本發(fā)明是有關(guān)于一種有機發(fā)光二極管及包括其的顯示裝置，特別是關(guān)于一種反置型有機發(fā)光二極管及包括其的顯示裝置。

背景技術(shù)：
近年來，隨著電子產(chǎn)品發(fā)展技術(shù)的進步及其日益廣泛的應(yīng)用，像是移動電話、PDA及筆記本電腦的問市，使得與傳統(tǒng)顯示器相比具有較小體積及電力消耗特性的平面顯示器的需求與日俱增，成為目前最重要的電子應(yīng)用產(chǎn)品之一。在平面顯示器當(dāng)中，由于有機發(fā)光二極管具有自發(fā)光、高亮度、廣視角、高應(yīng)答速度及制造工藝容易等特性，使得有機發(fā)光二極管無疑的成為下一世代平面顯示器的最佳選擇。有機發(fā)光二極管為使用有機層作為主動層(activelayer)的發(fā)光二極管，近年來已漸漸使用于平面顯示器(flatdisplay)上。開發(fā)出具有高發(fā)光效率及長使用壽命的有機發(fā)光二極管是目前發(fā)展平面顯示技術(shù)的主要趨勢之一。一般而言，有機發(fā)光二極管包括一對電極，以及在電極之間的一有機發(fā)光層。發(fā)光是導(dǎo)因于以下的現(xiàn)象。當(dāng)電場施于兩電極時，陰極射出電子到有機發(fā)光層，陽極射出空穴到有機發(fā)光層。當(dāng)電子與空穴在有機發(fā)光層內(nèi)結(jié)合時，會產(chǎn)生激子(excitons)。電子和空穴的再結(jié)合就伴隨著發(fā)光。有機發(fā)光二極管裝置依驅(qū)動方式可區(qū)分為被動式有機發(fā)光二極管元件(PM-OLED)及主動式有機發(fā)光二極管元件(AM-OLED)。主動式有機發(fā)光二極管元件包括至少一薄膜晶體管，此一薄膜晶體管可分為p型薄膜晶體管及n型薄膜晶體管，以控制有機發(fā)光二極管像素單元明亮及灰階，并具有自發(fā)光的高發(fā)光效率以及低驅(qū)動電壓等優(yōu)點。當(dāng)使用n型薄膜晶體管與一般標(biāo)準(zhǔn)型有機發(fā)光二極管(標(biāo)準(zhǔn)型有機發(fā)光二極管是指其膜層形成順序為陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、以及一陰極依序形成于基板上)耦接時，標(biāo)準(zhǔn)型有機發(fā)光二極管需與n型薄膜晶體管的源極電性連結(jié)，如此易使得有機發(fā)光二極管裝置產(chǎn)生殘影(ImageSticking)。為解決上述問題，業(yè)界提出使用一反置型(inverted)有機發(fā)光二極管(反置型有機發(fā)光二極管是指其膜層形成順序為陰極、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層、以及一陽極依序形成于基板上)與n型薄膜晶體管的漏極進行耦接。然而，在具有相同膜層組成的狀況下，由于電子注入能力較差，反置型有機發(fā)光二極管一般較標(biāo)準(zhǔn)型有機發(fā)光二極管具有較差的發(fā)光效率以及較高的驅(qū)動電壓?；谏鲜觯l(fā)展出具有較佳發(fā)光效率以及較低驅(qū)動電壓的反置型有機發(fā)光二極管，以解決上述問題，是目前主動式有機發(fā)光二極管制造工藝技術(shù)上亟需研究的重點之一。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
有鑒于此，本發(fā)明提供一種有機發(fā)光二極管及包括其的顯示裝置，其中該有機發(fā)光二極管(例如為一反置型有機發(fā)光二極管)具有一復(fù)合的電子注入層，可改善該有機發(fā)光二極管的電子注入能力，進一步降低驅(qū)動電壓、增加發(fā)光效率、以及延長使用壽命。根據(jù)本發(fā)明一實施例，該有機發(fā)光二極管包括一基板；一陰極配置于該基板之上；一電子注入層配置于該陰極之上，其中該電子注入層包括一低功函數(shù)金屬層，以及一具有載子注入能力的金屬復(fù)合層；一發(fā)光層配置于該電子注入層之上；以及一陽極配置于該發(fā)光層之上。根據(jù)其他實施例，本發(fā)明亦提供一顯示裝置，包括多個的像素，其中每一像素包括上述的有機發(fā)光二極管；以及一晶體管，與該有機發(fā)光二極管耦接。本發(fā)明提供的有機發(fā)光二極管及包括其的顯示裝置，可改善該有機發(fā)光二極管的電子注入能力，進一步降低驅(qū)動電壓、增加發(fā)光效率、以及延長使用壽命。附圖說明圖1是本發(fā)明一實施例所述的有機發(fā)光二極管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明另一實施例所述的有機發(fā)光二極管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明又一實施例所述的有機發(fā)光二極管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明其他實施例所述的有機發(fā)光二極管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明一實施例所述的包括有機發(fā)光二極管的顯示裝置的示意圖。圖6是顯示本發(fā)明實施例2及比較例3所述的有機發(fā)光二極管其操作電壓與電流密度的關(guān)系圖。圖7是顯示本發(fā)明實施例2及比較例3所述的有機發(fā)光二極管其電流密度與功率效率的關(guān)系圖。圖8是顯示本發(fā)明實施例2及比較例3所述的有機發(fā)光二極管其操作亮度(L)/起始亮度(Lo)與操作時間的關(guān)系圖。圖9是顯示本發(fā)明實施例3及比較例4所述的有機發(fā)光二極管其操作電壓與電流密度的關(guān)系圖。圖10是顯示本發(fā)明實施例3及比較例4所述的有機發(fā)光二極管其電流密度與功率效率的關(guān)系圖。圖11是顯示本發(fā)明實施例3及比較例4所述的有機發(fā)光二極管其操作亮度(L)/起始亮度(Lo)與操作時間的關(guān)系圖。附圖標(biāo)號：11、21、31、41、51～有機發(fā)光二極管；12～基板；14～陰極；16～電子注入層；16a～低功函數(shù)金屬層；16b～具有載子注入能力的金屬復(fù)合層；17～n型摻雜的電子傳輸層；18～電子傳輸層；20～發(fā)光層；22～空穴傳輸層；24～空穴注入層；26～陽極；50～像素；60～晶體管；以及100～顯示裝置。具體實施方式為使本發(fā)明的上述目的、特征能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下：本發(fā)明是提供一新穎的有機發(fā)光二極管及包括其的顯示裝置，有機發(fā)光二極管具有特定的膜層組合以及特定的膜層配置順序，可增加電子注入能力，達到降低驅(qū)動電壓、增加發(fā)光效率、以及延長使用壽命的目的，因此尤其適合作為一反置型有機發(fā)光二極管。以下將配合附圖，以說明根據(jù)本發(fā)明所述的有機發(fā)光二極管，以及包括其的顯示裝置。參照圖1，為本發(fā)明一實施例所述的有機發(fā)光二極管11的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。有機發(fā)光二極管11具有一基板12，基板12可為石英、玻璃、塑膠、或陶瓷材料。此外，基板12亦可具有預(yù)先形成的任何所需元件(例如薄膜晶體管)，不過此處為了簡化附圖，僅以平整的基板表示之。仍請參照圖1，接著，一陰極14、一電子注入層16、以及一發(fā)光層20依序形成于基板12之上。最后，一陽極26形成于該發(fā)光層20之上。該有機發(fā)光二極管11可為一下發(fā)光式有機發(fā)光二極管、或是一上發(fā)光式有機發(fā)光二極管。若該有機發(fā)光二極管11為一下發(fā)光式有機發(fā)光二極管，則該陰極為一透明電極或半透明電極，其中透明電極可例如為氧化銦錫(indiumtinoxide，ITO)、氧化銦鋅(indiumzincoxide，IZO)、氧化鋁鋅(aluminumzincoxide，AZO)、或氧化鋅(zincoxide，ZnO)，而該半透明電極可為一穿透率大于50％的電極，例如為半透明金屬層(例如鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)或其合金所形成的半透明膜層)、或是金屬與透明導(dǎo)電層(例如氧化銦錫(indiumtinoxide，ITO)、氧化銦鋅(indiumzincoxide，IZO)、氧化鋁鋅(aluminumzincoxide，AZO)、或氧化鋅(zincoxide，ZnO))所形成的半透明復(fù)合電極；此外，若該有機發(fā)光二極管11為一上發(fā)光式有機發(fā)光二極管，則該陰極為一不透明電極，例如為具有較高膜厚的金屬電極(例如：鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金所形成的不透明金屬層)、或是一具有反射層的透明電極(例如：氧化銦錫(indiumtinoxide，ITO)、氧化銦鋅(indiumzincoxide，IZO)、氧化鋁鋅(aluminumzincoxide，AZO)、或氧化鋅(zincoxide，ZnO))。值得注意的是，電子注入層16是由一低功函數(shù)金屬層16a、以及一具有載子注入能力的金屬復(fù)合層16b所構(gòu)成，如此一來，可增加有機發(fā)光二極管11的電子注入能力，進一步降低驅(qū)動電壓、增加發(fā)光效率、以及延長使用壽命。該電子注入層16可直接形成于該陰極14之上，換言之，該低功函數(shù)金屬層16a、以及該具有載子注入能力的金屬復(fù)合層16b可依序直接形成于該陰極14之上。本發(fā)明所述的低功函數(shù)金屬層16a，是指該金屬層具有易損失(loss)電子的傾向，具有一功函數(shù)小于或等于4.0eV。舉例來說，該低功函數(shù)金屬層的材質(zhì)可例如為鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銅(Cu)、鎂(Mg)、或鈣(Ca)或其合金。若該有機發(fā)光二極管11為一下發(fā)光式有機發(fā)光二極管，該低功函數(shù)金屬層16a的厚度可介于之間；此外，若該有機發(fā)光二極管11為一上發(fā)光式有機發(fā)光二極管，該低功函數(shù)金屬層16a的厚度可介于之間。該具有載子注入能力的金屬復(fù)合層16b可具有一厚度介于之間。此外，該具有載子注入能力的金屬復(fù)合層可為一具有載子注入能力的金屬氧化物、金屬鹵化物或其組合，例如氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化錸(ReO3、或Re2O7)、碘化銅(CuI)、氟化銅(CuF2)、氧化鐵(Fe3O4)、氯化鐵(FeCl3)、氧化釩(V2O5)或其組合。本發(fā)明所述的發(fā)光層20的材質(zhì)并無限制，可以為現(xiàn)有有機半導(dǎo)體材料(例如小分子有機材料、高分子化合物材料)、或有機金屬化合物材料，形成方式可為真空蒸發(fā)、旋轉(zhuǎn)涂布、浸沒涂布、滾動式涂布、噴墨填充、浮雕法、壓印法、物理氣相沉積、或是化學(xué)氣相沉積。此外，本發(fā)明對發(fā)光層20的厚度亦無限制，一所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員可視實際需要加以調(diào)整。此外，該發(fā)光層20可包括單一發(fā)光材料或是可由一摻雜物(dopant)摻雜一有機發(fā)光材料而得，熟悉本技術(shù)者可視所使用的有機發(fā)光材料及所需的元件特性而改變所搭配的摻雜物的摻雜量。因此，摻雜物的摻雜量的多少非關(guān)本發(fā)明的特征，非為限制本發(fā)明范圍的依據(jù)。該摻雜物可為能量傳移(energytransfer)型摻雜材料或是載體捕集(carriertrapping)型摻雜材料，且該摻雜物有助于抑制該有機發(fā)光材料的濃度消光現(xiàn)象，并使元件獲致高效率及高亮度。該有機發(fā)光材料可為熒光(fluorescence)發(fā)光材料。而在本發(fā)明的某些較佳實施例中，該有機發(fā)光材料亦可為磷光(phosphorescence)發(fā)光材料。值得注意的是，該發(fā)光層20可包括單一的電激發(fā)光單元(electroluminescentunit)，使得該有機發(fā)光二極管11發(fā)出藍、紅、綠、或白光。此外，該發(fā)光層20更可包括多個電激發(fā)光單元，例如一發(fā)白光的串連式有機發(fā)光二極管，該白光是由混合不同發(fā)光單元的光色而成。若該有機發(fā)光二極管11為一下發(fā)光式有機發(fā)光二極管，則該陽極為一不透明電極，例如為具有較高膜厚的金屬電極(例如：鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金所形成的不透明金屬層)、或是一具有反射層的透明電極(例如：氧化銦錫(indiumtinoxide，ITO)、氧化銦鋅(indiumzincoxide，IZO)、氧化鋁鋅(aluminumzincoxide，AZO)、或氧化鋅(zincoxide，ZnO))。此外，若該有機發(fā)光二極管11為一上發(fā)光式有機發(fā)光二極管，則該陽極為透明電極或半透明電極，其中透明電極可例如為氧化銦錫(indiumtinoxide，ITO)、氧化銦鋅(indiumzincoxide，IZO)、氧化鋁鋅(aluminumzincoxide，AZO)、或氧化鋅(zincoxide，ZnO)，而該半透明電極可為一穿透率大于50％的電極，例如為半透明金屬層(例如鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)或其合金所形成的半透明膜層)、或是金屬與透明導(dǎo)電層(例如氧化銦錫(indiumtinoxide，ITO)、氧化銦鋅(indiumzincoxide，IZO)、氧化鋁鋅(aluminumzincoxide，AZO)、或氧化鋅(zincoxide，ZnO))所形成的半透明復(fù)合電極。請參照圖2，為本發(fā)明另一實施例所述的有機發(fā)光二極管21的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，該有機發(fā)光二極管21尚可形成一電子傳輸層18于電子注入層16與發(fā)光層20之間，并形成一空穴傳輸層22于發(fā)光層20與陽極26之間。請參照圖3，為本發(fā)明又一實施例所述的有機發(fā)光二極管31的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，該有機發(fā)光二極管31尚可具有一空穴注入層24形成于空穴傳輸層22與陽極26之間。在有機發(fā)光二極管31中，基板12與電子注入層16的最小距離是小于該基板12與該空穴注入層24的最小距離。本發(fā)明所述的電子傳輸層18、空穴傳輸層22、以及空穴注入層24的材質(zhì)并無限制，可以為現(xiàn)有有機半導(dǎo)體材料(例如小分子有機材料、高分子化合物材料)、或有機金屬化合物材料，形成方式可為真空蒸發(fā)、旋轉(zhuǎn)涂布、浸沒涂布、滾動式涂布、噴墨填充、浮雕法、壓印法、物理氣相沉積、或是化學(xué)氣相沉積。此外，本發(fā)明對該等電子傳輸層18、空穴傳輸層22、以及空穴注入層24的厚度亦無限制，一所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員可視實際需要加以調(diào)整。根據(jù)本發(fā)明又一實施例，請參照圖4，該有機發(fā)光二極管41可更包括n型摻雜的電子傳輸層17，配置于該電子注入層16與該電子傳輸層18之間，以增加有機發(fā)光二極管的電子傳輸能力，達到降低驅(qū)動電壓、增加發(fā)光效率、以及延長使用壽命的目的。該n型摻雜的電子傳輸層17是經(jīng)由以一摻雜物摻雜一電子傳輸材料而得，其中該電子傳輸材料可以為任何現(xiàn)有的電子傳輸材料，而該摻雜物可為堿金屬(alkalimetal)、堿金屬氮化物(alkalimetalnitride)、堿金屬醋酸鹽(alkalimetalacetate)、堿金屬碳酸鹽(carbonate)、或堿金屬硝酸鹽(alkalimetalnitrate)。根據(jù)本發(fā)明某些實施例，該摻雜物可為鋰、氮化鋰、醋酸鋰、碳酸鋰、硝酸鋰、銫、氮化銫、醋酸銫、碳酸銫、或硝酸銫。若該摻雜物為堿金屬時，該摻雜物的摻雜量可介于1-20wt％之間(即該摻雜物可具有一重量百分比介于1-20wt％之間，以該n型摻雜的電子傳輸層17的總重為基準(zhǔn))；若該摻雜物為堿金屬氮化物、堿金屬醋酸鹽、堿金屬碳酸鹽、或堿金屬硝酸鹽時，該摻雜物的摻雜量可介于1-50wt％之間(即該摻雜物可具有一重量百分比介于1-50wt％之間，以該n型摻雜的電子傳輸層17的總重為基準(zhǔn))。若該摻雜物的摻雜量低于下限值，會導(dǎo)致該n型摻雜的電子傳輸層17的電子傳輸能力降低；若該摻雜物的摻雜量高于上限值，則易使得該有機發(fā)光二極管的使用壽命降低。再者，該n型摻雜的電子傳輸層17的厚度可介于之間。本發(fā)明亦提供一具有有機發(fā)光二極管51的顯示裝置100，該顯示裝置100可實施于一電子裝置，例如筆記本電腦、移動電話、數(shù)字相機、個人數(shù)字助理、桌上型電腦、電視機、車用顯示器、或攜帶式數(shù)字影音光碟播放器。請參照圖5，本發(fā)明所述的顯示裝置100可包括多個像素，其中每一像素50可包括：有機發(fā)光二極管51；以及一晶體管60，其中該晶體管60與該有機發(fā)光二極管51耦接。有機發(fā)光二極管51可以為上述實施例中的任一有機發(fā)光二極管，例如有機發(fā)光二極管11、21、31、或41。該晶體管60可例如為薄膜晶體管，而在薄膜晶體管的制作上，可采用多晶硅(poly-silicon)、非晶硅(amorphoussilicon，a-Si)、有機半導(dǎo)體材料、或是氧化半導(dǎo)體(semiconductoroxide)材料(例如銦鎵氧化鋅(IGZO)、或氧化銦鋅(IZO))，且該薄膜晶體管可為p型或是n型薄膜晶體管。根據(jù)本發(fā)明一實施例，該晶體管60為一n型氧化半導(dǎo)體晶體管。因此，為避免所得的顯示裝置產(chǎn)生殘影(ImageSticking)的現(xiàn)象，可將該n型薄膜晶體管的一漏極與本發(fā)明所述的有機發(fā)光二極管(即為一反置型(inverted)有機發(fā)光二極管(反置型有機發(fā)光二極管是指其膜層形成順序為陰極、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層、以及一陽極依序形成于基板上))的陰極進行電性連結(jié)，由于本發(fā)明所述的有機發(fā)光二極管具有改善的電子注入能力，可增進顯示裝置的發(fā)光效率以及降低驅(qū)動電壓。為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉數(shù)實施例配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下：實施例1：有機發(fā)光二極管(I)使用中性清潔劑、及丙酮以超音波振蕩將具有的透明電極(陰極)的玻璃基板洗凈。以氮氣將基板吹干，進一步以UV/臭氧清潔。接著于10-5Pa的壓力下依序沉積低功函數(shù)金屬層、具有載子注入能力的金屬復(fù)合層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層、以及金屬陽極于該ITO電極上，以獲致該有機發(fā)光二極管(I)。以下系列出各層的材質(zhì)及厚度：低功函數(shù)金屬層：厚度為材質(zhì)為Mg。具有載子注入能力的金屬復(fù)合層：厚度為材質(zhì)為MoO3。n型摻雜的電子傳輸層：厚度為材質(zhì)是以BPhen(4，7-diphenyl-1，10-phenanthroline)作為主體材料，及Li作為客體摻雜，其中BPhen與Li的重量百分比為1∶0.08。電子傳輸層：厚度為材質(zhì)為BPhen(4，7-diphenyl-1，10-phenanthroline)。發(fā)光層(紅光)：厚度為材質(zhì)是以Rubrence與Alq3(Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium)作為主體材料(Rubrence與Alq3的比例為1∶1)，以及DCJTB(4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1，1，7，7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran)作為客體摻雜，其中Rubrence與Alq3的總重與DCJTB的重量百分比為1∶0.01?？昭▊鬏攲樱汉穸葹椴馁|(zhì)為NPB(N，N′-bis(naphthalen-1-yl)-N，N′-bis(phenyl)-benzidine)。空穴注入層：厚度為材質(zhì)為HAT-CN(Dipyrazino[2，3-f：2′，3′-h]quinoxaline-2，3，6，7，10，11-hexacarbonitrile)。金屬陽極：厚度為材質(zhì)為Al。該有機發(fā)光二極管(I)可以下式表示：ITOLi(1∶0.08)&Alq3(1∶1)：DCJTB(1∶0.01)最后，以PR650及MinoltaLS110測量該有機發(fā)光二極管(I)的光學(xué)特性。比較例1：有機發(fā)光二極管(II)比較例1所述的有機發(fā)光二極管(II)是依據(jù)實施例1所述的方式形成，除了不形成該低功函數(shù)金屬層，其余皆與實施例1相同。該有機發(fā)光二極管(II)可以下式表示：ITOLi(1∶0.08)&Alq3(1∶1)：DCJTB(1∶0.01)最后，以PR650及MinoltaLS110測量該有機發(fā)光二極管(II)的光學(xué)特性。請參照表1，是顯示有機發(fā)光二極管(I)與有機發(fā)光二極管(II)在相同電流密度(10mA/cm2)的操作狀況下，其相對光電性質(zhì)的比較：表1由表1可知，有機發(fā)光二極管(I)比有機發(fā)光二極管(II)多一層低功函數(shù)金屬層，有機發(fā)光二極管(I)的起始驅(qū)動電壓可下降10％左右，且電流效率可提升40％左右。比較例2：有機發(fā)光二極管(III)比較例2所述的有機發(fā)光二極管(III)是依據(jù)實施例1所述的方式形成，除了不形成該具有載子注入能力的金屬復(fù)合層，其余皆與實施例1相同。該有機發(fā)光二極管(III)可以下式表示：ITOLi(1∶0.08)&Alq3(1∶1)：DCJTB(1∶0.01)最后，以PR650及MinoltaLS110測量該有機發(fā)光二極管(III)的光學(xué)特性。請參照表2，是顯示有機發(fā)光二極管(I)與有機發(fā)光二極管(III)在相同電流密度(10mA/cm2)的操作狀況下，其相對光電性質(zhì)的比較：表2由表2可知，有機發(fā)光二極管(I)比有機發(fā)光二極管(III)多一層具有載子注入能力的金屬復(fù)合層，使得有機發(fā)光二極管(I)的起始驅(qū)動電壓可下降3％左右，電流效率可提升25％左右。實施例2：有機發(fā)光二極管(IV)使用中性清潔劑、及丙酮以超音波振蕩將具有的透明電極(陰極)的玻璃基板洗凈。以氮氣將基板吹干，進一步以UV/臭氧清潔。接著于10-5Pa的壓力下依序沉積低功函數(shù)金屬層、具有載子注入能力的金屬復(fù)合層、n型摻雜的電子傳輸層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層、以及金屬陽極于該ITO電極上，以獲致反置型有機發(fā)光二極管(IV)。以下系列出各層的材質(zhì)及厚度。低功函數(shù)金屬層：厚度為材質(zhì)為Mg。具有載子注入能力的金屬復(fù)合層：厚度為材質(zhì)為MoO3。n型摻雜的電子傳輸層：厚度為材質(zhì)是以BPhen(4，7-diphenyl-1，10-phenanthroline)作為主體材料，及Li作為客體摻雜，其中BPhen與Li的重量百分比為1∶0.08。電子傳輸層：厚度為材質(zhì)為BPhen(4，7-diphenyl-1，10-phenanthroline)。發(fā)光層(綠光)：厚度為材質(zhì)是以TPBA(2，2′-bi(9，10-diphenyl-anthracene)作為主體材料，及C545T(10-(2-Benzothiazolyl)-2，3，6，7-tetrahydro-1，1，7，7-tetramethyl-1H，5H，11H-(1)benzopyropyrano(6，7-8-I，j)quinolizin-11-one)作為客體摻雜，其中TPBA及C545T的重量百分比為1∶0.05。空穴傳輸層：厚度為材質(zhì)為NPB(N，N′-bis(naphthalen-1-yl)-N，N′-bis(phenyl)-benzidine)?？昭ㄗ⑷雽樱汉穸葹椴馁|(zhì)為HAT-CN(Dipyrazino[2，3-f：2′，3′-h]quinoxaline-2，3，6，7，10，11-hexacarbonitrile)。金屬陽極：厚度為材質(zhì)為Al。該有機發(fā)光二極管(IV)可以下式表示：ITOLi(1∶0.08)C545T(1∶0.05)最后，以PR650及MinoltaLS110測量該有機發(fā)光二極管(IV)的光學(xué)特性。比較例3：有機發(fā)光二極管(V)使用中性清潔劑、及丙酮以超音波振蕩將具有的透明電極(陽極)的玻璃基板洗凈。以氮氣將基板吹干，進一步以UV/臭氧清潔。接著于10-5Pa的壓力下依序沉積空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、以及金屬陰極于該ITO電極上，以獲致標(biāo)準(zhǔn)型有機發(fā)光二極管(V)。其中，比較例3所使用的電子注入層為LiF(厚度為)、以及陰極為Al(厚度為)。此外，比較例3所使用的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、以及電子傳輸層其厚度及材質(zhì)皆與實施例2相同。該有機發(fā)光二極管(V)可以下式表示：ITOC545T(1∶0.05)最后，以PR650及MinoltaLS110測量該有機發(fā)光二極管(V)的光學(xué)特性。請參照圖6，是顯示該有機發(fā)光二極管(IV)與(V)的操作電壓與電流密度的關(guān)系；圖7則是顯示電流密度與功率效率的關(guān)系；此外，圖8則是顯示操作亮度(L)/起始亮度(Lo)與時間的關(guān)系。請參照表3，是顯示有機發(fā)光二極管(IV)與有機發(fā)光二極管(V)在相同電流密度(10mA/cm2)的操作狀況下，其相對光電性質(zhì)的比較：表3由圖6、圖7至圖8及表3可知，有機發(fā)光二極管(IV)比有機發(fā)光二極管(V)多了低功函數(shù)金屬層/具有載子注入能力的金屬復(fù)合層/n型摻雜的電子傳輸層此迭層結(jié)構(gòu)，即使該有機發(fā)光二極管(V)為標(biāo)準(zhǔn)型的有機發(fā)光二極管(即膜層形成順序為陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、以及陰極依序形成于基板上)，實施例2所述的反置型有機發(fā)光二極管(IV)的起始驅(qū)動電壓仍較該標(biāo)準(zhǔn)型的有機發(fā)光二極管(V)下降20％左右、且功率效率提升20％左右。此外，實施例2所述的反置型有機發(fā)光二極管(IV)其使用壽命為該標(biāo)準(zhǔn)型的有機發(fā)光二極管(V)的2.8倍左右。實施例3：有機發(fā)光二極管(VI)使用中性清潔劑、及丙酮以超音波振蕩將玻璃基板洗凈，再以氮氣將基板吹干。接著于10-5Pa的壓力下依序沉積反射層、陰極、低功函數(shù)金屬層、具有載子注入能力的金屬復(fù)合層、n型摻雜的電子傳輸層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層、以及透明陽極于該基板上，以獲致反置型有機發(fā)光二極管(VI)。以下系列出各層的材質(zhì)及厚度。反射層：厚度為材質(zhì)為Al。陰極：厚度為材質(zhì)為ITO。低功函數(shù)金屬層：厚度為材質(zhì)為Mg。具有載子注入能力的金屬復(fù)合層：厚度為材質(zhì)為MoO3。n型摻雜的電子傳輸層：厚度為材質(zhì)是以BPhen(4，7-diphenyl-1，10-phenanthroline)作為主體材料，及Li作為客體摻雜，其中BPhen與Li的重量百分比為1∶0.08。電子傳輸層：厚度為材質(zhì)為BPhen(4，7-diphenyl-1，10-phenanthroline)。發(fā)光層(藍光)：厚度為材質(zhì)是以MADN(2-methyl-9，10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)作為主體材料，以及DPVABi(4，4′-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl)作為客體摻雜，其中MADN與DPVABi的重量百分比為1∶0.05。空穴傳輸層：厚度為材質(zhì)為NPB(N，N′-bis(naphthalen-1-yl)-N，N′-bis(phenyl)-benzidine)?？昭ㄗ⑷雽樱汉穸葹椴馁|(zhì)為HAT-CN(Dipyrazino[2，3-f：2′，3′-h]quinoxaline-2，3，6，7，10，11-hexacarbonitrile)。透明陽極：厚度為材質(zhì)為IZO。該有機發(fā)光二極管(VI)可以下式表示：AlLi(1∶0.08)DPVABi(1∶0.05)最后，以PR650及MinoltaLS110測量該有機發(fā)光二極管(VI)的光學(xué)特性。比較例4：有機發(fā)光二極管(VII)使用中性清潔劑、及丙酮以超音波振蕩將玻璃基板洗凈，在以氮氣將基板吹干。接著于10-5Pa的壓力下依序沉積反射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、以及透明陰極于基板上，以獲致標(biāo)準(zhǔn)型有機發(fā)光二極管(VII)。其中，比較例4所使用的陽極為ITO(厚度為)、電子注入層為BPhen：Li(厚度為)、以及陰極為IZO(厚度為)。此外，比較例3所使用的反射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、及電子傳輸層其厚度及材質(zhì)皆與實施例3相同。該有機發(fā)光二極管(VII)可以下式表示：AlDPVABi(1∶0.05)Li(1∶0.08)最后，以PR650及MinoltaLS110測量該有機發(fā)光二極管(VII)的光學(xué)特性。請參照圖9，是顯示該有機發(fā)光二極管(VI)與(VII)的操作電壓與電流密度的關(guān)系；圖10則是顯示電流密度與功率效率的關(guān)系；此外，圖11則是顯示操作亮度(L)/起始亮度(Lo)與時間的關(guān)系。請參照表4，是顯示有機發(fā)光二極管(VI)與有機發(fā)光二極管(VII)在相同電流密度(10mA/cm2)的操作狀況下，其相對光電性質(zhì)的比較：表4由圖9、圖10及圖11及表4可知，有機發(fā)光二極管(VI)比有機發(fā)光二極管(VII)多了低功函數(shù)金屬層/具有載子注入能力的金屬復(fù)合層/n型摻雜的電子傳輸層此迭層結(jié)構(gòu)，即使該有機發(fā)光二極管(VII)為標(biāo)準(zhǔn)型的有機發(fā)光二極管(即膜層形成順序為陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、以及陰極依序形成于基板上)，實施例3所述的反置型有機發(fā)光二極管(VI)的起始驅(qū)動電壓仍較該標(biāo)準(zhǔn)型的有機發(fā)光二極管(VII)下降12％左右、且功率效率提升9％左右。此外，實施例3所述的反置型有機發(fā)光二極管(VI)其使用壽命為該標(biāo)準(zhǔn)型的有機發(fā)光二極管(VII)的5.8倍左右。實施例4：有機發(fā)光二極管(VIII)實施例4所述的有機發(fā)光二極管(VIII)是依據(jù)實施例3所述的方式形成，除了將低功函數(shù)金屬層的材料由Mg改為Li、具有載子注入能力的金屬復(fù)合層的材料由MoO3改為ReO3，其余皆與實施例3相同。該有機發(fā)光二極管(VIII)可以下式表示：AlLi(1∶0.08)DPVABi(1∶0.05)實施例5：有機發(fā)光二極管(IX)實施例5所述的有機發(fā)光二極管(IX)是依據(jù)實施例3所述的方式形成，除了將低功函數(shù)金屬層的材料由Mg改為Ca、具有載子注入能力的金屬復(fù)合層的材料由MoO3改為V2O5，其余皆與實施例3相同。該有機發(fā)光二極管(IX)可以下式表示：AlLi(1∶0.08)DPVABi(1∶0.05)綜上所述，本發(fā)明所述的有機發(fā)光二極管(例如為一反置型有機發(fā)光二極管)具有一復(fù)合的電子注入層(包括一低功函數(shù)金屬層以及一具有載子注入能力的金屬復(fù)合層)，可改善該有機發(fā)光二極管的電子注入能力，進一步降低驅(qū)動電壓、增加發(fā)光效率、以及延長使用壽命。雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定范圍為基準(zhǔn)。