專利名稱：電子部件內(nèi)藏基板以及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子部件內(nèi)藏基板以及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在電子行業(yè)中不斷要求電子機(jī)器的更加小型化、薄型化、高密度安裝化，即使相對(duì)于安裝有被用于電子機(jī)器的IC芯片等的所謂半導(dǎo)體裝置的有源部件(activecomponent);以及電容器、電感線圈、熱敏電阻、電阻等無(wú)源部件(passive components)等的電子部件的電路基板模塊也熱切希望有更進(jìn)一步的小型化和薄型化。最近，為了對(duì)應(yīng)于這樣的小型化以及薄型化的要求，有方案提出具有將電子部件埋設(shè)于基板內(nèi)部的高密度安裝構(gòu)造的電子部件內(nèi)藏基板。
像這樣的電子部件內(nèi)藏基板例如是通過(guò)以下所述而形成的，S卩，在將電子部件埋設(shè)于由樹脂或者樹脂組合物構(gòu)成的絕緣層之后，在該電子部件的端子上的絕緣層上由激光加工或者噴砂(blast)加工穿設(shè)貫通孔(via hole)和插頭(plug)用通孔的連接孔從而使端子導(dǎo)體露出，并實(shí)施包括其連接孔內(nèi)部在內(nèi)的金屬電鍍等，經(jīng)由絕緣層將配線(線路圖形)連接于電子部件的端子。那時(shí)，為了良好地使電子部件的端子導(dǎo)體與配線導(dǎo)體相連接而對(duì)其端子的各種各樣的構(gòu)造作了研討。例如，在專利文獻(xiàn)I中記載有以下所述電子部件安裝構(gòu)造，即，該電子部件安裝構(gòu)造具備電子部件，該電子部件被構(gòu)成為，在半導(dǎo)體裝置的連接墊(端子)為Al的情況下，為了防止由激光加工蝕刻Al而損傷連接墊或者半導(dǎo)體裝置，該連接墊由Al膜/Ni 膜 /Cu 膜、Al 膜 /Ni 膜 /Au 膜、Al 膜 /Ni 膜 /Cu 膜 /Au 膜、Al 膜 /Ni 膜 /Ag 膜、Al 膜 /Cr膜/Cu膜、Al膜/導(dǎo)電性膏體膜、Al膜/Ti膜/導(dǎo)電性膏體膜、Al膜/Cr膜/導(dǎo)電性膏體膜、以及Al膜/Ti膜/Cu膜(任意一種都是從下層開始的層疊順序)中的任意一種構(gòu)成?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本專利申請(qǐng)公開2008-288607號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題然而，關(guān)于上述現(xiàn)有的電子部件安裝構(gòu)造，連接墊的上層膜(Al膜上的膜)的在激光加工過(guò)程中的蝕刻速率因?yàn)樾∮贏l膜的蝕刻速率，該上層膜能夠作為激光蝕刻阻擋層而起作用，但是本發(fā)明人在對(duì)其進(jìn)行了仔細(xì)研究之后，判明該上層膜和配線導(dǎo)體的在連接部位上的電阻會(huì)發(fā)生不良增大從而導(dǎo)致導(dǎo)電特性惡化的可能。特別是在具有被高集成化的細(xì)微構(gòu)造的電子部件內(nèi)藏基板中，從提高裝置整體性能的觀點(diǎn)出發(fā)，盡管電子部件的導(dǎo)電特性只有一點(diǎn)點(diǎn)下降那也是不可取的。而且，關(guān)于專利文獻(xiàn)I所記載的技術(shù)是推薦盡可能增厚上層膜的膜厚并且盡可能增大其連接墊面積(參照專利文獻(xiàn)I的第0051段)，這樣說(shuō)來(lái)也就可以推測(cè)導(dǎo)電特性的惡化會(huì)變得更為顯著。
因此，本發(fā)明是鑒于以上所述的技術(shù)問(wèn)題而完成，其目的在于提供能夠有效防止電子部件的損傷以及起因于該損傷的不良狀況的發(fā)生和產(chǎn)品合格率降低，同時(shí)減小電子部件的端子與配線的連接部位上的電阻從而改善導(dǎo)電特性，并還能夠進(jìn)一步提高IC端子與樹脂絕緣層的緊密附著性的電子部件內(nèi)藏基板以及其制造方法。解決技術(shù)問(wèn)題的手段為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明人專注于電子部件上的連接墊等端子的構(gòu)造以及材質(zhì)等與配線后的電連接性以及機(jī)械性的粘合性之間的 關(guān)系并經(jīng)反復(fù)悉心研究，從而完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)藏基板具備基板；電子部件，具有端子(外部連接用的外部端子)并且被載置于所述基板上；絕緣層，以覆蓋所述電子部件的形式而形成；配線層，與所述電子部件的所述端子相電連接；所述電子部件的所述端子具有多層金屬層，并且所述多層金屬層具有最外層以及位于比該最外層更下層側(cè)的連接層的至少2層，所述最外層其電阻高于所述連接層或者所述配線層，且在與所述絕緣層相接觸的部位形成所述最外層，所述絕緣層與所述最外層被直接粘合，在與所述配線層相接觸的部位不形成所述最外層，所述配線層與所述連接層不通過(guò)所述最外層進(jìn)行電連接。還有，在本說(shuō)明書中所謂“電子部件內(nèi)藏基板”不只是內(nèi)藏有電子部件的單位基板的個(gè)別基板(單片、單品)，且包括具有多個(gè)該個(gè)別基板的集合基板(工作板、工作片)。另外，“電子部件”的種類并沒(méi)有特別的限制，例如可以列舉像CPU (Central ProcessingUnit)和DSP (Digital Signal Processor)那樣工作頻率非常高的數(shù)字1C、F-Rom和SDRAM等記憶儲(chǔ)存類IC ;高頻放大器或天線開關(guān)、所謂高頻振蕩電路的模擬IC等有源部件(active component);可變電阻、電阻以及電容器等無(wú)源部件(passive components)等。而且，在電子部件內(nèi)藏基板中的絕緣層以及/或者配線層不限于單層，即使具有所謂分別層疊了各為多層的絕緣層以及配線層的多層構(gòu)造當(dāng)然也是可以的。另外，多層金屬層在最外面具有最外層，只要是具有連接層被層疊于其下層側(cè)的多層構(gòu)造的話，則具有什么樣的層疊構(gòu)造都是可以的，例如除了最外層以及連接層被直接接觸層疊的方式之外，還包含最外層以及連接層經(jīng)由中間層(其他金屬層)被層疊的方式。上述構(gòu)成的電子部件內(nèi)藏基板因?yàn)樵谂c配線層相接觸的部位沒(méi)有形成最外層，所以不經(jīng)由電阻相對(duì)較高的最外層，端子(連接層)與配線層被直接電連接。由此。就能夠防止在電子部件的端子與配線層的連接部位上的電阻發(fā)生增大。另外，因?yàn)樵谂c絕緣層相接觸的部位形成最外層，且該最外層和絕緣層被直接粘接，所以與連接層相比通過(guò)采用緊密附著性優(yōu)異的最外層，從而電子部件的端子(端子部分)與絕緣層的緊密附著性與絕緣層被粘接于連接層的方式相比有效地得到了提高。另外，從進(jìn)一步更加切實(shí)地防止在電子部件的端子上的連接層被損傷的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選電子部件的端子在連接層與最外層之間具有例如相對(duì)于蝕刻處理或噴砂處理作為阻擋層而起作用的金屬層(蝕刻阻擋層)。在此，蝕刻阻擋層與最外層相比優(yōu)選為電阻低的材料。作為構(gòu)成蝕刻阻擋層的金屬，例如可以列舉鎳Ni。像這樣在采用在最外層與連接層之間具有蝕刻阻擋層的方式的情況下，在所述開口形成工序中優(yōu)選連接配線層與蝕刻阻擋層，并且不經(jīng)由最外層就使配線層與連接層作電連接。如果采用該連接方式的話，則不僅能夠防止電阻增大，而且還能夠更加切實(shí)地防止在進(jìn)行蝕刻處理或噴砂處理的時(shí)候的連接層發(fā)生損傷。更具體地，如果電子部件的端子的最外層為含有Pd或者Au的層(包含金屬、合金、復(fù)合金屬)的話，因?yàn)槟軌蜻M(jìn)一步提高端子與絕緣層的緊密附著性，所以更為優(yōu)選。另夕卜，如果電子部件的端子的連接層為含有Al或者Cu或者這些金屬合金的層(包括金屬、合金、復(fù)合金屬)的話，因?yàn)槟軌蚋M(jìn)一步抑制在電子部件的端子與配線層的連接部位上的電阻發(fā)生增大，所以更為優(yōu)選。另外，本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)藏基板的制造方法，其特征在于能夠有效地制作出上述本發(fā)明的電子部件內(nèi)藏基板，具備載置工序，將具有端子(外部連接用的外部端子)的電子部件載置于例如樹脂等的適宜的基板上；絕緣層形成工序，以覆蓋所述電子部件的形式例如使未被固化的樹脂層進(jìn)行固化從而形成絕緣層；開口形成工序，以所述電子部件的所述端子的一部分露出的形式，將開口形成于所述絕緣層；配線層形成工序，以與所述電子部件的所述端子電連接的形式，將配線層至少形成于所述開口的內(nèi)部；所述端子具有多層金屬層，并且所述多層金屬層具有最外層以及至少2層位于比該最外層更下層側(cè)的連接層，所述最外層其電阻高于所述連接層或者所述配線層，在所述開口形成工序中至少除去一部分所述端子的所述最外層，不經(jīng)由所述最外層而使所述配線層與所述連接層相電 連接。由該方法進(jìn)行制得的電子部件內(nèi)藏基板，其電子部件相對(duì)于基板在以所謂面朝上進(jìn)行載置的狀態(tài)下被內(nèi)設(shè)于絕緣層，電子部件的端子部分其一部分與配線層相連接并且其剩余部分(其他部分)以粘接于絕緣層的狀態(tài)被固定。在此，在開口形成時(shí)最外層的至少一部分被除去，且配線層與連接層不經(jīng)由電阻比較高的最外層而進(jìn)行電連接。由此，就能夠防止在電子部件的端子與配線層的連接部位上的電阻發(fā)生增大。另外，在加工絕緣層并形成開口的時(shí)候，通過(guò)最外層被除去，能夠抑制對(duì)電子部件的端子上的連接層產(chǎn)生損傷。而且，與連接層相比通過(guò)采用緊密附著性優(yōu)異的最外層，從而電子部件的端子(端子部分)與絕緣層的緊密附著性與絕緣層被粘接于連接層的方式相比有效地得到了提高。另外，在開口形成工序中形成開口的處理(加工手段)可以適當(dāng)利用公知的方法，沒(méi)有特別的限定。具體可以列舉噴砂處理和激光處理等，在這兩個(gè)處理手段中尤其是從防止在對(duì)絕緣層進(jìn)行穿孔開口的時(shí)候會(huì)發(fā)生的起因于靜電的帶電而保護(hù)電子部件的觀點(diǎn)出發(fā)優(yōu)選濕法噴砂處理。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的電子部件內(nèi)藏基板以及其制造方法，因?yàn)榕渚€層不經(jīng)由電阻比較高的最外層而與位于比該最外層更下層側(cè)的電阻比較低的連接層相連接，所以抑制了該部位的電阻增大，而且，在將開口加工形成于絕緣層的時(shí)候，在電子部件的端子上的下層側(cè)的連接層由最外層而得到保護(hù)，因而其損傷也就被抑制了。另外，通過(guò)采用與絕緣層的緊密附著性優(yōu)異的最外層，與絕緣層被粘接于連接層的方式相比，電子部件的端子(端子部分)與絕緣層的緊密附著性有效地得到了提高。因此，能夠有效地防止起因于電子部件與絕緣層的剝離和端子損傷而造成的電子部件內(nèi)藏基板的不良狀況的發(fā)生和合格率的降低，并且能夠減小電子部件的端子導(dǎo)體與配線導(dǎo)體的連接部位上的電阻，從而提高導(dǎo)電特性。


圖I是表示由本發(fā)明所涉及的一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制造電子部件內(nèi)藏基板的狀態(tài)的流程圖。圖2是表示由本發(fā)明所涉及的一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制造電子部件內(nèi)藏基板的狀態(tài)的流程圖。圖3是表示由本發(fā)明所涉及的一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制造電子部件內(nèi)藏基板的狀態(tài)的流程圖。圖4是表示由本發(fā)明所涉及的一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制造電子部件內(nèi)藏基板的狀態(tài)的流程圖。圖5是表示由本發(fā)明所涉及的一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制造電子部件內(nèi)藏基板的狀態(tài)的流程圖。圖6是表示由本發(fā)明所涉及的一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制造電子部件內(nèi)藏基板的狀態(tài)的 流程圖。圖7是表示由本發(fā)明所涉及的一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制造電子部件內(nèi)藏基板的狀態(tài)的流程圖。圖8是表示由本發(fā)明所涉及的一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制造電子部件內(nèi)藏基板的狀態(tài)的流程圖，是圖7中的A部的放大示意圖。圖9是表示由本發(fā)明所涉及的一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制造電子部件內(nèi)藏基板的狀態(tài)的流程圖。圖10是表示由本發(fā)明所涉及的一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制造電子部件內(nèi)藏基板的狀態(tài)的流程圖。符號(hào)說(shuō)明I.電子部件2.端子電極10.基體11.絕緣層12.貫通導(dǎo)體13.配線層14.絕緣層20.基板31.絕緣層32.導(dǎo)體層33.導(dǎo)體掩模41.導(dǎo)體層42.貫通導(dǎo)體43.配線層100.電子部件內(nèi)藏基板201.第I金屬層(連接層)202.第2金屬層(蝕刻阻擋層)203.第3金屬層(最外層)D.虛設(shè)材料
V.貫通孔(開口)P.鈍化膜
具體實(shí)施例方式以下參照附圖就本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。還有，上下左右等位置關(guān)系沒(méi)有特別的限定，基于圖面所表示的位置關(guān)系。另外，圖面的尺寸比例并不限定于圖示的比例。而且，以下所述實(shí)施方式是為了說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)例示，并不是將本發(fā)明僅僅限定于該實(shí)施方式的宗旨。再有，本發(fā)明只要不脫離其宗旨，各種各樣的變形都是可能的。圖I 圖10是表示根據(jù)本發(fā)明的電子部件內(nèi)藏基板制造方法的優(yōu)選的一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制造本發(fā)明的電子部件內(nèi)藏基板的狀態(tài)的工藝流程圖(主要部分放大截面圖)，具體是表示作為工作板內(nèi)藏多個(gè)電子部件的多層印刷基板的制造工序的一個(gè)例子的圖。此夕卜，圖8是圖7中的A部的放大示意圖。
在此,首先,準(zhǔn)備例如將Cu箔等金屬膜貼合于由環(huán)氧玻璃(glass epoxy)形成的絕緣層11的兩面而形成的基材(工作板)，即雙面CCL(Copper Clad Laminate)。接著，對(duì)其進(jìn)行鉆孔以及激光穿孔從而開口成貫通孔，在進(jìn)一步進(jìn)行非電解電鍍以及電解電鍍之后，通過(guò)由公知的手法對(duì)金屬層進(jìn)行圖形化，從而制得將貫通導(dǎo)體12形成于絕緣層11中以及將配線層(線路圖形)13形成于絕緣層11的兩面的基體10 (圖I)。而且，由真空壓合等將例如樹脂薄片等層疊于該基體10的單面，從而制得進(jìn)一步將絕緣層14形成于配線層13上的基板20(圖2)。如以上所述，基板20具有RCC(Resin Coated Copper)構(gòu)造。此外，作為配線層13的材質(zhì)并沒(méi)有特別的限制，除了上述的Cu之外，例如還可列舉Au、Ag、Ni、Pd、Sn、Cr、Al、W、Fe、Ti、SUS材等金屬導(dǎo)電材料，在這些金屬導(dǎo)電材料中尤其是從導(dǎo)電率和成本的觀點(diǎn)出發(fā)優(yōu)選為Cu(有關(guān)其他配線層也是相同的)。另外，被用于絕緣層11的材料如果是能夠被成形成薄片狀或者薄膜狀的材料，則沒(méi)有特別的限制而都可被使用，除了上述環(huán)氧玻璃之外，例如還可列舉乙烯基芐基樹脂(vinyl benzyl resin)、聚乙烯基節(jié)基醚化合物樹脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹脂(bismaleimide triazine resin, BT 樹月旨)、聚苯醚(polyphenylene ether oxide)樹月旨(PPE, ΡΡ0)、氰酸酯樹脂(cyanate ester resin)、環(huán)氧+活性酯固化樹脂、聚苯醚樹脂(polyphenylene oxide resin)、固化性聚烯烴樹脂、苯并環(huán)丁烯樹脂、聚酰亞胺樹脂、芳香族聚酯樹脂、芳香族液晶聚酯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、氟樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、或者苯并惡嗪樹脂的單體、或者在這些樹脂中添加二氧化硅、滑石、碳酸鈣、碳酸鎂、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硼酸鋁晶須、鈦酸鉀纖維、氧化鋁、玻璃片、玻璃纖維、氮化鉭、氮化鋁等的材料，進(jìn)一步在上述這些樹脂中添加含有鎂、硅、鈦、鋅、鈣、鍶、鋯、錫、釹、釤、鋁、鉍、鉛、鑭、鋰以及鉭當(dāng)中至少I種金屬的金屬氧化物粉末的材料，另外，將玻璃纖維以及芳綸纖維等的樹脂纖維等調(diào)配到上述這些樹脂中的材料，或者，使上述這些樹脂浸透玻璃布、芳綸纖維以及無(wú)紡布等的材料等等，從電氣特性、機(jī)械特性、吸水性、耐回流焊特性等觀點(diǎn)出發(fā)可以對(duì)上述材料作適當(dāng)選擇來(lái)進(jìn)行使用。接著，將電子部件I載置于絕緣基板14上(圖3 :載置工序)。該電子部件I例如是裸芯片狀態(tài)的半導(dǎo)體IC (裸芯片Die)，在成為大致矩形板狀的主面上具有多個(gè)端子(電極)2。此外，在所表示的圖面中只表示了 2個(gè)端子電極2，除此之外的端子電極的表示則被省略。另外，關(guān)于端子2以及其周邊的構(gòu)造將在后面進(jìn)行敘述。而且，對(duì)電子部件I的背面進(jìn)行研磨，由此，電子部件I的厚度與通常的半導(dǎo)體IC相比被減薄了。具體是電子部件I的厚度例如為200μπι以下，優(yōu)選為50 ΙΟΟμπι左右。在此情況下，電子部件I的背面研磨處理優(yōu)選在其被形成的時(shí)候以晶片(wafer)狀態(tài)對(duì)于多個(gè)電子部件I總括起來(lái)一起進(jìn)行實(shí)施，之后，通過(guò)劃片分離成單個(gè)電子部件I。作為其他方法也可以在由研磨處理進(jìn)行減薄之前，通過(guò)劃片而進(jìn)行裁斷分離或者半切割等，從而成為單個(gè)電子部件I的情況下，以由熱固化性樹脂等覆蓋電子部件I的主面的狀態(tài)研磨電子部件的背面。而且，電子部件I的背面為了薄膜化或者提高緊密附著性而優(yōu)選實(shí)施由蝕刻、等離子處理、激光處理、噴砂處理、拋光研磨、藥品處理等進(jìn)行的表面粗化處理。另外，在對(duì)后面所述的電子部件I上實(shí)施絕緣層形成的工序中，在基板20的外周部的樹脂露出至基板20外的情況下，會(huì)有起因于絕緣層的厚度變薄而在基板20整體(工作板)發(fā)生翹曲的現(xiàn)象。另外，在電子部件I的對(duì)基板20上進(jìn)行搭載的位置偏向于局部的情況下也同樣會(huì)產(chǎn)生基板20翹曲。因此，為了謀求到絕緣層厚度的均勻化和對(duì)翹曲的抑、制，以搭載與電子部件I相同等級(jí)的所謂虛設(shè)材料D的形式進(jìn)行處理也是可以的(圖4)。在此情況下，虛設(shè)材料D對(duì)基板20上的載置既可以先于電子部件I的載置進(jìn)行實(shí)施，也可以與電子部件I的載置同時(shí)進(jìn)行實(shí)施。作為能夠使用的虛設(shè)材料D例如如果是滿足下述式⑴以及⑵的材料，則能夠不受特別限制進(jìn)行使用。α I 彡 α 3(1)α 2 彡 a 3(2)在此，α I是表示電子部件I的線膨脹系數(shù)(ppm/K)，α 2是表示虛設(shè)材料D的線膨脹系數(shù)(ppm/K)，α 3是表示各個(gè)配線層或者各個(gè)絕緣層的線熱膨脹系數(shù)(ppm/K)。例如，關(guān)于被用于這種用途的電子部件、基板、配線層以及絕緣層，一般α I為I 8 (ppm/K)左右，α 3為14 20 (ppm/K)左右，α 2為3 16 (ppm/K)左右。更為具體的是作為虛設(shè)材料D可以列舉線膨脹系數(shù)為3 16 (ppm/K)的金屬、合金以及樹脂等，例如可以優(yōu)選使用SUS430 [線膨脹系數(shù)10. 5 (ppm/K)]。然后，在電子部件I以及虛設(shè)材料D被平置的基板20上以覆蓋電子部件以及虛設(shè)材料D的形式形成絕緣層31以及導(dǎo)體層32 (圖5 :絕緣層形成工序)，而且，通過(guò)蝕刻除去該導(dǎo)體層32的一部分，從而形成具有必要的導(dǎo)體線路圖形的導(dǎo)體掩模33 (之后成為后面所述的導(dǎo)體層41以及配線層43的一部分)(圖6)。此時(shí)，絕緣層31的形成優(yōu)選為例如在涂布了未固化或者半固化狀態(tài)的熱固化性樹脂之后，如果是未固化樹脂的話則對(duì)其進(jìn)行加熱并使其半固化，進(jìn)一步使用壓制單元與導(dǎo)體層32 —起進(jìn)行固化成形。以以上所述形式進(jìn)行加工的話，則能夠提高導(dǎo)體層32、絕緣層31、電子部件I以及虛設(shè)材料D各自的緊密附著性。接著，由公知的噴砂處理對(duì)從沒(méi)有被蝕刻除去的導(dǎo)體掩模33的開口圖形露出的絕緣層31進(jìn)行切削，在電子部件I的端子2上以及在基板20的單面?zhèn)鹊呐渚€層13的一部分上面形成貫通孔V (開口)(圖7 :開口形成工序)。由此，電子部件I的端子2以及基板20的配線層13的一部分在貫通孔V內(nèi)露出。此外，貫通絕緣層31而在基板20的配線層13上進(jìn)行開口的貫通孔V作為內(nèi)部貫通孔而起作用。此外，作為噴砂處理的種類并沒(méi)有特別的限制，從防止由在將貫通孔V穿孔于絕緣層31的時(shí)候所會(huì)發(fā)生的靜電而引起的帶電、并保護(hù)電子部件I的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為濕法噴砂(wet blast)處理。在此，如以上所述圖8是放大表示圖7中的A部的示意圖。在同圖中，在電子部件I的主面上形成有鈍化膜P。作為該鈍化膜P的材質(zhì)只要是非導(dǎo)電材料則沒(méi)有特別的限制。另外，電子部件I的端子2具有層疊了多層金屬層的構(gòu)造。即，端子2為一種層疊導(dǎo)電端子，在裸芯片狀態(tài)的電子部件I的墊電極，即Al以及/或者Cu或含有這些金屬的第I金屬層201(連接層)上，按下述順序?qū)盈B了例如以電子部件I形成時(shí)的晶片(wafer)狀態(tài)總括起來(lái)一起進(jìn)行成膜的具有導(dǎo)電性的第2金屬層202(蝕刻阻擋層)以及第3金屬層
203(最外層)。在本實(shí)施方式中，第3金屬層203 (最外層)是采用其電阻高于第I金屬層201 (連接層)或者第2金屬層202 (蝕刻阻擋層)的材料。這第2金屬層202以及第3金屬層203例如可由非電解(置換)電鍍、電解電鍍、憑借濺射的蒸鍍、焊膏的印刷、納米膏體的印刷或者這些方法的適當(dāng)組合進(jìn)行形成，作為這些膜的總膜厚例如優(yōu)選為I ΙΟμπι左右，另外，優(yōu)選為超過(guò)鈍化膜P的上表面的厚度。該端子2的構(gòu)造的優(yōu)選例子具體為按第I金屬層201、第2金屬層202以及第3金屬層203 (此外，也可以各層具有多層層疊構(gòu)造)的順序可以列舉Al/Ni/Pd、Al/Ni/Au、Al/Ni/Pd/Au、Cu/Ni/Pd、Cu/Ni/Au、Cu/Ni/Pd/Au、Al/Cu/Ni/Pd、Al/Cu/Ni/Au、Al/Cu/Ni/Pd/Au、Al-Cu合金/Ni/Pd、Al-Cu合金/Ni/Au、Al_Cu合金/Ni/Pd/Au等。在這些組合中尤其是無(wú)需將掩模作為必要而能夠總括起來(lái)一起直接形成薄膜，如果是考慮與絕緣層31的緊密附著性、作為蝕刻阻擋層的耐腐蝕性以及與配線層的電連接性的話，則優(yōu)選為在電子部件I的墊電極，即第I金屬層201上使用非電解電鍍形成作為第2金屬層202以及第3金屬層203的Ni/Pd膜、Ni/Au膜或者至少含有這些中的任意一種的合金或者復(fù)合金屬的層疊膜。如果要作更為詳細(xì)的說(shuō)明的話，則在電子部件I的端子2的最外層金屬與被用于絕緣層31的材料的緊密附著性為較差的情況下，在將后面所述的貫通導(dǎo)體形成于貫通孔V內(nèi)的時(shí)候的電鍍處理之前的預(yù)處理過(guò)程中，預(yù)處理液混入到端子2的最外層與絕緣層31之間，起因于該狀況而造成的結(jié)果將會(huì)是由于端子2的被腐蝕從而使得配線電阻的不良狀況程度變大，最壞的情況恐怕會(huì)導(dǎo)致斷線。相對(duì)于此，作為端子2的最外層的第3金屬層203的構(gòu)成金屬，如果是特別使用電鍍形成的Pd或者Au的話則能夠大大地提高與絕緣層31的緊密附著性。另一方面，在追求更為長(zhǎng)期的質(zhì)量的情況下，因?yàn)橛煞请娊怆婂冃纬傻腘i以及Au膜的方法恐怕會(huì)由于P(磷)的高濃度偏析(black pad(黑墊))而引起Ni的腐蝕,所以第3金屬層203的構(gòu)成金屬優(yōu)選為Pd。但是，Pd與被優(yōu)選使用于電子部件I的配線等的Cu和Al等相比有著電阻值偏高的傾向。因此，如圖8所示在貫通孔V形成加工時(shí)除去如以上所述電阻值比較高的最外層的第3金屬層203。為了容易地實(shí)施這一除去處理，而優(yōu)選第3金屬層203的厚度為例如O. 01 I μ m左右。另外，最外層的第3金屬層203與墊電極(端子2的最下層)即第I金屬層201之間的中間層第2金屬層202的厚度，為了防止墊電極被損傷或發(fā)生消失以及更進(jìn)一步為了防止在墊電極發(fā)生消失的時(shí)候損傷電子部件I本體，而優(yōu)選為例如2 IOym左右。此外，如果能夠確保第I金屬層201為不發(fā)生損傷的厚度的話，則第2金屬層可以薄一點(diǎn)，而且即使沒(méi)有也是可以的。接著，經(jīng)過(guò)將除去暴露于貫通孔V內(nèi)的表面導(dǎo)體(第2金屬層202)的氧化膜等作為目的的適當(dāng)?shù)念A(yù)處理，接著通過(guò)以覆蓋貫通孔V的內(nèi)壁面以及底壁面、絕緣層31以及導(dǎo)、體掩模33的形式施以非電解電鍍以及電解電鍍并使配線導(dǎo)體生長(zhǎng)，從而在導(dǎo)體掩模33上層疊形成導(dǎo)體層41，并且形成連接電子部件I的端子2和導(dǎo)體層41、以及基板20的配線層13和導(dǎo)體層41的貫通導(dǎo)體42(圖9)。于是，通過(guò)相對(duì)于導(dǎo)體層41施以部分性的蝕刻，從而形成具有所希望的線路圖形的配線層43 (貫通導(dǎo)體42也成為其中的一部分)，并制得本發(fā)明所涉及的電子部件內(nèi)藏基板100 (圖10 :從由圖9以及圖10所表示的加工程序構(gòu)成配線層形成工序)。根據(jù)如此的本實(shí)施方式的電子部件內(nèi)藏基板以及其制造方法，雖然采用了比第I金屬層201 (連接層)或者第2金屬層202 (蝕刻阻擋層)更高電阻的第3金屬層203 (最外層)，但是在形成貫通孔V的時(shí)候，除去該第3金屬層203 (最外層)的一部分并連接第2金屬層202 (蝕刻阻擋層)和配線層43，由此，第I金屬層201 (連接層)和配線層43不經(jīng)由第3金屬層203(最外層)而得到電連接。為此，就能夠減小在電子部件I的端子2與配線層43等配線的連接部位上的電阻，并能夠改善導(dǎo)電特性從而提高產(chǎn)品的可靠性。另外，構(gòu)成電子部件I的端子2的最外層，即第3金屬層203通過(guò)采用與絕緣層31的緊密附著性(粘結(jié)性)優(yōu)異的材料，從而在電子部件I的端子2 (最外層，即第3金屬層 203)與絕緣層31的連接部位上，也能夠?qū)烧叩木o密附著性做到一個(gè)非常牢固的程度。由此，在后處理過(guò)程中能夠切實(shí)地防止端子2發(fā)生損傷和斷線等。而且，電子部件I的端子2因?yàn)榫哂凶鳛槲g刻阻擋層而起作用的規(guī)定厚度的第2金屬層202，所以將變得能夠切實(shí)地抑制電子部件I的墊電極即第I金屬層201的損傷或者消失，并進(jìn)一步能夠切實(shí)地抑制電子部件I的損傷。根據(jù)以上所述內(nèi)容就能夠有效地防止電子部件I的損傷和起因于該損傷的不良狀況的發(fā)生或者合格率的降低，同時(shí)，如果是從前的話，也就是設(shè)想通過(guò)在電子部件I的端子2的墊電極(第I金屬層201)上逐個(gè)形成螺柱凸點(diǎn)(stud bump)等凸點(diǎn)(bump)來(lái)謀求對(duì)墊電極的保護(hù)，然而，相對(duì)于所花的大量時(shí)間和成本，根據(jù)上述本發(fā)明的實(shí)施方式，因?yàn)椴恍枰瘳F(xiàn)有那樣的凸點(diǎn)形成，所以也就能夠進(jìn)一步大幅度地改善產(chǎn)品的生產(chǎn)性以及經(jīng)濟(jì)性。還有，如以上所述本發(fā)明并不限定于上述各個(gè)實(shí)施方式，只要不變更其宗旨任何各種各樣的變形都是可能的。例如，在圖5中對(duì)于形成絕緣層31以及導(dǎo)體層32來(lái)說(shuō)，作為上述實(shí)施方式的代替手段也可以在先只形成絕緣層31，之后再用非電解電鍍以及電解電鍍來(lái)形成導(dǎo)體層32。另外，在電子部件I上的鈍化膜P從降低成本的觀點(diǎn)等出發(fā)即使沒(méi)有也是可以的。而且，電子部件I的端子2上的第2金屬層202即使沒(méi)有也可以。而且，對(duì)于中繼孔V的切削加工來(lái)說(shuō)，代替噴砂處理而使用例如依賴于二氧化碳?xì)怏w激光等高輸出脈沖激光的加工處理也是可以的。再者，例如通過(guò)重復(fù)由圖3至圖10所表示的工序，從而就能夠制造出具有更多層數(shù)的多層構(gòu)造的電子部件內(nèi)藏基板。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性如同以上說(shuō)明，根據(jù)本發(fā)明的電子部件內(nèi)藏基板以及其制造方法，因?yàn)榕c現(xiàn)有技術(shù)相比能夠謀求到生產(chǎn)性、經(jīng)濟(jì)性以及可靠性的提高，所以本發(fā)明能夠廣泛而且有效地利用于內(nèi)藏電子部件的設(shè)備、裝置、系統(tǒng)、各種設(shè)備等，特別是要求小型化以及高性能化的裝置以及它們的制造。
權(quán)利要求
1.一種電子部件內(nèi)藏基板，其特征在干， 具備 基板； 電子部件，具有端子并且被載置于所述基板上； 絕緣層，以覆蓋所述電子部件的形式形成；以及 配線層，與所述電子部件的所述端子電連接， 所述電子部件的所述端子具有多層金屬層，并且所述多層金屬層具有最外層以及位于比該最外層更下層側(cè)的連接層中的至少2層，所述最外層其電阻高于所述連接層或者所述配線層，且在與所述絕緣層接觸的部位形成所述最外層，所述絕緣層與所述最外層被直接 粘合，在與所述配線層接觸的部位不形成所述最外層，所述配線層與所述連接層不經(jīng)由所述最外層而進(jìn)行電連接。
2.如權(quán)利要求I所述的電子部件內(nèi)藏基板，其特征在干， 所述最外層為含有Pd或者Au的層。
3.如權(quán)利要求I所述的電子部件內(nèi)藏基板，其特征在干， 所述連接層含有Al或者Cu或者這些的合金。
4.如權(quán)利要求I 3中任意一項(xiàng)所述的電子部件內(nèi)藏基板，其特征在干， 在所述最外層以及所述連接層之間具有蝕刻阻擋層， 在與所述配線層接觸的部位，所述配線層與所述蝕刻阻擋層連接，并且所述配線層與所述連接層不經(jīng)由所述最外層而進(jìn)行電連接。
5.一種電子部件內(nèi)藏基板的制造方法，其特征在干， 具備 載置エ序，將具有端子的電子部件載置于基板上； 絕緣層形成エ序，以覆蓋所述電子部件的形式形成絕緣層； 開ロ形成エ序，以所述電子部件的所述端子的一部分露出的形式將開ロ形成于所述絕緣層；以及 配線層形成エ序，以與所述電子部件的所述端子電連接的形式將配線層至少形成于所述開ロ的內(nèi)部， 所述端子具有多層金屬層，并且所述多層金屬層具有最外層以及位于比該最外層更下層側(cè)的連接層中的至少2層，所述最外層其電阻高于所述連接層或者所述配線層， 在所述開ロ形成エ序中，至少除去一部分所述端子的所述最外層，不經(jīng)由所述最外層而使所述配線層與所述連接層電連接。
6.如權(quán)利要求5所述的電子部件內(nèi)藏基板的制造方法，其特征在干， 所述最外層為含有Pd或者Au的層。
7.如權(quán)利要求5所述的電子部件內(nèi)藏基板的制造方法，其特征在干， 所述連接層含有Al或者Cu或者這些的合金。
8.如權(quán)利要求5所述的電子部件內(nèi)藏基板的制造方法，其特征在干， 在所述最外層以及所述連接層之間具有蝕刻阻擋層， 在所述開ロ形成エ序中，連接所述配線層與所述蝕刻阻擋層，并且不經(jīng)由所述最外層而使所述配線層與所述連接層電連接。
9.如權(quán)利要求5 8中任意一項(xiàng)所述的電子部件內(nèi)藏基板的制造方法,其特征在于，在所述開ロ形成エ序中，由濕法噴砂處理形 成所述開ロ。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供能夠防止電子部件的損傷并且能夠減小電子部件與配線的連接部位上的電阻，從而改善導(dǎo)電特性以及進(jìn)一步還能夠提高IC端子與樹脂絕緣層的緊密附著性的電子部件內(nèi)藏基板以及其制造方法。在將電子部件(1)等載置于基板(20)上面并且在其之上設(shè)置絕緣層(31)之后，將貫通孔(V)穿設(shè)于電子部件(1)的端子(2)上的絕緣層(31)。電子部件(1)的端子(2)具有例如第1金屬層(201)、第2金屬層(202)以及第3金屬層(203)的層疊構(gòu)造。在貫通孔(V)形成的時(shí)候，除去電阻比較高的第3金屬層(203)的一部分，并將包含貫通導(dǎo)體的配線層連接于該部位。另外，第3金屬層(203)優(yōu)選使用與絕緣層(31)的緊密附著性優(yōu)異的材料。
文檔編號(hào)H01L23/528GK102738116SQ201210093530
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月31日
發(fā)明者鈴木義弘, 露谷和俊 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社