專利名稱:一種用于防止靜電破壞可靠性樣品的版圖設(shè)計(jì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)版圖,尤其涉及一種保護(hù)封裝級(jí)可靠性測(cè)試樣品,減少靜電對(duì)樣品影響的版圖。
背景技術(shù):
圖I為普通器件的示意圖,圖2為普通器件模擬電路圖,請(qǐng)參見(jiàn)圖I和圖2所示。 包括有一待測(cè)器件1,該器件I具有源極2、漏極3、柵極4和基極5。目前的器件I可靠性實(shí)驗(yàn)用的樣品,都是單一器件結(jié)構(gòu),由于技術(shù)規(guī)格的限定柵極4面積(<10um*0. Ium)很小。 在受到靜電作用時(shí),極短的時(shí)間里通過(guò)了大電流(但是電量很小),導(dǎo)致柵極4被燒壞。特別是可靠性測(cè)試還需要進(jìn)行封裝,靜電作用尤其顯著。而且由于可靠性測(cè)試的特殊要求,沒(méi)有特殊的靜電保護(hù)電路,對(duì)器件I進(jìn)行保護(hù)。目前對(duì)可靠性測(cè)試靜電的保護(hù)主要是通過(guò)優(yōu)化測(cè)試環(huán)境,降低靜電產(chǎn)生的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)的,但是靜電無(wú)處不在,依然有大量樣品受到靜電的破壞。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于防止靜電破壞可靠性樣品的版圖設(shè)計(jì),以解決現(xiàn)有器件樣品易受到靜電破壞的問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案為
一種用于防止靜電破壞可靠性樣品的版圖設(shè)計(jì),其中,包括有一待測(cè)的封裝級(jí)器件,所述器件具有柵極,并且所述柵極并聯(lián)連接一大面積柵電容,通過(guò)所述柵電容達(dá)到分流靜電荷以保護(hù)所述器件。上述的用于防止靜電破壞可靠性樣品的版圖設(shè)計(jì),其中,所述器件包括有源極和漏極,與所述柵極并聯(lián)連接的所述柵電容對(duì)所述漏極飽和電流不產(chǎn)生影響。上述的用于防止靜電破壞可靠性樣品的版圖設(shè)計(jì),其中,所述器件的柵極還串聯(lián)連接一基極,與所述柵極并聯(lián)連接的所述柵電容對(duì)所述柵極和所述基極電壓無(wú)影響。本發(fā)明由于采用了上述技術(shù),使之具有的積極效果是
通過(guò)使用本發(fā)明后,器件受到的靜電破壞的可能性大大降低。同時(shí)不會(huì)對(duì)漏極電流產(chǎn)生影響,可以進(jìn)行正常的測(cè)試。
圖I是普通器件的示意圖2是普通器件模擬電路圖3是本發(fā)明的一種用于防止靜電破壞可靠性樣品器件的示意圖4是本發(fā)明的一種用于防止靜電破壞可靠性樣品器件的模擬電路圖。附圖中1.器件;2.源極;3.漏極;4.柵極;5.基極;6.柵電容。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖給出本發(fā)明一種用于防止靜電破壞可靠性樣品的版圖設(shè)計(jì)的具體實(shí)施方式
。圖3為本發(fā)明的一種用于防止靜電破壞可靠性樣品器件的示意圖,圖4為本發(fā)明的一種用于防止靜電破壞可靠性樣品器件的模擬電路圖,請(qǐng)參見(jiàn)圖3和圖4所述。本發(fā)明的一種用于防止靜電破壞可靠性樣品器件,包括有一待測(cè)的封裝級(jí)器件1,該器件I具有柵極4,為了防止器件I進(jìn)行測(cè)試受到破壞時(shí)面積較小的柵極4的養(yǎng)護(hù)層被擊穿,在柵極4外并聯(lián)連接有一大面積的柵電容6,通過(guò)大面積的柵電容6來(lái)達(dá)到分流靜電荷保護(hù)器件I的目的。本發(fā)明在上述基礎(chǔ)上還具有如下實(shí)施方式
本發(fā)明的第一實(shí)施例中,請(qǐng)繼續(xù)參見(jiàn)圖3和圖4所示。上述的待測(cè)器件I包括有源極 2和漏極3,使得與柵極4并聯(lián)連接的柵電容6不會(huì)對(duì)器件I的漏極3飽和電流產(chǎn)生影響。本發(fā)明的第二實(shí)施例中,待測(cè)器件I還串聯(lián)連接有一基極5,使得與柵極4并聯(lián)連接的柵電容6加在器件I柵極4、基極5等各個(gè)端點(diǎn)的電壓沒(méi)有變化。綜上所述,使用本發(fā)明一種用于防止靜電破壞可靠性樣品的版圖設(shè)計(jì),使得器件受到的靜電破壞的可能性大大降低。同時(shí)不會(huì)對(duì)漏極電流產(chǎn)生影響,可以進(jìn)行正常的測(cè)試。以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是,本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式,其中未盡詳細(xì)描述的方法和處理過(guò)程應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施;本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改,這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于防止靜電破壞可靠性樣品的版圖設(shè)計(jì),其特征在于,包括有一待測(cè)的封裝級(jí)器件,所述器件具有柵極,并且所述柵極并聯(lián)連接一大面積柵電容,通過(guò)所述柵電容達(dá)到分流靜電荷以保護(hù)所述器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述用于防止靜電破壞可靠性樣品的版圖設(shè)計(jì),其特征在于,所述器件包括有源極和漏極,與所述柵極并聯(lián)連接的所述柵電容對(duì)所述漏極飽和電流不產(chǎn)生影響。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述用于防止靜電破壞可靠性樣品的版圖設(shè)計(jì),其特征在于,所述器件的柵極還串聯(lián)連接一基極,與所述柵極并聯(lián)連接的所述柵電容對(duì)所述柵極和所述基極電壓無(wú)影響。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種用于防止靜電破壞可靠性樣品的版圖設(shè)計(jì),其中,包括有一待測(cè)的封裝級(jí)器件,所述器件具有柵極,并且所述柵極并聯(lián)連接一大面積柵電容,通過(guò)所述柵電容達(dá)到分流靜電荷以保護(hù)所述器件。使用本發(fā)明一種用于防止靜電破壞可靠性樣品的版圖設(shè)計(jì),使得器件受到的靜電破壞的可能性大大降低。同時(shí)不會(huì)對(duì)漏極電流產(chǎn)生影響,可以進(jìn)行正常的測(cè)試。
文檔編號(hào)H01L23/60GK102610593SQ20121006652
公開(kāi)日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2012年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月14日
發(fā)明者周柯, 尹彬鋒, 王炯 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司