專利名稱：浸沒式滲透下片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于LED芯片制備領(lǐng)域，涉及對(duì)研磨、拋光后的芯片從陶瓷盤上脫離的工藝。
背景技術(shù)：
在芯片的制備過程中需要對(duì)芯片表面進(jìn)行研磨和拋光，通常為了加工方便，先把芯片通過石蠟及一定的壓力固定在陶瓷盤上，然后對(duì)芯片進(jìn)行研磨，減薄到所需厚度后進(jìn)行拋光，在此過程中，固定在陶瓷盤上的芯片與研磨輪、拋光盤相互有著緊密接觸式的摩擦，在摩擦的過程中研磨輪、拋光盤會(huì)對(duì)芯片產(chǎn)生一定的應(yīng)力，通過加工，芯片越來(lái)越薄，應(yīng)力也隨之越來(lái)越大，芯片翹曲、碎片的幾率會(huì)不斷增大，相對(duì)增大了后續(xù)芯片從陶瓷盤上取下來(lái)的難度?，F(xiàn)有工藝主要有兩種，一種通過把拋光好的芯片，直接放在加熱板上快速加熱使陶瓷盤與芯片之間的蠟溶解，達(dá)到使芯片脫離陶瓷盤的目的，稱之為加熱脫片。由于芯片脫離陶瓷盤上的速度很快，芯片釋放應(yīng)力也隨之加快，造成芯片的翹曲度非常大，芯片容易破碎。另一種人為推動(dòng)芯片，稱之為外力脫片。這個(gè)過程會(huì)有大量的不可控因素，一定要掌握好時(shí)機(jī)，該方法是通過對(duì)陶瓷盤進(jìn)行加熱，在加熱過程中芯片與石蠟之間形成一定數(shù)量的氣泡后，通過人為施力推動(dòng)芯片，此過程石蠟融化時(shí)所形成的氣泡狀況，推片時(shí)機(jī)，及推片的力度都是需要我們?nèi)藶榕袛嗟?，必須要在合理的狀態(tài)、合適的時(shí)間、適當(dāng)?shù)牧Χ热ネ苿?dòng)芯片，過早了，推不動(dòng)芯片，容易把芯片邊緣推碎。過慢了，芯片會(huì)很快自動(dòng)脫離陶瓷盤，受芯片材質(zhì)的影響，芯片自動(dòng)脫離陶瓷盤時(shí)，芯片的翹曲度和破片率都會(huì)增大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決芯片脫離陶瓷盤過程中易翹曲、破碎問題。為了解決上述問題，本發(fā)明的發(fā)明人通過無(wú)數(shù)次實(shí)驗(yàn)測(cè)試，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過浸沒式滲透下片，即把陶瓷盤及通過蠟固定在其上的芯片，一并浸沒在溶液內(nèi)，通過加熱溶液，同時(shí)超聲波的震動(dòng)及溶液的滲透使芯片慢慢與陶瓷盤、蠟脫離。由于芯片是通過溶液滲透及利用超聲波超聲使其脫離陶瓷盤的，釋放應(yīng)力的時(shí)間不是很快，同時(shí)溶液對(duì)芯片的壓力也可控制芯片應(yīng)力釋放的速度，整個(gè)過程中芯片所受的力均是一個(gè)衡定的過程，并且芯片受熱也是個(gè)緩慢遞增的過程，所以芯片的翹曲度和碎片也會(huì)減少，讓整體良率有所提升。浸沒式滲透下片過程中所用的溶液選自:水、水溶液、含有堿性組分水溶液、含有表面活性劑的水溶液中的一種或多種。所述的水優(yōu)選超純水。所述的水溶液、含有堿性組分水溶液、含有表面活性劑的水溶液中水溶液為超純水的水溶液。所述水溶液優(yōu)選含有去蠟液的水溶液。所述的堿性組分選自堿金屬氫氧化物，如氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀；堿土金屬氫氧化物，如氫氧化鈣、氫氧化鎂、氫氧化鋇；無(wú)機(jī)氫氧化銨，如氨、羥基胺；有機(jī)氫氧化銨，如單甲基氫氧化銨、二甲基氫氧化銨、三甲基氫氧化銨、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、正(異)四丙基氫氧化銨、正(異或叔)四丁基氫氧化銨、四戊基氫氧化銨、四己基氫氧化銨或膽堿中一種，或上述中兩種或兩種以上的混合物。這些堿性組分中優(yōu)選氨、四甲基氫氧化銨或膽堿。所述的表面活性劑選自:非離子型表面活性劑、陰離子型表面活性劑、陽(yáng)離子型表面活性劑、兩性表面活性劑中一種，或上述兩種或兩種以上的混合物。
所述的加熱溶液，是從常溫下(25 °C)開始加熱，溶液最高溫度< 85°C。優(yōu)選60 0C -85。。。所述的超聲波，其頻率為35kHz_55kHz，優(yōu)選40kHz-45kHz。芯片在制備過程中，需要對(duì)芯片進(jìn)行研磨及拋光，為加工方便，需要把芯片通過石蠟及一定的壓力固定在陶瓷盤上，進(jìn)行研磨、拋光，待研磨、拋光后再將芯片從陶瓷盤上取下來(lái)，再對(duì)取下來(lái)的芯片進(jìn)行清洗。本發(fā)明主要是針對(duì)原研磨、拋光后的芯片從陶瓷盤上取下來(lái)這一工藝的改進(jìn)，目的在于控制芯片從陶瓷盤上取下來(lái)這一過程中芯片翹曲度及其破碎率。芯片經(jīng)研磨、拋光后，與陶瓷盤一并浸沒在溶液內(nèi)，對(duì)溶液進(jìn)行加熱，同時(shí)用超聲儀利用超聲波及溶液的滲透使芯片慢慢與陶瓷盤、蠟脫離。由于芯片是通過利用超聲波超聲及溶液滲透使其脫離陶瓷盤的，所以相對(duì)芯片脫離陶瓷盤的應(yīng)力不大且整個(gè)過程中都保持衡定，另外因溶液的溫度是從室溫開始緩緩加熱至最高溫度的，不會(huì)使芯片溫度劇變，減少了芯片的翹曲或破碎幾率。在本發(fā)明的過程中芯片脫離陶瓷盤后會(huì)直接掉入容器底部，與容器有一定摩擦，芯片表面易劃傷，另外多個(gè)芯片之間容易貼連，增加了后續(xù)取片的難度。本發(fā)明另一方面公開一種架子，稱之浸沒式滲透下片架如圖1-2，該架子有兩部分組成，一部分是用于放置陶瓷盤及固定在其上面的芯片，稱之為陶瓷盤架，陶瓷盤架，另一部分是用于放置從陶瓷盤上脫落下的芯片，稱之為芯片架，具體見附圖1浸沒式滲透下片架。陶瓷盤水平放置在浸沒式滲透下片架內(nèi)，陶瓷盤在上面，芯片在下面，每個(gè)芯片對(duì)應(yīng)一個(gè)芯片架，當(dāng)芯片從陶瓷盤上脫離后直接落入芯片架內(nèi)，而不會(huì)出現(xiàn)掉入容器底部或多個(gè)芯片貼連現(xiàn)象。


下述附圖只是為了對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明，而非是對(duì)本發(fā)明范圍的限制。圖1浸沒式滲透下片架陶瓷盤架 圖2浸沒式滲透下片架芯片架
實(shí)施方式
下述實(shí)施例主要是為了進(jìn)一步解釋說(shuō)明本發(fā)明，而不是對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍的限制。實(shí)施例1
取180片4英寸芯片，通過石蠟及壓力分別固定在陶瓷盤上，經(jīng)研磨、拋光后，隨機(jī)分為A、B、C、D四組，每組各45片，A組進(jìn)行加熱脫片，把陶瓷盤及其上的芯片直接放在加熱板上快速加熱使陶瓷盤與芯片之間的蠟溶解，芯片從陶瓷盤上脫離。B組進(jìn)行外力脫片，對(duì)陶瓷盤進(jìn)行加熱，在加熱過程中芯片與石蠟之間形成一定數(shù)量的氣泡后，施力推動(dòng)芯片，芯片從陶瓷盤上脫離。C組進(jìn)行浸泡式滲透下片，把陶瓷盤與其上的芯片放入浸泡式滲透下片架，芯片朝下，水平浸沒在加有去蠟夜的超純水溶液內(nèi)，對(duì)室溫下的該溶液進(jìn)行加熱，同時(shí)打開超聲儀，頻率調(diào)節(jié)至41kHz，利用超聲波及溶液的滲透，并緩緩加熱溶液至60°C，使芯片慢慢與陶瓷盤、蠟脫離，并落入芯片架內(nèi)。D組進(jìn)行浸泡式滲透下片，把陶瓷盤與其上的芯片放入浸泡式滲透下片架，芯片朝下，水平浸沒在超純水內(nèi)，對(duì)室溫下的超純水進(jìn)行加熱，同時(shí)打開超聲儀，頻率調(diào)節(jié)至43kHz，利用超聲波及超純水的滲透，并緩緩加熱溶液至67°C，使芯片慢慢與陶瓷盤、蠟脫離，并落入芯片架內(nèi)。對(duì)脫離后的芯片進(jìn)行翹曲及破碎量占試驗(yàn)芯片量的比例，得出各自的翹曲率及破碎率。具體見表I。
表I芯片從陶瓷盤上脫離后的質(zhì)量
權(quán)利要求
1.一種使芯片從陶瓷盤上脫離的方法，其特征在于采用浸沒、滲透的方式使芯片從陶瓷盤上脫離。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于浸沒、滲透方式為把陶瓷盤及通過蠟固定在其上的芯片，一并浸沒在溶液內(nèi)，通過加熱溶液及溶液的滲透使芯片與陶瓷盤、蠟脫離。
3.權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于陶瓷盤及通過蠟固定在其上的芯片浸沒在溶液內(nèi)，同時(shí)利用超聲儀進(jìn)行超聲。
4.權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于溶液的溫度從常溫開始加熱，溶液的最高溫度< 85。。。
5.權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于60°C<溶液的最高溫度<85°C。
6.權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于超聲儀的超聲頻率為35kHz-55kHz。
7.權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于超聲儀的超聲頻率優(yōu)選40kHz-45kHz。
8.權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述的溶液選自:水、水溶液、含有堿性組分水溶液、含有表面活性劑的水溶液中的一種或多種。
9.權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述的水為超純水，所述的水溶液、含有堿性組分水溶液、含有表面活性劑的水溶液中水溶液為超純水的水溶液。
10.權(quán)利要求1-9的方法進(jìn)一步包括一種浸沒式滲透下片架，由兩部分組成，一部分是用于放置陶瓷盤及固定在其上面的芯片，稱之為陶瓷盤架，另一部分是用于放置從陶瓷盤上脫落下的芯片，稱之為芯片架，陶瓷盤架、芯片架共同組成浸沒式滲透下片架。
全文摘要
本發(fā)明為浸沒式滲透下片，通過對(duì)研磨、拋光后的芯片從陶瓷盤上脫離的工藝改進(jìn)，降低此過程中芯片的破碎、翹曲的新方法，從而提高芯片的產(chǎn)率及質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L21/67GK103208442SQ20121006783
公開日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2012年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月15日
發(fā)明者孫雪英 申請(qǐng)人:江蘇漢萊科技有限公司