專利名稱：高壓發(fā)光體、發(fā)光體及照明裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光體、含有這種發(fā)光體的系統(tǒng)、以及制作這種發(fā)光體和其系統(tǒng)的方法，在某些方面，本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件的外部互連陣列。
背景技術(shù)：
直到今天，具有最高出光率的發(fā)光二極管器件和發(fā)光二極管封裝(LED)(芯片特異性高于封裝特異性)一般具有跟電源芯片( 0. 9-lmmXO. 9-lmm的LED)相比較小的LED芯片( 300微米X 300微米)。圖I是具有兩個(gè)“頂側(cè)”觸頭的傳統(tǒng)InGaN發(fā)光二極管的示意圖。所述發(fā)光二極管一般包括基底，如藍(lán)寶石或SiC。所述基底可以是絕緣的或是半絕緣的。在基底上提供有一個(gè)或多個(gè)緩沖層。所述緩沖層可以是如AlN、GaN和/或AlGaN。在緩沖層上提供有N-型GaN接觸層。在N-型GaN接觸層上提供有量子阱層，一般是非常薄的InGaN和InAlGaN。在量子阱層上提供有P-型GaN接觸層。在P-型接觸層中提供開口以提供曝露的n-接觸區(qū)域，且還提供有量子阱層和N-型接觸層。在P-型GaN接觸層上提供P-型接觸層。所述器件的外圍可由蝕刻的溝槽界定，且可在所述器件的活性層的曝露表面提供鈍化/保護(hù)層。例如，所述鈍化/保護(hù)層可以是絕緣層，如SiO2或SiN。所述發(fā)光二極管一般形成在晶圓上，接著分割成各個(gè)晶粒以隨后進(jìn)行封裝或表面裝貼?；诘锏陌l(fā)光二極管，特別是基于多量子阱氮化物的發(fā)光二極管，是本領(lǐng)域技術(shù)人員所知悉的?？蓞⒁娒绹?guó)專利No. 6，958，497中的示例。已經(jīng)在努力開發(fā)采用固態(tài)發(fā)光體在各種應(yīng)用中取代白熾燈、熒光燈和其他發(fā)光器件。另外，在發(fā)光二極管(或其他固態(tài)發(fā)光體)已經(jīng)在使用的領(lǐng)域，正在努力開發(fā)具有改進(jìn)的光效的發(fā)光二極管(或其他固態(tài)發(fā)光體)。已經(jīng)在努力改進(jìn)公共基底(common substrate)上的發(fā)光二極管的性能,例如美國(guó)專利No. 6，635，503描述了發(fā)光二極管封裝簇；美國(guó)專利申請(qǐng)公開文本No. 2003/0089918描述了廣譜發(fā)光器件和用于制造該廣譜發(fā)光器件的方法和系統(tǒng)；
美國(guó)專利No. 6，547，249描述了在高阻基底上形成的單塊集成電路串/并聯(lián)發(fā)光二極管陣列；美國(guó)專利No. 7，009，199描述了具有集管(header)和反并聯(lián)發(fā)光二極管以用于從AC電流產(chǎn)生光的電子器件；美國(guó)專利No. 6，885，035描述了多芯片半導(dǎo)體發(fā)光二極管組件；美國(guó)專利No. 7，213，942和7，221，044分別描述了適合直接使用高AC或DC電壓的單芯片集成LED ；美國(guó)專利申請(qǐng)公開文本No. 2005/0253151描述了在高驅(qū)動(dòng)電壓和小驅(qū)動(dòng)電流上運(yùn)行的發(fā)光器件； 日本專利申請(qǐng)公開文本No. 2001-156331描述了在共用基底上形成的多個(gè)氮化半導(dǎo)體層(nitride semiconductor layer),在此,這些層是彼此電絕緣的，且各個(gè)氮化半導(dǎo)體層電連接到導(dǎo)線；日本專利申請(qǐng)公開文本No. 2001-307506描述了在共用半導(dǎo)體基底上形成的兩個(gè)或多個(gè)發(fā)光二極管；以及美國(guó)專利申請(qǐng)公開文本No. 2007/0202623描述了用于極小器件封裝(footprint)和小型白LED器件的晶圓級(jí)封裝。

發(fā)明內(nèi)容
“電源芯片(大面積LED)”在給定的LED發(fā)光(照明)應(yīng)用中是否具有一定的意義的問(wèn)題需要在系統(tǒng)水平進(jìn)行評(píng)估。也就是，需要考慮“芯片”(LED)效率、封裝效率、驅(qū)動(dòng)(AC到DC轉(zhuǎn)換)效率和光效。對(duì)于包含LED芯片(和/或一個(gè)或多個(gè)其他固態(tài)發(fā)光器件)的設(shè)備來(lái)說(shuō)，最佳性能的驅(qū)動(dòng)技術(shù)是具有“高電壓、低電流”而非“低電壓、高電流”。一般的小型LED芯片在 20-30mA的電流和 3伏的電壓下運(yùn)行，但是一般的電源芯片在_350mA和3伏運(yùn)行。在低驅(qū)動(dòng)電流下運(yùn)行的改進(jìn)的驅(qū)動(dòng)技術(shù)可看成如下a)在驅(qū)動(dòng)組件中產(chǎn)生固定的消耗(功率下降)。這些驅(qū)動(dòng)組件可由“pn結(jié)”制成，這樣每次在驅(qū)動(dòng)技術(shù)中增加一個(gè)結(jié)時(shí)，便會(huì)有功率損耗。因此，總的開銷(固定的功率消耗)可由每個(gè)LED分別攤銷，這樣升到高電壓線和多個(gè)LED的損耗優(yōu)于高電壓線和少量LED的損耗。b)與電流相關(guān)的功率損耗(電阻固定)是I2R。因此低電流途徑可達(dá)到高效。由此，“功率LED技術(shù)”可獲得80% _85%的驅(qū)動(dòng)效率，而標(biāo)準(zhǔn)LED技術(shù)可獲得95%的驅(qū)動(dòng)效率。本發(fā)明提供了一種發(fā)光體，其中所述發(fā)光體的激活(也就是，向其供電)激活所述發(fā)光體中包含的不止一個(gè)發(fā)光器件，也就是，所述發(fā)光體不是單個(gè)尋址的發(fā)光器件的陣列(如顯示器以及類似物的例子中示出的)。在本發(fā)明的第一方面中，提供了一種高壓發(fā)光體，包括通過(guò)共用基底機(jī)械連接的多個(gè)發(fā)光器件，且所述發(fā)光器件形成在所述共用基底上；機(jī)械或電連接到所述多個(gè)發(fā)光器件的互連載體(submount);其中，
所述發(fā)光器件由互連載體電互連以提供至少兩個(gè)串聯(lián)的發(fā)光器件子組構(gòu)成的陣列，每個(gè)子組包括至少三個(gè)并聯(lián)電連接的發(fā)光器件。本發(fā)明的這個(gè)方面的大面積結(jié)構(gòu)(以及如下所述的其他)包括一個(gè)陣列中電連接的多個(gè)發(fā)光器件。在此，這些陣列有些時(shí)候被稱為包括“行”和“列”。根據(jù)本發(fā)明的每個(gè)陣列具有至少三列發(fā)光器件。該陣列中的每“行”是一個(gè)并聯(lián)發(fā)光器件子組。該陣列中的每“列”包括來(lái)自每個(gè)子組的一個(gè)發(fā)光器件，也就是，所述陣列包括的列數(shù)等于每“行”(也就是，子組)中的發(fā)光器件的數(shù)量。然而，本發(fā)明并不限于各個(gè)子組中包括相同數(shù)量的發(fā)光器件的發(fā)光體，也就是，本發(fā)明還包括其中某些或全部子組包括不同數(shù)量的發(fā)光器件的發(fā)光體。這樣，所述陣列包括至少三列和至少兩行的發(fā)光器件。各種陣列在申請(qǐng)?zhí)枮開、名為“容錯(cuò)發(fā)光體、包含容錯(cuò)發(fā)光體的系統(tǒng)以及制造
容錯(cuò)發(fā)光體的方法”(代理備審案號(hào)931_056PR0 ;發(fā)明人Gerald H. Negley和Antony Paulvan de Ven)的共同受讓和同時(shí)申請(qǐng)的美國(guó)專利申請(qǐng)，以及2007年I月22日提交的、申請(qǐng)?zhí)枮?0/885，937、名為“高壓固態(tài)發(fā)光體”的美國(guó)專利申請(qǐng)(發(fā)明人Gerald H. Negley ;代理備審案號(hào)931056PR0)，2007年10月26日提交的、申請(qǐng)?zhí)枮?0/982，892、名為“容錯(cuò)發(fā)光體、包含容錯(cuò)發(fā)光體的系統(tǒng)以及制造容錯(cuò)發(fā)光體的方法”(發(fā)明人=Gerald H. Negley和Antony Paul van de Ven，代理備審案號(hào)931056PR02)的美國(guó)專利申請(qǐng)，以及2007年11月9日提交的、申請(qǐng)?zhí)枮?0/986，662(代理備審案號(hào)931056PR03)的美國(guó)專利申請(qǐng)中進(jìn)行了描述；其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。陣列電互連用于將一行中的發(fā)光器件的陽(yáng)極(和/或陰極)電連接到一起，且將同一行中的發(fā)光器件的陰極電連接到鄰近行的發(fā)光器件的陽(yáng)極。列數(shù)是指陽(yáng)極電連接到一起的發(fā)光器件的數(shù)量(也就是一個(gè)子組中器件的數(shù)量)。通過(guò)電連接這樣一個(gè)陣列中的發(fā)光器件，陣列的任一行中一個(gè)或多個(gè)發(fā)光器件故障將由同一行中的其他晶粒進(jìn)行補(bǔ)償。同樣地，通過(guò)電連接一個(gè)陣列中的發(fā)光器件，一列中一個(gè)或多個(gè)發(fā)光器件的故障將由該陣列中其他發(fā)光器件補(bǔ)償。優(yōu)選地，可包括更大數(shù)量或行以將更大面積的多晶粒發(fā)光體制造成高電壓發(fā)光體，以更好地降低電阻損耗。此處使用的表述“高電壓”，意指經(jīng)過(guò)發(fā)光體的電壓降至少是所述發(fā)光體中的一個(gè)發(fā)光器件的電壓降的三倍，也就是V彡至少三個(gè)串聯(lián)發(fā)光器件的Vf。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，并非所述多個(gè)發(fā)光器件中的所有發(fā)光器件都電互連成發(fā)光器件陣列。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述互連載體包括載體基底；位于所述載體上的絕緣體層；以及位于所述絕緣體層上且設(shè)置成將發(fā)光器件的相應(yīng)觸頭互連成所述發(fā)光器件陣列的導(dǎo)電元件圖案。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述互連載體進(jìn)一步包括設(shè)置在所述互連載體和絕緣體層之間的鏡面層。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，發(fā)光器件的全部電互連由導(dǎo)電元件圖案提供。
根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，發(fā)光器件的一部分互連由導(dǎo)電元件圖案提供，且一部分互連由所述多個(gè)發(fā)光器件的共用基底上的導(dǎo)電元件提供。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光器件包括發(fā)光二極管器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管器件由至少一個(gè)絕緣區(qū)域彼此隔離。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管器件由至少一個(gè)溝槽彼 此隔離。表述“一個(gè)或多個(gè)元件彼此隔離”意指各個(gè)元件并不彼此電連接(即使，例如這些元件可能同時(shí)與另一元件接觸)。此處使用的表述“兩個(gè)或多個(gè)元件是單個(gè)單片集成電路層的隔離區(qū)域(例如，“所述第一 n-型區(qū)域、第二 n-型區(qū)域、第三n-型區(qū)域、第四n_型區(qū)域、第五n_型區(qū)域和第六n-型區(qū)域均是單個(gè)單片集成電路n-型層的各個(gè)隔離區(qū)域”)”以及類似表述，意指(至少)這些元件中的每一個(gè)(例如所述發(fā)光二極管器件中的每一個(gè)或第一-第六n-型區(qū)域中的每一個(gè)等)包括本領(lǐng)域普通技術(shù)人員固然知悉的形成單個(gè)完整的單片集成電路層并隨后彼此隔離所需的結(jié)構(gòu)特征，例如，通過(guò)形成一個(gè)或多個(gè)溝槽、注入離子等，這樣在各個(gè)n-型區(qū)域間不能直接導(dǎo)電。類似的表述可參考此處的類似表述加以應(yīng)用，如P-型區(qū)域是單個(gè)單片集成電路P-型層的隔離區(qū)域等。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管器件包括橫向器件和/或縱向器件，且具有位于發(fā)光二極管器件的同一側(cè)的陰極和陽(yáng)極連接。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述多個(gè)發(fā)光器件具有不同的大小和形狀。在本發(fā)明的第二方面中，提供了一種高壓發(fā)光體，包括由第一共用基底機(jī)械互連的第一多個(gè)發(fā)光器件，所述發(fā)光器件形成在所述第一共用基底上；機(jī)械連接和電連接到所述多個(gè)發(fā)光器件的互連載體，所述互連載體具有位于其上的電路；并且其中，所述發(fā)光器件由所述互連載體電連接以提供發(fā)光器件并聯(lián)子組的串聯(lián)陣列。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述陣列包括至少兩個(gè)串聯(lián)的發(fā)光器件子組，每個(gè)所述子組包括至少三個(gè)并聯(lián)電連接的發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述電路包括配置成向所述發(fā)光器件供電的電源電路。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述電路包括的發(fā)光器件不是由所述共用基底機(jī)械互連的多個(gè)發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述電路包括并非由所述共用基底機(jī)械互連的多個(gè)發(fā)光器件的發(fā)光器件；配置成向所述發(fā)光器件供電的電源電路。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述多個(gè)發(fā)光器件具有不同的大小和形狀。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述電路包括配置成選擇性隔離多個(gè)發(fā)光器件中的故障的多個(gè)熔斷絲。在本發(fā)明的第三方面中，提供了一種高壓發(fā)光體，包括由第一共用基底機(jī)械互連的多個(gè)第一發(fā)光器件，所述多個(gè)發(fā)光器件形成在所述第一共用基底上；由第二共用基底機(jī)械互連的多個(gè)第二發(fā)光器件，所述第二發(fā)光器件形成在所述第二共用基底上；其中，所述第一多個(gè)發(fā)光器件機(jī)械和電連接到所述第二多個(gè)發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一和第二多個(gè)發(fā)光器件電互連以提供包括串聯(lián)的并聯(lián)發(fā)光器件的陣列。 根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述陣列包括至少兩個(gè)串聯(lián)的發(fā)光器件子組，每個(gè)所述子組包括至少三個(gè)并聯(lián)電連接的發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光器件包括發(fā)光二極管器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管器件是縱向發(fā)光二極管器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管器件是橫向發(fā)光二極管器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光體進(jìn)一步包括由第三共用基底機(jī)械互連的多個(gè)第三發(fā)光器件，所述第三發(fā)光器件形成在所述第三共用基底上；且其中，所述第三多個(gè)發(fā)光器件機(jī)械和電連接到所述第二多個(gè)發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一和/或第二多個(gè)發(fā)光器件具有不同的大小和/或形狀。在本發(fā)明的第四方面中，提供了一種高壓發(fā)光體，包括由共用基底機(jī)械互連的多個(gè)發(fā)光器件；以及用于機(jī)械和電互連所述多個(gè)發(fā)光器件以提供發(fā)光器件的至少兩個(gè)串聯(lián)子組構(gòu)成的陣列的元件，其中每個(gè)子組包括至少三個(gè)并聯(lián)電連接的發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光體進(jìn)一步包括用于選擇性地互連所述多個(gè)發(fā)光器件以使得并非所有的所述多個(gè)發(fā)光器件都互連到所述陣列中的元件。在本發(fā)明的第五方面中，提供了一種用于制造高壓發(fā)光體的方法，包括提供由共用基底機(jī)械互連的多個(gè)發(fā)光器件，所述發(fā)光器件形成在所述共用基底上；以及將所述共用基底安裝到互連載體上以機(jī)械和電連接所述多個(gè)發(fā)光器件；其中，所述發(fā)光器件由互連載體電互連以提供至少兩個(gè)串聯(lián)的發(fā)光器件子組構(gòu)成的陣列，每個(gè)所述子組包括至少三個(gè)并聯(lián)電連接的發(fā)光器件。在本發(fā)明的第六方面中，提供了一種用于制造高壓發(fā)光體的方法，包括提供由第一共用基底機(jī)械互連的第一多個(gè)發(fā)光器件，所述發(fā)光器件形成在所述第一共用基底上；提供互連載體，所述互連載體上具有電路；將所述第一共用基底安裝到所述互連載體上以機(jī)械和電連接所述發(fā)光器件以提供并聯(lián)發(fā)光器件的串聯(lián)陣列。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括測(cè)試至少一個(gè)發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括測(cè)試至少一個(gè)發(fā)光器件和將一個(gè)發(fā)光器件與所述發(fā)光器件斷開電連接。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述將一個(gè)發(fā)光器件與所述發(fā)光器件斷開電連接的步驟通過(guò)蝕刻一個(gè)發(fā)光器件的陽(yáng)極觸頭或陰極觸頭來(lái)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述將一 個(gè)發(fā)光器件與所述發(fā)光器件斷開電連接的步驟通過(guò)在一個(gè)發(fā)光器件的陽(yáng)極觸頭或陰極觸頭上涂覆絕緣材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。在本發(fā)明的第七方面中，提供了一種用于制造高壓發(fā)光體的方法，包括提供由第一共用基底機(jī)械互連的多個(gè)第一發(fā)光器件，所述第一發(fā)光器件形成在所述第一共用基底上；提供由第二共用基底機(jī)械互連的多個(gè)第二發(fā)光器件，所述第二發(fā)光器件形成在所述第二共用基底上；將所述第一多個(gè)發(fā)光器件安裝到所述第二多個(gè)發(fā)光器件上以電和機(jī)械互連所述第一多個(gè)發(fā)光器件和所述第二多個(gè)發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括測(cè)試至少一個(gè)發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括測(cè)試至少一個(gè)發(fā)光器件和將一個(gè)發(fā)光器件與所述發(fā)光器件斷開電連接。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述將一個(gè)發(fā)光器件與所述發(fā)光器件斷開電連接的步驟通過(guò)蝕刻一個(gè)發(fā)光器件的陽(yáng)極觸頭或陰極觸頭來(lái)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述將一個(gè)發(fā)光器件與所述發(fā)光器件斷開電連接的步驟通過(guò)在一個(gè)發(fā)光器件的陽(yáng)極觸頭或陰極觸頭上涂覆絕緣材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。在本發(fā)明的第八方面中，提供了一種用于制造高壓發(fā)光體的方法，包括測(cè)試共用基底上的多個(gè)發(fā)光器件中的各個(gè)發(fā)光器件以確定是否有發(fā)光器件具有短路故障；隔離所述多個(gè)發(fā)光器件中確定具有短路故障的發(fā)光器件；將所述多個(gè)發(fā)光器件安裝到互連載體上以電連接所述多個(gè)發(fā)光器件中沒有被隔離的那些發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述電連接包括將所述多個(gè)發(fā)光器件中沒有被隔離的發(fā)光器件連接成多個(gè)發(fā)光器件的并聯(lián)子組的串聯(lián)陣列。在本發(fā)明的第九方面中，提供了一種高壓發(fā)光體，包括單片集成電路n_型層；單片集成電路p-型層；以及至少第一互連元件，所述n-型層包括第一 n-型區(qū)域、第二 n-型區(qū)域、第三n-型區(qū)域、第四n-型區(qū)域、第五n-型區(qū)域和第六n-型區(qū)域，所述第一 n-型區(qū)域、第二 n-型區(qū)域、第三n-型區(qū)域、第四n_型區(qū)域、第五n_型區(qū)域和第六n-型區(qū)域彼此隔離；所述P-型層包括第一 P-型區(qū)域、第二 P-型區(qū)域、第三P-型區(qū)域、第四P-型區(qū)域、第五P-型區(qū)域和第六P-型區(qū)域，所述第一 P-型區(qū)域、第二 P-型區(qū)域、第三P-型區(qū)域、第四P-型區(qū)域、第五P-型區(qū)域和第六P-型區(qū)域彼此隔離；所述第一 n-型區(qū)域和所述第一 P-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件，所述第二 n-型區(qū)域和所述第二 P-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件，所述第三n-型區(qū)域和所述第三P-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件，所述第四n-型區(qū)域和所述第四P-型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件， 所述第五n-型區(qū)域和所述第五P-型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件，所述第六n-型區(qū)域和所述第六P-型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件，所述互連元件包括至少互連元件第一 n-型觸頭、互連元件第二 n-型觸頭、互連元件第三n-型觸頭、互連元件第一 P-型觸頭、互連元件第二 P-型觸頭和互連元件第三P-型觸頭，所述互連元件第一 n-型觸頭電連接到所述第一 n-型區(qū)域，所述互連元件第二 n-型觸頭電連接到所述第二 n-型區(qū)域，所述互連元件第三n-型觸頭電連接到所述第三n-型區(qū)域，所述互連元件第一 P-型觸頭電連接到所述第四P-型區(qū)域，所述互連元件第二 P-型觸頭電連接到所述第五P-型區(qū)域，所述互連元件第三P-型觸頭電連接到所述第六P-型區(qū)域，所述互連元件第一 n-型觸頭電連接到所述互連元件第二 n-型觸頭、所述互連元件第三n-型觸頭、所述互連元件第一 P-型觸頭、所述互連元件第二 P-型觸頭以及所述互連元件第三P-型觸頭。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中所述第一 n-型區(qū)域的接觸表面、所述第二 n-型區(qū)域的接觸表面、所述第三n_型區(qū)域的接觸表面、所述第四n-型區(qū)域的接觸表面、所述第五n-型區(qū)域的接觸表面和所述第六n-型區(qū)域的接觸表面全部與第一平面共面，所述第一 P-型區(qū)域的接觸表面、所述第二 P-型區(qū)域的接觸表面、所述第三P-型區(qū)域的接觸表面、所述第四P-型區(qū)域的接觸表面、所述第五P-型區(qū)域的接觸表面和所述第六P-型區(qū)域的接觸表面全部與第二平面共面，所述互連元件第一 n-型觸頭的接觸表面、所述互連元件第二 n-型觸頭的接觸表面和所述互連元件第三n-型觸頭的接觸表面全部與第三平面共面，所述互連元件第一 P-型觸頭的接觸表面、所述互連元件第二 P-型觸頭的接觸表面和所述互連元件第三P-型觸頭的接觸表面全部與第四平面共面，且所述第一平面與所述第二平面平行，所述第二平面與所述第三平面平行，所述第三平面與所述第四平面平行。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光體進(jìn)一步包括基底層，所述n-型層和P-型層位于所述基底層和互連元件之間。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光體進(jìn)一步包括基底層，所述基底層位于所述P-型層和互連元件之間。在本發(fā)明的第十方面中，提供了一種發(fā)光體，包括n-型層和P-型層，所述n-型層包括第一 n-型區(qū)域、第二 n-型區(qū)域、第三n-型區(qū)域、第四n-型區(qū)域、第五n-型區(qū)域和第六n-型區(qū)域，所述第一 n-型區(qū)域、第二 n-型區(qū)域、第三n_型區(qū)域、第四n_型區(qū)域、第五n_型區(qū)域和第六n-型區(qū)域中的每一個(gè)由至少一個(gè)隔離區(qū)域彼此隔離，所述P-型層包括第一 P-型區(qū)域、第二 P-型區(qū)域、第三P-型區(qū)域、第四P-型區(qū)域、 第五P-型區(qū)域和第六P-型區(qū)域，所述第一 P-型區(qū)域、第二 P-型區(qū)域、第三P-型區(qū)域、第四P-型區(qū)域、第五P-型區(qū)域和第六P-型區(qū)域中的每一個(gè)由至少一個(gè)隔離區(qū)域彼此隔離，所述第一 n-型區(qū)域和所述第一 P-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件，所述第二 n-型區(qū)域和所述第二 P-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件，所述第三n-型區(qū)域和所述第三P-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件，所述第四n-型區(qū)域和所述第四P-型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件，所述第五n-型區(qū)域和所述第五P-型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件，所述第六n-型區(qū)域和所述第六P-型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件，所述發(fā)光體進(jìn)一步包括延伸通過(guò)所述至少一個(gè)隔離區(qū)域中的至少一個(gè)的至少一部分的第一 P-觸頭，所述第一 P-觸頭電連接到所述第一 P-型區(qū)域，所述發(fā)光體進(jìn)一步包括延伸通過(guò)所述至少一個(gè)隔離區(qū)域中的至少一個(gè)的至少一部分的第二 P-觸頭，所述第二 P-觸頭電連接到所述第四P-型區(qū)域。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光體進(jìn)一步包括基底，所述n-型層和P-型層安裝到所述基底上。在本發(fā)明的第十一方面中，提供了一種發(fā)光體，包括n-型層和P-型層，所述n-型層包括第一 n-型區(qū)域、第二 n-型區(qū)域、第三n_型區(qū)域，所述第一 n-型區(qū)域、第二 n-型區(qū)域、第三n_型區(qū)域中的每一個(gè)由至少一個(gè)隔離區(qū)域彼此隔離，所述P-型層包括第一 P-型區(qū)域、第二 P-型區(qū)域、第三P-型區(qū)域，所述第一 P-型區(qū)域、第二 P-型區(qū)域、第三P-型區(qū)域中的每一個(gè)由至少一個(gè)隔離區(qū)域彼此隔離，所述第一 n-型區(qū)域和所述第一 P-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件，所述第二 n-型區(qū)域和所述第二 P-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件，所述第三n-型區(qū)域和所述第三P-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件，所述發(fā)光體進(jìn)一步包括延伸通過(guò)所述至少一個(gè)隔離區(qū)域中的至少一個(gè)的至少一部分的第一 P-觸頭，所述第一 P-觸頭電連接到所述第一 P-型區(qū)域。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一 P-觸頭還電連接到所述第二 P-型區(qū)域和所述第三P-型區(qū)域。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光體進(jìn)一步包括基底，所述n-型層和P-型層安裝到所述基底上。在本發(fā)明的第十二方面中，提供了一種照明元件，包括
第一發(fā)光體；第二發(fā)光體；以及互連元件；所述第一發(fā)光體包括第一 n_型層和第一 P-型層，所述第一 n-型層包括第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和第一發(fā)光體件第三 n-型區(qū)域中的每一個(gè)由至少一個(gè)第一發(fā)光體隔離區(qū)域彼此隔離，所述第一 P-型層包括第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三p-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體第一 p_型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 p-型區(qū)域和第一發(fā)光體件第三P-型區(qū)域中的每一個(gè)由所述至少一個(gè)第一發(fā)光體隔離區(qū)域彼此隔離，所述第一發(fā)光體第一 n_型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件， 所述第一發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體包括延伸通過(guò)所述至少一個(gè)第一發(fā)光體隔離區(qū)域中的至少一個(gè)的至少一部分的第一發(fā)光體第一 P-觸頭，所述第一發(fā)光體第一 P-觸頭電連接到第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體包括第二 n_型層和第二 P-型層，所述第二 n-型層包括第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和第二發(fā)光體件第三n-型區(qū)域中的每一個(gè)由至少一個(gè)第二發(fā)光體隔離區(qū)域彼此隔離，所述第二 P-型層包括第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體件第三P-型區(qū)域中的每一個(gè)由所述至少一個(gè)第二發(fā)光體隔離區(qū)域彼此隔離，所述第二發(fā)光體第一 n_型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件， 所述第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體包括延伸通過(guò)所述第二發(fā)光體隔離區(qū)域中的至少一部分的第二發(fā)光體第一 P-觸頭，所述互連元件提供
所述第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域和第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域間的電連接，所述第一發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域間的電連接，所述第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域間的電連接。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述互連元件位于所述第一發(fā)光體和第二發(fā)光體之間。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一發(fā)光體和第二發(fā)光體位于所述互連元件的同一側(cè)。在本發(fā)明的第十三方面中，提供了一種照明裝置，包括第一發(fā)光體；和
第二發(fā)光體；所述第一發(fā)光體包括第一發(fā)光體n_型層和第一發(fā)光體P-型層，所述第一發(fā)光體n-型層包括第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第一 n-型區(qū)域、第二 n-型區(qū)域和第三n_型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第一發(fā)光體P-型層包括第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第一 P-型區(qū)域、第二 P-型區(qū)域和第三P-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體包括第二發(fā)光體n-型層和第二發(fā)光體P-型層，所述第二發(fā)光體n-型層包括第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第二發(fā)光體P-型層包括第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離， 所述第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體第三n_型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體第一 n_型區(qū)域電連接到所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體第二 n_型區(qū)域電連接到所述第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體第三n_型區(qū)域電連接到所述第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域，
所述第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域電連接到所述第一發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域電連接到所述第二發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一發(fā)光體和第二發(fā)光體相對(duì)彼此定位成，使得所述第一發(fā)光器件第一 n-型區(qū)域、第一發(fā)光器件第二 n-型區(qū)域和第一發(fā)光器件第三n-型區(qū)域面向所述第二發(fā)光器件第一 P-型區(qū)域、所述第二發(fā)光器件第二 P-型區(qū)域和所述第二發(fā)光器件第三P-型區(qū)域。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一發(fā)光體n-型層的表面和所述第二發(fā)光體P-型層的表面彼此平行。
在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述照明裝置進(jìn)一步包括電連接至所述第一發(fā)光器件第一 n-型區(qū)域、所述第一發(fā)光器件第二 n-型區(qū)域和所述第一發(fā)光器件第三n-型區(qū)域的n-觸頭。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述照明裝置進(jìn)一步包括電連接至所述第二發(fā)光器件第一 P-型區(qū)域、所述第二發(fā)光器件第二 P-型區(qū)域和所述第二發(fā)光器件第二 P-型區(qū)域的P-觸頭。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述照明裝置進(jìn)一步包括與至少一個(gè)發(fā)光器件串聯(lián)電連接的至少一個(gè)熔斷絲。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述照明裝置進(jìn)一步包括用于開路與至少一個(gè)發(fā)光器件串聯(lián)的導(dǎo)電連接的至少一個(gè)元件。在本發(fā)明的第十四方面中，提供了一種照明裝置，包括第一發(fā)光體；和第二發(fā)光體；所述第一發(fā)光體包括第一 n_型層和第一 P-型層，所述第一 n_型層和第一 P-型層一起包括第一發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體包括第二 n_型層和第二 P-型層，所述第二 n_型層和第二 P-型層一起包括第二發(fā)光器件，所述第一 n_型層電連接到所述第二 P-型層，所述第一發(fā)光體和所述第二發(fā)光體相對(duì)彼此定位，使得所述第一 n_型層面向所述第二 P-型層。此處(也就是，在前一句子中)用到的表述“面向”，意指如果沒有任何中介結(jié)構(gòu)，面向第二結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)可以“看見”第二結(jié)構(gòu)(例如，彼此相對(duì)且平行的表面，或一起定義了 15度的角度的表面，“面向”彼此)。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一 n_型層的表面和所述第二P-型層的表面彼此平行。在本發(fā)明的第十五方面中，提供了一種照明裝置，包括第一發(fā)光體；第二發(fā)光體；以及互連元件；所述第一發(fā)光體包括第一發(fā)光體n_型層和第一發(fā)光體P-型層，
所述第一發(fā)光體n-型層包括第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和第一發(fā)光體件第三n-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離， 所述第一發(fā)光體P-型層包括第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體件第三P-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第一發(fā)光體第一 n_型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體第三n_型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體包括第二發(fā)光體n_型層和第二發(fā)光體P-型層，所述第二發(fā)光體n-型層包括第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和第二發(fā)光體件第三n-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第二發(fā)光體P-型層包括第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體件第三P-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第二發(fā)光體第一 n_型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體第三n_型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件，所述互連元件提供位于所述第一發(fā)光體第一 n_型區(qū)域和第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域間的電連接，提供位于所述第一發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域間的電連接，提供位于所述第一發(fā)光體第三n_型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域間的電連接，以及提供位于所述第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、所述第一發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域間的電連接，所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域電連接到第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域，且所述第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域電連接到所述第二發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和所述第 二發(fā)光體第三n-型區(qū)域。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述互連元件位于所述第一發(fā)光體n-型層和第二發(fā)光體P-型層之間。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一發(fā)光體和第二發(fā)光體相對(duì)彼此定位，使得所述第一發(fā)光器件第一 n-型區(qū)域、第一發(fā)光器件第二 n-型區(qū)域和第一發(fā)光器件第三n-型區(qū)域面向所述第二發(fā)光器件第一 P-型區(qū)域、所述第二發(fā)光器件第二 P-型區(qū)域和所述第二發(fā)光器件第三P-型區(qū)域。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一發(fā)光體n-型層的表面和所述第二發(fā)光體P-型層的表面彼此平行。 在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述照明裝置進(jìn)一步包括電連接至所述第一發(fā)光器件第一 n-型區(qū)域、所述第一發(fā)光器件第二 n-型區(qū)域和所述第一發(fā)光器件第三n-型區(qū)域的n-觸頭。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述照明裝置進(jìn)一步包括電連接至所述第二發(fā)光器件第一 P-型區(qū)域、所述第二發(fā)光器件第二 P-型區(qū)域和所述第二發(fā)光器件第三P-型區(qū)域的P-觸頭。在本發(fā)明的第十六方面中，提供了一種照明裝置，包括第一發(fā)光體；和第二發(fā)光體；所述第一發(fā)光體包括第一發(fā)光體n_型層和第一發(fā)光體P-型層，所述第一發(fā)光體P-型層包括第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第一 P-型區(qū)域、第二 P-型區(qū)域和第三P-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第一發(fā)光體n_型層和所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體n_型層和所述第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體n_型層和所述第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體進(jìn)一步包括第一 P-接觸層，所述第一 P-接觸層電連接到所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、所述第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體進(jìn)一步包括第一 n-接觸層，所述第一 n-接觸層電連接到所述第一發(fā)光體n-型層，所述第二發(fā)光體包括第二發(fā)光體n_型層和第二發(fā)光體P-型層，所述第二發(fā)光體P-型層包括第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離， 所述第二發(fā)光體n_型層和所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體n_型層和所述第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件，
所述第二發(fā)光體n_型層和所述第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體進(jìn)一步包括第二 P-接觸層，所述第二 P-接觸層電連接到所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、所述第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體進(jìn)一步包括第二 n-接觸層，所述第二 n-接觸層電連接到所述第二發(fā)光體n-型層， 所述第一 n-接觸層電連接到第二 P-接觸層。

在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一發(fā)光體n_型層包括第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第一發(fā)光器件包括第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域和第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域，所述第二發(fā)光器件包括第一發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域，所述第三發(fā)光器件包括第一發(fā)光體第三n_型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體n-型層包括第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第四發(fā)光器件包括第二發(fā)光體第一 n_型區(qū)域和第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域，所述第五發(fā)光器件包括第二發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域，所述第六發(fā)光器件包括第二發(fā)光體第三n_型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一 P-接觸層和所述第一 n_接觸層位于所述第一發(fā)光體的相對(duì)面。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一 P-接觸層具有第一 P-接觸層第一表面和第一 P-接觸層第二表面，所述第一 n-接觸層具有第一 n-接觸層第一表面和第一 n_接觸層第二表面，所述第二 P-接觸層具有第二 P-接觸層第一表面和第二 P-接觸層第二表面，所述第二 n-接觸層具有第二 n-接觸層第一表面和第二 n_接觸層第二表面，以及第一 p-接觸層第一表面、第一 p_接觸層第二表面、第一 n_接觸層第一表面、第一n-接觸層第二表面、第二 P-接觸層第一表面、第二 P-接觸層第二表面、第二 n-接觸層第一表面和第二 n-接觸層第二表面均彼此平行。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一 P-接觸層具有第一 P-接觸層第一表面和第一 P-接觸層第二表面，所述第一 n-接觸層具有第一 n-接觸層第一表面和第一 n_接觸層第二表面，所述第二 P-接觸層具有第二 P-接觸層第一表面和第二 P-接觸層第二表面，所述第二 n-接觸層具有第二 n-接觸層第一表面和第二 n-接觸層第二表面，以及所述第一 P-接觸層第二表面、第一 n-接觸層第一表面、第一 n-接觸層第二表面、第二 P-接觸層第一表面、第二 P-接觸層第二表面和第二 n-接觸層第一表面位于所述第一P-接觸層第一表面和第二 n-接觸層第二表面之間。在本發(fā)明的第十七方面中，提供了一種照明裝置，包括
第一發(fā)光體；和第二發(fā)光體；所述第一發(fā)光體包括第一發(fā)光體n_型層和第一發(fā)光體P-型層，所述第一發(fā)光體n-型層包括第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第一 n-型區(qū)域、第二 n-型區(qū)域和第三n_型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第一發(fā)光體P-型層和所述第一發(fā)光體第一 n_型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體P-型層和所述第一發(fā)光體第二 n_型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器 件，所述第一發(fā)光體P-型層和所述第一發(fā)光體第三n_型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體進(jìn)一步包括第一 n-接觸層，所述第一 n-接觸層電連接到所述第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、所述第一發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體進(jìn)一步包括第一 P-接觸層，所述第一 P-接觸層電連接到所述第一發(fā)光體P-型層；所述第二發(fā)光體包括第二發(fā)光體n_型層和第二發(fā)光體P-型層，所述第二發(fā)光體n-型層包括第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第二發(fā)光體P-型層和所述第二發(fā)光體第一 n_型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體P-型層和所述第二發(fā)光體第二 n_型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件， 所述第二發(fā)光體P-型層和所述第二發(fā)光體第三n_型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體進(jìn)一步包括第二 n-接觸層，所述第二 n-接觸層電連接到所述第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、所述第二發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體進(jìn)一步包括第二 P-接觸層，所述第二 P-接觸層電連接到所述第二發(fā)光體P-型層， 所述第一 n-接觸層電連接至所述第二 P-接觸層。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一 P-接觸層和所述第一 n-接觸層位于所述第一發(fā)光體的相對(duì)面。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一 n-接觸層具有第一 n-接觸層第一表面和第一 n_接觸層第二表面，所述第一 P-接觸層具有第一 P-接觸層第一表面和第一 P-接觸層第二表面，
所述第二 n-接觸層具有第二 n-接觸層第一表面和第二 n_接觸層第二表面，所述第二 P-接觸層具有第二 P-接觸層第一表面和第二 P-接觸層第二表面，以及第一 n-接觸層第一表面、第一 n-接觸層第二表面、第一 p接觸層第一表面、第一P-接觸層第二表面、第二 n-接觸層第一表面、第二 n-接觸層第二表面、第二 P-接觸層第一表面和第二 P-接觸層第二表面均彼此平行。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，
所述第一 n-接觸層具有第一 n-接觸層第一表面和第一 n_接觸層第二表面，所述第一 P-接觸層具有第一 P-接觸層第一表面和第一 P-接觸層第二表面，所述第二 n-接觸層具有第二 n-接觸層第一表面和第二 n_接觸層第二表面，所述第二 P-接觸層具有第二 P-接觸層第一表面和第二 P-接觸層第二表面，以及所述第一 P-接觸層第二表面、第一 n-接觸層第一表面、第一 n-接觸層第二表面、第二 P-接觸層第一表面、第二 P-接觸層第二表面和第二 n-接觸層第一表面位于所述第一P-接觸層第一表面和第二 n-接觸層第二表面之間。在本發(fā)明的第十八方面中，提供了一種照明裝置，包括第一發(fā)光體；和第二發(fā)光體；所述第一發(fā)光體包括第一發(fā)光體n_型層、第一發(fā)光體p_型層和第一發(fā)光體基底層， 所述第一發(fā)光體n-型層包括第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第一發(fā)光體P-型層包括第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第一發(fā)光體第一 n_型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體第三n_型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體進(jìn)一步包括第一 P-接觸層，所述第一 P-接觸層電連接到所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、所述第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體進(jìn)一步包括第一發(fā)光體第一 n-接觸區(qū)域、第一發(fā)光體第二 n-接觸區(qū)域和第一發(fā)光體第三n-接觸區(qū)域，所述第二發(fā)光體包括第二發(fā)光體n_型層、第二發(fā)光體p_型層和第二發(fā)光體基底層，
所述第二發(fā)光體n-型層包括第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 n-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三n-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離，所述第二發(fā)光體P-型層包括第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第 二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域中的每一個(gè)彼此隔離， 所述第二發(fā)光體第一 n_型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體第二 n_型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體第三n_型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體進(jìn)一步包括第二 P-接觸層，所述第二 P-接觸層電連接到所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、所述第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體進(jìn)一步包括第二發(fā)光體第一 n-接觸區(qū)域、第二發(fā)光體第二 n-接觸區(qū)域和第二發(fā)光體第三n-接觸區(qū)域，所述第一發(fā)光體第一 n-接觸區(qū)域電連接到所述第一發(fā)光體第一 n-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體P-接觸層，所述第一發(fā)光體第二 n-接觸區(qū)域電連接到所述第一發(fā)光體第二 n-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體P-接觸層，所述第一發(fā)光體第三n-接觸區(qū)域電連接到所述第一發(fā)光體第三n-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體P-接觸層。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一 P-接觸層相對(duì)所述第一發(fā)光體第一 n-接觸區(qū)域、第一發(fā)光體第二 n-接觸區(qū)域和第一發(fā)光體第三n-接觸區(qū)域位于所述第一發(fā)光體的相對(duì)面。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述第一 p-觸頭具有第一 p觸頭第一表面和第一 P-觸頭第二表面，所述第二 P-觸頭具有第二 p觸頭第一表面和第二 P-觸頭第二表面，以及所述第一 p觸頭第一表面、第一 p_觸頭第二表面、第二 p觸頭第一表面和第二P-觸頭第二表面彼此平行。在本發(fā)明的第十九方面中，提供了一種結(jié)構(gòu)，包括包括多個(gè)n-型區(qū)域的單片集成電路n-型層；包括多個(gè)P-型區(qū)域的單片集成電路P-型層；所述n_型區(qū)域中的每一個(gè)由至少一個(gè)隔離區(qū)域彼此隔離；所述P-型區(qū)域中的每一個(gè)由所述至少一個(gè)隔離區(qū)域彼此隔離；所述n-型區(qū)域相對(duì)彼此定位的方式將防止使用傳統(tǒng)的晶圓切割設(shè)備將所述n-型層切成各個(gè)n-型區(qū)域。在本發(fā)明的第二十方面中，提供了一種結(jié)構(gòu)，包括
包括多個(gè)n-型區(qū)域的單片集成電路n-型層；包括多個(gè)P-型區(qū)域的單片集成電路P-型層；所述n_型區(qū)域中的每一個(gè)由至少一個(gè)隔離區(qū)域彼此隔離；所述P-型區(qū)域中的每一個(gè)由所述至少一個(gè)隔離區(qū)域彼此隔離；至少一個(gè)所述n-型區(qū)域延伸穿過(guò)由在至少兩個(gè)其他n-型區(qū)域之間延伸的至少一個(gè)隔離區(qū)域中的至少一個(gè)界定的直線。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光體進(jìn)一步包括與至少一個(gè)發(fā)光器件串聯(lián)電連接的至少一個(gè)熔斷絲。在根據(jù)本發(fā)明的這一方面的某些實(shí)施例中，所述發(fā)光體進(jìn)一步包括用于開路與至少一個(gè)發(fā)光器件串聯(lián)的導(dǎo)電連接的至少一個(gè)元件。


圖I是傳統(tǒng)發(fā)光二極管的橫截面示意圖；圖2是使用第一隔離技術(shù)在共用基底上形成多個(gè)發(fā)光二極管器件的橫截面示意圖；圖3是使用第二隔離技術(shù)在共用基底上形成多個(gè)發(fā)光二極管器件的橫截面示意圖；圖4是通過(guò)載體互連在共用基底上形成多個(gè)發(fā)光二極管器件以提供單片集成電路發(fā)光體的橫截面示意圖；
圖5是單片集成電路發(fā)光體中各個(gè)發(fā)光器件的互連的示意圖；圖6是共用基底上的多個(gè)機(jī)械連接的發(fā)光二極管器件的俯視圖；圖7是適合使用圖6中示出的在共用基底上機(jī)械連接的多個(gè)發(fā)光二極管器件的載體上的電互連的俯視圖；圖8是共用基底上多個(gè)機(jī)械連接的發(fā)光二極管器件的俯視圖；圖9是適合使用圖8中示出的在共用基底上機(jī)械連接的多個(gè)發(fā)光二極管器件的載體上的電互連的俯視圖；圖10是包括驅(qū)動(dòng)單片集成電路發(fā)光體的附加電路的載體上的電互連的俯視圖；圖11是在載體上包含單片集成電路發(fā)光體、附加發(fā)光器件和電源電路的器件齊全的元件的俯視圖；圖12是在具有“背側(cè)”觸頭的共用基底上的多個(gè)發(fā)光二極管器件的橫截面示意圖；圖13是根據(jù)可選實(shí)施例的在具有“背側(cè)”觸頭的共用基底上的多個(gè)發(fā)光二極管器件的橫截面示意圖；圖14是通過(guò)載體互連在在共用基底上形成多個(gè)發(fā)光二極管器件以提供單片集成電路發(fā)光體的橫截面示意圖；圖15是通過(guò)在一個(gè)基底上安裝另一基底來(lái)電互連兩個(gè)共用基底的橫截面示意圖；圖16是在安裝以前圖15的兩個(gè)共用基底的俯視平面圖；圖17是圖15的互連基底的電路圖18是通過(guò)在兩個(gè)基底之間分別布置互連結(jié)構(gòu)來(lái)電互連兩個(gè)共用基底的橫截面示意圖；圖19是多個(gè)基底的互連的橫截面示意圖，所述基底具有通過(guò)將基底彼此堆疊形成的縱向發(fā)光二極管；圖20是圖19的互連基底的電路圖；圖21是多個(gè)基底的互連的橫截面示意圖，所述基底具有通過(guò)將基底彼此堆疊形成的橫向發(fā)光二極管；圖22是其上形成有不同大小的發(fā)光二極管器件的共用基底的俯視平面圖；圖23是其上形成非矩形的發(fā)光二極管器件的共用基底的俯視平面圖； 圖24是其上形成有不同大小和形狀的發(fā)光二極管器件的共用基底的俯視平面圖；圖25是共用基底的俯視平面圖，所述共用基底具有可選擇性互連以避免將短路發(fā)光二極管連接到一起的發(fā)光二極管器件；圖26示出了用于選擇性電連接發(fā)光二極管器件的操作的流程圖，所述發(fā)光二極管器件機(jī)械連接到共用基底；圖27是結(jié)合有熔斷連接的載體的俯視平面圖；圖28是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的照明系統(tǒng)的示意圖；圖29是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的照明系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中顯示了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)解釋為受這里所闡述的實(shí)施例的限制。相反，提供這些實(shí)施例目的是使本發(fā)明公開透徹和完整，并且對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言這些實(shí)施例將會(huì)更完整地表達(dá)出本發(fā)明的范圍。通篇相同的標(biāo)號(hào)表示相同的單元。如這里所述的術(shù)語(yǔ)“和/或”包括任何和所有一個(gè)或多個(gè)列出的相關(guān)項(xiàng)的組合。這里所用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述特定實(shí)施例，而不用于限制本發(fā)明。如所用到的單數(shù)形式“一”、“該”，除非文中明確指出，還用于包括復(fù)數(shù)形式。還將明白術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”在用于本說(shuō)明書時(shí)描述存在所述的特征、整數(shù)、步驟、運(yùn)行、單元和/或部件，但不排除還存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、運(yùn)行、單元、部件和/或其組合。如上所述，本發(fā)明的各個(gè)方面包括各種電子部件的組合(變壓器、開關(guān)管、二極管、電容、晶體管等)。本領(lǐng)域技術(shù)人員熟悉并能夠獲得各種這樣的部件，并且任何這樣的部件均可用來(lái)制造根據(jù)本發(fā)明的器件。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠基于負(fù)載的需要和電路中其他部件的選擇從眾多的選擇中選取合適的部件。如上所述，裝置中兩個(gè)元件“電連接”，意指元件之間沒有電連接本質(zhì)上影響裝置提供的功能的元件。例如，兩個(gè)元件可看作是電連接的，即使它們之間可能存在很小的電阻，但其在本質(zhì)上不影響裝置提供的功能(實(shí)際上，連接兩個(gè)元件的線可看作是一個(gè)小電阻)；同樣，兩個(gè)元件可看作是電連接的，即使它們之間可能具有使該裝置完成附加功能但又不會(huì)實(shí)質(zhì)上影響裝置提供的功能的附加電子元件，所述裝置與不包括附加元件以外的裝置相同；同樣，直接彼此相連接或直接連接到電路板或其他介質(zhì)上的導(dǎo)線或跡線的相對(duì)端的兩個(gè)元件是電連接的。雖然術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等這里可用來(lái)描述各種單元、元件、區(qū)域、層、部分和/或參數(shù)，但是這些單元、元件、區(qū)域、層、部分和/或參數(shù)不應(yīng)當(dāng)由這些術(shù)語(yǔ)來(lái)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)單元、元件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不背離本發(fā)明的示教情況下，以下討論的第一單元、元件、區(qū)域、層或部分可稱為第二單元、元件、區(qū)域、層或部分。這里參照截面圖(和/或平面圖)來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，這些截面圖是本發(fā)明的理想實(shí)施例的示意圖。同樣，可以預(yù)料到由例如制造技術(shù)和/或公差導(dǎo)致的示意圖的形狀上的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)視為受這里所示的區(qū)域的特定形狀的限制，而是應(yīng)當(dāng)視為包括由例如制造引起的形狀方面的偏差。例如，顯示為或描述為矩形的模塑區(qū)域(molded region) 一般還具有圓形的或曲線的特征。因此，圖中所示的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它們的形狀不用于說(shuō)明裝置的某區(qū)域的準(zhǔn)確形狀，并且也不用于限制本發(fā)明的范圍。除非另有定義，這里所用的所有術(shù)語(yǔ)(包括科學(xué)和技術(shù)術(shù)語(yǔ))的含義與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員普遍理解的含義相同。還應(yīng)進(jìn)一步明白，如常規(guī)使用的詞典里定義的那些術(shù)語(yǔ)將解釋為其含義與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域以及本發(fā)明的上下文環(huán)境中的含義相一致，除非本文明確定義外不會(huì)從理想或過(guò)度形式化(formal sense)的層面上理解。本領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)理解，參照“鄰近(adjacent) ”另一特征分布的結(jié)構(gòu)或特征可具有與該鄰近的特征重疊或在其之下的部分。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種高電壓、低電流器件，這樣所述系統(tǒng)可以受益。雖然這里的討論常常涉及LED，但是本發(fā)明可應(yīng)用到各種類型的發(fā)光器件，如固態(tài)發(fā)光器件，其中的各個(gè)都為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟悉。這些固態(tài)發(fā)光器件包括無(wú)機(jī)和有機(jī)發(fā)光體。這樣的固態(tài)發(fā)光器件的類型的實(shí)施例包括多種發(fā)光二極管(有機(jī)或無(wú)機(jī)，包括聚合物發(fā)光二極管(PLED))、激光二極管、薄膜電致發(fā)光器件、發(fā)光聚合物(LED)，其中各種對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)也是熟知的。在本發(fā)明的特定實(shí)施例中，所述發(fā)光器件是發(fā)光二極管器件。在某些實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管器件可由一個(gè)或多個(gè)絕緣區(qū)域彼此隔離，在其他實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管器件可由一個(gè)或多個(gè)溝槽彼此隔離，在另一些實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管器件可由一個(gè)或多個(gè)溝槽和一個(gè)或多個(gè)絕緣區(qū)域彼此隔離。所述發(fā)光二極管器件可以是橫向器件、縱向器件，或某些是橫向器件某些是縱向器件。根據(jù)本發(fā)明，取代使用單個(gè)P/N結(jié)，該器件被制造成多個(gè)區(qū)域，這樣每個(gè)絕緣的區(qū)域可以串聯(lián)以獲得期望的排列，進(jìn)而在器件中提供高電壓運(yùn)行和容錯(cuò)。在這種方法中，可使用大面積(單個(gè)部件)以獲得放置(封裝)較少芯片的益處，并且其仍然可以獲得最佳的整體系統(tǒng)性能。本發(fā)明的某些實(shí)施例使用芯片倒裝技術(shù)來(lái)將大面積多發(fā)光器件安裝到其上和/或中形成有電互連結(jié)構(gòu)的載體上。這里使用到的術(shù)語(yǔ)“發(fā)光器件”是指可以串聯(lián)和/或并聯(lián)配置成分別電連接到其他發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的單個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)。例如，所述多個(gè)發(fā)光器件依然可以由共用基底彼此機(jī)械連接而不被分割，從而提供多個(gè)獨(dú)立電連接的發(fā)光器件結(jié)構(gòu)的單片集成電路結(jié)構(gòu)。因?yàn)樵谶@些實(shí)施例中，各個(gè)發(fā)光器件可以由芯片倒裝電互連到載體上，優(yōu)選地，每個(gè)發(fā)光器件均具有位于單片集成電路結(jié)構(gòu)的同一側(cè)的陽(yáng)極和陰極觸頭。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種發(fā)光體，包括彼此機(jī)械連接的多個(gè)發(fā)光器件(例如，在形成這些器件的共用基底上)。所述互連結(jié)構(gòu)電連接所述機(jī)械互連的發(fā)光器件以提供“高壓”單片集成電路大面積結(jié)構(gòu)，其中發(fā)光器件被電互連以提供至少兩個(gè)發(fā)光器件子組的串聯(lián)陣列，每個(gè)子組包括至少三個(gè)并聯(lián)電連接的發(fā)光器件。圖2和3是多個(gè)發(fā)光器件(本實(shí)施例中是發(fā)光二極管)的橫截面示意圖。各個(gè)發(fā)光二極管器件可具有任何期望的發(fā)光二極管器件配置，包括參照?qǐng)DI示出的配置。如圖2和3所示，各個(gè)發(fā)光器件16保持在基底100上以提供由共用基底100物理連接的多個(gè)獨(dú)立的發(fā)光二極管器件16。因?yàn)榘l(fā)光二極管器件16將要被倒裝，使得光通過(guò)基底100射出，因此基底100需要是大致透明的。例如，基底100可以是藍(lán)寶石、尖晶石、半絕緣或絕緣SiC、 半絕緣或絕緣Si、半絕緣或絕緣GaN、半絕緣或絕緣ZnO、或半絕緣或絕緣A1N?；撞牧弦话憧苫诎l(fā)光二極管器件材料進(jìn)行選擇。例如，圖2和3示出了用于界定各個(gè)發(fā)光二極管器件16的方法。具體來(lái)說(shuō)，圖2示出了溝槽隔離，而圖3示出了離子灌注以使得被灌注的區(qū)域絕緣或半絕緣。參照?qǐng)D2，可通過(guò)蝕刻、激光劃片(laser scribing)、鋸切或其他形成延伸通過(guò)p-接觸層108、量子講106和n-接觸層104的活性層且延伸向/通過(guò)緩沖層102到基底100以隔離各個(gè)器件的溝槽114的方法來(lái)提供溝槽隔離。在某些實(shí)施例中，如圖2所示，該溝槽延伸進(jìn)入基底100。在其他具有絕緣緩沖層的實(shí)施例中，溝槽僅延伸到緩沖層102。此外，溝槽也可由絕緣體填充，該絕緣體可以是氧化物或氮化物(例如，Si02or SiN)。圖3示出了用于隔離各個(gè)器件的另一可選技術(shù)。在圖3中，由離子灌注區(qū)域116界定各個(gè)器件16的外圍。該離子灌注區(qū)域是半絕緣或是絕緣的。離子灌注區(qū)域116與溝槽114 一樣，延伸穿過(guò)器件的活性層，且在某些實(shí)施例中，進(jìn)入基底100。將包括多個(gè)隔離的發(fā)光器件16的晶粒從晶圓上分離，可提供包括多個(gè)發(fā)光器件16的單片集成電路結(jié)構(gòu)。例如，該分離過(guò)程可由鋸切、刻痕和粉碎或其他本領(lǐng)域技術(shù)人員已知用于從晶圓分離晶粒的技術(shù)來(lái)完成。也可對(duì)所述基底100進(jìn)行削薄、激光繪圖、蝕刻或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。在某些實(shí)施例中，可以完全去除基底100。例如圖4所示，可在基底上提供出光特征120以改進(jìn)光經(jīng)過(guò)所述基底的出光率。在特定實(shí)施例中，所述出光特征120接近“蛾眼(moth eye)”結(jié)構(gòu)。在其他實(shí)施例中，也可提供其他的出光特征。本領(lǐng)域技術(shù)人員已知多種出光特征。本領(lǐng)域技術(shù)人員還已知在圖案化基底100以用于出光的技術(shù)。另外，發(fā)光器件16也可包括在基底100上的一種或多種磷光體(phosphor)或其他發(fā)光材料。這些發(fā)光材料可在基底100上提供。例如，YAG磷光體可以水滴或投影的形式應(yīng)用到基底100上。圖4示出了本發(fā)明的用于電連接機(jī)械連接在共用基底100上的發(fā)光器件16的實(shí)施例。如圖4中所述，互連載體組件200包括具有可選鏡面和絕緣層204和206的載體基底202。當(dāng)發(fā)光器件16被安裝到所述載體組件200上時(shí)，可在絕緣層206上提供導(dǎo)電觸頭210和212以及互連以電連接這些發(fā)光器件16。如圖5所示，所述互連結(jié)構(gòu)以上述二維陣列的形式連接發(fā)光器件16。
例如，可使用焊料凸點(diǎn)技術(shù)、金凸點(diǎn)技術(shù)、導(dǎo)電環(huán)氧樹脂、共晶粘接或其他本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的技術(shù)來(lái)安裝發(fā)光二極管16。載體基底202可以是可提供合適的結(jié)構(gòu)剛性的任何合適的基底材料，例如半絕緣Si、半絕緣SiC、半絕緣金剛石、CuMo、Ge、金屬合金、金屬氧化物、Cu、Al、具有絕緣體和/或PCB材料的鋼、填充或未填充的熱導(dǎo)塑料、BN、透明陶瓷(顆粒尺寸非常小的陶瓷)或其他絕緣材料，如BeO。優(yōu)選地，所述載體基底具有高熱傳導(dǎo)性以輔助從發(fā)光二極管器件散熱。在某些實(shí)施例中，所述載體組件200自身可以是大面積發(fā)光二極管器件。例如，所述絕緣層206可以是絕緣金屬氧化物(例如，AlOx)、有機(jī)物(如玻璃纖 維)、高溫樹脂、玻璃、絕緣或半絕緣半導(dǎo)體SiN，SiOx, Ta205。所述鏡面層204可以使用任何合適的反射材料，且在某些實(shí)施例中可以由絕緣層206自身提供。提供的所述絕緣層206也可多于一層，例如可在絕緣層中結(jié)合布拉格反射體以提供鏡面。在某些實(shí)施例中，鏡面層204可由Al層或其他這樣的反射材料提供。用于各個(gè)發(fā)光二極管器件觸頭110和112的接觸墊210和212之間的互連結(jié)構(gòu)可作為載體中/上的鍍金屬或其他導(dǎo)電圖樣提供。例如，所述互連結(jié)構(gòu)可作為絕緣層206上的鋁圖樣提供?？蛇x擇地或者此外，所述互連結(jié)構(gòu)可提供為絕緣層206中的導(dǎo)電圖樣，例如通過(guò)在絕緣層206中形成溝槽的位置使用波紋化方法來(lái)形成?？稍诮^緣層206上或在溝槽中形成金屬層，并且接著可平坦化該金屬層以移除不在溝槽終內(nèi)的那部分金屬層，這樣可提供位于溝槽中的互連圖案。或，可將ITO(銦和錫氧化物)用作導(dǎo)電透明互連結(jié)構(gòu)。通過(guò)將基底100安裝到載體200上，可將發(fā)光體10作為具有如圖5所示的互連配置的單片集成電路大面積發(fā)光體來(lái)提供。如圖5中所示，發(fā)光二極管器件16以并聯(lián)子組12的形式連接，形成器件陣列中的“行”。將這些并聯(lián)二極管行串聯(lián)以提供高壓發(fā)光體10。如上所述，圖5中示出的二極管的互連結(jié)構(gòu)提供了可以降低I2R損耗、提供容錯(cuò)、改進(jìn)器件產(chǎn)率且允許更有效的電源設(shè)計(jì)的高壓器件。圖6-圖9是載體200和機(jī)械連接發(fā)光二極管器件16的俯視圖。在圖6中，包含各個(gè)發(fā)光二極管器件16的晶圓部分14具有位于器件16的相對(duì)角的陽(yáng)極和陰極觸頭110和112。適合提供單片集成電路高壓發(fā)光體10的互連結(jié)構(gòu)在圖7中示出。如圖7中所示，陽(yáng)極觸頭墊212和陰極觸頭墊210可配置成在下一行中下一器件的陽(yáng)極110可通過(guò)對(duì)角互連圖樣216連接到前一行的器件的陰極112。器件10的第一行中的器件的陽(yáng)極110連接到一起以提供用于單片集成電路發(fā)光體的陽(yáng)極觸頭214。陣列中的下一行器件的陰極觸頭112連接到一起以提供用于單片集成電路發(fā)光體的陰極觸頭214。在圖8中，晶圓部分14的各個(gè)發(fā)光二極管器件16具有彼此相對(duì)設(shè)置在器件16上的陽(yáng)極和陰極觸頭110和112。如圖9所示，觸頭110和112的配置可通過(guò)允許鄰近陽(yáng)極和陰極觸頭110和112通過(guò)觸頭墊210和212彼此直接連接和通過(guò)互連結(jié)構(gòu)216將鄰近行的觸頭連接到一起來(lái)簡(jiǎn)化載體上的互連結(jié)構(gòu)。圖10示出了高壓發(fā)光體，其中載體組件300中包含附加電路，如驅(qū)動(dòng)晶體管。如圖10中所示，提供了三個(gè)觸頭322、304和306以將晶體管連接到單片集成電路大面積發(fā)光體。一個(gè)晶體管的源極觸頭312被連接到所述單片集成電路大面積發(fā)光體的陰極或陽(yáng)極。所述單片集成電路大面積發(fā)光體的陽(yáng)極或陰極中的另一者被連接到電源電壓或參考電壓(如地，可通過(guò)也可在載體上提供的感應(yīng)電阻接地)，而且所述晶體管的漏極觸頭連接到電源電壓或參考電壓中的另一個(gè)。將第三觸頭302提供給晶體管的門極以控制通過(guò)所述單片集成電路大面積發(fā)光體的電流。也可在載體上提供附加元件，如電容、電阻和/或電感，以進(jìn)一步便于所述單片集成電路大面積發(fā)光體的操作。在載體是半導(dǎo)體材料如硅或鍺的情況下，這些附加元件可附著到載體上或可制造成載體的一部分。還可提供其他電路，如靜電放電保護(hù)電路。圖11示出了器件齊全的高壓發(fā)光體400。如圖11中所示，所述單片集成電路大面積發(fā)光體420可與額外的發(fā)光器件430 —起提供在載體402上。另外，電源電路410也可在載體402上提供。電源電路410也可是AC或DC電源。例如，可提供該發(fā)光器件430和單片集成電路大面積發(fā)光體420，以提供如美國(guó)專利No 7，213 ，940中示出的發(fā)光系統(tǒng)。例如，發(fā)光體400還可具有載體402,所述載體402包括一個(gè)顏色430的發(fā)光二極管器件陣列和互連區(qū)域，在該互連區(qū)域上附著另一顏色420的發(fā)光二極管器件單片集成電路陣列，所述發(fā)光體400可還包括用于形成部分或整個(gè)電源410或控制電路的晶體管區(qū)域、二極管和組件。例如，所述載體可包括具有多個(gè)區(qū)域的GaAs或GaP層，這些區(qū)域是圈定面積(delineated area)的，包括具有形成桔紅或黃色發(fā)光二極管器件或發(fā)光二極管陣列且將其互連的AlAs、AlInGaP或AlGaAs層的區(qū)域，優(yōu)選還包括在其上安裝藍(lán)和/或綠和/或藍(lán)綠和/或黃發(fā)光二極管器件的單片集成電路陣列的區(qū)域。上述實(shí)施例了用于將發(fā)光二極管器件通過(guò)芯片倒裝安裝到載體上。然而，在可選實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管器件可安裝到載體以下的基底側(cè)。例如，這樣的實(shí)施例可使用具有導(dǎo)電基底(如SiC基底)的器件，具有從器件的頂側(cè)到器件的背側(cè)的通孔的器件，以在器件的相同側(cè)提供觸頭。圖12和13示出了這樣的器件的實(shí)施例?；?，如果如上所述使用絕緣或半絕緣基底，則可使用多個(gè)通孔以將頂側(cè)觸頭都移到器件的背側(cè)。如圖12和13中所示，通過(guò)具有絕緣側(cè)壁的通孔514在每個(gè)器件的背側(cè)提供p觸頭516。所述絕緣側(cè)壁防止觸頭短路跨接P/N結(jié)和量子阱。這樣，通孔514延伸穿過(guò)P-型層508、量子阱506、n-型層504、緩沖層502和基底500。所述通孔可放置在位于發(fā)光二極管器件之間的隔離區(qū)域以最大化各個(gè)器件的活性面積?；?，所述通孔可設(shè)置成穿過(guò)所述器件的活性區(qū)域。在這樣的例子中，如果基底是導(dǎo)電基底，所述隔離區(qū)域還將延伸穿過(guò)器件的活性區(qū)域，也就是基底，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管器件的各個(gè)電連接。在圖12中示出的器件中，各個(gè)發(fā)光二極管器件的電連接可由載體提供。這樣，可使用如圖7和9中示出的電互連機(jī)制。如圖12中所示，所述P-觸頭516可在P-型接觸層508上延伸，可選擇地或者此外，所述P-觸頭516可制造在P-型接觸層508的側(cè)壁上。這一器件可具有平坦的頂部表面，且可通過(guò)觸頭最大化活性面積并降低光阻(lightobscuration)。在任何情況下，所述發(fā)光二極管器件的外圍可由p_觸頭516包圍以增加P觸頭516與P-型接觸層508接觸處的表面積。在這一例子中，可在鄰近發(fā)光二極管器件之間提供非導(dǎo)電區(qū)域514以隔離機(jī)械連接的器件的p觸頭。在圖13示出的器件中，一行中機(jī)械連接器件間的電連接可由p觸頭或鄰近器件來(lái)提供。來(lái)自其他行的機(jī)械連接的器件將由機(jī)械連接的器件間的非導(dǎo)電區(qū)域隔離，這樣可提供如上所述的陣列結(jié)構(gòu)。雖然未在圖12和13中示出，可在晶圓的背側(cè)和絕緣層中打開的觸孔上提供絕緣層。接著可將觸頭金屬填充到觸孔中以提供示出的P和n觸頭。這樣的金屬觸頭可由上述的波紋化方法提供，且可提供用于安裝到載體的大致平坦的表面。圖14示出了圖12和13的器件，安裝到載體上以提供電互連結(jié)構(gòu)形成圖5示出的陣列。如圖14中所示，可在載體基底520上提供電觸頭526和528以及電互連結(jié)構(gòu)。所述載體基底520可提供為任何如上所述的載體基底。同樣地，所述可選絕緣和/或鏡面層522和524可如上所述提供。例如，可通過(guò)焊料凸點(diǎn)530和532或其他粘接技術(shù)在p和n觸頭516和512、以及電觸頭526和528之間將所述發(fā)光二極管器件安裝到載體基底520上。除了機(jī)械連接的發(fā)光二極管器件和載體之間的電/機(jī)械連接，也可提供熱連接材料。所述熱連接可由電和機(jī)械連接材料提供或可由單獨(dú)的材料提供。在某些實(shí)施例中，可在載體和機(jī)械連接的發(fā)光二極管器件之間提供非導(dǎo)電保溫材料以改進(jìn)從發(fā)光二極管器件到載體的除熱(heat extraction)。這樣的保溫材料可改進(jìn)載體和發(fā)光二極管器件之間的機(jī)械連接，并可提供改進(jìn)的光反射或發(fā)光體的出光率。合適的材料的實(shí)施例可包括硅樹脂或類似材料，可包括導(dǎo)熱材料如Si02、A10x、SiC、BeO、ZO的顆?；蚣{米顆粒。 圖15示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管器件的互連結(jié)構(gòu)。在圖15的器件中，兩個(gè)基底600分別機(jī)械互連對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管器件組。接著這兩個(gè)基底600可安裝在一起，這樣位于第一基底600上的一組發(fā)光二極管器件的陽(yáng)極觸頭610電連接到位于第二基底600上的第二組發(fā)光二極管器件的陰極觸頭612?？山o第一陽(yáng)極觸頭(圖15的左側(cè))提供第一焊接頭(wire bond)或其他連接，可給最后的陰極觸頭(圖15的右側(cè))提供第二焊接頭(wire bond)或其他連接，從而將兩個(gè)基底的發(fā)光二極管器件互連成一串發(fā)光二極管器件，具有位于第一陽(yáng)極觸頭的輸入端和位于最后的陰極觸頭的輸出端。此外，緩沖層602、n-型層604、量子講606、p-型層608和隔離區(qū)域614可以和上述任何發(fā)光二極管器件一樣?？商峁?dǎo)電區(qū)域620(例如，焊接區(qū)域，如鍍銀環(huán)氧樹脂)以提供電連接，且在某些實(shí)施例中，也可提供機(jī)械連接。為了提供串聯(lián)串中的發(fā)光二極管器件并聯(lián)組，所述兩個(gè)基底600上給定行中的發(fā)光二極管器件可以由在尺寸上延伸入和沿伸出圖15的頁(yè)面的鍍金屬或共用p接觸層電互連。這一潛在電互連結(jié)構(gòu)可在圖16的俯視平面圖中可見。在圖16中，鄰近的發(fā)光二極管器件具有電耦合到一起的各自的陽(yáng)極和陰極610和612，這樣當(dāng)兩個(gè)基底600中的一個(gè)被倒裝且安裝到另一個(gè)上時(shí)(偏移以使得陽(yáng)極和陰極排成一行)，并聯(lián)發(fā)光二極管器件行將被串聯(lián)電連接。這樣，通過(guò)將一個(gè)基底安裝到另一個(gè)上，可提供對(duì)應(yīng)圖17所示的電路。圖18示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在此，在基底600間提供了例如透明的或是可反射的互連層630。該基底600可機(jī)械或電連接到所述互連層630，這樣位于基底上的各個(gè)發(fā)光二極管器件可電連接成此處所述的陣列。在這樣的情況下，無(wú)需提供圖16中示出的發(fā)光二極管器件之間的電互連結(jié)構(gòu)，可使用由共用基底機(jī)械連接的各個(gè)發(fā)光二極管器件。用于這樣的互連層630的合適的材料可以是透明陶瓷、透明氧化物或透明半導(dǎo)體材料(絕緣或是半絕緣的)或是具有導(dǎo)電跡線(如其上形成的Al、Au或類似物)的玻璃、或本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的其他材料。像本申請(qǐng)中所描述的載體200 —樣，所述互連層630可以是一個(gè)或多個(gè)層。圖19示出了本發(fā)明的提供發(fā)光二極管器件堆疊的實(shí)施例。在圖19中，機(jī)械連接到共用基底700上的縱向發(fā)光二極管器件堆疊并電互連，使得位于共用基底700上的發(fā)光二極管器件并聯(lián)電連接，接著將多個(gè)基底700互連以提供發(fā)光二極管器件串。n-觸頭710和P-觸頭708分別延伸穿過(guò)多個(gè)器件以將這些器件并聯(lián)。提供的導(dǎo)電區(qū)域714 (例如焊接區(qū)域，如鍍銀環(huán)氧樹脂)提供電連接，且在某些實(shí)施例中，也可提供機(jī)械連接。這也，由圖19中示出的基底堆疊提供圖20示出的電路。雖然圖19示出了可在基底級(jí)上并聯(lián)電連接的縱向器件(例如，在n-型導(dǎo)電基底700 (通過(guò)其n-型導(dǎo)電性和其在器件中的位置，也可稱做n-型層)上的n觸頭710、導(dǎo)電緩沖層702、量子阱704、p-型層706、p-觸頭708和隔離區(qū)域712)，但是也可提供橫向器件或縱向和橫向器件的組合。例如，也可使用具有直通孔(through via)以提供背側(cè)觸頭的橫向器件。此外，如圖21中所示，該通孔無(wú)需是直通孔，橫向器件的n-觸頭812從基底800的背側(cè)形成。圖21所示的器件可具有n觸頭812、絕緣或半絕緣基底800、緩沖層802、n_型 層804、量子阱806、p-型層808、p-觸頭810和隔離區(qū)域814，例如如上結(jié)合圖2和3所述。該n觸頭812和p觸頭810可使用焊料凸點(diǎn)816或其他粘接技術(shù)來(lái)連接。又如圖21中所示，可為多個(gè)器件提供共用P觸頭以并聯(lián)這些器件。除了圖19和圖21中示出的互連結(jié)構(gòu)外，參照上述圖18描述的互連層也可用于機(jī)械或電連接具有多個(gè)發(fā)光二極管器件的基底堆疊。圖22到圖24示出了位于基底上的發(fā)光二極管器件無(wú)需全部具有相同的形狀和/或大小，且無(wú)需都是矩形或正方形的。例如，圖22示出了發(fā)光體900，其在共用基底902上具有由多個(gè)較小的發(fā)光二極管器件904環(huán)繞的一個(gè)大發(fā)光二極管器件906。圖23不出了在共用基底922上具有六邊形發(fā)光二極管器件924的發(fā)光體920。圖24示出了在共用基底942上具有正方形發(fā)光二極管器件946和三角形發(fā)光二極管器件944的組合的發(fā)光體940?？沙鲇谌魏味喾N原因提供不同的發(fā)光二極管器件配置。例如，可提供不同的配置以最大化在給定區(qū)域內(nèi)發(fā)光二極管器件的數(shù)量，以簡(jiǎn)化互連結(jié)構(gòu)或改善熱均勻性或除熱。例如，如果難以從位于基底的特定部分中的發(fā)光二極管器件中散發(fā)熱量，可將位于這一部分的發(fā)光二極管器件制造成不同的大小以增加Vf并降低通過(guò)這些發(fā)光二極管器件的電流。在圖22-圖24中示出的各個(gè)晶粒中，該晶粒包括具有多個(gè)n_型區(qū)域的單片集成電路n-型層和具有多個(gè)P-型區(qū)域的單片集成電路P-型層；其中所述n-型區(qū)域由隔離區(qū)域?qū)⑵浔舜烁綦x，所述P-型區(qū)域也由隔離區(qū)域?qū)⑵浔舜烁綦x，所述n-型區(qū)域相對(duì)彼此定位的方式將防止使用傳統(tǒng)的晶圓切割設(shè)備將所述n-型層切成各個(gè)n-型區(qū)域(也就是，傳統(tǒng)的晶圓切割設(shè)備需要切割較大的器件以將其分割成所有的較小器件)，也就是，大器件的n-型區(qū)域(和P-型區(qū)域)延伸穿過(guò)由隔離區(qū)域定義的直線，該隔離區(qū)域延伸穿過(guò)位于該大器件上方、下方、右邊和左邊的各對(duì)其它n-型區(qū)域。圖25示出了使用任何一個(gè)上述載體選擇性電互連發(fā)光二極管器件的能力。通過(guò)使用可阻礙電連接和/或粘接到載體的絕緣體或材料涂敷或覆蓋發(fā)光二極管器件的接觸區(qū)域，可在制造時(shí)識(shí)別短路發(fā)光二極管器件并將其從陣列中排除。這樣，圖25示出了發(fā)光體960,其具有位于共用基底962上的多個(gè)發(fā)光二極管器件964。其中一個(gè)發(fā)光二極管器件966被阻止與載體接觸，以將該發(fā)光二極管器件966隔離?？墒褂脟娔蚱渌蛇x涂敷方法或絕緣材料來(lái)將該發(fā)光二極管器件從陣列中選擇性隔離?；?，在識(shí)別出短路的發(fā)光二極管器件以后，可移除所述發(fā)光二極管器件的一個(gè)或多個(gè)觸頭以阻止電連接。這樣，可避免在陣列中出現(xiàn)跨接一行發(fā)光二極管器件的短路，并且可維持該陣列的總電壓。
圖25示出了位于第二行中間的發(fā)光二極管器件966被識(shí)別為短路器件并且被隔離，這樣當(dāng)單片集成電路大面積基底962安裝到互連載體上時(shí)，發(fā)光二極管器件966將不會(huì)被連接到陣列中。這樣的故障器件隔離將提供用于修復(fù)位于共用基底上的器件陣列中的故障器件的手段。圖26示出了用于識(shí)別和隔離陣列中的發(fā)光二極管器件的操作。在圖26中，該操作始于電測(cè)試位于共用基底上的發(fā)光二極管器件(步驟1000)。例如，這一測(cè)試可以由可單獨(dú)激活各個(gè)發(fā)光二極管器件的自動(dòng)探針來(lái)完成。該電測(cè)試可測(cè)量任意數(shù)量的器件電學(xué)或光學(xué)特征，但是出于互連的目的，可確定各個(gè)發(fā)光二極管器件是否短路。這一測(cè)試優(yōu)選在可能導(dǎo)致短路的所有的處理步驟都完成以后再執(zhí)行。如果發(fā)光二極管器件是短路的(步驟1010)，接著隔離該發(fā)光二極管器件以使其不與該陣列中的其他的發(fā)光二極管器件連接。這一隔離可如上所述由例如噴墨印刷絕緣材料、通過(guò)使用如臺(tái)階式掩?；蚱渌绢I(lǐng)域技術(shù)人員已知的合適技術(shù)進(jìn)行蝕刻以移除一個(gè)或多個(gè)觸頭來(lái)實(shí)現(xiàn)。如果還需要評(píng)估更多的發(fā)光二極管器件(步驟1030)，該方法可從步驟1000重復(fù)執(zhí)行。當(dāng)評(píng)估完所有的發(fā)光二極管器件后(步驟1030)，可將單片集成電路結(jié)構(gòu)安裝到載體上以電互連各個(gè)發(fā)光二極管器件(步驟1040)。 圖26中示出的操作可在器件的單片集成電路從晶圓上分離之前或之后進(jìn)行。另夕卜，可基于故障零件的位置將晶圓的各個(gè)部分分離成具有多個(gè)機(jī)械連接的發(fā)光二極管器件的單片集成電路發(fā)光體，進(jìn)而增加這樣的單片集成電路發(fā)光體的產(chǎn)率。此外，雖然圖26中示出的操作是參照線性逐步方法示出的，但是這些操作也可并行執(zhí)行或不按照其順序執(zhí)行，只要所有的操作能夠獲得選擇性隔離發(fā)光二極管器件的理想結(jié)果即可。這樣的話，例如，位于共用基底上的所有發(fā)光二極管器件可以一次激活，且可并行測(cè)量其電學(xué)特性。這樣，本發(fā)明的實(shí)施例無(wú)需限于圖26示出的特定順序的操作來(lái)構(gòu)建。圖27示出了根據(jù)某些實(shí)施例的載體的另一示例，提供了用于修復(fù)器件故障的手段。在圖27示出的載體1100中，同一行中的鄰近陰極觸頭1104和陽(yáng)極觸頭1106通過(guò)熔斷絲1106連接到載體基底1102中/上。該熔斷絲1106可設(shè)置成如果所有流經(jīng)該陣列的電流流過(guò)該熔斷絲時(shí)，該熔斷絲開路。這樣的話，如果一行中的發(fā)光二極管器件短路，該熔斷絲1100將開路且電流將經(jīng)互連結(jié)構(gòu)1108改道流經(jīng)這一行中剩余的發(fā)光二極管器件。如果一行中除了一個(gè)發(fā)光二極管外的所有發(fā)光二極管器件都短路，那么最后一個(gè)發(fā)光二極管器件將承載全部的電流，熔斷絲1100將開路該發(fā)光二極管器件，且整個(gè)發(fā)光體將開路(在這一點(diǎn)，發(fā)光體將不再工作)。本發(fā)明還提供了具有升壓電源和發(fā)光體的照明系統(tǒng)，該升壓電源具有大于對(duì)應(yīng)輸入電壓的輸出電壓。該發(fā)光體包括來(lái)自發(fā)光器件晶圓的鄰近區(qū)域的多個(gè)發(fā)光器件，所述多個(gè)發(fā)光器件電連接成至少三個(gè)并聯(lián)電連接到所述升壓電源的輸出電壓的發(fā)光器件的多個(gè)串聯(lián)子組。所述升壓電源可設(shè)置成耦合到AC電源以提供輸入電壓。本領(lǐng)域技術(shù)人員已知升壓電源的配置。升壓電源可以是高效的。此外，如上所示，通過(guò)提供高壓發(fā)光體，由于與對(duì)應(yīng)的低電壓發(fā)光體相比可降低流經(jīng)發(fā)光體的電流，可降低I2R損耗。將本申請(qǐng)所述的高壓發(fā)光體和升壓電源結(jié)合可提供非常高的系統(tǒng)效率。這樣，在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，可提供該高壓發(fā)光體以在至少50伏、至少150伏、至少325伏或至少395伏的電壓運(yùn)行。該高壓發(fā)光體的操作電壓可由各個(gè)器件的正向電壓降和串聯(lián)的并聯(lián)器件子組的數(shù)量來(lái)控制。這樣的話，例如，如果期望得到90伏發(fā)光體，可串聯(lián)30個(gè)子組，其中每組具有3伏的Vf。
包含升壓組件的電路的典型示例在于2006年9月13日提交的、申請(qǐng)?zhí)枮?0/844325、題為“具有低壓側(cè)MOSFET電流控制的升壓/行逆程高壓電源技術(shù)”(發(fā)明人Peter Jay Myers ;代理備審案號(hào)931020PR0)的美國(guó)專利申請(qǐng)，以及2007年9月13日提交的、申請(qǐng)?zhí)枮?1/854744的美國(guó)專利申請(qǐng)中給出了描述；其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。雖然本發(fā)明的實(shí)施例是參照多量子阱結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行描述的，但是本發(fā)明也可使用任何合適的發(fā)光二極管器件配置。此外，可使用出光增強(qiáng)件，如內(nèi)部反射層、透明歐姆觸頭和類似器件來(lái)提高各個(gè)發(fā)光二極管器件的出光率。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不限制為特定的發(fā)光二極管器件配置的構(gòu)造，而是可以使用任何可安裝到用于電連接的載體上以提供高壓?jiǎn)纹呻娐钒l(fā)光體的配置。本發(fā)明的發(fā)光體可以任何期望的方式供電。本領(lǐng)域技術(shù)人員熟悉各種供電裝置，且任何這樣的裝置可在本發(fā)明中使用。本發(fā)明的發(fā)光體可電連接(或選擇性電連接)到任何期望的電源。本領(lǐng)域技術(shù)人員熟悉各種這樣的電源。
雖然本發(fā)明首先是參照在DC電源上運(yùn)行的單片集成電路器件來(lái)進(jìn)行描述的，但是本發(fā)明的其他方面可提供適合在AC和/或DC電源運(yùn)行的單片集成電路器件。這樣的器件的實(shí)施例在圖28和29中示出了。圖28示出了 AC單片集成電路器件1100。所述AC單片集成電路器件1100包括多個(gè)發(fā)光二極管1110，提供為并聯(lián)發(fā)光二極管1110的串聯(lián)子組1112構(gòu)成的兩個(gè)或多個(gè)陣列1114、1116。所述二極管1110可以如本申請(qǐng)中所述的互連。所述二極管1110可具有共用基底和/或從共用n-型或P-型層形成。所述陣列1114和1116可以反并聯(lián)關(guān)系電連接設(shè)置，這樣當(dāng)AC電源提供給兩個(gè)陣列1114、1116時(shí)，在AC輸入的交流周期上電流僅流經(jīng)其中一個(gè)陣列。這樣，所述單片集成電路器件1000可適合用作AC器件。此處使用到的表述“反并聯(lián)(anti-parallel)”是指這樣一個(gè)電路，在所述電路中，二極管陣列并聯(lián)設(shè)置，且至少一個(gè)陣列中的二極管定位(偏置)成其方向與至少另一陣列中的二極管的定位(偏置)方向是相反的(如圖13中示出的電路)。單片集成電路器件1100可使用此處所述的能夠提供圖13示出的互連的任何制造技術(shù)。發(fā)光二極管1110的串聯(lián)子組1112的數(shù)量可基于期望的操作電壓來(lái)進(jìn)行選擇。又，并聯(lián)的發(fā)光二極管1110的數(shù)量可如上所述進(jìn)行選擇，且應(yīng)包括至少三個(gè)并聯(lián)器件。圖29示出了可接收AC或DC輸入的單片集成電路器件2000。特別地，所述單片集成電路器件2000包括整流橋2020和并聯(lián)二極管器件的串聯(lián)子組2012構(gòu)成的一個(gè)或多個(gè)陣列2010。所述整流橋2020可由發(fā)光器件2022構(gòu)建。所述發(fā)光器件2022可像陣列2010中的發(fā)光器件一樣形成在共用基底上，如共用n-型或p型層或共用材料體系，如SiC、GaN等。二極管2022可以是不發(fā)光的。橋2020的各個(gè)臂中的二極管2022的數(shù)量可取決于二極管的反向擊穿特性，且應(yīng)該足以支持來(lái)自AC輸入的交流周期的反向電壓。雖然圖中示出的二極管2022是兩個(gè)串聯(lián)的二極管，也可使用其他數(shù)量的二極管。此外，橋2020的二極管2022可以由此處所述的并聯(lián)二極管子組串聯(lián)提供。橋2020的輸出是全波整流電壓，該電壓被提供給陣列2010。如上所述，陣列2010中的串聯(lián)器件的數(shù)量可基于橋2020提供的電壓確定?？墒褂萌缟纤龅娜魏魏线m的制造和互連技術(shù)來(lái)提供所述單片集成電路器件2000。此外，當(dāng)圖29中示出的單片集成電路器件具有AC輸入時(shí)，也可將DC輸入應(yīng)用到該器件。此外，雖然參照各個(gè)部件的特定組合來(lái)闡述本發(fā)明的特定實(shí)施例，但在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可提供各種其他組合。因此，本發(fā)明不應(yīng)解釋為受這里所述以及附圖所示的特定示范性實(shí)施例的限制，而是還可包含各種所述實(shí)施例的部件的組合。例如，此處示出的實(shí)施例中各個(gè)發(fā)光器件的串聯(lián)子組包括同樣數(shù)量的發(fā)光器件(例如，在圖3中示出的實(shí)施例中，在此其他示出的實(shí)施例中，每個(gè)子組包括三個(gè)發(fā)光器件)，但是本發(fā)明并不限于該例子中的發(fā)光體。換句話說(shuō)，本發(fā)明包含其中各個(gè)子組具有同樣數(shù)量的發(fā)光器件以及至少一個(gè)(多個(gè))子組具有不同與至少一個(gè)其他子組中發(fā)光器件數(shù)量的發(fā)光器件的發(fā)光體。另外，單個(gè)子組和/或不同子組中的各個(gè)發(fā)光器件的大小可以是相同或大致相同，也可是不同大小。在根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例中，所述流經(jīng)第一和第二子組的電流密度是相同或大致相同的，例如通過(guò)選擇不同大小的各個(gè)發(fā)光器件。本發(fā)明的普通技術(shù)人員可在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下根據(jù)本發(fā)明的公開對(duì)其進(jìn)行許多種變化和修改。因此，必須明白所述的實(shí)施例僅用于舉例，不應(yīng)當(dāng)將其視 為限制由所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明。因此，所附的權(quán)利要求應(yīng)理解為不僅包括并行陳述的部件的組合，還包括以基本相同的方式完成基本相同功能以獲得基本相同結(jié)果的所有等效部件。這些權(quán)利要求在此理解為包括以上具體闡述和說(shuō)明的內(nèi)容、概念上等效的內(nèi)容以及結(jié)合了本發(fā)明的實(shí)質(zhì)思想的內(nèi)容。如這里所述的裝置的任何兩個(gè)或兩個(gè)以上的結(jié)構(gòu)部分可集成成一體。這里所述的裝置的任何結(jié)構(gòu)部分可設(shè)在兩個(gè)或兩個(gè)以上部分中(如果需要的話它們是結(jié)合在一起的)。
權(quán)利要求
1.ー種高壓發(fā)光體,其特征在于,包括 第一基底上的第一多個(gè)發(fā)光器件； 電連接到所述第一多個(gè)發(fā)光器件的互連載體，所述互連載體具有位于其上的電路； 所述第一多個(gè)發(fā)光器件由所述互連載體電連接以提供發(fā)光器件并聯(lián)子組的串聯(lián)陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述陣列包括至少兩個(gè)串聯(lián)的發(fā)光器件子組，每個(gè)所述子組包括至少三個(gè)并聯(lián)電連接的發(fā)光器件。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述電路包括配置成向所述發(fā)光器件供電的電源電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述電路包括不是所述第一基底上的所述第一多個(gè)發(fā)光器件的發(fā)光器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述電路包括 不是所述第一基底上的所述第一多個(gè)發(fā)光器件的發(fā)光器件； 配置成向所述發(fā)光器件供電的電源電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述多個(gè)發(fā)光器件具有不同的大小和/或形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述電路包括配置成選擇性隔離所述多個(gè)發(fā)光器件中的故障ー個(gè)的多個(gè)熔斷絲。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高壓發(fā)光體，其特征在于，所述第一多個(gè)發(fā)光器件在所述第一基底上形成。
9.ー種發(fā)光體，其特征在于，包括 第一 η-型層； 第一 P-型層；和 至少第一互連元件； 所述第一 η-型層包括第一 η-型區(qū)域、第二 η-型區(qū)域、第三η-型區(qū)域、第四η-型區(qū)域、第五η-型區(qū)域和第六η-型區(qū)域， 所述第一 η-型區(qū)域、第二 η-型區(qū)域、第三η-型區(qū)域、所述第四η-型區(qū)域、第五η-型區(qū)域和第六η-型區(qū)域彼此隔離， 第一 P-型層包括第一 P-型區(qū)域、第二 P-型區(qū)域、第三P-型區(qū)域、第四P-型區(qū)域、第五P-型區(qū)域和第六P-型區(qū)域， 所述第一 P-型區(qū)域、第二 P-型區(qū)域、第三P-型區(qū)域、第四P-型區(qū)域、第五P-型區(qū)域和第六P-型區(qū)域彼此隔離， 所述第一 η-型區(qū)域和所述第一 P-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件， 所述第二 η-型區(qū)域和所述第二 P-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件， 所述第三η-型區(qū)域和所述第三P-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件， 所述第四η-型區(qū)域和所述第四P-型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件， 所述第五η-型區(qū)域和所述第五P-型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件， 所述第六η-型區(qū)域和所述第六P-型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件， 所述第一互連元件包括至少互連元件第一 η-型觸頭、互連元件第二 η-型觸頭、互連元件第三η-型觸頭、互連元件第一 P-型觸頭、互連元件第二 P-型觸頭和互連元件第三P-型觸頭， 所述互連元件第一 η-型觸頭電連接到所述第一 η-型區(qū)域， 所述互連元件第二 η-型觸頭電連接到所述第二 η-型區(qū)域， 所述互連元件第三η-型觸頭電連接到所述第三η-型區(qū)域， 所述互連元件第一 P-型觸頭電連接到所述第四P-型區(qū)域， 所述互連元件第二 P-型觸頭電連接到所述第五P-型區(qū)域， 所述互連元件第三P-型觸頭電連接到所述第六P-型區(qū)域， 所述互連元件第一 η-型觸頭電連接到所述互連元件第二 η-型觸頭、所述互連元件第三η-型觸頭、所述互連元件第一 P-型觸頭、所述互連元件第二 P-型觸頭以及所述互連元件第三P-型觸頭。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高壓發(fā)光體，其特征在干，所述第一η-型層和所述第一P-型層在共用基底上形成。
11.ー種照明裝置，其特征在于，包括 第一發(fā)光體；和 第二發(fā)光體； 所述第一發(fā)光體包括第一發(fā)光體η-型層和第一發(fā)光體P-型層， 所述第一發(fā)光體P-型層包括第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述括第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域彼此隔離，所述第一發(fā)光體η-型層和所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體η-型層和所述第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體η-型層和所述第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體進(jìn)ー步包括第一 P-接觸層，所述第一 P-接觸層電連接到所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、所述第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域， 所述第一發(fā)光體進(jìn)ー步包括第一 η-接觸層，所述第一 η-接觸層電連接到所述第一發(fā)光體η-型層， 所述第二發(fā)光體包括第二發(fā)光體η-型層和第二發(fā)光體P-型層， 所述第二發(fā)光體P-型層包括第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域， 所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域彼此隔離，所述第二發(fā)光體η-型層和所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體η-型層和所述第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體η-型層和所述第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體進(jìn)ー步包括第二 P-接觸層，所述第二 P-接觸層電連接到所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、所述第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域， 所述第二發(fā)光體進(jìn)ー步包括第二 η-接觸層，所述第二 η-接觸層電連接到所述第二發(fā)光體η-型層， 所述第一 η-接觸層電連接到第二 ρ-接觸層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的照明裝置，其特征在于，所述第一η-型層是單片集成電路層，所述第二 η-型層是單片集成電路層，所述第一 P-型層是單片集成電路層且所述第二P-型層是單片集成電路層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的照明裝置，其特征在干， 所述第一發(fā)光體η-型層包括第一發(fā)光體第一 η-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三η-型區(qū)域，所述第一 η-型區(qū)域、第二 η-型區(qū)域和第三η-型區(qū)域中彼此隔離， 所述第一發(fā)光器件包括第一發(fā)光體第一 η-型區(qū)域和第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域， 所述第二發(fā)光器件包括第一發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域， 所述第三發(fā)光器件包括第一發(fā)光體第三η-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域， 所述第二發(fā)光體η-型層包括第二發(fā)光體第一 η-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三η-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 η-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三η-型區(qū)域中彼此隔離， 所述第四發(fā)光器件包括第二發(fā)光體第一 η-型區(qū)域和第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域， 所述第五發(fā)光器件包括第二發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域， 所述第六發(fā)光器件包括第二發(fā)光體第三η-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域。
14.ー種照明裝置，其特征在于，包括 第一發(fā)光體；和 第二發(fā)光體； 所述第一發(fā)光體包括第一發(fā)光體η-型層和第一發(fā)光體P-型層， 所述第一發(fā)光體η-型層包括第一發(fā)光體第一 η-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三η-型區(qū)域，所述第一 η-型區(qū)域、第二 η-型區(qū)域和第三η-型區(qū)域彼此隔離，所述第一發(fā)光體P-型層和所述第一發(fā)光體第一 η-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體P-型層和所述第一發(fā)光體第二 η-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體P-型層和所述第一發(fā)光體第三η-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件，所述第一發(fā)光體進(jìn)ー步包括第一 η-接觸層，所述第一 η-接觸層電連接到所述第一發(fā)光體第一 η-型區(qū)域、所述第一發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第三η-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體進(jìn)ー步包括第一 P-接觸層，所述第一 P-接觸層電連接到所述第一發(fā)光體P-型層； 所述第二發(fā)光體包括第二發(fā)光體η-型層和第二發(fā)光體P-型層， 所述第二發(fā)光體η-型層包括第二發(fā)光體第一 η-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三η-型區(qū)域， 所述第二發(fā)光體第一 η-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三η-型區(qū)域中彼此隔離，所述第二發(fā)光體P-型層和所述第二發(fā)光體第一 η-型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體P-型層和所述第二發(fā)光體第二 η-型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體P-型層和所述第二發(fā)光體第三η-型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體進(jìn)ー步包括第二 η-接觸層，所述第二 η-接觸層電連接到所述第二發(fā)光體第一 η-型區(qū)域、所述第二發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第三η-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體進(jìn)ー步包括第二 P-接觸層，所述第二 P-接觸層電連接到所述第二發(fā)光體P-型層， 所述第一 η-接觸層電連接至所述第二 P-接觸層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的照明裝置，其特征在于，所述第一η-型層是單片集成電路層，所述第二 η-型層是單片集成電路層，所述第一 P-型層是單片集成電路層且所述第二P-型層是單片集成電路層。
16.ー種照明裝置，其特征在于，包括 第一發(fā)光體；和 第二發(fā)光體； 所述第一發(fā)光體包括第一發(fā)光體η-型層、第一發(fā)光體ρ-型層和第一發(fā)光體基底層，所述第一發(fā)光體η-型層包括第一發(fā)光體第一 η-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三η-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體第一 η-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三η-型區(qū)域彼此隔離， 所述第一發(fā)光體P-型層包括第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域中彼此隔離， 所述第一發(fā)光體第一 η-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第一發(fā)光器件， 所述第一發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第二發(fā)光器件， 所述第一發(fā)光體第三η-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第三發(fā)光器件， 所述第一發(fā)光體進(jìn)ー步包括第一 P-接觸層，所述第一 P-接觸層電連接到所述第一發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、所述第一發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和所述第一發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第一發(fā)光體進(jìn)ー步包括第一發(fā)光體第一 η-接觸區(qū)域、第一發(fā)光體第二 η-接觸區(qū)域和第一發(fā)光體第三η-接觸區(qū)域， 所述第二發(fā)光體包括第二發(fā)光體η-型層、第二發(fā)光體P-型層和第二發(fā)光體基底層，所述第二發(fā)光體η-型層包括第二發(fā)光體第一 η-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三η-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 η-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三η-型區(qū)域彼此隔離， 所述第二發(fā)光體P-型層包括第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域，所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域彼此隔離， 所述第二發(fā)光體第一 η-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域一起包括第四發(fā)光器件， 所述第二發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域一起包括第五發(fā)光器件， 所述第二發(fā)光體第三η-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域一起包括第六發(fā)光器件，所述第二發(fā)光體進(jìn)ー步包括第二 P-接觸層，所述第二 P-接觸層電連接到所述第二發(fā)光體第一 P-型區(qū)域、所述第二發(fā)光體第二 P-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體第三P-型區(qū)域， 所述第二發(fā)光體進(jìn)ー步包括第二發(fā)光體第一 η-接觸區(qū)域、第二發(fā)光體第二 η-接觸區(qū)域和第二發(fā)光體第三η-接觸區(qū)域， 所述第一發(fā)光體第一 η-接觸區(qū)域電連接到所述第一發(fā)光體第一 η-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體P-接觸層， 所述第一發(fā)光體第二 η-接觸區(qū)域電連接到所述第一發(fā)光體第二 η-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體P-接觸層， 所述第一發(fā)光體第三η-接觸區(qū)域電連接到所述第一發(fā)光體第三η-型區(qū)域和所述第二發(fā)光體P-接觸層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的照明裝置，其特征在于，所述第一 η-型層是單片集成電路層，所述第二 η-型層是單片集成電路層，所述第一 P-型層是單片集成電路層且所述第二P-型層是單片集成電路層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光體，包括由共用基底和互連載體機(jī)械連接的發(fā)光器件。所述發(fā)光器件由互連載體電互連以提供至少兩個(gè)發(fā)光器件子組串聯(lián)的陣列，每個(gè)子組包括至少三個(gè)并聯(lián)電連接的發(fā)光器件。本發(fā)明還提供了發(fā)光體，所述發(fā)光體包括由第一共用基底機(jī)械連接的第一發(fā)光器件，和由第二共用基底機(jī)械連接的第二發(fā)光器件，所述第一發(fā)光器件機(jī)械和電連接到所述第二發(fā)光器件。本發(fā)明還提供了一種發(fā)光體，包括機(jī)械互連的發(fā)光器件和用于機(jī)械和電連接多個(gè)發(fā)光器件以提供發(fā)光器件子組的串聯(lián)陣列的元件，每個(gè)子組包括至少三個(gè)并聯(lián)電連接的發(fā)光器件。
文檔編號(hào)H01L33/62GK102683376SQ20121010396
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2008年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月22日
發(fā)明者安東尼·保羅·范德溫, 杰拉爾德·H.·尼格利 申請(qǐng)人:科銳公司