專利名稱：有機發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文公開內(nèi)容涉及有機發(fā)光顯示裝置，更具體地，涉及可以將外部光線反射導(dǎo)致的對比度的下降最小化的有機發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光顯示裝置作為自發(fā)光顯示裝置在寬視角和快速響應(yīng)時間上具有優(yōu)勢。然而，有機發(fā)光顯示裝置的缺點是，如果有機發(fā)光顯示裝置在外部光線環(huán)境下顯示圖像，則夕卜 部光線被構(gòu)成有機發(fā)光顯示裝置中的電極和接線的金屬材料反射，從而降低對比度。一般來說，為了使對比度的下降最小化，會使用價格偏高的偏振板。然而，使用這種偏振板會使成本増加，并會由于從發(fā)光層發(fā)射出的光被阻擋而降低透射率，并降低亮度。為了使對比度的下降最小化，可以在電極或接線上形成黑矩陣。然而，使用這種黑矩陣的方法會需要額外的掩模過程來形成黑矩陣，這使得制作過程變得復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的ー個方面提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，其可通過改變電極單元和接線單元表面的光學(xué)性質(zhì)來改善對比度。根據(jù)本發(fā)明的ー個方面，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，包括彼此面對的第一襯底和第二襯底；有機發(fā)光裝置，設(shè)置在所述第一襯底與所述第二襯底之間，所述有機發(fā)光裝置包括在每個像素中単獨形成的像素電極、面對所述像素電極的公共電極以及設(shè)置在所述像素電極與所述公共電極之間的有機發(fā)光層；以及電極單元和至少ー個接線單元，設(shè)置在所述第一襯底與所述第二襯底之間，所述電極単元包括至少ー個薄膜晶體管以及至少ー個電容器，所述至少ー個薄膜晶體管被配置為將發(fā)光信號傳輸至所述像素電極，其中，在所述電極單元和所述接線単元中的至少ー個的表面上形成光學(xué)性質(zhì)修改層，所述光學(xué)性質(zhì)修改層具有從所述電極單元和所述接線単元中的所述至少ー個的光學(xué)性質(zhì)修改的光學(xué)性質(zhì)。所述光學(xué)性質(zhì)修改層的反射率可低于所述電極單元和所述至少一個接線単元中的每個的反射率。所述光學(xué)性質(zhì)修改層的光吸收率可高于所述電極單元和所述至少一個接線単元中的每個的光吸收率。所述光學(xué)性質(zhì)修改層可通過選自由透射率、折射率、衍射率以及顏色構(gòu)成的組中的至少ー種光學(xué)性質(zhì)區(qū)別于所述電極單元和所述接線単元中的所述至少ー個。所述光學(xué)性質(zhì)修改層可以是通過向所述電極単元和所述接線単元中的所述至少ー個的表面施加飛秒級激光束脈沖至少一次而形成的。
所述光學(xué)性質(zhì)修改層由飛秒級激光束脈沖修改的區(qū)域可具有納米級或微米級尺寸。所述至少ー個薄膜晶體管包括柵電極、源電級和漏電極，所述至少ー個電容器包括電極。所述至少一個接線単元可包括柵接線単元、數(shù)據(jù)接線単元和功率接線單元。從所述有機發(fā)光層發(fā)出的光可朝向所述第二襯底發(fā)射，其中，所述光學(xué)性質(zhì)修改層形成在所述電極単元和所述接線単元中的所述至少ー個的、面對所述第二襯底的表面上，其中，所述有機發(fā)光顯示裝置包括第二光學(xué)性質(zhì)修改層，所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層具有從所述像素電極的光學(xué)性質(zhì)修改的光學(xué)性質(zhì)并且形成在所述像素電極靠近所述有機發(fā)光層的表面上。所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層的反射率可低于所述像素電極的反射率。所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層的光吸收率可高于所述像素電極的光吸收率。 從所述有機發(fā)光層發(fā)出的光可朝向所述第一襯底發(fā)射，其中，所述光學(xué)性質(zhì)修改層形成在所述電極単元和所述接線単元中的所述至少ー個的、面對所述第一襯底的表面上，其中，所述有機發(fā)光顯示裝置包括第二光學(xué)性質(zhì)修改層，所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層具有從所述像素電極的光學(xué)性質(zhì)修改的光學(xué)性質(zhì)并且形成在所述公共電極靠近所述有機發(fā)光 層的表面上。所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層的反射率可低于所述公共電極的反射率。所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層的光吸收率可高于所述公共電極的光吸收率。所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層可僅形成在與所述像素電極相對應(yīng)的區(qū)域上。所述第一襯底和所述第二襯底中的至少ー個可以是透明襯底，其中，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括至少ー個透明干涉層，所述至少ー個透明干涉層設(shè)置在所述透明襯底的、夕卜部光線入射的表面上。所述透明干涉層的厚度可約等于外部光線的波長的1/4。所述透明干涉層的折射率可低于所述透明襯底的折射率。所述透明干涉層可包括氟化鎂、ニ氧化硅、具有高折射率的透明材料、或其組合。所述至少ー個透明干涉層還包括多個透明干涉層，所述多個透明干涉層設(shè)置在所述透明襯底的、外部光線入射的表面上，其中所述至少ー個透明干涉層包括第一透明干渉層和第二透明干涉層，所述第二透明干涉層比所述第一透明干渉層更靠近所述透明襯底，并且所述第二透明干涉層的折射率高于所述第一透明干涉層的折射率。每個透明干涉層的厚度均可約等于外部光線的波長的1/4。


通過參照附圖對特定的實施方式進行詳細描述，本發(fā)明的上述和其它特點及優(yōu)點將變得更顯而易見，在附圖中圖I為示出了有機發(fā)光顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2為沿圖I中的線II-II所取的剖視圖。圖3示出了圖I中的有機發(fā)光顯示裝置的等效電路。圖4為根據(jù)本發(fā)明ー個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖。
圖5為沿圖4中的線V-V所取的剖視圖。圖6為示出當(dāng)飛秒級激光束脈沖作用在鋁上時反射率與波長之間的關(guān)系的示意圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明另ー實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖8是沿圖7中的線VIII-VIII所取的剖視圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明另ー實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。圖10為示出了透明干涉層的剖視圖。圖11為示出了多個透明干涉層的剖視圖。
圖12為根據(jù)本發(fā)明另ー實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參照附圖更全面地描述本發(fā)明的實施方式，附圖中示出了本發(fā)明的實施方式。圖I為有機發(fā)光顯示裝置I的實施例的平面圖。圖2為沿圖I中的II-II線所取的剖視圖。圖3是圖I中的有機發(fā)光顯示裝置I的等效電路。如圖I至圖3所示，有機發(fā)光顯示裝置I包括位于第一襯底110上的柵接線単元26、數(shù)據(jù)接線単元27以及功率接線單元25，有機發(fā)光顯示裝置I還包括第一薄膜晶體管
21、第二薄膜晶體管23和電容器22。第二薄膜晶體管23連接至有機發(fā)光裝置24，有機發(fā)光裝置24包括像素電極241、公共電極243以及設(shè)置在像素電極241與公共電極243之間的有機發(fā)光層242。為了使第一襯底110平坦化并防止雜質(zhì)元素滲透至第一襯底110中，可在第一襯底110上設(shè)置由SiO2和/或SiNx形成的緩沖層111。第一薄膜晶體管21的第一活性層211和第二薄膜晶體管23的第二活性層231形成在緩沖層111上，柵絕緣膜112形成在第一活性層211和第二活性層231上。第一薄膜晶體管21的第一柵電極212和第二薄膜晶體管23的第二柵電極232形成在柵絕緣膜112上。第一柵電極212連接至柵接線単元26，第二柵電極232連接至電容器22的第一電極221。層間絕緣膜113形成在第一柵電極212、第二柵電極232和電容器22的第一電極221上。第一源電極213和第一漏電極214分別通過接觸孔連接至第一活性層211的源區(qū)域(未示出)和漏區(qū)域(未示出)。第二源電極233和第二漏電極234分別連接至第二活性層221的源區(qū)域(未示出)和漏區(qū)域(未示出)。第一源電極213連接至數(shù)據(jù)接線単元27，以向第一活性層211施加數(shù)據(jù)信號，第一漏電極214連接至電容器22的第一電極221，以將數(shù)據(jù)信號存儲在電容器22中。第二源電極233連接至電容器22的第二電極222，第二漏電極234連接至有機發(fā)光裝置24的像素電極241。鈍化層114形成在第一源電極213、第二源電極233、第一漏電極214、第二漏電極234以及電容器22的第二電極222上。像素電極241通過鈍化層114中的通孔連接至第二漏電極234。有機發(fā)光裝置24包括對于每個像素単獨形成的像素電極241、面對像素電極241的公共電極243以及設(shè)置在像素電極241與公共電極243之間的有機發(fā)光層242。如果有機發(fā)光顯示裝置I為頂部發(fā)光型，則像素電極241可為反射電極，公共電極243可為透明電極。反之，如果有機發(fā)光顯示裝置為底部發(fā)光型，則像素電極241可為透明電極，公共電極243可為反射電極。一般來說，構(gòu)成第一薄膜晶體管21、第二薄膜晶體管23和電容器22的電極由具有高反射率的金屬形成，連接至第一薄膜晶體管21、第二薄膜晶體管23和電容器22的接線由具有高反射率的金屬形成。因此，從外部入射至有機發(fā)光顯示裝置I上的外部光線被設(shè)置在第一襯底110上的電極和接線反射,然后與從有機發(fā)光層242發(fā)出的光一同發(fā)射。被電極和接線反射的光線降低了有機發(fā)光顯示裝置I的對比度。將參照圖4和圖5對根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置2進行說明。將對有機發(fā)光顯示裝置2與有機發(fā)光顯示裝置I的不同之處進行說明。與圖I相同的元件由相同的參考標(biāo)記表示。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，圖4是頂部發(fā)光型的有機發(fā)光顯示裝置2的平面圖 ，圖5是沿圖4中的線V-V所取的剖視圖。 如圖4和圖5所示，有機發(fā)光顯示裝置2包括位于第一襯底110上的功率接線單元
25、柵接線単元26以及數(shù)據(jù)接線単元27，有機發(fā)光顯示裝置2還包括第一薄膜晶體管21、電容器22、第二薄膜晶體管23以及有機發(fā)光裝置24。在實施方式中，通過改變?nèi)缦略墓鈱W(xué)性質(zhì)，可得到光學(xué)性質(zhì)修改層31、32、33、35,36和37，所述元件包括接線單元25、26和27、第一薄膜晶體管21的第一柵電極212和第二薄膜晶體管23的第二柵電極232、第一薄膜晶體管21的第一源電極213和第二薄膜晶體管23的第二源電極233、第一薄膜晶體管21的第一漏電極214和第二薄膜晶體管23的第二漏電極234。因此，光學(xué)性質(zhì)修改層31、32、33、35、36和37中的每個均具有改變的光學(xué)性質(zhì)，并且不同于接線単元25、26和27、第一薄膜晶體管21的第一柵電極212、第二薄膜晶體管23的第二柵電極232、第一薄膜晶體管21的第一源電極213、第二薄膜晶體管23的第ニ源電極233、第一薄膜晶體管21的第一漏電極214和第二薄膜晶體管23的第二漏電極234中的每個的光學(xué)性質(zhì)。光學(xué)性質(zhì)修改層31、32、33、35、36和37中的每個均通過對接線單元25、26和27、第一薄膜晶體管21的第一柵電極212、第二薄膜晶體管23的第二柵電極232、第一薄膜晶體管21的第一源電極213、第二薄膜晶體管23的第二源電極233、第一薄膜晶體管21的第一漏電極214和第二薄膜晶體管23的第二漏電極234中的每個的表面進行處理來形成。具體而言，光學(xué)性質(zhì)修改層35、36和37分別形成在功率接線單元25、柵接線單元26和數(shù)據(jù)接線単元27的上表面上。光學(xué)性質(zhì)修改層31的光學(xué)性質(zhì)修改層312、313和314分別形成在第一薄膜晶體管21的第一柵電極212、第一源電極213和第一漏電極214的上表面上。光學(xué)性質(zhì)修改層33的光學(xué)性質(zhì)修改層332、333和334分別形成在第二薄膜晶體管23的第二柵電極232、第二源電極233和第二漏電極234的上表面上。光學(xué)性質(zhì)修改層32的光學(xué)性質(zhì)修改層321和322分別形成在電容器22的第一電極221和第二電極222的上表面上。光學(xué)性質(zhì)修改層31、32、33、35、36和37形成在接線單元25、26和27、薄膜晶體管21,23和電容器22的電極212、213、214、232、233、234、221、222的上表面上，并通過改變接線單元25、26、27和電極212、213、214、232、233、234、221、222的光學(xué)性質(zhì)而獲得。例如，光學(xué)性質(zhì)修改層31、32、33、35、36和37可通過改變用于構(gòu)成接線單元25、26、27和電極212、213、214、232、233、234、221、222的金屬材料的反射率、光吸收率、透射率、折射率、衍射率和顔色中的至少ー個光學(xué)性質(zhì)來獲得。在圖4中，與用于構(gòu)成接線單元25、26、27和電極212、213、214、232、233、234、221、222的金屬材料相比，光學(xué)性質(zhì)修改層31、32、33、35、36和37可具有更低的反射率和更高的光吸收率。在圖像遠離第一襯底110形成的頂部發(fā)光型的有機發(fā)光顯示裝置2中，進入有機發(fā)光顯示裝置2的外部光線會被電極212、213、214、232、233、234、221、222和接線單元25、
26、27的表面反射,從而降低了從有機發(fā)光層242發(fā)出的光的對比度。然而，光學(xué)性質(zhì)修改層 31、32、33、35、36 和 37 形成在電極 212、213、214、232、233、234、221、222 和接線單元 25、26,27背對第一襯底110的表面上，因此，被電極212、213、214、232、233、234、221、222和接線單元25、26、27反射的外部光線的量會減少，從而改善了對比度。在Chunlei 等人的、于 2008 年 8 月 14 日公開的、題為“Ultra-short durationlaser methods for the nanostructuring of materials (材料的納米構(gòu)型的超短持續(xù)時間激光方法)”的WO 2008/097374中公開了改變材料光學(xué)性質(zhì)的方法，其全部內(nèi)容通過引 用并入本文。根據(jù)上述方法，應(yīng)用在金屬上的飛秒級激光束脈沖可改變金屬的表面結(jié)構(gòu)，從而使金屬改變后的結(jié)構(gòu)為納米或微米級大小，并且金屬表面層的光學(xué)性質(zhì)可被改變。在實施方式中，金屬可暴露于飛秒級激光束脈沖至少一次，從而得到金屬的結(jié)構(gòu)改變。圖6示出當(dāng)由Ti :藍寶石激光系統(tǒng)產(chǎn)生的、中央波長處于800nm的、約0. I毫焦/脈沖的65個飛秒脈沖施加于鋁時的反射率與波長之間的關(guān)系。如圖6所示，波長范圍在250納米至2500納米之間時，具有已處理的表面的拋光鋁(Al)的反射率高于具有未處理表面的金色鋁、灰色鋁和黑色鋁的反射率。當(dāng)然，可看出鋁表面的顏色發(fā)生了變化。因此，當(dāng)鋁用于有機發(fā)光顯示裝置2的接線單元25、26、27和電極212、213、214、
232、233、234、221、222 時，通過在接線單元 25、26、27 和電極 212、213、214、232、233、234、221,222的上表面上使用上述飛秒激光束技術(shù)進行這種表面處理，這樣可改變接線單元25、26、27和電極212、213、214、232、233、234、221、222的上表面的光學(xué)性質(zhì)。換言之，具有比鋁的未處理表面更低的反射率或更高的光吸收率的鋁的已處理表面在接線單元25、26、27和電極212、213、214、232、233、234、221、222的上表面上形成光學(xué)性質(zhì)修改層31、32、33、35、36、37。因此，被接線單元 25、26、27 和電極 212、213、214、232、233、234、221、222 反射的外部光線的量可減少。因此，在不使用昂貴的偏振板且不通過執(zhí)行額外的掩模過程形成黑矩陣的情況下，通過簡單改變接線單元25、26、27和電極212、213、214、232、233、234、221、222的光學(xué)性質(zhì)，對比度就能被改善。雖然在圖4和圖5中，兩個薄膜晶體管21、23和ー個電容器22構(gòu)成ー個像素,但本實施方式并不限于此。因此，薄膜晶體管和電容器可通過各種方式組合。而且，雖然在圖4和圖5中，在每個像素中功率接線單元25、柵接線單元26和數(shù)據(jù)接線單元27相互垂直相交，但本實施方式并不僅限于此，可根據(jù)設(shè)計規(guī)則進行多種修改。 將參照圖7和圖8對根據(jù)本發(fā)明另ー實施方式的頂部發(fā)光型的有機發(fā)光顯示裝置3進行說明。將重點對有機發(fā)光顯示裝置3與有機發(fā)光顯示裝置2的不同之處進行說明，與圖4和圖5中相同的元件由相同的參考標(biāo)記表示。圖7為根據(jù)本發(fā)明另ー實施方式的有機發(fā)光顯示裝置3的平面圖，圖8為沿圖7中的線VIII-VIII所取的剖視圖。
如圖7和圖8所示，有機發(fā)光顯示裝置3包括位于第一襯底110上的功率接線單元25、柵接線単元26和數(shù)據(jù)接線単元27，有機發(fā)光顯示裝置3還包括第一薄膜晶體管21、電容器22、第二薄膜晶體管23和有機發(fā)光裝置24。通過修改如下元件的光學(xué)性質(zhì)獲得光學(xué)性質(zhì)修改層31、32、33、35、36和37 :接線單元25、26和27、第一薄膜晶體管21的第一柵電極212、第二薄膜晶體管23的第二柵電極
232、第一薄膜晶體管21的第一源電極213、第二薄膜晶體管23的第二源電極233、第一薄膜晶體管21的第一漏電極214、第二薄膜晶體管23的第二漏電極234，所獲得的光學(xué)性質(zhì)修改層31、32、33、35、36和37設(shè)置在接線單元25、26和27、第一薄膜晶體管21的第一柵電極212、第二薄膜晶體管23的第二柵電極232、第一薄膜晶體管21的第一源電極213、第二薄膜晶體管23的第二源電極233、第一薄膜晶體管21的第一漏電極214、第二薄膜晶體管23的第二漏電極234的上表面上。此外，在示出的實施方式中，光學(xué)性質(zhì)修改層34設(shè)置在像素電極241的上表面上。 在頂部發(fā)光型的有機發(fā)光顯示裝置3中，像素電極241為反射電極。因此，入射到有機發(fā)光顯示裝置3上的外部光線可被像素電極241的上表面反射，然后可與從有機發(fā)光層242發(fā)出的光共同發(fā)射。被像素電極241的上表面反射的外部光線會降低有機發(fā)光顯不裝置3的對比度。然而，在圖7和圖8所示的有機發(fā)光顯示裝置3中，由于光學(xué)性質(zhì)修改層34形成于作為反射電極的像素電極241的上表面上，其中光學(xué)性質(zhì)修改層34的反射率低于像素電極241或光吸收率高于像素電極241，因此被像素電極241反射的外部光線的量可減少。當(dāng)然，與圖4和圖5類似，由于比接線單元25、26、27和電極212、213、214、232、
233、234、221、222的反射率更低或光吸收率更高的光學(xué)性質(zhì)修改層31、32、33、35、36和37分別形成在接線單元25、26、27和電極212、213、214、232、233、234、221、222的上表面上，因此，被接線單元25、26、27和電極212、213、214、232、233、234、221、222反射的外部光線的量可減少。將參照圖9至圖11對根據(jù)本發(fā)明另ー實施方式的頂部發(fā)光型的有機發(fā)光顯示裝置4進行說明。將重點對有機發(fā)光顯示裝置4與圖7和圖8所示的有機發(fā)光顯示裝置3的不同之處進行說明。與圖7和圖8中的相同元件由相同的參考標(biāo)記表示。圖9為根據(jù)本發(fā)明另ー實施方式的有機發(fā)光顯示裝置4的平面圖。圖10為透明干涉層60的剖視圖。圖11為第一至第三透明干涉層61、62、63的剖視圖。如圖9所示，有機發(fā)光顯示裝置4包括位于第一襯底110上的功率接線單元25、柵接線単元26和數(shù)據(jù)接線単元27，有機發(fā)光顯示裝置4還包括第一薄膜晶體管21、電容器22、第二薄膜晶體管23和有機發(fā)光裝置24。通過修改如下元件的光學(xué)性質(zhì)獲得光學(xué)性質(zhì)修改層31、32、33、34、35、36和37 :接線單元25、26和27、第一薄膜晶體管21的第一柵電極212、第二薄膜晶體管23的第二柵電極232、第一薄膜晶體管21的第一源電極213、第二薄膜晶體管23的第二源電極233、第一薄膜晶體管21的第一漏電極214、第二薄膜晶體管23的第二漏電極234以及像素電極241，光學(xué)性質(zhì)修改層31、32、33、34、35、36和37分別設(shè)置在接線單元25、26和27、第一薄膜晶體管21的第一柵電極212、第二薄膜晶體管23的第二柵電極232、第一薄膜晶體管21的第一源電極213、第二薄膜晶體管23的第二源電極233、第一薄膜晶體管21的第一漏電極214、第二薄膜晶體管23的第二漏電極234以及像素電極241的上表面上。此外，透明干涉層60設(shè)置在第二襯底50的表面上。透明干涉層60設(shè)置在第二襯底50的表面上，第二襯底50為外部光線入射在其上的透明襯底。外部光線通過第二襯底50進入有機發(fā)光顯示裝置4，但一部分外部光線被第ニ襯底50的表面直接反射。因此，被第二襯底50的表面所反射的光線可與從有機發(fā)光層242發(fā)出的光一起進入觀察者眼中，并會降低對比度。然而，在圖9至圖11所示的有機發(fā)光顯示裝置4中，由于厚度與外部光線波長的1/4相對應(yīng)的透明干涉層60設(shè)置在第二襯底50的表面上，所以襯底50的表面反射的外部光線的量可被減少。參照圖10，外部光線Li中的Lt部分從空氣穿過透明干涉層60并入射在第二襯底50上，而外部光線Li中的Lrt部分被透明干涉層60的表面反射。而且，光線Li中的Lrt’部分被第二襯底50和透明干涉層60之間的交界面反射。在這種情況下，如果透明干涉層60 的厚度‘d’對應(yīng)于外部光線Li的波長λ的1/4，則被透明干涉層60反射的光線Lrfl和被第ニ襯底50反射的光線Lrt’由于干涉被抵消，因此可減少在第二襯底50的表面上反射的外部光線的量。在這種情況下，透明干涉層60的厚度‘d’可通過各種方式確定，例如，基于外部光線的波長、通過利用限定光的可見光譜的波長的算木平均值或限定外部光線的光譜的波長的算木平均值。優(yōu)選地，透明干涉層60的折射率Ii1介于空氣的折射率Iitl = I和第二襯底50的折射率n2之間。如果第二襯底50為折射率n2大約為I. 5的普通玻璃，則在ー個實施方式中，透明干涉層60的折射率Ii1可約為I. 23，但很難找到具有適合折射率的材料。在該實施方式中，透明干涉層60由折射率約為I. 38的氟化鎂形成。氟化鎂具有高耐用性，并且易于通過物理汽相沉積(PVD)進行沉積?？商鎿Q地，透明干涉層60可由ニ氧化硅或任何具有較高折射率的各種透明材料形成。在圖11中，第一至第三透明干涉層61、62、63設(shè)置在第二襯底50的表面上。如圖11所示，外部光線Li中的Lt部分從空氣穿過第一至第三透明干涉層61、62、63，并入射在第二襯底50上。越靠近第二襯底50設(shè)置的透明干涉層，其折射率越高。在示出的實施方式中，透明干涉層63的折射率n13高于透明干涉層61的折射率nn和透明干渉層62的折射率η12，透明干涉層62的折射率η12高于透明干涉層61的折射率ηη。這可以被表不カ H11 く Il12 く η13。外部光線Li中的し部分被第一透明干涉層61反射，光線Lt中的Lノ部分在第二透明干涉層62與第一透明干涉層61之間的交界處被反射。在這種情況下，如果第一透明干涉層61的厚度dl對應(yīng)于外部光線Li的波長λ的1/4，則被第一透明干涉層61反射的光し和在第二透明干涉層62與第一透明干涉層61之間的交界處反射的光Lノ由于干涉而抵消。外部光線Li中的I^2部分被第二透明干涉層62反射，光線Lt中的L:部分在第三透明干涉層63與第二透明干涉層62之間的交界處反射。在這種情況下，如果第二透明干涉層62的厚度d2對應(yīng)于外部光線Li的波長λ的1/4，則被第二透明干涉層62反射的光し,2和在第三透明干涉層63與第二透明干涉層62之間的交界處反射的光L,2’由于干涉而抵消。外部光線Li中的Lr3部分被第三透明干涉層63反射，光線Lt中的Lri’部分在第二襯底50與第三透明干涉層63之間的交界處反射。在這種情況下，如果第三透明干涉層63的厚度d3對應(yīng)于外部光線Li的波長λ的1/4，則被第三透明干涉層63反射的光Lri和在第二襯底50與第三透明干涉層63之間的交界處反射的光L,/由于干涉而抵消。因此，所反射的外部光線的量被減少，從而改善了對比度。將參照圖12對根據(jù)本發(fā)明另ー實施方式的有機發(fā)光顯示裝置5進行說明。將重點對有機發(fā)光顯示裝置5與圖9至圖11中所示的有機發(fā)光顯示裝置4的不同之處進行說明，與圖9至圖11中相同的元件由相同的參考標(biāo)記表示。圖12為根據(jù)本發(fā)明另ー實施方式的底部發(fā)光型的有機發(fā)光顯示裝置5的剖視圖。
如圖12所示，有機發(fā)光顯示裝置5包括位于第一襯底110上的功率接線單元25、柵接線単元26和數(shù)據(jù)接線単元27，有機發(fā)光顯示裝置5還包括第一薄膜晶體管21、電容器
22、第二薄膜晶體管23和有機發(fā)光裝置24。由于有機發(fā)光顯不裝置5為底部發(fā)光型,光線從有機發(fā)光層242朝向第一襯底110發(fā)射，所以第一襯底110為透明襯底。公共電極243為反射電極，像素電極241為透明電極。通過第一襯底110進入有機發(fā)光顯示裝置5的外部光線可被具有高反射率的電極和接線單元反射，然后可與從有機發(fā)光層242發(fā)出的光共同發(fā)射，從而降低了對比度。因此，在有機發(fā)光顯示裝置5中，由于通過改變?nèi)缦略墓鈱W(xué)性質(zhì)獲得光學(xué)性質(zhì)修改層41、42、43、45、46、47 :接線單元25、26和27、第一薄膜晶體管21的第一柵電極212、第二薄膜晶體管23的第二柵電極232、第一薄膜晶體管21的第一源電極213、第二薄膜晶體管23的第二源電極233、第一薄膜晶體管21的第一漏電極214、第二薄膜晶體管23的第二漏電極234，光學(xué)性質(zhì)修改層41、42、43、45、46、47設(shè)置在接線單元25、26和27、第一薄膜晶體管21的第一柵電極212、第二薄膜晶體管23的第二柵電極232、第一薄膜晶體管21的第一源電極213、第二薄膜晶體管23的第二源電極233、第一薄膜晶體管21的第一漏電極214、第二薄膜晶體管23的第二漏電極234的下表面上，所以由接線單元25、26和27以及電極212、213、214、232、233、234反射的外部光線的量可被減少。此外，通過改變公共電極243的光學(xué)性質(zhì)得到的光學(xué)性質(zhì)修改層44形成在公共電極243的表面上，其為反射電極，面對有機發(fā)光層242。因此，由于光學(xué)性質(zhì)修改層44的反射率低于公共電極243或光吸收率高于公共電極243，所以被作為反射電極的公共電極213反射的外部光線的量可被減少。雖然光學(xué)性質(zhì)修改層44可形成在公共電極243的整個區(qū)域上，但光學(xué)性質(zhì)修改層44也可形成在與形成有機發(fā)光層242的區(qū)域相對應(yīng)的部分A上，如圖12所示的那樣。此外，透明干涉層60設(shè)置在第一襯底110的表面上，其為外部光線入射在其上的透明襯底。透明干涉層60可降低第一襯底110的表面直接反射的外部光線的量，并可改善對比度。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置具有以下效果第一，由于光學(xué)性質(zhì)修改層形成在電極和接線單元的表面上，所以可減少被電極和接線單元反射的外部光線的量，并可改善對比度。
第二，由于光學(xué)性質(zhì)修改層形成在反射電極的表面上，所以可減少被反射電極反射的外部光線的量，并可使對比度的下降最小化。第三，由于透明干涉層形成在有機發(fā)光顯示裝置的透明襯底上，所以可減少被透明襯底反射的外部光線的量，并可防止對比度降低。雖然參照特定實施方式特別地示出并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不背離權(quán)利要求書中限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對本發(fā)明進行 形式和內(nèi)容上的多種改變。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括 彼此面對的第一襯底和第二襯底； 有機發(fā)光裝置，設(shè)置在所述第一襯底與所述第二襯底之間，所述有機發(fā)光裝置包括在每個像素中単獨形成的像素電極、面對所述像素電極的公共電極以及設(shè)置在所述像素電極與所述公共電極之間的有機發(fā)光層；以及 電極單元和至少ー個接線單元，設(shè)置在所述第一襯底與所述第二襯底之間，所述電極単元包括至少ー個薄膜晶體管以及至少ー個電容器，所述至少ー個薄膜晶體管被配置為將發(fā)光信號傳輸至所述像素電極， 其中，在所述電極単元和所述接線単元中的至少ー個的表面上形成光學(xué)性質(zhì)修改層，所述光學(xué)性質(zhì)修改層具有從所述電極單元和所述接線単元中的所述至少ー個的光學(xué)性質(zhì)修改的光學(xué)性質(zhì)。
2.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學(xué)性質(zhì)修改層的反射率低于所述電極単元和所述至少一個接線単元中的每個的反射率。
3.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學(xué)性質(zhì)修改層的光吸收率高于所述電極單元和所述至少一個接線単元中的每個的光吸收率。
4.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學(xué)性質(zhì)修改層通過選自由透射率、折射率、衍射率以及顏色構(gòu)成的組中的至少ー種光學(xué)性質(zhì)區(qū)別于所述電極單元和所述接線單元中的所述至少ー個。
5.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學(xué)性質(zhì)修改層是通過向所述電極單元和所述接線単元中的所述至少ー個的表面施加飛秒級激光束脈沖至少一次而形成。
6.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學(xué)性質(zhì)修改層由飛秒級激光束脈沖修改的區(qū)域具有納米級或微米級尺寸。
7.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述至少ー個薄膜晶體管包括柵電極、源電級和漏電極，所述至少ー個電容器包括電極。
8.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述至少一個接線単元包括柵接線單元、數(shù)據(jù)接線單元和功率接線單元。
9.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，從所述有機發(fā)光層發(fā)出的光朝向所述第二襯底發(fā)射， 其中，所述光學(xué)性質(zhì)修改層形成在所述電極単元和所述接線単元中的所述至少ー個的、面對所述第二襯底的表面上， 其中，所述有機發(fā)光顯示裝置包括第二光學(xué)性質(zhì)修改層，所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層具有從所述像素電極的光學(xué)性質(zhì)修改的光學(xué)性質(zhì)并且形成在所述像素電極靠近所述有機發(fā)光層的表面上。
10.如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層的反射率低于所述像素電極的反射率。
11.如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層的光吸收率高于所述像素電極的光吸收率。
12.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，從所述有機發(fā)光層發(fā)出的光朝向所述第一襯底發(fā)射， 其中，所述光學(xué)性質(zhì)修改層形成在所述電極単元和所述接線単元中的所述至少ー個的、面對所述第一襯底的表面上， 其中，所述有機發(fā)光顯示裝置包括第二光學(xué)性質(zhì)修改層，所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層具有從所述像素電極的光學(xué)性質(zhì)修改的光學(xué)性質(zhì)并且形成在所述公共電極靠近所述有機發(fā)光層的表面上。
13.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層的反射率低于所述公共電極的反射率。
14.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層的光吸收率高于所述公共電極的光吸收率。
15.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二光學(xué)性質(zhì)修改層僅形成在與所述像素電極相對應(yīng)的區(qū)域上。
16.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一襯底和所述第二襯底中的至少ー個是透明襯底， 其中，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括至少ー個透明干涉層，所述至少ー個透明干涉層設(shè)置在所述透明襯底的、外部光線入射的表面上。
17.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述透明干涉層的厚度等于外部光線的波長的1/4。
18.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述透明干涉層的折射率低于所述透明襯底的折射率。
19.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述透明干涉層包括氟化鎂、ニ氧化硅、具有高折射率的透明材料、或其組合。
20.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述至少ー個透明干涉層包括第一透明干涉層和第二透明干涉層，所述第二透明干涉層比所述第一透明干渉層更靠近所述透明襯底，并且所述第二透明干涉層的折射率高于所述第一透明干涉層的折射率。
21.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述至少ー個透明干涉層包括多個透明干涉層，每個透明干涉層的厚度均等于外部光線的波長的1/4。
全文摘要
一種有機發(fā)光顯示裝置，包括彼此面對的第一襯底和第二襯底；有機發(fā)光裝置，設(shè)置在所述第一襯底與所述第二襯底之間，所述有機發(fā)光裝置包括在每個像素中單獨形成的像素電極、面對所述像素電極的公共電極以及設(shè)置在所述像素電極與所述公共電極之間的有機發(fā)光層；以及電極單元和至少一個接線單元，設(shè)置在所述第一襯底與所述第二襯底之間，所述電極單元包括至少一個薄膜晶體管以及至少一個電容器，所述至少一個薄膜晶體管被配置為將發(fā)光信號傳輸至所述像素電極，其中，在所述電極單元和所述接線單元中的至少一個的表面上形成光學(xué)性質(zhì)修改層，所述光學(xué)性質(zhì)修改層具有從所述電極單元和所述接線單元中的所述至少一個的光學(xué)性質(zhì)修改的光學(xué)性質(zhì)。
文檔編號H01L27/32GK102694004SQ201210073038
公開日2012年9月26日 申請日期2012年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月21日
發(fā)明者玄元植, 瓦勒瑞·普魯申斯基, 萊恩·卡普蘭, 鄭世呼, 鄭炳成, 馬壯錫 申請人:三星移動顯示器株式會社