專利名稱：影像傳感模組、封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域技術(shù)，尤其涉及一種影像傳感封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法、以及應(yīng)用該封裝結(jié)構(gòu)的影像傳感模組。
背景技術(shù)：
影像傳感芯片一般用于接收光信號(hào)，并將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。為達(dá)到該功能，現(xiàn)有的影像傳感芯片是在一塊芯片上同時(shí)設(shè)置圖像傳感單元和信號(hào)處理單元，其中，圖像傳感單元用于接收光信號(hào)，信號(hào)處理單元用于將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。但這樣的影像傳感芯片在設(shè)計(jì)制造過(guò)程中，需要在一塊芯片上進(jìn)行圖像傳感單元和信號(hào)處理單元兩部分的排布及互連，芯片設(shè)計(jì)難度及制造成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種解決上述技術(shù)問(wèn)題的影像傳感封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的目的還在于提供一種應(yīng)用影像傳感封裝結(jié)構(gòu)的影像傳感模組。本發(fā)明的目的又在于提供一種影像傳感封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板，所述基板上設(shè)置有導(dǎo)電介質(zhì)，其中，所述影像傳感封裝結(jié)構(gòu)還包括圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片，所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片通過(guò)所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述基板包括上表面及與所述上表面相背的下表面，所述基板下表面設(shè)有至少一個(gè)收容空間，所述圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片設(shè)置于所述收容空間內(nèi)。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括覆蓋所述圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片的保護(hù)層。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述基板上表面開(kāi)設(shè)有向下表面延伸并與所述收容空間連通的通孔，所述通孔暴露所述圖像傳感芯片的感光區(qū)。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括絕緣層，所述絕緣層設(shè)置于所述基板下表面和所述收容空間內(nèi)壁上，所述導(dǎo)電介質(zhì)設(shè)置于所述絕緣層上。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述導(dǎo)電介質(zhì)上的防焊層，所述防焊層開(kāi)設(shè)有部分暴露所述導(dǎo)電介質(zhì)的多個(gè)開(kāi)口，多個(gè)凸點(diǎn)通過(guò)所述多個(gè)開(kāi)口與所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述凸點(diǎn)包括連接于所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片上的金屬凸點(diǎn)，以及連接于所述基板下表面的焊接凸點(diǎn)。為了解決上述另一發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種影像傳感模組，所述影像傳感模組包括如上所述的影像傳感封裝結(jié)構(gòu)。為了解決上述又一發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種影像傳感芯片封裝方法，該方法包括以下步驟提供一基板，在所述基板上形成導(dǎo)電介質(zhì)； 提供圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片，將所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片通過(guò)所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述方法還包括
自基板下表面形成至少一個(gè)收容空間，并將所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片放置于所述收容空間內(nèi)。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，在“將所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片通過(guò)所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接”步驟后，還包括
在所述收容空間中噴涂保護(hù)層，以覆蓋所述圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述方法還包括
自所述基板上表面制作向所述基板下表面延伸并與所述收容空間連通的通孔，所述通孔暴露所述圖像傳感芯片的感光區(qū)。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，“在所述基板上形成導(dǎo)電介質(zhì)”具體包括
在所述基板下表面和所述收容空間內(nèi)壁上形成絕緣層，并在所述絕緣層上形成導(dǎo)電介質(zhì)。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，在“在所述基板下表面和所述收容空間內(nèi)壁上形成絕緣層，并在所述絕緣層上形成導(dǎo)電介質(zhì)”步驟后，還包括
在所述導(dǎo)電介質(zhì)上形成一防焊層；
在所述基板下表面和所述收容空間底壁的防焊層上形成部分暴露所述導(dǎo)電介質(zhì)的多個(gè)開(kāi)口。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，“在所述多個(gè)開(kāi)口上形成與所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接的多個(gè)凸點(diǎn)”具體包括
將所述圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片上的金屬凸點(diǎn)通過(guò)所述開(kāi)口與所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接；
將外接用的焊接凸點(diǎn)通過(guò)所述開(kāi)口在所述基板下表面與所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)將圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片兩部分分離式地封裝進(jìn)同一基板中形成影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，降低了設(shè)計(jì)難度及制造成本。


圖I是本發(fā)明一實(shí)施方式影像傳感封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意 圖2是本發(fā)明一實(shí)施方式影像傳感封裝結(jié)構(gòu)的基板結(jié)構(gòu)示意 圖3是圖I的俯視 圖4是本發(fā)明另一實(shí)施方式影像傳感封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意 圖5是本發(fā)明一實(shí)施方式的影像傳感模組的結(jié)構(gòu)示意 圖6是本發(fā)明一實(shí)施方式影像傳感結(jié)構(gòu)的封裝方法流程圖。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖所示的具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實(shí)施方式并不限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。本發(fā)明所提及的上表面、下表面并不帶有空間位置上的絕對(duì)關(guān)系，而僅僅是為了描述的方便。參圖I所示，在本發(fā)明一實(shí)施方式中，該影像傳感封裝結(jié)構(gòu)包括基板10以及封裝在基板10內(nèi)的圖像傳感芯片21和信號(hào)處理芯片22，該圖像傳感芯片21為只包含圖像傳感單元的芯片，該信號(hào)處理芯片22為只包含信號(hào)處理單元的芯片。該基板10上設(shè)有導(dǎo)電介質(zhì)12，該圖像傳感芯片21和信號(hào)處理芯片22通過(guò)該導(dǎo)電介質(zhì)12電性連接，優(yōu)選地，該圖像傳感芯片21和該信號(hào)處理芯片22上均設(shè)有多個(gè)金屬凸點(diǎn)14，并分別通過(guò)該金屬凸點(diǎn)14與所述導(dǎo)電介質(zhì)12電性連接，以達(dá)到該圖像傳感芯片21和該信號(hào)處理芯片22相互電性連接的目的，優(yōu)選地，該金屬凸點(diǎn)14材質(zhì)可為金凸點(diǎn)(Gold bump)。所述封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述基板10下 表面的多個(gè)焊接凸點(diǎn)15，該多個(gè)焊接凸點(diǎn)15也電性連接所述導(dǎo)電介質(zhì)，并通過(guò)多個(gè)焊接凸點(diǎn)與外接電路板連接。本發(fā)明通過(guò)將圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片分離式地封裝進(jìn)同一基板中形成影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，降低了設(shè)計(jì)難度及制造成本，且由于圖像傳感芯片21和信號(hào)處理芯片22分離式的封裝于影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，使得圖像傳感芯片21與信號(hào)處理芯片22可任意組合，具有更高的靈活性。其中，參圖I、圖2所示，該基板10包括上表面IOOa以及與上表面IOOa相背的下表面100b，基板10的下表面IOOb設(shè)有至少一個(gè)收容空間31，所述圖像傳感芯片21和信號(hào)處理芯片22設(shè)置于所述收容空間內(nèi)，其中，該基板10的材質(zhì)可以包括硅、玻璃、陶瓷、金屬等。所述基板10的上表面IOOa開(kāi)設(shè)有向下表面IOOb延伸并與收容空間31連通的通孔32，所述通孔32暴露所述圖像傳感芯片的感光區(qū)211，即是該通孔32在鄰近圖像傳感芯片21處的開(kāi)口面積被設(shè)置為不小于感光區(qū)211的面積，值得一提的是若該基板的材質(zhì)選擇可透光的材質(zhì)，如玻璃等，則可選擇不開(kāi)設(shè)該通孔32，亦可能讓所述圖像傳感芯片21的感光區(qū)211接收光信號(hào)。優(yōu)選地，該封裝結(jié)構(gòu)還包括覆蓋所述圖像傳感芯片21和所述信號(hào)處理芯片22的保護(hù)層16，該保護(hù)層可采用噴涂的方式防止水氣進(jìn)入該收容空間31中，以提高所述封裝結(jié)構(gòu)的整體性能，優(yōu)選地，該保護(hù)層16可選擇的設(shè)置于該基板10的下表面100b。另外，在本發(fā)明最佳實(shí)施方式中，該圖像傳感芯片21和該信號(hào)處理芯片22是沿水平方向相鄰地放置于該收容空間31中，當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，該圖像傳感芯片21和該信號(hào)處理芯片22也可以沿垂直方向堆疊地放置于該收容空間中。參圖I、圖2所示，在本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括有設(shè)置于所述基板10下表面IOOb和所述收容空間31內(nèi)壁上的絕緣層11，所述導(dǎo)電介質(zhì)12均勻分布于該絕緣層11上，以在所述基板上形成轉(zhuǎn)接電路(參圖3所示)，使所述圖像傳感芯片21和信號(hào)處理芯片22電性連接，也使得該封裝結(jié)構(gòu)可與外接電路板電性連接，導(dǎo)電介質(zhì)12的材料可以選自銅、鋁、金、鉬、鎢或其組合等。優(yōu)選地，該絕緣層11的材質(zhì)可為環(huán)氧樹(shù)脂、防焊材料或其它適合的絕緣物質(zhì)。該絕緣層11的形成方式可包含涂布方式，例如，旋轉(zhuǎn)涂布、噴涂，或其它適合的沉積方式，例如，物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積。所述導(dǎo)電介質(zhì)12上還形成有防焊層13。防焊層13上設(shè)置有部分暴露導(dǎo)電介質(zhì)12的開(kāi)口 131、132，優(yōu)選地，該開(kāi)口 131、132至少形成于收容空間31底壁及基板10下表面IOOb的防焊層13上，通過(guò)這些開(kāi)口 131、132，設(shè)置有與導(dǎo)電介質(zhì)12電性連接的多個(gè)金屬凸點(diǎn)14和多個(gè)焊接凸點(diǎn)15，其中，所述金屬凸點(diǎn)14用于使所述圖像傳感芯片21和信號(hào)處理芯片22電性連接所述導(dǎo)電介質(zhì)12，所述焊接凸點(diǎn)15用于使外接電路板電性連接所述導(dǎo)電介質(zhì)12，優(yōu)選地，所述開(kāi)口可通過(guò)光刻的方式形成于所述防焊層13上。參圖4，為本發(fā)明影像傳感封裝結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施方式，與上述實(shí)施方式不同的是，該封裝結(jié)構(gòu)還包括一透光基板40,該透光基板40貼合于基板10的上表面100a,而其余的封裝結(jié)構(gòu)，均與上述實(shí)施方式相同，在此不再贅述。參圖5，為采用本發(fā)明影像傳感封裝結(jié)構(gòu)的影像傳感模組的一實(shí)施方式，在該實(shí)施方式中，所述影像傳感模組包括影像傳感封裝結(jié)構(gòu)及鏡頭組件，其中，所述鏡頭組件包括鏡頭容器51，以及固定設(shè)置在鏡頭容器51內(nèi)的至少一個(gè)鏡頭52，優(yōu)選地，該鏡頭位于通孔32(即圖像傳感芯片21感光區(qū)211)正上方。配合參照?qǐng)D6，在本發(fā)明影像傳感封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法的一實(shí)施方式中，該方法包括
SI、提供一基板10，在所述基板10上形成導(dǎo)電介質(zhì)12 ;優(yōu)選地，該基板10包括上表面IOOa以及與上表面IOOa相背的下表面100b，自基板10的下表面IOOb形成至少一個(gè)收容空間31，并將該圖像傳感芯片21和信號(hào)處理芯片22放置于所述收容空間內(nèi)，其中，該基板10的材質(zhì)可以包括硅、玻璃、陶瓷、金屬等。在本發(fā)明最佳實(shí)施方式中，該圖像傳感芯片21和該信號(hào)處理芯片22是沿水平方向相鄰地放置于該收容空間31中，當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，該圖像傳感芯片21和該信號(hào)處理芯片22也可以沿垂直方向堆疊地放置于該收容空間中。所述方法還包括自所述基板10的上表面IOOa制作向所述基板下表面IOOb延伸并與收容空間31連通的通孔32，所述通孔32暴露所述圖像傳感芯片的感光區(qū)211，即是該通孔32在鄰近圖像傳感芯片21處的開(kāi)口面積被設(shè)置為不小于感光區(qū)211的面積，值得一提的是若該基板的材質(zhì)選擇可透光的材質(zhì)，如玻璃等，則可選擇不制作該通孔32，亦可能讓所述圖像傳感芯片21的感光區(qū)211接收光信號(hào)。另外，在所述基板上形成導(dǎo)電介質(zhì)具體包括在所述基板10下表面IOOb和所述收容空間31內(nèi)壁上形成絕緣層11，并在該絕緣層上形成均勻分布的導(dǎo)電介質(zhì)12，以在所述基板上形成轉(zhuǎn)接電路(參圖3所示)，使所述圖像傳感芯片21和信號(hào)處理芯片22電性連接，也使得該封裝結(jié)構(gòu)可與外接電路板可電性連接，該導(dǎo)電介質(zhì)12的材料可以選自銅、鋁、金、鉬、鎢或其組合等。優(yōu)選地，該絕緣層11的材質(zhì)可為環(huán)氧樹(shù)脂、防焊材料或其它適合的絕緣物質(zhì)。該絕緣層11的形成方式可包含涂布方式，例如，旋轉(zhuǎn)涂布、噴涂，或其它適合的沉積方式，例如，物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積。本實(shí)施方式的方法中，在所述絕緣層上形成導(dǎo)電介質(zhì)后，還包括在所述導(dǎo)電介質(zhì)上形成一防焊層；在所述基板下表面IOOb和所述收容空間31底壁的防焊層13上形成部分暴露所述導(dǎo)電介質(zhì)12的多個(gè)開(kāi)口 131、132，所述開(kāi)口可通過(guò)光刻的方式形成于所述防焊層13上。S2、提供圖像傳感芯片21和信號(hào)處理芯片22，將所述圖像傳感芯片21和所述信 號(hào)處理芯片22通過(guò)所述導(dǎo)電介質(zhì)12電性連接。優(yōu)選地，“將所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片通過(guò)所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接”具體包括將所述圖像傳感芯片21和信號(hào)處理芯片22上的多個(gè)金屬凸點(diǎn)14通過(guò)所述多個(gè)開(kāi)口 131與所述導(dǎo)電介質(zhì)12電性連接；將外接用的多個(gè)焊接凸點(diǎn)15通過(guò)所述多個(gè)開(kāi)口 132在所述基板下表面IOOb與所述導(dǎo)電介質(zhì)12電性連接，優(yōu)選地，該金屬凸點(diǎn)14材質(zhì)可為金凸點(diǎn)(Gold bump),本發(fā)明通過(guò)將圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片分離式地封裝進(jìn)同一基板中形成影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，降低了設(shè)計(jì)難度及制造成本，且由于圖像傳感芯片21和信號(hào)處理芯片22分離式的封裝于影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，使得圖像傳感芯片21與信號(hào)處理芯片22可任意組合，具有更高的靈活性。優(yōu)選地，在“將所述圖像傳感芯片21和所述信號(hào)處理芯片22通過(guò)所述導(dǎo)電介質(zhì)12電性連接”后，還需在所述收容空間中噴涂保護(hù)層16，以覆蓋所述圖像傳感芯片21和所述信號(hào)處理芯片22，該保護(hù)層16可采用噴涂的方式放置水氣進(jìn)入該收容空間31中，以提高所述封裝結(jié)構(gòu)的整體性能，優(yōu)選地，該保護(hù)層16可選擇的噴涂于該基板10的下表面100b。
應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見(jiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。上文所列出的一系列的詳細(xì)說(shuō)明僅僅是針對(duì)本發(fā)明的可行性實(shí)施方式的具體說(shuō)明，它們并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，所述基板上設(shè)置有導(dǎo)電介質(zhì)，其特征在于， 所述影像傳感封裝結(jié)構(gòu)還包括圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片，所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片通過(guò)所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板包括上表面及與所述上表面相背的下表面，所述基板下表面設(shè)有至少一個(gè)收容空間，所述圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片設(shè)置于所述收容空間內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括覆蓋所述圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片的保護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板上表面開(kāi)設(shè)有向下表面延伸并與所述收容空間連通的通孔，所述通孔暴露所述圖像傳感芯片的感光區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括絕緣層，所述絕緣層設(shè)置于所述基板下表面和所述收容空間內(nèi)壁上，所述導(dǎo)電介質(zhì)設(shè)置于所述絕緣層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述導(dǎo)電介質(zhì)上的防焊層，所述防焊層開(kāi)設(shè)有部分暴露所述導(dǎo)電介質(zhì)的多個(gè)開(kāi)口，多個(gè)凸點(diǎn)通過(guò)所述多個(gè)開(kāi)口與所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸點(diǎn)包括連接于所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片上的金屬凸點(diǎn)，以及連接于所述基板下表面的焊接凸點(diǎn)。
8.一種影像傳感模組，其特征在于，所述影像傳感模組包括如權(quán)利要求I至7之任意一項(xiàng)所述的影像傳感封裝結(jié)構(gòu)。
9.一種影像傳感封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，該方法包括以下步驟 提供一基板，在所述基板上形成導(dǎo)電介質(zhì)； 提供圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片，將所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片通過(guò)所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 自基板下表面形成至少一個(gè)收容空間，并將所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片放置于所述收容空間內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在“將所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片通過(guò)所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接”步驟后，還包括 在所述收容空間中噴涂保護(hù)層，以覆蓋所述圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 自所述基板上表面制作向所述基板下表面延伸并與所述收容空間連通的通孔，所述通孔暴露所述圖像傳感芯片的感光區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，“在所述基板上形成導(dǎo)電介質(zhì)”具體包括 在所述基板下表面和所述收容空間內(nèi)壁上形成絕緣層，并在所述絕緣層上形成導(dǎo)電介質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在“在所述基板下表面和所述收容空間內(nèi)壁上形成絕緣層，并在所述絕緣層上形成導(dǎo)電介質(zhì)”步驟后，還包括 在所述導(dǎo)電介質(zhì)上形成防焊層； 在所述基板下表面和所述收容空間底壁的防焊層上形成部分暴露所述導(dǎo)電介質(zhì)的多個(gè)開(kāi)口。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，“將所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片通過(guò)所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接”具體包括 將所述圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片上的金屬凸點(diǎn)通過(guò)所述開(kāi)口與所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接； 將外接用的焊接凸點(diǎn)通過(guò)所述開(kāi)口在所述基板下表面與所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種影像傳感模組、封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，其中，該封裝結(jié)構(gòu)包括基板，所述基板上設(shè)置有導(dǎo)電介質(zhì)，其特征在于，所述影像傳感封裝結(jié)構(gòu)還包括圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片，所述圖像傳感芯片和所述信號(hào)處理芯片通過(guò)所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接。本發(fā)明通過(guò)將圖像傳感芯片和信號(hào)處理芯片兩部分分離式地封裝進(jìn)同一基板中形成影像傳感封裝結(jié)構(gòu)，降低了設(shè)計(jì)難度及制造成本。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102623477SQ20121011688
公開(kāi)日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月20日
發(fā)明者俞國(guó)慶, 喻瓊, 王之奇, 王蔚 申請(qǐng)人:蘇州晶方半導(dǎo)體股份有限公司