓋側(cè)壁上的孔104與所述處理容器200的底部的進(jìn)氣孔205相連通，通過所述處理容器200底部的進(jìn)氣孔205以及所述晶圓蓋上的孔104，向所述第一空腔內(nèi)部輸入氣體，在所述第一空腔內(nèi)形成正壓，SP，所述第一空腔內(nèi)的氣壓大于第一空腔外處理容器中的氣壓，以此防止處理容器200中的其他氣體進(jìn)入該第一空腔內(nèi)對(duì)晶圓400無需進(jìn)行處理的一面造成污染。執(zhí)行上述使用方法后，在單面處理過程中，晶圓從兩端分別通過處理容器腔內(nèi)底部的第一溝槽、以及配重中的第二溝槽與晶圓蓋進(jìn)行固定，使得晶圓和晶圓蓋可以緊密地貼合在一起，從而有效地防止在單面處理過程中出現(xiàn)晶圓和晶圓蓋分離的情形；此外，由于晶圓蓋中心部分為凹槽，所以晶圓蓋與晶圓相接觸的區(qū)域僅限于晶圓蓋的邊緣部分，如此一來,大大減小了晶圓與晶圓蓋貼合時(shí)二者之間的接觸面積，從而不但減小了晶圓上由于摩擦所產(chǎn)生劃傷的區(qū)域，還可以防止晶圓與晶圓蓋在高溫狀態(tài)下(例如退火)發(fā)生粘連；再者，處理容器中的第一溝槽、以及配重中的第二溝槽的側(cè)壁均具有一定的傾斜度，所以，當(dāng)對(duì)晶圓進(jìn)行固定的時(shí)候，即，將晶圓插入處理容器中的第一溝槽或者使用配重夾持晶圓的過程中，第一溝槽和第二溝槽的側(cè)壁僅僅與晶圓的邊緣相接觸，而與晶圓的表面之間存在一定的縫隙，從而有效地避免了第一溝槽和第二溝槽的側(cè)壁與晶圓表面相互摩擦所造成的劃傷；最后，處理容器中的第一溝槽、以及配重中的第二溝槽的具有傾斜度的側(cè)壁，可適用于固定厚度不同的晶圓，具有一定的靈活性。其中，對(duì)半導(dǎo)體器件各實(shí)施例中各部分的結(jié)構(gòu)組成、材料及形成方法等均可與前述半導(dǎo)體器件形成方法實(shí)施例中描述的相同，不再贅述。雖然關(guān)于示例實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)詳細(xì)說明，應(yīng)當(dāng)理解在不脫離本發(fā)明的精神和所附權(quán)利要求限定的保護(hù)范圍的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種變化、替換和修改。對(duì)于其他例子，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)容易理解在保持本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)的同時(shí)，工藝步驟的次序可以變化。此外，本發(fā)明的應(yīng)用范圍不局限于說明書中描述的特定實(shí)施例的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法及步驟。從本發(fā)明的公開內(nèi)容，作為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將容易地理解，對(duì)于目前已存在或者以后即將開發(fā)出的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟，其中它們執(zhí)行與本發(fā)明描述的對(duì)應(yīng)實(shí)施例大體相同的功能或者獲得大體相同的結(jié) 果，依照本發(fā)明可以對(duì)它們進(jìn)行應(yīng)用。因此，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在將這些工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟包含在其保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶圓蓋，其中 所述晶圓蓋(100)包括底面、以及與該底面相連接且環(huán)繞該底面的側(cè)壁，該側(cè)壁和底面之間的空間形成凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓蓋，其中 所述晶圓蓋(100)的側(cè)壁與底面形成兩個(gè)凹槽，該兩個(gè)凹槽分別位于該底面的兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的晶圓蓋，其中，所述凹槽的形狀為圓形。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的晶圓蓋，其中，所述晶圓蓋(100)直徑的范圍為100mm-450mnin
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的晶圓蓋，其中，所述晶圓蓋(100)的厚度范圍為.O.1mm-5mmn
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的晶圓蓋，其中 所述晶圓蓋(100)的材料包括氧化硅、單晶Si、單晶Ge、單晶SiGe、多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、非晶Si、非晶Ge、非晶SiGe、III-V或II-VI族化合物半導(dǎo)體或其組合；或者 所述晶圓蓋(100)的材料包括不銹鋼、銅、以及表面鍍有氧化硅、氮化硅的不銹鋼和銅中的一種或其任意組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的晶圓蓋，其中，所述側(cè)壁的上表面為粗糙結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2或7所述的晶圓蓋，其中，在所述側(cè)壁上存在貫通該側(cè)壁、且與所述凹槽相連通的孔(104)。
9.一種處理容器，其中 在所述處理容器腔內(nèi)(201)的底部具有一個(gè)或者多個(gè)第一溝槽(202)，該一個(gè)或者多個(gè)第一溝槽(202)均具兩個(gè)側(cè)壁，其特征在于 在所述兩個(gè)側(cè)壁中，至少有一個(gè)側(cè)壁呈傾斜狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理容器，其中，與所述第一溝槽(202)延伸方向相垂直的截面為倒置的梯形或三角形。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理容器，其中，在所述處理容器腔內(nèi)(201)的頂部設(shè)置有一個(gè)或者多個(gè)隔板(203)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理容器，其中，在每個(gè)所述第一溝槽(202)具有一個(gè)底部，并且在所述溝槽的底部設(shè)置有一個(gè)第一矩形溝槽(204)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理容器，其中，所述第一矩形溝槽(204)的寬度與晶片蓋的厚度一致。
14.根據(jù)權(quán)利要求9或12所述的處理容器，其中 所述第一溝槽(202)或所述第一矩形溝槽(204)具有一個(gè)底部； 所述處理容器(200)的底部設(shè)置有進(jìn)氣孔(205)，該進(jìn)氣孔(205)與所述第一溝槽(202)或所述第一矩形溝槽(204)的底部相連通。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理容器，其中，所述處理容器中放置有權(quán)利要求8中所述的晶圓蓋，所述晶圓蓋側(cè)壁上的孔(104)與所述處理容器(200)的底部的進(jìn)氣孔(205)相連通。
16.一種配重，該配重用于夾持晶圓和晶圓蓋，其中 所述配重(300)具有至少一個(gè)第二溝槽(301)，該第二溝槽(301)具兩個(gè)側(cè)壁，在所述兩個(gè)側(cè)壁中，至少有一個(gè)側(cè)壁呈傾斜狀態(tài)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的配重，其中，與所述第二溝槽(301)延伸方向相垂直的截面為倒置的梯形或三角形。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的配重，其中，在每個(gè)所述第二溝槽(301)具有一個(gè)底部，并且在所述第二溝槽(301)的底部設(shè)置有一個(gè)第二矩形溝槽(302)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的配重，其中，所述配重(300)的材料為石英。
20.—種半導(dǎo)體處理設(shè)備，該半導(dǎo)體處理設(shè)備包括 權(quán)利要求1-8中的任何一項(xiàng)所述的晶圓蓋(100)； 權(quán)利要求9-15中的任何一項(xiàng)所述的處理容器(200);以及 權(quán)利要求16-19中的任何一項(xiàng)所述的配重(300)。
21.一種權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備的使用方法，所述使用方法包括以下步驟 a)將晶圓(400)和晶圓蓋(100)貼合，在所述晶圓(400)和晶圓蓋(100)之間形成第一空腔； b)將所述晶圓(400)和晶圓蓋(100)嵌入至處理容器腔內(nèi)(201)底部的第一溝槽(202)內(nèi)； c)利用配重(300)從上方對(duì)所述晶圓(400)和晶圓蓋(100)進(jìn)行夾持； d)對(duì)所述晶圓(400)進(jìn)行處理。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的使用方法，還包括 所述晶圓蓋側(cè)壁上具有通孔(104)； 所述處理容器(200)的底部具有進(jìn)氣孔(205)； 所述晶圓蓋側(cè)壁上的通孔(104)與所述處理容器(200)的底部的進(jìn)氣孔(205)相連通； 通過所述處理容器(200)底部的進(jìn)氣孔(205)以及所述晶圓蓋(100)側(cè)壁上的孔(104)，向所述第一空腔內(nèi)部輸入氣體，使得在所述第一空腔內(nèi)的氣壓大于第一空腔外處理容器中的氣壓。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的使用方法，其中 所述處理包括擴(kuò)散、離子注入、蒸鍍、濺射、沉積、退火中的任何一種或多種的組合。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體處理設(shè)備的使用方法，該使用方法的步驟包括將晶圓和晶圓蓋貼合，在所述晶圓和晶圓蓋之間形成第一空腔；將所述晶圓和晶圓蓋豎直嵌入至處理容器腔內(nèi)底部的第一溝槽內(nèi)；利用配重從上方對(duì)所述晶圓和晶圓蓋進(jìn)行夾持；對(duì)所述晶圓進(jìn)行處理。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種晶圓蓋、處理容器、配重、以及由上述晶圓蓋、處理容器和配重所組成的半導(dǎo)體處理設(shè)備。本發(fā)明可以有效地防止在處理過程中晶圓和晶圓蓋的分離，且可以大大減小晶圓與晶圓蓋以及與處理容器之間的接觸面積，以及適用于不同厚度的晶圓，具有一定的靈活性。
文檔編號(hào)H01L21/687GK102903659SQ201210066329
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
發(fā)明者朱慧瓏, 尹海洲, 駱志炯 申請(qǐng)人:聚日(蘇州)科技有限公司