專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光裝置的晶片和用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文描述的實施例一般地涉及半導(dǎo)體發(fā)光裝置的晶片和用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法。
背景技術(shù)：
存在其中半導(dǎo)體發(fā)光元件與諸如具有波長轉(zhuǎn)換效應(yīng)的熒光劑等構(gòu)件結(jié)合的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。例如，存在使用諸如氮化鎵(GaN)等III族氮化物半導(dǎo)體來發(fā)射具有高亮度的藍光的半導(dǎo)體發(fā)光元件。此時，可以通過將發(fā)射藍光的半導(dǎo)體發(fā)光元件與包括能夠進行波長轉(zhuǎn)換的熒光劑的波長轉(zhuǎn)換單元結(jié)合來發(fā)射白光?？梢酝ㄟ^簡單地將包括能夠進行波長轉(zhuǎn)換的熒光劑的樹脂涂覆或滴在晶片(其上形成多個發(fā)射藍光的半導(dǎo)體發(fā)光元件)上并且將該樹脂固化來形成發(fā)射白光的這種半導(dǎo)體發(fā)光裝置的波長轉(zhuǎn)換単元。然而，在這種情況下，即從設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光裝置中的發(fā)光單元發(fā)射的光的波長波動或包括熒光劑的樹脂的厚度波動，存在半導(dǎo)體發(fā)光裝置的色度可能波動的風(fēng)險。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)ー個實施例，半導(dǎo)體發(fā)光裝置的晶片包括多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置并且包括發(fā)光単元和波長轉(zhuǎn)換単元，所述多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置共同形成。所述發(fā)光単元具有第一主表面和在與所述第一主表面的相對側(cè)上的第二主表面。所述波長轉(zhuǎn)換單元設(shè)置在第一主表面?zhèn)?上。所述波長轉(zhuǎn)換單元包含熒光劑。所述波長轉(zhuǎn)換單元的厚度根據(jù)從所述多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置的所述發(fā)光單元發(fā)射的光的波長和強度中選擇的至少ー種在所述晶片的表面上的分布而改變。


圖IA至圖IC是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的晶片的示意性示圖；圖2是示出根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性截面圖；圖3是示出從發(fā)光單元發(fā)射的光在晶片表面上的波長分布的示例的示意性平面示圖；圖4是示出從發(fā)光單元發(fā)射的光的波長與從半導(dǎo)體發(fā)光裝置發(fā)射的光的色度(Cy)之間的關(guān)系的示例的曲線圖；圖5是示出波長轉(zhuǎn)換単元的厚度尺寸與從半導(dǎo)體發(fā)光裝置發(fā)射的光的色度(Cy)之間的關(guān)系的示例的曲線圖；圖6是示出由用于制造根據(jù)對比示例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法形成的波長轉(zhuǎn)換単元的厚度尺寸與波長轉(zhuǎn)換単元在晶片表面上的直徑方向位置之間的關(guān)系的示例的曲線圖；圖7是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法的流程圖；圖8A至圖IOD是示出用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法的示意性截面圖；圖11是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明另ー實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法的流程圖；圖12A至圖12D是示出用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法的示意性截面圖；以及 圖13A和圖13B是示出由用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法形成的波長轉(zhuǎn)換単元的厚度尺寸的示意圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參考附圖來描述本發(fā)明的實施例。在附圖中用相同的附圖標記標注相似的部件，并且適當(dāng)?shù)厥÷栽敿毭枋?。圖IA至圖IC是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的晶片的示意性示圖。圖2是示出根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性截面圖。圖3是示出從發(fā)光單元發(fā)射的光在晶片表面上的波長分布的示例的示意性平面示圖。圖IA是示出其中共同形成多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的晶片的示意性平面示圖。圖IB是示出半導(dǎo)體發(fā)光裝置的晶片的放大部分的放大示意圖。圖IC是示出半導(dǎo)體發(fā)光裝置的晶片的兩個半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性截面圖并且是示出當(dāng)沿著在圖IB中示出的箭頭A的方向觀察時的所述兩個半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性截面圖。在用于制造根據(jù)如圖IA至圖IC中示出的該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的方法中，多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I共同形成，即在半導(dǎo)體發(fā)光裝置的晶片(以下也簡單地縮寫為晶片)10上集成形成，并且隨后單片化(Singulate)為半導(dǎo)體發(fā)光裝置I。因此，可以增加半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的生產(chǎn)率。半導(dǎo)體發(fā)光裝置I可以比半導(dǎo)體發(fā)光元件安裝在封裝中的常規(guī)半導(dǎo)體發(fā)光裝置小得多、薄得多且輕得多。共同形成在晶片10上的多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的數(shù)量不限于在圖IA中示出的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的數(shù)量。如在圖2中所示，根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I包括發(fā)光單元20、波長轉(zhuǎn)換單兀40、第一電極單兀50、第一導(dǎo)電單兀60、第一連接構(gòu)件70、第二電極單兀80、第二導(dǎo)電単元90、第二連接構(gòu)件110、絕緣單元120、密封単元130、第一互連單元140、第二互連單元150、接合單元160和絕緣單元170。發(fā)光單元20包括第一半導(dǎo)體層21、第二半導(dǎo)體層22和有源層23。發(fā)光單元20具有第一主表面25和在與第一主表面25相對側(cè)上的第二主表面27。在多個發(fā)光單元20共同形成在晶片10上的情況下，存在例如在形成過程中發(fā)生有源層23的成分、厚度尺寸等波動的情況。在發(fā)生有源層23的成分、厚度尺寸等波動的情況下，從發(fā)光単元20發(fā)射的光的諸如波長、強度等發(fā)光特性發(fā)生波動。因此，如在圖3中所示，存在從發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長和強度在晶片10的表面上波動的情況。
在圖3的示意性平面示圖中示出從在晶片10上共同形成的多個發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長的輪廓。在圖3中示出的波長λ dl、λ d2、λ d3和λ d4具有例如以下公式I的關(guān)系λ dl < λ d2 < λ d3 < λ d4(I)因此，在從發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長在晶片10的表面上具有分布的情況下，即使在包括在波長轉(zhuǎn)換単元40中的熒光劑比例為恒定的情況下，從半導(dǎo)體發(fā)光裝置I發(fā)射的白光的色度波動也在晶片10的表面上發(fā)生。因此，存在這種情況難以增加每個晶片10表面的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的良好部分的產(chǎn)量(良好部分的數(shù)量或產(chǎn)量)。即使在從共同形成在晶片10上的多個發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長和強度為恒定的情況下，或者即使在包括在波長轉(zhuǎn)換單元40中的熒光劑比例為恒定的情況下，當(dāng)波長轉(zhuǎn)換單元40的厚度尺寸的波動發(fā)生時，從半導(dǎo)體發(fā)光裝置I發(fā)射的白光的色度波動在晶片10的表面上發(fā)生。因此，存在這種情況難以增加每個晶片10表面的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的良好部分的產(chǎn)量。之后詳述在從發(fā)光単元20發(fā)射的光的波長和色度之間的關(guān)系以及波長轉(zhuǎn)換單元40的厚度和色度之間的關(guān)系。相反地，在用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的方法中，通過調(diào)節(jié)從未不出的印刷板到未不出的襯底、發(fā)光單兀20的第一主表面25或發(fā)光單兀20的第二主表面27的距離來調(diào)節(jié)波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度，其中在制造過程中將未示出的印刷板壓制在例如波長轉(zhuǎn)換単元40 (其中混合有熒光劑的樹脂等)上。因此，可以抑制波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度尺寸的波動。因此，可以抑制在晶片10表面上的白光的色度波動?？梢栽黾用總€晶片10表面的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的良好部分的產(chǎn)量。在用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的方法中，根據(jù)從發(fā)光単元20發(fā)射的光的波長、強度等調(diào)節(jié)在晶片10上共同形成的多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I中每個的波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度。例如，根據(jù)在圖3中示出的波長分布調(diào)節(jié)在晶片10上共同形成的多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I中每個的波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度。因此，可以抑制在晶片10表面上的白光的色度波動?？梢栽黾用總€晶片10表面的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的良好部分的產(chǎn)量。換句話說，根據(jù)該實施例，存在這種情況根據(jù)從如在圖IC中示出的發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長等，在晶片10上共同形成的多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度彼此不同。之后詳述用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的方法?，F(xiàn)在將參考圖2進ー步描述根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I。如以上描述地，發(fā)光單元20包括第一半導(dǎo)體層21、第二半導(dǎo)體層22和有源層23。發(fā)光單兀20包括第一主表面25和在與第一主表面25相對側(cè)上的第二主表面27。第一半導(dǎo)體層21例如由η型氮化物半導(dǎo)體等形成。第二半導(dǎo)體層22例如由ρ型氮化物半導(dǎo)體等形成。氮化物半導(dǎo)體包括例如GaN(氮化鎵)、AlN(氮化鋁)、AlGaN(氮化招嫁)、InGaN(氣化鋼嫁)，等等。在第一半導(dǎo)體層21和第二半導(dǎo)體層22之間設(shè)置有源層23。有源層23可以具有例如量子阱結(jié)構(gòu)等，所述量子阱結(jié)構(gòu)等包括通過空穴和電子 的復(fù)合來產(chǎn)生光的阱層和具有比該阱層大的帶隙的勢壘層(覆層)。在這種情況下，有源層23可以具有單量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)或多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)。有源層23可以具有其中堆疊多個單量子阱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。
單量子阱結(jié)構(gòu)可以包括例如，其中以下述順序堆疊包括GaN(氮化鎵)的勢壘層、包括InGaN(氮化銦鎵)的阱層和包括GaN(氮化鎵)的勢壘層的結(jié)構(gòu)。多量子阱結(jié)構(gòu)可以包括例如，其中以下述順序堆疊包括GaN(氮化鎵)的勢壘層、包括InGaN(氮化銦鎵)的阱層、包括GaN(氮化鎵)的勢壘層、包括InGaN(氮化銦鎵)的阱層和包括GaN(氮化鎵)的勢壘層的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，第一半導(dǎo)體層21可以起到勢壘層的作用。有源層23不限于量子阱結(jié)構(gòu)并且可以適當(dāng)?shù)鼐哂心軌虬l(fā)光的結(jié)構(gòu)。第一半導(dǎo)體層21、第二半導(dǎo)體層22和有源層23的材料不限于氮化物半導(dǎo)體；并且可以使用其它各種半導(dǎo)體材料。發(fā)光單元20例如是具有大約380nm到530nm的峰值發(fā)光波長的發(fā)光二極管等。發(fā)光単元20可以例如是具有大約350nm到600nm的發(fā)光波長帶寬的發(fā)光二極管等。可替代 地，發(fā)光單兀20的發(fā)光波長可以比600nm長。在發(fā)光單元20的第一主表面25側(cè)上設(shè)置波長轉(zhuǎn)換單元40。波長轉(zhuǎn)換單元40包括例如能夠進行波長轉(zhuǎn)換的熒光劑和與該熒光劑混合的介質(zhì)。諸如樹脂等有機材料和諸如玻璃等無機材料可以用作介質(zhì)。熒光劑具有例如顆粒的構(gòu)造。波長轉(zhuǎn)換單元40包括例如從具有不小于440nm而不大于470nm(藍色)、不小于500nm而不大于555nm(綠色)、不小于560nm而不大于580nm (黃色)、以及不小于600nm而不大于670nm(紅色)的峰值發(fā)光波長的熒光劑中選擇的至少ー種熒光劑。可替代地，波長轉(zhuǎn)換單元40包括例如具有380nm到720nm發(fā)光波長帶寬的熒光劑。熒光劑包括例如從由硅(Si)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鍺(Ge)、磷⑵、硼⑶、釔⑴、堿土元素、硫化物元素、稀土元素和氮化物元素構(gòu)成的組中選擇的至少ー種元素。發(fā)射紅色熒光的熒光劑材料例如如下。然而，本實施例的發(fā)射紅色熒光的熒光劑不限于以下Y2O2SiEuY2O2S: Eu+色素Y2O3: EuZn3 (PO4) 2 Mn(Zn, Cd) S:Ag+In203(Y, Gd, Eu) BO3(Y, Gd, Eu)203YVO4: EuLa2O2S:Eu，SmLaSi3N5: Eu2+α -硅鋁氧氮聚合材料Eu2+CaAlSiN3: Eu2+CaSiNx: Eu2+CaSiNx: Ce2+M2Si5N8Eu2+CaAlSiN3IEu2+
(SrCa) AlSiN3 Eux+Srx(SiyAl3)z(OxN) :Eux+發(fā)射綠色熒光的熒光劑材料例如如下。然而，本實施例的發(fā)射綠色熒光的熒光劑不限于以下ZnS: Cu, AlZnS: Cu，Al+色素(Zn, Cd) S: Cu, AlZnS:Cu，Au，Al，+色素Y3Al5O12ITbY3(Al, Ga)5012:TbY2Si05:TbZn2SiO4=Mn(Zn, Cd) S: CuZnS: CuZn2SiO4=MnZnS: Cu+Zn2Si04: MnGd2O2SiTb(Zn, Cd) S: AgZnS: Cu, AlY2O2S:TbZnS: Cu, Α1+Ιη203(Zn, Cd) S:Ag+In203 (Zn, MrO2SiO4BaAl12O19IMn(Ba, Sr, Mg) 0 · aAl203:MnLaPO4:Ce, TbZn2SiO4: MnZnS: Cu3 (Ba, Mg, Eu, Mn) 0 · 8A1203La2O3 · 0. 2Si02 · 0. 9P205:Ce, TbCeMgAl11O19 = TbCaSc2O4: Ce(BrSr) SiO4: Eua -硅鋁氧氮聚合材料Yb2+β -硅鋁氧氮聚合材料Eu2+(SrBa) YSi4N7: Eu2+(CaSr) Si2O4N7: Eu2+Sr (SiAl) (ON) : Ce發(fā)射藍色熒光的熒光劑材料例如如下。然而，本實施例的發(fā)射藍色熒光的熒光劑不限于以下ZnS: AgZnS: Ag+色素ZnS: Ag, AlZnS:Ag, Cu, Ga, ClZnS:Ag+In203 ZnS:Zn+In203(Ba, Eu) MgAl10O17(Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO4) 6C12:EuSr10 (PO4) 6C12: Eu(Ba, Sr, Eu) (Mg, Mn)Al10O1710 (Sr, Ca, Ba, Eu) · 6P04 · Cl2BaMg2Al16O25 = Eu發(fā)射黃色突光的突光劑材料例如如下。然而，本實施例的發(fā)射黃色突光的突光劑不限于以下Li (Eu, Sm) W2O8(Y, Gd) 3，(Al，Ga) 5012: Ce3+Li2SrSiO4IEu2+(Sr (Ca, Ba)) 3Si05: Eu2+SrSi2ON2.7: Eu2+發(fā)射黃緑色熒光的熒光劑材料例如如下。然而，本實施例的發(fā)射黃緑色熒光的熒光劑不限于以下SrSi2ON2.7: Eu2+當(dāng)減少熒光劑的混合率時，色調(diào)(color tone)接近藍色(接近10000K的顏色溫度)；而當(dāng)增加熒光劑的混合率時，色調(diào)接近黃色^500K到2800Κ的顏色溫度)。混合熒光劑不必是ー種類型；而可以混合多種類型的熒光劑。例如，可以混合發(fā)射紅色熒光的熒光齊U、發(fā)射綠色熒光的熒光劑、發(fā)射藍色熒光的熒光劑、發(fā)射黃色熒光的熒光劑和發(fā)射黃緑色熒光的熒光劑。可以改變多種類型熒光劑的混合比例以便將光的色彩(tint)改變?yōu)榫哂兴{色色彩的白光、具有黃色色彩的白光，等等。在其中混合熒光劑的樹脂可以包括例如環(huán)氧樹脂、硅酮基樹脂、甲基丙烯酸樹脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、循環(huán)聚烯烴(C0P)、丙烯酸酯環(huán)族(OZ)、烯丙基雙甘油碳酸鹽(ADC)、丙烯酸樹脂、氟碳樹脂、硅酮基樹脂和環(huán)氧樹脂的混合樹脂、聚氨酯樹脂，等等。更有利的是其中混合熒光劑的樹脂的折射率不大于熒光劑的折射率。更有利的是樹脂相對于從發(fā)光單元20發(fā)射的光的透射比小于90%。在從發(fā)光単元20發(fā)射的光具有從紫外光到藍光的短波長并且從發(fā)光単元20發(fā)射的光的亮度較高的情況下，存在波長轉(zhuǎn)換単元40的樹脂可能降解(degrade)的風(fēng)險。因此，由于藍光等所致，更有利的是波長轉(zhuǎn)換單元40的樹脂具有不容易降解的性質(zhì)。不容易由藍光等所致降解的樹脂可以包括例如折射率大約為1.5的甲基苯基硅酮、ニ甲基硅酮、苯基甲基硅和環(huán)氧樹脂的混合樹脂，等等。然而，熒光劑混合到其中的樹脂不限于舉例說明的那些，而是可以適當(dāng)?shù)匦薷?。諸如糖等有機物質(zhì)和諸如玻璃等無機物質(zhì)等可以用于替代樹脂。第一電極單元50包括接合單元51和導(dǎo)電單元53。導(dǎo)電單元53經(jīng)由接合單元51和接合單元160電連接到第一半導(dǎo)體層21。接合單元51包括例如Ni (鎳)/Au(金)的雙層。在這種情況中，例如，Ni(鎳)層的厚度尺寸大約為Iym;并且Au(金)層的厚度尺寸大約為Ιμπι。導(dǎo)電單元53由例如Cu(銅)等形成。接合單元51和導(dǎo)電單元53的材料和厚度尺寸不限于舉例說明的那些，而是可以適當(dāng)?shù)匦薷?。第一?dǎo)電單元60從密封単元130的凹槽131的底表面穿通到密封單元130的端表面。例如，第一導(dǎo)電單元60具有圓柱形構(gòu)造并且由諸如Cu(銅)等金屬材料形成。第一導(dǎo)電單元60的一個端部電連接到導(dǎo)電單元53。因此，第一導(dǎo)電單元60經(jīng)由第一電極單元50電連接到第一半導(dǎo)體層21。第一導(dǎo)電單元60的構(gòu)造、材料等不限于舉例說明的那些，而是可以適當(dāng)?shù)匦薷?。第一連接構(gòu)件70被設(shè)置為覆蓋從密封単元130暴露的第一導(dǎo)電單元60的端表面。第一連接構(gòu)件70例如是所謂的焊料凸塊等。在第一連接構(gòu)件70為焊料凸塊的情況 下，第一連接構(gòu)件70的構(gòu)造例如是半球狀的；并且第一連接構(gòu)件70的材料例如是在表面安裝中使用的焊接材料。在這種情況下，在表面安裝中使用的焊接材料可以包括例如Sn-3. OAg-O. 5Cu 焊料、Sn-O. 8Cu 焊料、Sn-3. 5Ag 焊料，等等。第一連接構(gòu)件70的構(gòu)造、材料等不限于舉例說明的那些，而是可以根據(jù)用于安裝半導(dǎo)體發(fā)光裝置I等的方法來適當(dāng)?shù)匦薷?。第一連接構(gòu)件70可以具有例如薄膜構(gòu)造并且可以包括例如Ni (鎳)/Au(金)的雙層。第一連接構(gòu)件70不總是必須的并且可以根據(jù)用于安裝半導(dǎo)體發(fā)光裝置I等的方法來適當(dāng)?shù)卦O(shè)置。第二電極單元80包括接合單元81和導(dǎo)電單元83。導(dǎo)電單元83經(jīng)由接合單元81電連接到第二半導(dǎo)體層22。接合單元81和導(dǎo)電單元83的構(gòu)造、結(jié)構(gòu)、材料等與以上描述的接合單元51和導(dǎo)電單元53的構(gòu)造、結(jié)構(gòu)、材料等相似。第二導(dǎo)電單元90被設(shè)置成從密封單元130的凹槽131的底表面穿通到密封單元130的端表面。第二導(dǎo)電單元90的一個端部電連接到導(dǎo)電單元83。因此，第二導(dǎo)電單元90經(jīng)由第二電極單元80電連接到第二半導(dǎo)體層22。第二導(dǎo)電單元90的構(gòu)造、結(jié)構(gòu)、材料等與以上描述的第一導(dǎo)電單元60的構(gòu)造、結(jié)構(gòu)、材料等相似。第二連接構(gòu)件110被設(shè)置成覆蓋從密封単元130暴露的第二導(dǎo)電單元90的端表面。第二連接構(gòu)件110的構(gòu)造、結(jié)構(gòu)、材料等與以上描述的第一連接構(gòu)件70的構(gòu)造、結(jié)構(gòu)、材料等相似。與第一連接構(gòu)件70相似，第二連接構(gòu)件110不總是必需的，而是可以根據(jù)用于安裝半導(dǎo)體發(fā)光裝置I等的方法適當(dāng)?shù)卦O(shè)置。絕緣單元120被設(shè)置為填充設(shè)置在密封單元130中的凹槽131。絕緣單元120由絕緣材料形成。例如，絕緣單元120由諸如SiO2等無機材料、樹脂,等等形成。在這種情況下，在從發(fā)光単元20發(fā)射的光具有從紫外光到藍光的短波長并且從發(fā)光単元20發(fā)射的光的亮度較高的情況下，存在絕緣單元120的樹脂可能降解的風(fēng)險。因此，在絕緣單元120由樹脂形成的情況下，更有利的是絕緣単元120的樹脂具有不容易由藍光等導(dǎo)致降解的性質(zhì)。不容易由藍光等原因?qū)е陆到獾臉渲梢园ɡ?，具有折射率大約為I. 5的甲基苯基硅酮、ニ甲基硅酮，等等。密封單元130設(shè)置在第二主表面27側(cè)上以便密封第一導(dǎo)電單元60和第二導(dǎo)電單兀90,同時使第一導(dǎo)電單兀60的端部和第二導(dǎo)電單兀90的端部暴露。密封單兀130由例如熱固樹脂等形成。密封単元130用于密封發(fā)光單元20、第一電極單元50和第二電極單元80。密封單元130和絕緣單元120可以一體地形成。第一互連單元140包括接合單元141和導(dǎo)電單元143。導(dǎo)電單元143經(jīng)由接合單元141電連接到第一半導(dǎo)體層21。接合單元141和導(dǎo)電單元143的構(gòu)造、結(jié)構(gòu)、材料等與以上描述的接合単元51和導(dǎo)電單元53的構(gòu)造、結(jié)構(gòu)、材料等分別相似。第一互連單元140不總是必需的并且如果需要可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置。第二互連單元150包括接合單元151和導(dǎo)電單元153。導(dǎo)電單元153經(jīng)由接合單元151電連接到第一半導(dǎo)體層21。接合単元151和導(dǎo)電單元153的構(gòu)造、結(jié)構(gòu)、材料等可以與以上描述的接合単元51和導(dǎo)電單元53的構(gòu)造、結(jié)構(gòu)、材料等分別相似。與第一互連單元140相似，第二互連單元150不總是必需的并且如果需要可以適 當(dāng)?shù)卦O(shè)置。接合單兀160設(shè)置在第一電極單兀50和第一半導(dǎo)體層21之間。接合單兀160由例如Cu(銅)等形成。接合単元160不總是必需的并且如果需要可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置。絕緣單元170被設(shè)置為覆蓋有源層23和第二半導(dǎo)體層22的側(cè)表面。絕緣單元170由絕緣材料形成。絕緣單元170的材料性質(zhì)例如與絕緣單元120的材料性質(zhì)相同。絕緣單元170和絕緣單元120可以一體地形成。圖4是示出從發(fā)光單元發(fā)射的光的波長與從半導(dǎo)體發(fā)光裝置發(fā)射的光的色度(Cy)之間的關(guān)系的示例的曲線圖。在這里，舉例說明的情況是發(fā)光單元20發(fā)射藍光，并且在波長轉(zhuǎn)換單元40中分散通過吸收藍光而發(fā)射綠光的熒光劑和通過吸收藍光而發(fā)射紅光的熒光劑。換句話說，從半導(dǎo)體發(fā)光裝置發(fā)射其中混合紅光、綠光和藍光的白光。圖4的垂直軸線示出該白光的色度(Cy)。通過使用例如外延生長等形成發(fā)光單元20。如以上針對圖IA至圖3描述地，存在如下情況例如，在多個發(fā)光単元20在晶片10上共同形成的情況下，在形成過程中發(fā)生有源層23的成分和厚度尺寸的波動。在發(fā)生有源層23的成分和厚度尺寸的波動的情況下，從發(fā)光単元20發(fā)射的光的波長、強度等的發(fā)光特性發(fā)生波動。在這種情況下，如果包括在波長轉(zhuǎn)換単元40中的熒光劑的量恒定，則在從半導(dǎo)體發(fā)光裝置發(fā)射的紅光、綠光和藍光的平衡不期望地改變。換句話說，如在圖4中所示，根據(jù)從發(fā)光単元20發(fā)射的光的波長和強度的改變，白光的色度不期望地改變。根據(jù)諸如在圖4中示出的那些實驗結(jié)果，在從發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長λ d的改變Λ Xd大約為I. Onm(納米)的情況下，從半導(dǎo)體發(fā)光裝置I發(fā)射的白光的色度Cy的改變Λ Cy大約為O. 015。根據(jù)發(fā)明人所獲得的知識，在白光的色度Cy的改變Λ Cy超過O. 015的情況下，存在色度變化(不均勻的顏色)可以由人類視覺察覺的風(fēng)險。相反地，根據(jù)用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的方法，即使在這種情況下，例如由于有源層23的成分和厚度尺寸的波動所致，從發(fā)光単元20發(fā)射的光的波長和強度在晶片10的表面上波動，也根據(jù)從發(fā)光単元20發(fā)射的光的波長和強度來調(diào)節(jié)波長轉(zhuǎn)換單元40的厚度。即，根據(jù)從發(fā)光単元20發(fā)射的光在晶片10的表面上的波長分布來調(diào)節(jié)在晶片10上共同形成的多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度。因此，可以抑制白光在晶片10的表面上的色度波動；并且可以抑制在晶片10的表面上的色度變化。可以增加每個晶片10的表面的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的良好部分的產(chǎn)量。圖5是示出波長轉(zhuǎn)換単元的厚度尺寸與從半導(dǎo)體發(fā)光裝置發(fā)射的光的色度(Cy)之間的關(guān)系的示例的曲線圖。圖6是示出由用于制造根據(jù)對比示例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法形成的波長轉(zhuǎn)換単元的厚度尺寸與波長轉(zhuǎn)換単元在晶片表面上的直徑方向位置之間的關(guān)系的示例的曲線圖。在波長轉(zhuǎn)換単元40中分散的熒光劑為如以上針對圖4所描述的那樣。S卩，圖5的垂直軸線示出白光的色度(Cy)。如在圖5中所示，即使從在晶片10上共同形成的多個發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長和強度恒定的情況下或者即使在包括在波長轉(zhuǎn)換単元40中的熒光劑比例恒定的情況 下，當(dāng)波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度尺寸改變吋，白光的色度也發(fā)生改變。根據(jù)諸如在圖5中示出的那些實驗結(jié)果，在波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度尺寸的改變?yōu)榇蠹s15 μ m(微米)的情況下，從半導(dǎo)體發(fā)光裝置I發(fā)射的白光的色度Cy的改變Λ Cy大約為O. 015。因此，即使在從晶片10上共同形成的多個發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長和強度恒定的情況下或者即使在包括在波長轉(zhuǎn)換単元40中的熒光劑比例恒定的情況下，當(dāng)發(fā)生波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度尺寸的發(fā)生波動時，白光的色度也在晶片10的表面上發(fā)生波動。如在圖6中所示，通過用于制造根據(jù)比較示例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法而形成的波長裝換単元的厚度尺寸在晶片的表面具有大約±20μπι的波動。因此，通過使用用于制造根據(jù)比較示例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法而共同形成的半導(dǎo)體發(fā)光裝置發(fā)射的白光的色度Cy的改變ACy大于O. 015。因此，存在色度變化可以由人類視覺察覺的風(fēng)險。相反地，根據(jù)用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的方法，通過在制造過程中調(diào)節(jié)從例如未示出的印刷板到未示出的襯底、發(fā)光單元20的第一主表面25或發(fā)光單元20的第二主表面27的距離來調(diào)節(jié)波長轉(zhuǎn)換單元40的厚度，其中未示出的印刷板被壓制在波長轉(zhuǎn)換単元40上。因此，可以調(diào)節(jié)波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度尺寸的波動。因此，可以抑制白光在晶片10表面上的色度波動；并且可以抑制在晶片10表面上的色度變化。可以增加每個晶片10表面的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的良好部分的產(chǎn)量?，F(xiàn)在將參考附圖描述用于制造根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法。首先，將描述制造方法，其中通過在制造過程中調(diào)節(jié)從印刷板到襯底、發(fā)光單元20的第一主表面25或發(fā)光單元20的第二主表面27的距離來調(diào)節(jié)波長轉(zhuǎn)換單元40的厚度，其中印刷板壓制在波長轉(zhuǎn)換単元40 (其中混合熒光劑的樹脂)上。圖7是示出用于制造本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法的流程圖。圖8Α至圖IOD是示出用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法的示意性截面圖。首先，如在圖8Α中所示，在由藍寶石等形成的襯底210上以預(yù)定構(gòu)造按以下順序堆疊第一半導(dǎo)體層21、有源層23和第二半導(dǎo)體層22(步驟S101)。在這種情況下，通過使用蒸鍍等可以執(zhí)行這些層的堆疊。蒸鍍可以包括例如金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、氫化物氣相外延(HVPE)、分子束外延(MBE)，等等。然后，對第一半導(dǎo)體層21、有源層23和第二半導(dǎo)體層22適當(dāng)?shù)貥?gòu)圖以對應(yīng)于包括在多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置的每個中的發(fā)光單元。通過使用光刻、蝕刻等可以執(zhí)行所述構(gòu)圖。
因此，在晶片上共同形成多個發(fā)光単元20 (參照圖2)。然后，如在圖8B中所示，形成絕緣單元170、接合單元160和絕緣單元120 (步驟S103)。在這種情況下，通過將光刻、蝕刻等與諸如真空氣相沉積和濺射等各種物理氣相沉積(PVD)方法，各種化學(xué)氣相沉積(CVD)方法，等等結(jié)合可以形成絕緣單元170、接合単元160和絕緣單元120。接下來，如在圖SC中所示，形成第一電極單元50、第二電極單元80、第一互連單元140和第二互連單元150(步驟S105)。然后，如在圖8D中所示，形成密封單元130 (步驟S107)。例如，用于形成第一電極單元50、第二電極單元80、第一互連單元140、第二互連單元150和密封單元130的方法可以包括以上針對步驟S103等描述的形成方法。然后，如在圖9A中所示，形成第一導(dǎo)電單元60和第二導(dǎo)電單元90 (步驟S109)。在這種情況下，除了以上針對步驟S103描述的形成方法之外，通過將鍍覆等與光刻、蝕刻等結(jié)合可以形成第一導(dǎo)電單元60和第二導(dǎo)電單元90。
接下來，如在圖9B中所示，在第一導(dǎo)電單元60的端表面上形成第一連接構(gòu)件70 ；并且在第二導(dǎo)電單元90的端表面上形成第二連接構(gòu)件110 (步驟SI 11)。用于形成第一連接構(gòu)件70和第二連接構(gòu)件110的方法可以包括以上針對步驟S109等描述的形成方法。然后，如在圖9C中所示，由此形成的堆疊主體5從襯底210剝落(步驟S113)。在這種情況下，通過使用激光剝離技術(shù)等，可以將堆疊主體5從襯底210剝落。在這里，根據(jù)該實施例，在由樹脂制成的密封單元130和金屬制成的導(dǎo)電單元60和90支撐的情況下，發(fā)光單元20 (第一半導(dǎo)體層21、有源層23和第二半導(dǎo)體層22)從襯底210剝落。因此，發(fā)光単元20可以從襯底210剝落，同時抑制施加到發(fā)光單元20的應(yīng)力。換句換說，在例如硅晶片等硬支撐主體用于支撐發(fā)光單元20的情況下，出現(xiàn)這種問題在去除后，剩余應(yīng)力被施加并且半導(dǎo)體層碎裂或破裂。相反地，根據(jù)該實施例，可以通過由柔性支撐主體支撐的發(fā)光單元20來減少施加到發(fā)光單元20的應(yīng)力，該柔性支撐主體包括由樹脂制成的密封単元130和由金屬制成的導(dǎo)電單元60和90。換句話說，因為由樹脂制成的密封単元130和由金屬鍍覆層制成的導(dǎo)電單元60和90是柔性的并且金屬在大體室溫下鍍覆，所以在密封單元130、導(dǎo)電單元60和90以及發(fā)光單元20之間出現(xiàn)的剩余應(yīng)力相對較小。通常，用于將諸如發(fā)光單元20等半導(dǎo)體層從藍寶石襯底分離的方法包括例如，通過在不低于300°C的高溫下使用Au-Sn焊料，在將硅襯底接合到晶片之后通過照射激光來執(zhí)行分離。然而，在這種常規(guī)方法中，因為具有不同熱膨脹系數(shù)的兩個襯底為剛性主體并且以高溫接合，所以在藍寶石襯底和硅襯底之間保留了大的剩余應(yīng)力。因此，因為當(dāng)通過照射激光而開始分離時剩余應(yīng)カ從分離部分局部地釋放，所以存在這樣的問題薄且易碎的半導(dǎo)體層(例如發(fā)光單元20)破裂。相反地，在該實施例中，因為在由柔性支撐主體(密封單元130和導(dǎo)電單元60和90)支撐的情況下從襯底210分離發(fā)光単元20并且剩余應(yīng)カ較小，所以不發(fā)生發(fā)光單元20的諸如破裂等差異(discr印ancy)并且可以以高產(chǎn)量進行制造。在通過使用除了激光照射之外的方法來除去襯底210的情況下，也相似地獲得這種獨特的操作效果。例如，即使在通過使用諸如拋光、蝕刻等方法來除去襯底210的情況下，在具有幾英寸或更大尺寸的整個晶片上均勻且同時除去或剝落襯底210是實質(zhì)上不切實際的。即，在通過拋光去除襯底210的情況下和通過蝕刻除去襯底210的情況下，發(fā)生襯底210在具有幾英寸或更大尺寸晶片的僅僅一部分上首先消失或剝落的情況。在這種如以上描述的情況下，因為剩余應(yīng)カ局部地從分離部分釋放，所以薄且易碎的發(fā)光単元20不期望地破裂。相反地，根據(jù)該實施例，通過由柔性支撐主體支撐的發(fā)光單元20可以減少剩余應(yīng)力，該柔性支撐主體由密封単元130和導(dǎo)電單元60和90制成。因此，即使在通過使用諸如拋光、蝕刻等方法除去襯底210的情況下，也可以去除襯底同時抑制裂口和破裂。此外，根據(jù)該實施例，在晶片上共同形成的多個發(fā)光単元20互相隔離。因此，可以分散發(fā)光單元20上的應(yīng)カ；并且可以更有效地抑制破裂和裂ロ。即，在互相連續(xù)形成多個 發(fā)光單元20的情況下，應(yīng)カ和變形不被分散，從而當(dāng)剝落襯底210時在發(fā)光単元20的連續(xù)主體中容易出現(xiàn)破裂和裂ロ。相反地，根據(jù)該實施例，因為由互相絕緣的多個發(fā)光単元20分散應(yīng)カ和變形并且通過由在發(fā)光單元20之間形成的密封単元130吸收應(yīng)カ和變形而減少發(fā)光單元20的應(yīng)カ和變形，所以可以有效地抑制破裂和裂ロ。因此，在襯底210剝落后，將波長轉(zhuǎn)換單元40的熒光劑41和樹脂43混合(步驟S115)。接下來，如在圖IOA中所示，將熒光劑41以預(yù)定比例混合到其中的樹脂43涂覆在發(fā)光單元20的第一主表面25側(cè)上(步驟S117)。在這種情況下，通過使用諸如涂刷器、絲網(wǎng)印刷、旋轉(zhuǎn)涂布等印刷、涂覆，等等，可以涂覆熒光劑41混合到其中的樹脂43。圖IOA示出其中剝落的堆疊主體5被倒轉(zhuǎn)的情況。然后，如在圖IOB中所示，將平板(印刷板)201壓制在涂覆到發(fā)光單元20的第一主表面25側(cè)上的樹脂43 (包括熒光劑41)上(步驟S119)。平板201由金屬、石英或透明樹脂形成。透明樹脂是至少能夠傳輸不超過405nm波長的UV的樹脂。然后，通過調(diào)節(jié)從平板201到發(fā)光單元20的第一主表面25的距離來將熒光劑41混合到其中的樹脂43的厚度調(diào)節(jié)為目標厚度(步驟S121)。可替代地，例如，通過調(diào)節(jié)從平板201到堆疊主體5被放置到其上的襯底220的距離來將熒光劑41混合到其中的樹脂43的厚度調(diào)節(jié)為目標厚度(步驟S121)?？商娲?，通過調(diào)節(jié)從平板201到主表面或襯底的距離可以將熒光劑41混合到其中的樹脂43的厚度調(diào)節(jié)為目標厚度，該主表面或襯底不同于第一主表面25和襯底220。然后，通過將紫外線(UV)照射到包括熒光劑41的樹脂43上或通過加熱包括熒光劑41的樹脂43而將包括熒光劑41的樹脂43固化，從而形成波長轉(zhuǎn)換単元40 (步驟S123)。在通過照射紫外線而固化的情況下，樹脂43例如是紫外線固化樹脂。另ー方面，在通過加熱而固化的情況下，樹脂43例如是熱固性樹脂。接下來，如在圖IOC中所示，平板201從共同形成的多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I剝落。然后，如在圖IOD中所示，將半導(dǎo)體發(fā)光裝置I單片化(步驟S125)。換句話說，用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的方法包括集成形成(共同形成)多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的過程和將集成形成(共同形成)的多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I單片化的過程。在這種情況下，通過使用切割劃片等可以將半導(dǎo)體發(fā)光裝置I單片化。根據(jù)用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的方法，例如，通過調(diào)節(jié)從平板201到第一主表面25、襯底220等的距離來將熒光劑41混合到其中的樹脂43的厚度調(diào)節(jié)為目標厚度。然后，通過固化熒光劑41混合到其中的樹脂43來形成調(diào)節(jié)為目標厚度的波長轉(zhuǎn)換単元40。因此，可以抑制波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度尺寸的波動。因此，可以抑制白光在晶片10表面上的色度波動；并且可以抑制晶片10表面上的色度變化。圖11是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明另ー實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法的流程圖。圖12A至圖12D是示出用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法的示意性截面圖。用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法是根據(jù)從發(fā)光単元20發(fā)射的光的波長和強度，調(diào)節(jié)在晶片10上共同形成的多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度的制造方法。在該實施例中，作為示例描述了根據(jù)從發(fā)光単元20發(fā)射的光在晶片10表面上的波長分布來調(diào)節(jié)在晶片10上共同形成的多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度的情況。
首先，在圖11中示出的步驟S201至步驟S213的制造過程與以上針對圖7描述的步驟SlOl到SI 13的制造過程相似。然后，測量從發(fā)光単元20發(fā)射的光在晶片10表面上的波長分布(步驟S215)。在這種情況下，例如，由光致發(fā)光光譜測量PL(光致發(fā)光)的波長?？商娲?，例如，通過將電流提供到在晶片10上共同形成的多個發(fā)光単元20來測量從發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長。因此，通過將所測量的波長映射在晶片10的表面上而獲得例如在圖3中示出的波長分布。雖然在圖11中示出測量波長分布的情況，但是本發(fā)明不限于此。代替波長分布，可以測量發(fā)光強度的分布。然后，根據(jù)從發(fā)光単元20發(fā)射的光在晶片10表面上的波長分布的測量結(jié)果，制備在制造過程中被壓制到波長轉(zhuǎn)換単元40(其中混合熒光劑的樹脂)上的不均勻板(印刷板)203(步驟S217)。不均勻板203由金屬、石英或透明樹脂形成。透明樹脂是能夠至少傳輸不超過405nm波長的UV的樹脂。例如，根據(jù)從發(fā)光単元20發(fā)射的光在晶片10表面上的波長分布的測量結(jié)果(映射數(shù)據(jù)，等等)，通過執(zhí)行激光構(gòu)圖等來制備不均勻板203。作為示例，根據(jù)在晶片10表面上的波長分布的匹配數(shù)據(jù)，通過調(diào)節(jié)激光構(gòu)圖裝置的施加電壓來調(diào)節(jié)不均勻板203的構(gòu)圖深度。因此，根據(jù)在晶片10表面上的波長分布的映射數(shù)據(jù)來調(diào)節(jié)不均勻板203的高度。然后，調(diào)節(jié)在波長轉(zhuǎn)換単元40上的不均勻板203的壓制量(,pressing amountノ。然后，如在圖12A中所示，混合波長轉(zhuǎn)換單元40的熒光劑41和樹脂43 (步驟S219);并且將其中以預(yù)定比例混合熒光劑41的樹脂43涂覆到發(fā)光單元20的第一主表面25側(cè)上(步驟S221)。步驟S219和S221的制造過程與以上針對圖7描述的步驟SI 15和SI 17的制造過
程相似。接下來，如在圖12B中所示，將在步驟S217中制備的不均勻板203壓制在涂覆在發(fā)光單元20的第一主表面25側(cè)上的樹脂43 (包括熒光劑41)上(步驟S223)。然后，通過調(diào)節(jié)從不均勻板203到發(fā)光單元20的第一主表面25的距離，將其中混合熒光劑41的樹脂43的厚度調(diào)節(jié)為目標厚度(步驟S225)?？商娲?，例如，通過調(diào)節(jié)從不均勻板203到其上設(shè)置堆疊主體5的襯底220的距離，將其中混合熒光劑41的樹脂43的厚度調(diào)節(jié)為目標厚度(步驟S225)?？商娲?，通過調(diào)節(jié)從不均勻板203到主表面或襯底的距離，將其中混合熒光劑41的樹脂43的厚度調(diào)節(jié)為目標厚度，該主表面或襯底不同于第一主表面25和襯底220。接下來，通過將紫外線(UV)照射到包括熒光劑41的樹脂43上或通過加熱包括熒光劑41的樹脂43而將包括熒光劑41的樹脂43固化，從而形成波長轉(zhuǎn)換単元40 (步驟S227)。步驟S227的制造過程與以上針對圖7描述的步驟S123的制造過程相似。然后，如在圖12C中所示，不均勻板203從共同形成的多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I剝落。接下來，如在圖12D中所示，將半導(dǎo)體發(fā)光裝置I單片化(步驟S229)。步驟S229的制造過程與以上針對圖7描述的步驟S125的制造過程相似。根據(jù)用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的方法，根據(jù)從發(fā)光単元20發(fā)射 的光在晶片10表面的波長分布來制備不均勻板203 ;并且將不均勻板203壓制到其中混入熒光劑41的樹脂43上。然后，將其中混入熒光劑41的樹脂43固化。因此，根據(jù)從發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長來調(diào)節(jié)在晶片10上共同形成的多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的波長轉(zhuǎn)換單兀40的厚度。因此，可以抑制白光在晶片10表面上的色度波動；并且可以抑制晶片10表面上的色度變化。例如，如在圖4中所示，在從發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長較短的晶片10表面的部分處的白光的色度(Cy)較大。因此，在從發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長較短的晶片10表面的部分處調(diào)節(jié)用于樹脂43(包括熒光劑41)的激光構(gòu)圖裝置的施加電壓，將不均勻板203的部分的構(gòu)圖深度設(shè)置為較淺。在這種情況下，不均勻板203的壓制量對于涂覆在從發(fā)光単元20發(fā)射的光的波長較短的晶片10表面的部分上的樹脂43 (包括熒光劑41)較大。因此，波長轉(zhuǎn)換單元40的厚度在從發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長較短的晶片10表面的部分處變薄。如在圖5中所示，當(dāng)波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度變薄時，白光的色度(Cy)降低。因此，即使在從發(fā)光單元20發(fā)射的光的波長在晶片10表面上波動的情況下，也可以抑制白光在晶片10表面上的色度波動。圖13A和圖13B是示出由用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法形成的波長轉(zhuǎn)換単元的厚度尺寸的示意圖。圖13A是示出由用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法形成的波長轉(zhuǎn)換單元的厚度尺寸的示例的曲線圖。圖13B是示出在晶片10表面上的測量點的示意性平面示圖。如在圖13A中所示，由用于制造根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的方法形成的波長轉(zhuǎn)換単元40的厚度尺寸的波動對于在晶片10表面上的測量點Pl至P5來說大約在±2 μ m以內(nèi)。根據(jù)在圖5中示出的實驗結(jié)果，在波長轉(zhuǎn)換單元40的厚度尺寸的波動大約在±2μπι以內(nèi)的情況下，白光的色度Cy的改變ACy大約為O. 005。根據(jù)由本發(fā)明人獲得的知識，在白光的色度Cy的改變△ Cy大約為O. 005的情況下，色度變化實質(zhì)上不由人類視覺所察覺；并且可以抑制發(fā)光單元20的個體差異(光的波長、強度等的發(fā)光特性的波動)。雖然已經(jīng)描述了特定實施例，但是僅借助于示例介紹了這些實施例，并不g在限制本發(fā)明的范圍。實際上，可以以各種其它形式實施本文描述的新穎的實施例；而且，在不脫離本發(fā)明精神的情況下，可以以本文描述的實施例的形式進行各種省略、替換和改變。隨附的權(quán)利要求及其等同物g在覆蓋落入本發(fā)明范圍和精神內(nèi)的這種形式或改型。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置的晶片，所述晶片包括多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置共同形成，所述晶片包括 發(fā)光單元，所述發(fā)光單元具有第一主表面和在與所述第一主表面的相對側(cè)上的第二主表面；以及 波長轉(zhuǎn)換單元，所述波長轉(zhuǎn)換單元設(shè)置在第一主表面?zhèn)壬?，所述波長轉(zhuǎn)換單元包含熒光劑， 所述波長轉(zhuǎn)換單元的厚度根據(jù)從所述多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置的所述發(fā)光單元發(fā)射的光的波長和強度中選擇的至少一種在所述晶片的表面上的分布而改變。
2.一種用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，所述方法包括在晶片上共同形成多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述方法包括 在所述晶片上形成多個發(fā)光單元，所述多個發(fā)光單元具有第一主表面和被構(gòu)成為與所述第一主表面相對的表面的第二主表面；以及 通過將介質(zhì)涂覆在第一主表面?zhèn)壬蟻硇纬刹ㄩL轉(zhuǎn)換單元，隨后通過調(diào)節(jié)所述第一主表面和印刷板之間的距離，并且將所述介質(zhì)、混合在所述介質(zhì)中的熒光劑固化來調(diào)節(jié)所述介質(zhì)的厚度，所述印刷板壓制在所述介質(zhì)上，所述波長轉(zhuǎn)換單元具有調(diào)節(jié)的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述印刷板是平板。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述印刷板是根據(jù)從所述多個發(fā)光單元發(fā)射的光在所述晶片的表面上的波長分布而制成的不均勻板。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中 所述印刷板由金屬、石英或透明樹脂形成；并且 所述透明樹脂是至少能夠透射不超過405納米波長的紫外線的樹脂。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中通過采用切割劃片進一步將共同形成的所述多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置單片化。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置的晶片和用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法。根據(jù)一個實施例，一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置的晶片包括多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置并且包括發(fā)光單元和波長轉(zhuǎn)換單元，所述多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置共同形成。所述發(fā)光單元具有第一主表面和在與所述第一主表面的相對側(cè)上的第二主表面。所述波長轉(zhuǎn)換單元設(shè)置在第一主表面?zhèn)壬稀Ｋ霾ㄩL轉(zhuǎn)換單元包含熒光劑。所述波長轉(zhuǎn)換單元的厚度根據(jù)從所述多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置的所述發(fā)光單元發(fā)射的光的波長和強度中選擇的至少一種在所述晶片的表面上的分布而改變。
文檔編號H01L25/075GK102683558SQ201210070860
公開日2012年9月19日 申請日期2012年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月16日
發(fā)明者中具道 申請人:株式會社東芝