專利名稱：發(fā)光組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于發(fā)光組件，且特別是有關(guān)于有機發(fā)光組件。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光二極管具有輕、薄、自發(fā)光、廣視角、分辨率佳、高亮度、低耗電及高應(yīng)答速度等優(yōu)點，因此廣泛地應(yīng)用在平面顯示器。有機發(fā)光二極管的基本構(gòu)造包括陰極、陽極、以及夾于陰極與陽極之間的有機層。已知的有機發(fā)光二極管顯示器中的多個有機發(fā)光二極管是共享一個陰極。當將有機發(fā)光二極管應(yīng)用于大 面積的顯示器時，由于陰極的面積相當大，因此，位于不同位置的陰極電阻值差異大，容易產(chǎn)生壓降的問題，以致于畫面顯示效果不佳。此外，由于陰極的面積相當大，因此，需要對陰極施加相當大的電流才能驅(qū)動有機發(fā)光二極管，然而，大電流容易導(dǎo)致組件壽命減少。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光組件。本發(fā)明一實施例提供一種發(fā)光組件，包括:一基板；多個發(fā)光結(jié)構(gòu)，配置于基板上，各發(fā)光結(jié)構(gòu)包括:一輔助電極，配置于基板上；一第一絕緣層，配置于基板上并覆蓋輔助電極；一第一電極，配置于第一絕緣層上，且適于作為陽極；一第二絕緣層，配置于第一絕緣層上，且具有一第一開口暴露出第一電極；一第一有機發(fā)光層，配置于第一開口中以連接第一電極；一陰極，配置于第一有機發(fā)光層上；至少一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，貫穿第一絕緣層與第二絕緣層，并連接陰極與輔助電極；以及一封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)，配置于第二絕緣層上且圍繞陰極，其中封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)的厚度大于陰極的厚度。由于本發(fā)明的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)是通過封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)斷開彼此的陰極，且各陰極是與對應(yīng)的輔助電極電性連接，因此，本發(fā)明可以多個獨立的小面積陰極以及輔助電極取代已知大面積的共享陰極，故可避免已知因陰極面積偏大而產(chǎn)生的壓降問題以及需要高驅(qū)動電流的問題，進而可提升畫面顯示效果以及提高組件壽命。


圖1A繪示本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件的剖面圖；圖1B繪示圖1A的上視圖；圖2是繪示本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件的制程剖面圖；圖3繪示本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件的制程剖面圖；圖4繪示本發(fā)明另一實施例的發(fā)光組件的制程剖面圖；圖5A繪示本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件的上視圖；圖5B繪示圖5A的發(fā)光組件沿1-1線段的剖面圖；圖6是繪示本發(fā)明另一實施例的發(fā)光組件的剖面圖7是繪示本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件的剖面圖；圖8是繪示本發(fā)明另一實施例的發(fā)光組件的剖面圖；圖9是繪示本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件的剖面圖。主要組件符號說明100、500、600、900 發(fā)光組件；110 基板；120、510、910 發(fā)光結(jié)構(gòu)；130 輔助電極；140 第一絕緣層；142 第一貫孔；150 第一電極；160 第二絕緣層；162 第一開口；164 第二貫孔；166 第二開口 ；170 第一有機發(fā)光層；180 陰極；180a 導(dǎo)電層；190 導(dǎo)通結(jié)構(gòu)；192 第一導(dǎo)電插塞；194 第二導(dǎo)電插塞；310、410 厚金屬層；310a,410a 導(dǎo)電層；520 第二電極；530 第二有機發(fā)光層；610 上蓋；920 第一薄膜晶體管；922 第三電極；930 第二薄膜晶體管；932 柵極；934 第四電極；936 第五電極；A 粘著層；B 封閉空腔；C 封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)；F 膜層；LI 第一發(fā)光單元；L2 第二發(fā)光單元；T1、T2、T3 厚度。
具體實施例方式以下將詳細說明本發(fā)明實施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實施。文中所舉例討論的特定實施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實施例中可能使用重復(fù)的標號或標示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明，不代表所討論的不同實施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。再者，當述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其它材料層的情形。在附圖中，實施例的形狀或是厚度可擴大，以簡化或是方便標示。再者，圖中未繪示或描述的組件，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所知的形式。圖1A繪示本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件的剖面圖，圖1B繪示圖1A的上視圖。請同時參照圖1A與圖1B,本實施例的發(fā)光組件100包括一基板110以及多個配置于基板110上的發(fā)光結(jié)構(gòu)120，其中各發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括一輔助電極130、一第一絕緣層140、一第一電極150、一第二絕緣層160、一第一有機發(fā)光層170、一陰極180、多個導(dǎo)通結(jié)構(gòu)190、以及一封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C。輔助電極130配置于基板110上，且適于作為陰極。輔助電極130的材質(zhì)例如為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、 或是其它導(dǎo)電性質(zhì)良好的材料。在一實施例中，輔助電極130是位于第一電極150的正下方。在其它實施例中，輔助電極130亦可是位于第一電極150的下方或其它位置。第一絕緣層140配置于基板110上并覆蓋輔助電極130。第一電極150配置于第一絕緣層140上，且適于作為陽極。第二絕緣層160配置于第一絕緣層140上，且具有一第一開口 162暴露出第一電極150。第一有機發(fā)光層170配置于第一開口 162中以連接第一電極150。陰極180配置于第一有機發(fā)光層170上。陰極180的材質(zhì)例如為鋁、銀、或是其它導(dǎo)電性質(zhì)良好的材料。在一實施例中，一導(dǎo)電層180a是位于封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C上,且導(dǎo)電層180a與陰極180是于同一沉積制程中形成,故兩者材質(zhì)相同。導(dǎo)通結(jié)構(gòu)190是貫穿第一絕緣層140與第二絕緣層160，并連接陰極180與輔助電極130。詳細而言，在一實施例中，第一絕緣層140具有第一貫孔142，第二絕緣層160具有第二貫孔164連通第一貫孔142，且導(dǎo)通結(jié)構(gòu)190具有一位于第一貫孔142中的第一導(dǎo)電插塞192與一位于第二貫孔164中的第二導(dǎo)電插塞194。在一實施例中，第一導(dǎo)電插塞192與第一電極150是于同一沉 積制程中形成,第二導(dǎo)電插塞194與陰極180是于同一沉積制程中形成。封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C配置于第二絕緣層160上且圍繞陰極180，其中封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C的厚度Tl大于陰極180的厚度T2。在一實施例中，封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C的截面形狀是呈倒梯狀。封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C的材質(zhì)包括感旋光性的有機材料。在其它實施例中，封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C的截面形狀亦可呈方形或是其它適合的形狀。值得注意的是，本實施例的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)120是通過封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C斷開彼此的陰極180，以使這些發(fā)光結(jié)構(gòu)120的陰極180彼此獨立。由于各陰極180是與對應(yīng)的輔助電極130電性連接，因此，可通過輔助電極130對各陰極180施加電壓(或電流)。換言之，本實施例是以多個獨立的小面積陰極180以及(與陰極180相連的)輔助電極130取代已知大面積的共享陰極。因此，本實施例可有效減少各個陰極180的面積，進而避免已知因陰極面積偏大而產(chǎn)生的壓降問題以及需高驅(qū)動電流的問題，進而可提升畫面顯示效果以及提高組件壽命。在一實施例中，發(fā)光組件100為一底發(fā)光式的發(fā)光組件,其輔助電極130與第一電極150的材質(zhì)例如為透明導(dǎo)電材料(如銦錫氧化物、或銦鋅氧化物)。在另一實施例中，發(fā)光組件100為一雙面發(fā)光式的發(fā)光組件,其輔助電極130、第一電極150、與陰極180為透明膜層。陰極180可為一厚度相當薄(約1000埃)的導(dǎo)電膜層(材質(zhì)為鋁或銀)。在又一實施例中，發(fā)光組件100為一頂發(fā)光式的發(fā)光組件，其陰極180為一透明膜層，且其電極的材質(zhì)例如為高反射性材料(如銀、或鋁)。以下將介紹本實施例的發(fā)光組件100的制作方法。圖2是繪示本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件的制程剖面圖。請參照圖2，首先，提供基板110。接著，于基板110上形成多個發(fā)光結(jié)構(gòu)120。詳細而言，各發(fā)光結(jié)構(gòu)120的形成方法例如為以濺鍍的方式在基板110上形成輔助電極130。之后，于基板110上形成第一絕緣層140并圖案化第一絕緣層140，以使第一絕緣層140具有暴露出輔助電極130的第一貫孔142。
然后，于第一絕緣層140上形成一導(dǎo)電層(未繪示)，該導(dǎo)電層延伸入第一貫孔142中。之后，圖案化該導(dǎo)電層，以形成第一電極150與位于第一貫孔142中的第一導(dǎo)電插塞192。接著，于第一絕緣層140上形成第二絕緣層160，并圖案化第二絕緣層160，以使其具有暴露出第一電極150的第一開口 162與暴露出第一導(dǎo)電插塞192的第二貫孔164。然后，于第二絕緣層160上形成同時圍繞第二貫孔164與第一開口 162的封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C。然后，例如以蒸鍍或是噴墨的方式于第一開口 162中形成第一有機發(fā)光層170。接著，請參照圖1A，例如以蒸鍍的方式在第一有機發(fā)光層170、第二絕緣層160、第一導(dǎo)電插塞192、以及封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C的頂面上全面形成一膜層F,膜層F包括位于第一有機發(fā)光層170上的陰極180、位于第一導(dǎo)電插塞192上的第二導(dǎo)電插塞194、以及位于封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C上的導(dǎo)電層180a。在本實施例中，第二導(dǎo)電插塞194是順應(yīng)性地覆蓋第二貫孔164的側(cè)壁與底部。由于封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C的厚度Tl大于陰極180的厚度T2，因此，可有效斷開兩相鄰發(fā)光結(jié)構(gòu)120的陰極180。圖3繪示本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件的制程剖面圖。請參照圖3，在形成膜層F之后，可選擇性地在第二貫孔164內(nèi)的第二單元194上沉積一厚金屬層310，其中厚金屬層310的厚度T3大于或等于陰極180的厚度T2。此外，在形成厚金屬層310的同時，亦可選擇性地在封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C上沉積導(dǎo)電層310a。此時，由于封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C的厚度Tl可大于厚金屬層310的厚度T3，因此，仍可有效斷開厚金屬層310與導(dǎo)電層310a。由于以蒸鍍的方式形成的膜層F的厚度較薄，因此，于第二單元194上形成厚金屬層310可有效確保輔助電極130與陰極180之間的電性連接品質(zhì)不受膜層F的第二單元194覆蓋性不佳的影響。在本實施例中，厚金屬層310是位于第二導(dǎo)電插塞194上。圖4繪示本發(fā)明另一實施例的發(fā)光組件的制程剖面圖。請參照圖4，在另一實施例中，可在形成第二導(dǎo)電插塞194之前，先在第二貫孔164內(nèi)形成厚金屬層410，因此，第二導(dǎo)電插塞194可位于厚金屬層410上。在一實施例中，厚金屬層410可至少填滿一半的第二貫孔164。由于膜層F不易均勻地覆蓋高深寬比的第二貫孔164 (尤其是貫孔內(nèi)壁)，因此，先于第二貫孔164內(nèi)形成厚金屬層410可降低其深寬比，而有助于在第二貫孔164內(nèi)形成厚度均勻的膜層F，以使陰極180可良好地電性連接至輔助電極130。此外，在形成厚金屬層410的同時，亦可選擇性地在封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C上沉積導(dǎo)電層410a。此時,與陰極180于同一蒸鍍制程中形成的導(dǎo)電層180a可形成在導(dǎo)電層410a上。圖5A繪示本發(fā)明另一實施例的發(fā)光組件的上視圖，圖5B繪示圖5A的發(fā)光組件沿
1-1線段的剖面圖。請同時參照圖5A與圖5B，本實施例的發(fā)光組件500是相似于圖1A的發(fā)光組件100，兩者的差異之處在于本實施例的發(fā)光組件500的發(fā)光結(jié)構(gòu)510還包括一第二電極520以及一第二有機發(fā)光層530。詳細而言，第二電極520配置于第一絕緣層140上且與第一電極150彼此分離，且第二電極520適于作為陽極，且第二絕緣層160還具有一第二開口 166暴露出第二電極520。第二有機發(fā)光層530配置于第二開口 166中以連接第二電極520，且陰極180亦配置于第二有機發(fā)光層530上。換言之，本實施例的封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C是圍繞多個共享陰極180但不共享電極的發(fā)光單兀(第一發(fā)光單兀LI與第二發(fā)光單兀L2)。第一發(fā)光單兀LI包括第一電極150、第一有機發(fā)光層170、與陰極180， 而第二發(fā)光單元L2包括第二電極520、第二有機發(fā)光層530、與陰極180。由于第一電極150與第二電極520是彼此分離，因此，可分開控制第一發(fā)光單元LI與第二發(fā)光單元L2。圖6是繪示本發(fā)明另一實施例的發(fā)光組件的剖面圖。請參照圖6，本實施例的發(fā)光組件600是相似于圖1A的發(fā)光組件100,兩者的差異之處在于本實施例的發(fā)光組件600還包括一配置于陰極180上的上蓋610，且封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C是支撐于上蓋610與第二絕緣層160之間，以于上蓋610與陰極180之間形成一封閉空腔B。此外，可選擇性地在上蓋610與封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)C之間形成一粘著層A。值得注意的是，由于本實施例的陰極180與上蓋610之間隔有封閉空腔B，因此，當將發(fā)光組件600用于軟性顯示器時，受到彎折的陰極180可自由地釋放應(yīng)力，而不會因為受到上蓋610的拉扯而破裂。圖7是繪示本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件的剖面圖。請參照圖7，在本實施例中，多個發(fā)光結(jié)構(gòu)120的輔助電極130是彼此分離且電性絕緣。圖8是繪示本發(fā) 明另一實施例的發(fā)光組件的剖面圖。請參照圖8，在另一實施例中，多個發(fā)光結(jié)構(gòu)120的輔助電極130是彼此相連。圖9是繪示本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件的剖面圖。請參照圖9，本實施例的發(fā)光組件900是相似于圖1A的發(fā)光組件100,兩者的差異之處在于本實施例的發(fā)光組件900為一主動式有機發(fā)光二極管組件，其發(fā)光結(jié)構(gòu)910還包括一第一薄膜晶體管920以及一第二薄膜晶體管930。詳細而言，第一薄膜晶體管920與第二薄膜晶體管930配置于基板110上。第一薄膜晶體管920的一第三電極(源極或漏極)922是電性連接第二薄膜晶體管930的一柵極932。第四電極934與第五電極936為第二薄膜晶體管930的一源極與一漏極其中之一與另一。第五電極936與第一電極150電性連接。綜上所述，由于本發(fā)明的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)已通過封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)斷開彼此的陰極，且各陰極是與對應(yīng)的輔助電極電性連接，因此，本發(fā)明可以多個獨立的小面積陰極以及輔助電極取代已知大面積的共享陰極，故可避免已知因陰極面積偏大而產(chǎn)生的壓降問題以及需要高驅(qū)動電流的問題，進而可提升畫面顯示效果以及提高組件壽命。本發(fā)明雖以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可做些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光組件，其特征在于，包括: 一基板； 多個發(fā)光結(jié)構(gòu)，配置于該基板上，各該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括: 一輔助電極，配置于該基板上； 一第一絕緣層，配置于該基板上并覆蓋該輔助電極； 一第一電極，配置于該第一絕緣層上，且適于作為陽極； 一第二絕緣層,配置于該第一絕緣層上,且具有一第一開口暴露出該第一電極； 一第一有機發(fā)光層，配置于該第一開口中以連接該第一電極； 一陰極，配置于該第一有機發(fā)光層上； 至少一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層，并連接該陰極與該輔助電極；以 及 一封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)，配置于該第二絕緣層上且圍繞該陰極，其中該封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)的厚度大于該陰極的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，還包括: 一導(dǎo)電層，位于該封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)上，其中該導(dǎo)電層與該陰極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，該輔助電極是位于該第一電極的下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，該第一絕緣層具有一第一貫孔，該第二絕緣層具有一第二貫孔連通該第一貫孔，且該導(dǎo)通結(jié)構(gòu)具有一位于該第一貫孔中的第一導(dǎo)電插塞與一位于該第二貫孔中的第二導(dǎo)電插塞。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光組件,其特征在于，該第一導(dǎo)電插塞與該第一電極是于同一沉積制程中形成，該第二導(dǎo)電插塞與該陰極是于同一沉積制程中形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光組件，其特征在于，還包括: 一厚金屬層，配置于該第二貫孔內(nèi)，且該厚金屬層的厚度大于或等于該陰極的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光組件，其特征在于，該厚金屬層是位于該第二導(dǎo)電插塞上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光組件，其特征在于，該第二導(dǎo)電插塞是位于該厚金屬層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光組件，其特征在于，還包括: 一導(dǎo)電層，位于該封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)上，其中該導(dǎo)電層與該厚金屬層是于同一沉積制程中形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，該封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)的截面形狀是呈倒梯狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，該發(fā)光結(jié)構(gòu)還包括: 一第二電極，配置于該第一絕緣層上且與該第一電極彼此分離，該第二電極適于作為陽極，其中該第二絕緣層更具有一第二開口暴露出該第二電極；以及 一第二有機發(fā)光層，配置于該第二開口中以連接該第二電極，其中該陰極亦配置于該第二有機發(fā)光層上， 其中一第一發(fā)光單兀包括該第一電極、該第一有機發(fā)光層、與該陰極，一第二發(fā)光單兀包括該第二電極、該第二有機發(fā)光層、與該陰極。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，還包括: 一上蓋，配置于該陰極上，且該封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)是支撐于該上蓋與該第二絕緣層之間，以于該上蓋與該陰極之間形成一封閉空腔。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，該些發(fā)光結(jié)構(gòu)中的至少二個發(fā)光結(jié)構(gòu)的輔助電極相連。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，該些發(fā)光結(jié)構(gòu)中的至少二個發(fā)光結(jié)構(gòu)的輔助電極彼此電性絕緣。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，該輔助電極與該第一電極的材質(zhì)包括一透明導(dǎo)電材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光組件，其特征在于，該陰極為一透明膜層。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，該陰極為一透明膜層。
18.根據(jù)權(quán)利 要求17所述的發(fā)光組件,其特征在于,該第一電極的材質(zhì)包括一高反射性材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，該發(fā)光組件為一主動式有機發(fā)光二極管組件。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光組件，其特征在于，還包括: 一第一薄膜晶體管，配置于該基板上；以及 一第二薄膜晶體管，配置于該基板上，且該第一薄膜晶體管的一第三電極是電性連接該第二薄膜晶體管的一柵極，該第三電極為該第一薄膜晶體管的一源極或是一漏極，該第四電極與該第五電極為該第二薄膜晶體管的一源極與一漏極其中之一與另一，該第五電極與該第一電極電性連接。
全文摘要
本發(fā)明一實施例提供一種發(fā)光組件，包括一基板；多個發(fā)光結(jié)構(gòu)，配置于基板上，各發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一輔助電極，配置于基板上，且適于作為陰極；一第一絕緣層，配置于基板上并覆蓋輔助電極；一電極，配置于第一絕緣層上，且適于作為陽極；一第二絕緣層，配置于第一絕緣層上，且具有一第一開口暴露出電極；一有機發(fā)光層，配置于第一開口中以連接電極；一陰極，配置于有機發(fā)光層上；至少一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，貫穿第一絕緣層與第二絕緣層，并連接陰極與輔助電極；以及一封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)，配置于第二絕緣層上且圍繞陰極，其中封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)的厚度大于陰極的厚度。
文檔編號H01L27/32GK103219469SQ20121007569
公開日2013年7月24日 申請日期2012年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月20日
發(fā)明者顏精一, 葉樹棠, 許智杰, 林政偉, 陳光榮 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院