專利名稱：一種太陽電池雙層減反射膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽電池減反射膜的制備方法，特別是一種用于晶體硅太陽電池的雙層減反射膜的制備方法。
背景技術(shù)：
制造晶體硅太陽電池，一般需要在太陽電池表面制作減反射膜。目前一般利用“等離子體增強化學氣相沉積(PECVD) ”方法在晶體硅太陽電池上表面沉積一層氮化硅(Si3N4) 薄膜作為減反射膜，表面反射率大約為9%。所謂的“等離子體增強化學氣相沉積(PECVD) ” 方法，是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，在基片上沉積出所期望的薄膜。相對于單層減反射膜，也有雙層或者多層減反射膜的制造技術(shù)。一般是利用“等離子體增強化學氣相沉積(PECVD) ”方法在晶體硅太陽電池上表面沉積不同折射率和厚度的氮化硅(Si3N4)薄膜。或者，在硅片上用熱氧化的方法生長一層二氧化硅(SiO2)薄膜，然后在二氧化硅(SiO2)薄膜上再利用“等離子體增強化學氣相沉積(PECVD) ”方法沉積一層氮化硅(Si3N4)薄膜。但是，上述的雙層或多層減反射膜制造技術(shù)，工藝過程復雜，對設(shè)備要求高，成本高，并且一般反射率大約為4%。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于，提供一種太陽電池雙層減反射膜的制備方法，以簡化工藝、減少生產(chǎn)成本，減低表面反射率并提高晶體硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種太陽電池雙層減反射膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟I)利用等離子體增強化學氣相沉積方法在經(jīng)過清洗并擴散形成PN結(jié)的晶體硅片上沉積一層氮化娃薄膜；2)利用液相沉積方法在氮化硅薄膜上沉積一層二氧化硅薄膜。所述的氮化硅薄膜的厚度為IOnm 80nm，折射率為I. 9 2. 4 ;所述的二氧化硅薄膜的厚度為IOnm 150nm,折射率為I. 4 I. 9。本發(fā)明的有益效果是I)使用簡單的液相沉積(LPD)生產(chǎn)設(shè)備，降低了生產(chǎn)成本。2)試驗表明所制造的減反射膜的表面反射率低于I. 5%，從而提高了太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。3)更合理的折射率組合，增加了晶體硅太陽電池光伏組件的的封裝增益。這里的晶體硅太陽電池組件封裝的折射率組合是Si 3. 84 ；Si3N4 :1. 9 2. 4 ；Si02 :1. 4 I. 9 ; EVA 1. 45 ;玻璃:1· 51。


圖I是本發(fā)明太陽電池雙層減反射膜的結(jié)構(gòu)示意圖。其中1-擴散PN結(jié)后的硅片，2-氮化硅薄膜，3-二氧化硅薄膜。
具體實施例方式為進一步揭示本發(fā)明的技術(shù)方案，現(xiàn)結(jié)合附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式如圖 I所示，雙層減反射膜沉積的基片是經(jīng)過清洗并擴散形成PN結(jié)的晶體硅片I。沉積形成雙層減反射膜時，其具體步驟為I)利用“等離子體增強化學氣相沉積(PECVD) ”方法在經(jīng)過清洗并擴散形成PN結(jié)的晶體娃片上I沉積一層氮化娃(Si3N4)薄膜2。PECVD沉積氮化硅(Si3N4)薄膜，是在高頻微波的作用下，使在350°C 400°C真空工藝腔中的氨(NH3)和硅烷(SiH4)分子劇烈的熱運動、相互碰撞并發(fā)生電離。這些離子反應生成氮化硅(Si3N4),其反應過程如下
權(quán)利要求
1.一種太陽電池雙層減反射膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟I)利用等離子體增強化學氣相沉積方法在經(jīng)過清洗并擴散形成PN結(jié)的晶體硅片上沉積一層氮化娃薄膜；2 )利用液相沉積方法在氮化硅薄膜上沉積一層二氧化硅薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種太陽電池雙層減反射膜的制備方法，其特征在于所述的氮化硅薄膜的厚度為IOnm 80nm，折射率為I. 9 2. 4 ;所述的二氧化硅薄膜的厚度為 IOnm 150nm,折射率為I. 4 I. 9。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種太陽電池雙層減反射膜的制備方法，包括以下步驟1)利用等離子體增強化學氣相沉積方法(PECVD)在經(jīng)過清洗并擴散形成PN結(jié)的晶體硅片上沉積一層氮化硅(Si3N4)薄膜；2)利用液相沉積方法(LPD)在氮化硅薄膜上沉積一層二氧化硅(SiO2)薄膜。本發(fā)明的有益效果是使用簡單的液相沉積生產(chǎn)設(shè)備，降低了生產(chǎn)成本，并且試驗表明所制造的減反射膜的表面反射率低于1.5%，從而提高晶體硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號H01L31/18GK102610694SQ201210069349
公開日2012年7月25日 申請日期2012年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月16日
發(fā)明者孔凡建, 蔡濟波 申請人:江蘇輝倫太陽能科技有限公司