專利名稱：一種陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器的制造領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
參考圖I所示的陣列基板的俯視圖以及圖2所示的A-A方向的截面圖,現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板10的結(jié)構(gòu)為在透明基板109上形成有橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，在所述柵線和數(shù)據(jù)線所限定的像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管104和像素電極103 ;其中薄膜晶體管104包括柵極105、源極106和漏極107，且漏極107通過過孔和像素電極103電連接。從俯視的角度可以看到，柵極105和漏極107有重疊區(qū)域，會(huì)產(chǎn)生寄生電容Cgd。由于漏極107與柵極105的Cgd有電容耦合效應(yīng)，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)感生電壓AV :AV = Va*Cgd/(Cgd+Cst+CLC)其中，Va是加在柵線總線上的驅(qū)動(dòng)陣列基板的脈沖電壓的振幅，Cst是存儲(chǔ)電容。感生電壓的出現(xiàn)會(huì)引起驅(qū)動(dòng)電壓的不對(duì)稱，導(dǎo)致光線透過率的起伏，引起低頻率的亮度變化以及頭像抖動(dòng)，即閃爍。為減小感生電壓影響，通常使用較大的存儲(chǔ)電容Cst，但是常規(guī)增大存儲(chǔ)電容Cst的方法，如增大存儲(chǔ)電容的面積，會(huì)導(dǎo)致開口率減小。另外，雖然由上述公式可以看到減小寄生電容也可以減小感生電壓，但由于現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)薄膜晶體管的規(guī)格要求比較嚴(yán)格，使得通過改變重疊面積減小寄生電容的設(shè)計(jì)難以實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制造方法，用以減小像素電極的感生電壓從而改善了屏幕閃爍。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一方面，提供一種陣列基板，包括透明基板，在該透明基板上設(shè)置有橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，在所述柵線和數(shù)據(jù)線所限定的像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極；其中，所述薄膜晶體管的柵極與柵線相連，源極與數(shù)據(jù)線相連，漏極與像素電極相連；其特征在于，所述薄膜晶體管的柵極在所述漏極正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小。一方面，提供一種陣列基板的制作方法，包括在透明基板上制作柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝將所述柵金屬薄膜圖案化形成柵金屬層；所述柵金屬層包括柵線，以及漏極正對(duì)區(qū)域比溝道正對(duì)區(qū)域厚度小的柵極；在形成有柵金屬層的透明基板上依次形成柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、保護(hù)層以及像素電極層。本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制造方法，由于薄膜晶體管的柵極在該漏極正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小，這樣一來，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言增大了柵極與漏極間的距離，能夠減小柵極和漏極重疊區(qū)域所產(chǎn)生的寄生電容，從而使得感生電壓減小，進(jìn)而改善了屏幕閃爍，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另ー種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另ー種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板制作方法的流程示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板制作方法的流程圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種陣列基板制作方法的流程圖。附圖標(biāo)記10_陣列基板；10ト柵線，102-數(shù)據(jù)線，103-像素電極，104-薄膜晶體管，105-柵極，106-源扱，107-漏極，108-有源層，109-透明基板；20-陣列基板；201-柵線，202-數(shù)據(jù)線，203-像素電極，204-薄膜晶體管，205-柵極，206-源極，207-漏極，208-有源層，209-透明基板，300-保護(hù)層，301-柵絕緣層，302-公共電極線。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，示例性的，如圖3所示的陣列基板20，從俯視的角度，該基板的薄膜晶體管204的源極206形狀為弧形，該漏極207的一端處于弧形源極206的向心側(cè)。該陣列基板20包括透明基板，在該透明基板上設(shè)置有橫縱交叉的柵線201和數(shù)據(jù)線202，在該柵線201和數(shù)據(jù)線202所限定的像素単元中設(shè)置有薄膜晶體管204和像素電極203，其中，該薄膜晶體管204的柵極205與柵線201相連，源極206與數(shù)據(jù)線202相連，漏極207與像素電極203相連；并且，該薄膜晶體管204的柵極205在該漏極207正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管204的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小。為了清楚的描述薄膜晶體管204的柵極205在漏極207正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管204的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小這ー結(jié)構(gòu)，可以參考圖3沿B-B方向切開的截面圖，如圖4所示，柵極205在漏極207正對(duì)區(qū)域的厚度比其他區(qū)域厚度小，呈現(xiàn)出凹狀結(jié)構(gòu)?？蛇x的，在減小柵極在漏極正對(duì)區(qū)域的厚度的基礎(chǔ)上，還可以進(jìn)ー步減小該薄膜晶體管的柵極在源極正對(duì)區(qū)域的厚度，使得所述薄膜晶體管的柵極在所述源極正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小。這樣不僅增大了柵極與漏極間的距離也増大了柵極與源極間的距離，能夠減小漏極和柵極的寄生電容，從而也可以減小了感生電壓。更進(jìn)一歩的，源極的厚度可以和漏極的厚度相等。

可選的，如圖3和圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板20上還形成有公共電極線302，且公共電極線302與數(shù)據(jù)線202同層設(shè)置，且兩者之間電絕緣。這樣使得存儲(chǔ)電容的兩極板(公共電極線和像素電極)間僅隔了ー層保護(hù)層，比起現(xiàn)有技術(shù)中兩極板間隔著柵絕緣層和保護(hù)層兩層絕緣層如圖I所示，存儲(chǔ)電容間距離減小，從而増大了存儲(chǔ)電容，進(jìn)ー步的減小了感生電壓，改善了屏幕閃爍，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。為保證同層設(shè)置的公共電極線與數(shù)據(jù)線之間電絕緣，具體的，可以將公共電極線與數(shù)據(jù)線平行設(shè)置，這樣相對(duì)于其他設(shè)置方式可以避免多過孔的設(shè)置，簡(jiǎn)化了エ藝。進(jìn)ー步的，該公共電極線302的下面還可以形成有源層部分圖案，所述有源層部分圖案完全支撐起所述公共電極線，可以進(jìn)ー步的減小公共電極線與像素電極間的距離?？蛇x的，有源層部分圖案與公共電極線的形狀重合。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，由于薄膜晶體管的柵極在該漏極正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小，這樣ー來，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言増大了柵極與漏極間的距離，能夠減小柵極和漏極重疊區(qū)域所產(chǎn)生的寄生電容，從而使得感生電壓減小，進(jìn)而改善了屏幕閃爍，提高了產(chǎn)品的畫面顯示質(zhì)量，進(jìn)ー步的，公共電極與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，且沒有電連接，可以減小公共電極線與像素電極之間的距離，増大存儲(chǔ)電容的同時(shí)，還減小了感生電壓，從而也改善了屏幕閃爍，提高產(chǎn)品畫面顯示質(zhì)量。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，示例性的，如圖5所示的陣列基板20，從俯視的角度，薄膜晶體管204的源極206、漏極207的形狀還可以是矩形。該陣列基板20包括透明基板，在該透明基板上設(shè)置有橫縱交叉的柵線201和數(shù)據(jù)線202，在該柵線201和數(shù)據(jù)線202所限定的像素単元中設(shè)置有薄膜晶體管204和像素電極203，其中，該薄膜晶體管204的柵極205與柵柵極205與柵線201相連，源極206與數(shù)據(jù)線202相連，漏極207與像素電極203相連；并且，該薄膜晶體管204的柵極205在該漏極207正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管204的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小如圖6所示。沿圖5所示陣列基板的B-B方向切開的截面圖即圖6所示，在減小柵極205在漏極207正對(duì)區(qū)域的厚度的基礎(chǔ)上，還可以進(jìn)ー步減小柵極205在源極206正對(duì)區(qū)域的厚度，使得所述薄膜晶體管的柵極在所述源極正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小。這樣不僅增大了柵極與漏極間的距離還増大了柵極與源極間的距離，使得寄生電容Cgd降低的同吋，Cgs也降低，從而進(jìn)一步的減小了寄生電容，進(jìn)而減小了感生電壓，改善了屏幕閃爍，提高了產(chǎn)品畫面顯示質(zhì)量。上述圖5和圖6所示的陣列基板上，公共電極線保持和現(xiàn)有技術(shù)中的位置一致。參考上ー實(shí)施例中所描述的公共電極線的位置，在本發(fā)明實(shí)施例中公共電極線也可以與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，且兩者之間電絕緣。這樣使得存儲(chǔ)電容的兩極板(公共電極線和像素電極)間僅隔了ー層保護(hù)層，比起現(xiàn)有技術(shù)中兩極板間隔著柵絕緣層和保護(hù)層兩層絕緣層如圖I所示，存儲(chǔ)電容間距離減小，從而增大了存儲(chǔ)電容，減小了感生電壓，改善了屏幕閃爍，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。為保證同層設(shè)置的公共電極線與數(shù)據(jù)線之間電絕緣，具體的，可以將公共電極線與數(shù)據(jù)線平行設(shè)置，可以通過一次光刻エ藝同時(shí)形成數(shù)據(jù)線及公共電極線，簡(jiǎn)化工藝。進(jìn)ー步的，該公共電極線的下面還可以形成有源層部分圖案，所述有源層部分圖案完全支撐起所述公共電極線，進(jìn)ー步減小公共電極與像素電極的距離，這樣可以增大存儲(chǔ)電容進(jìn)而減小感生電壓?？蛇x的，有源層部分圖案與公共電極線的形狀重合。圖5和圖6中只是描述了柵極上的改進(jìn)，對(duì)于公共電極線的改進(jìn)本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過上述文字描述，以及上一實(shí)施例中的附圖(圖3和圖4)清楚且毫無疑義的確定本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，由于薄膜晶體管的柵極在該漏極正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小，這樣ー來，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言増大了柵極與漏極間的距離，能夠減小柵極和漏極重疊區(qū)域所產(chǎn)生的寄生電容，從而使得感生電壓減小，進(jìn)而改善了屏幕閃爍，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。
本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法，如圖7所示，包括S401、在透明基板上制作柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖エ藝將所述柵金屬薄膜圖案化形成柵金屬層；該柵金屬層包括柵線，以及漏極正對(duì)區(qū)域比溝道正對(duì)區(qū)域厚度小的柵極。這樣就使得相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言増大了柵極與漏極間的距離，能夠減小柵極和漏極重疊區(qū)域所產(chǎn)生的寄生電容，從而使得感生電壓減小，進(jìn)而改善了屏幕閃爍，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。S402、在形成有柵金屬層的透明基板上依次形成柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、保護(hù)層以及像素電極層。其中，優(yōu)選的，形成所述有源層、源漏金屬層的過程具體為在形成有柵絕緣層的透明基板上制作半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜，通過一次掩膜構(gòu)圖エ藝將所述半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜圖案化形成有源層和源漏金屬層；所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源極和漏極、以及公共電極線；其中，公共電極線與數(shù)據(jù)線電絕緣。這樣一來，由于公共電極線與像素電極間僅隔ー層保護(hù)層，與現(xiàn)有技術(shù)相比減小了公共電極線與像素電極間的距離，増大了存儲(chǔ)電容，從而在步驟S401的基礎(chǔ)上進(jìn)一歩減小感生電壓。下面針對(duì)圖3(或圖4)所示陣列基板，如圖8所示，提供其制造方法。在透明基板上采用濺射法沉積柵金屬薄膜，該金屬薄膜的材料可以為鑰、鈦、鉻、鋁、鋁釹或其組合。其次，涂覆光刻膠后對(duì)該透明基板進(jìn)行半透或灰度掩膜法半曝光，顯影后得到圖8(a)所示的光刻膠呈凹狀結(jié)構(gòu)。使用濕刻エ藝，將未被光刻膠覆蓋的柵金屬薄膜刻蝕掉，得到圖8(b)所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化，原本較薄位置處的光刻膠被灰化完全，暴露出其下的柵金屬薄膜，如圖8(c)所示結(jié)構(gòu)。對(duì)暴露出的柵金屬薄膜濕刻，得到圖8(d)的結(jié)構(gòu)。剝離光刻膠，得到圖形化后的柵金屬層，柵金屬層包括薄膜晶體管的柵極，如圖8(e)所示的結(jié)構(gòu)。在沉積有柵絕緣層300的基板表面依次沉積半導(dǎo)體薄膜(其材料是半導(dǎo)體和摻雜半導(dǎo)體)和源漏金屬薄膜，涂覆光刻膠，然后進(jìn)行第二次曝光。該次エ藝，首先利用灰度掩膜板或半透膜掩膜板進(jìn)行曝光、顯影后，對(duì)源漏金屬薄膜進(jìn)行第一次刻蝕，之后進(jìn)行灰化，去除對(duì)應(yīng)溝道區(qū)域的光刻膠，再進(jìn)行有源層的刻蝕，隨后進(jìn)行第二次源漏金屬薄膜刻蝕，刻去溝道里的源漏金屬層，再對(duì)陣列基板溝道處的有源層進(jìn)行刻蝕，除掉半導(dǎo)體摻雜層，剝離光刻膠后得到圖形化后的有源層，數(shù)據(jù)線，薄膜晶體管的源極206和漏極207，以及公共電極線302，如圖8(f)所示。其中，公共電極線302與數(shù)據(jù)線平行排列。由于當(dāng)數(shù)據(jù)線和公共電極線同層設(shè)置時(shí)，如果公共電極線的排列方向與原有技術(shù)相同，即垂直于數(shù)據(jù)線排布，為了避免數(shù)據(jù)線與公共電極線短路，則必須制作間斷設(shè)置的公共電極線，每段公共電極線都需要相互串聯(lián)，這ー結(jié)構(gòu)要求在保護(hù)層上相對(duì)應(yīng)于每小段公共電極線兩端的位置設(shè)置過孔，為了簡(jiǎn)化工藝，本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選的將公共電極線與數(shù)據(jù)線平行排列，避免了設(shè)置多個(gè)過孔的制作エ藝。隨后繼續(xù)沉積保護(hù)層，通過掩膜曝光，顯影后再進(jìn)行刻蝕以在其上設(shè)置漏極與像素電極相連的過孔，完成后其截面如圖8(g)所示，由于圖8中所有附圖均是以圖3中B-B 方向的截面為基礎(chǔ)的，故在圖8(g)中所形成的過孔并未標(biāo)識(shí)，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)圖3所示的結(jié)構(gòu)圖毫無疑義的確定過孔的位置。在沉積完有過孔的保護(hù)層后，在進(jìn)行像素電極的圖形化，如圖8(h)所示，具體為，沉積一透明導(dǎo)電層在保護(hù)層上，該導(dǎo)電層可以是氧化銦錫ΙΤ0，對(duì)該導(dǎo)電層進(jìn)行掩膜曝光，顯影刻蝕后得到圖形化的像素電極。該像素電極部分覆蓋公共電極線，兩者正面投影部分重疊區(qū)域即為存儲(chǔ)電容覆蓋位置，這樣ー來，由于公共電極線下面還形成有有源層部分圖案，減小了公共電極線與像素電極間的距離，從而増大了存儲(chǔ)電容，進(jìn)ー步的減小了感生電壓，改善了屏幕閃爍，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。下面針對(duì)圖5(或圖6)所示的陣列基板，如圖9所示，提供其制造方法。如圖9(a)所示，在透明基板209上沉積柵金屬薄膜以及光刻膠。如圖9(b)所示，對(duì)光刻膠進(jìn)行半透或灰度掩膜法半曝光，顯影后得到凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的光刻膠。如圖9(c)所示，利用濕刻的方法刻蝕掉未被光刻膠覆蓋的金屬。如圖9(d)所示，進(jìn)入干刻設(shè)備中進(jìn)行光刻膠灰化，使得一部分柵金屬薄膜裸露。如圖9(e)所示，用干刻的方法刻蝕掉裸露的柵金屬薄膜的一部分金屬，去掉光刻膠形成階梯式柵極205，如圖9(f)所示。如圖9(g)所示，在柵極上沉積柵絕緣層301、半導(dǎo)體薄膜208(可以包括半導(dǎo)體和摻雜半導(dǎo)體兩層薄膜)，以及涂上負(fù)性光刻膠。利用柵極做光罩，從基板背面采用自對(duì)準(zhǔn)曝光(按照?qǐng)D9(g)所示，光射入方向?yàn)樽韵露系钠毓?，顯影，再進(jìn)行干刻形成有源層208 ;其中，所謂自對(duì)準(zhǔn)曝光是指光從陣列基板的背面射入以柵極金屬作為光罩進(jìn)行曝光的エ藝，并且，在采用自對(duì)準(zhǔn)曝光時(shí)，所使用的光刻膠為負(fù)性光刻膠；按照?qǐng)D9(h)所示，光射入方向?yàn)樽韵露系钠毓?。這樣就可以將柵極的圖案作為掩膜板的圖案，而不需要額外使用掩膜板就可以形成有源層的圖案，可以節(jié)省掩膜板。再者，由于采用這種背曝光エ藝可以在無需校準(zhǔn)掩膜板位置的情況下，做出與柵極一致的圖案，故可將這種背面曝光エ藝稱為自對(duì)準(zhǔn)エ藝。去除光刻膠，形成圖9(1)所示的結(jié)構(gòu)。如圖9(j)所示，在有源層上沉積源漏金屬薄膜，通過第三次構(gòu)圖エ藝，先用濕刻的方法刻蝕掉周圍和溝道中的金屬，在用干刻的方法刻蝕掉溝道中的摻雜半導(dǎo)體，形成源漏極206、207和溝道。之后，沉積保護(hù)層300，通過第四次構(gòu)圖エ藝形成過孔。最后，沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過第五次構(gòu)圖エ藝形成像素電極203。這樣ー來，形成的階梯狀柵極，増大了柵極和漏極間，柵極和源極間的距離，使得寄生電容Cgd降低的同吋，Cgs也降低，這樣可以進(jìn)ー步的減小寄生電容，從而達(dá)到減少屏幕閃爍的效果，此外，有源層與源漏極分開制備，以柵極為光罩，對(duì)有源層進(jìn)行背曝光，這樣的構(gòu)圖エ藝能夠得到被柵極全部遮擋的有源層，避免了在背光影響下有源層產(chǎn)生光電流，提高了エ藝質(zhì)量。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法，由于薄膜晶體管的柵極在該漏極正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小，這樣ー來，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言増大了柵極與源漏極間的距離，能夠減小柵極和漏極重疊區(qū)域所產(chǎn)生的寄生電容，從而使得感生電壓減小，進(jìn)而改善了屏幕閃爍，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括透明基板，在該透明基板上設(shè)置有橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，在所述柵線和數(shù)據(jù)線所限定的像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極；其中，所述薄膜晶體管的柵極與柵線相連，源極與數(shù)據(jù)線相連，漏極與像素電極相連；其特征在于，所述薄膜晶體管的柵極在所述漏極正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的柵極在所述源極正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的源極和漏極厚度相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，從俯視的角度，所述薄膜晶體管的源極形狀為弧形，所述薄膜晶體管的漏極的一端處于弧形源極的向心側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，從俯視的角度，所述薄膜晶體管的源極、漏極的形狀均為矩形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，還包括公共電極線；所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，且兩者之間電絕緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線平行。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，在所述公共電極線的下面形成有源層部分圖案，且所述有源層部分圖案完全支撐起所述公共電極線。
9.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括 在透明基板上制作柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝將所述柵金屬薄膜圖案化形成柵金屬層；所述柵金屬層包括柵線，以及漏極正對(duì)區(qū)域比溝道正對(duì)區(qū)域厚度小的柵極； 在形成有柵金屬層的透明基板上形成柵絕緣層、有源層、源漏金屬層和公共電極、保護(hù)層以及像素電極層；其中，所述公共電極與所述源漏金屬層同層制作。
10.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述有源層、源漏金屬層的過程具體為 在形成有柵絕緣層的透明基板上制作半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜，通過一次掩膜構(gòu)圖工藝將所述半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜圖案化形成有源層和源漏金屬層；所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源極和漏極、以及公共電極線；其中，公共電極線與數(shù)據(jù)線無電連接。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板及其制造方法，涉及顯示元器件制造領(lǐng)域，用以減小像素電極的感生電壓從而改善了屏幕閃爍。該陣列基板包括透明基板，在該透明基板上設(shè)置有橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，在所述柵線和數(shù)據(jù)線所限定的像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極；其中，所述薄膜晶體管的柵極與柵線相連，源極與數(shù)據(jù)線相連，漏極與像素電極相連；其特征在于，所述薄膜晶體管的柵極在所述漏極正對(duì)區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管的溝道正對(duì)區(qū)域的厚度小。本發(fā)明實(shí)施例用于顯示器件的制造領(lǐng)域。
文檔編號(hào)H01L27/12GK102655156SQ20121007422
公開日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月19日
發(fā)明者朱佩譽(yù), 牛菁 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司