專利名稱：雙頻天線裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通信天線，更具體地說(shuō)，涉及一種基于人工電磁材料原理(超材料，metamatetrial)雙頻天線裝置。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體エ藝的高度發(fā)展，對(duì)當(dāng)今的電子系統(tǒng)集成度提出了越來(lái)越高的要求，器件的小型化成為了整個(gè)產(chǎn)業(yè)非常關(guān)注的技術(shù)問(wèn)題。然而，不同于IC芯片遵循“摩爾定律”的發(fā)展，作為電子系統(tǒng)的另外重要組成一射頻模塊，卻面臨著器件小型化的高難度技術(shù)挑戰(zhàn)。射頻模塊主要包括了混頻、功放、濾波、射頻信號(hào)傳輸、匹配網(wǎng)絡(luò)與天線等主要器件。其中，天線作為最終射頻信號(hào)的輻射單元和接收器件，其工作特性將直接影響整個(gè)電子系統(tǒng)的工作性能。然而天線的尺寸、帶寬、増益等重要指標(biāo)卻受到了基本物理原理的限制(固定尺寸下的增益極限、帶寬極限等)。這些指標(biāo)極限的基本原理使得天線的小型化技術(shù)難 度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了其它器件，而由于射頻器件的電磁場(chǎng)分析的復(fù)雜性，逼近這些極限值都成為了巨大的技術(shù)挑戰(zhàn)。比如，傳統(tǒng)的終端通信天線主要基于電單極子或偶極子的輻射原理進(jìn)行設(shè)計(jì)，最常用的平面反F天線(PIFA)。傳統(tǒng)天線的輻射工作頻率直接和天線的尺寸正相關(guān)，帶寬和天線的面積正相關(guān)，使得天線尺寸設(shè)計(jì)局限于半波長(zhǎng)的物理長(zhǎng)度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，突破傳統(tǒng)天線設(shè)計(jì)的框架，省去阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的復(fù)雜設(shè)計(jì)，保證其小型化，且天線輻射面積利用率高、抗干擾能力強(qiáng)，。因此，本發(fā)明提供一種基于人工電磁材料理論高增益的雙頻天線裝置。一種天線裝置包括ー種雙頻天線裝置，其特征在于，所述雙頻天線裝置包括一介質(zhì)基板，及一天線導(dǎo)體，設(shè)置所述介質(zhì)基板表面；所述天線導(dǎo)體包括一導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、第一發(fā)射臺(tái)、第二發(fā)射臺(tái)、饋電部及信號(hào)傳輸部；所述饋電部連接所述信號(hào)傳輸部的一端，所述信號(hào)傳輸部的另一端形成所述第一發(fā)射臺(tái)和第二發(fā)射臺(tái)公共連接端；所述第一發(fā)射臺(tái)和第ニ發(fā)射臺(tái)與所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電耦合連接。進(jìn)ー步地，所述雙頻天線裝置還包括一接地部和ー扼流部，所述接地部相對(duì)且絕緣地設(shè)置于所述饋電部，所述接地部?jī)杀鄞怪毖由斐伤龆罅鞑?。進(jìn)ー步地，所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、第一發(fā)射臺(tái)、第二發(fā)射臺(tái)、饋電部、信號(hào)傳輸部、扼流部及接地部設(shè)置于所述介質(zhì)基板的同一側(cè)表面上。進(jìn)ー步地，所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、第一發(fā)射臺(tái)、第二發(fā)射臺(tái)、饋電部及信號(hào)傳輸部設(shè)置于所述介質(zhì)基板的同一側(cè)表面上；所述扼流部和接地部設(shè)置于所述介質(zhì)基板的相対的一側(cè)表面上。進(jìn)ー步地，所述雙頻天線裝置還包括一同軸信號(hào)線，所述同軸信號(hào)線的內(nèi)導(dǎo)體焊接于所述饋電部上，所述同軸信號(hào)線的外導(dǎo)體焊接于所述接地部上。進(jìn)ー步地，所述介質(zhì)基板在IGHz頻率下工作，具有< O. 0002的電損耗正切量。進(jìn)ー步地，所述第一發(fā)射臺(tái)和第二發(fā)射臺(tái)沿著所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)邊緣設(shè)置以將所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包圍設(shè)置。進(jìn)ー步地，所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為ー軸非對(duì)稱圖案。進(jìn)ー步地，所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為ー軸對(duì)稱圖案。進(jìn)ー步地，所述雙頻天線裝置通信諧振頻段為2. 4GHz-2. 48GHz和5. 725GHz-5. 85GHz兩個(gè)通訊頻段。相對(duì)現(xiàn)有天線設(shè)計(jì)，采用人エ電磁材料技術(shù)設(shè)計(jì)出相關(guān)電磁波諧振響應(yīng)金屬結(jié)構(gòu)庫(kù)，這些結(jié)構(gòu)尺寸相對(duì)傳統(tǒng)的天線結(jié)構(gòu)較小，使得天線的物理尺寸不受半波長(zhǎng)的物理長(zhǎng)度限制；可以進(jìn)一歩對(duì)影響的天線性能的參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，縮小天線的體積，有利于天線小型化設(shè)計(jì)，整體提升天線增益和方向性能指標(biāo)。


下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步說(shuō)明圖I為本發(fā)明雙頻天線裝置一實(shí)施例的立體圖；圖2為圖I所示雙頻天線裝置的平面示意圖；圖3為圖I所示雙頻天線裝置的Sll實(shí)測(cè)參數(shù)圖；圖4為圖I所示雙頻天線裝置的在2. 4GHz-2. 48GHz頻段的仿真立體方向圖；圖5為圖4所示雙頻天線裝置的仿真E和H面ニ維方向圖；圖6為圖I所示雙頻天線裝置的在5. 725GHz-5. 85GHz頻段的仿真立體方向圖；圖7為圖6所示雙頻天線裝置的仿真E和H面ニ維方向圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在詳細(xì)參考附圖中描述的實(shí)施例。為了全面理解本發(fā)明，在以下詳細(xì)描述中提到了眾多具體細(xì)節(jié)。但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本發(fā)明可以無(wú)需這些具體細(xì)節(jié)而實(shí)現(xiàn)。在其他實(shí)施方式中，不詳細(xì)描述公知的方法。過(guò)程、組件和電路，以免不必要地使實(shí)施例模糊。本發(fā)明中天線裝置是基于人工電磁材料原理技術(shù)設(shè)計(jì)的，人工電磁材料是指將金屬片鏤刻成特定形狀的拓?fù)浣饘俳Y(jié)構(gòu)，并將所述特定形狀的拓?fù)浣饘俳Y(jié)構(gòu)設(shè)置于一定介電常數(shù)和磁導(dǎo)率基材上而加工制造的等效特種電磁材料，其性能參數(shù)主要取決于其亞波長(zhǎng)的特定形狀的拓?fù)浣饘俳Y(jié)構(gòu)。在諧振頻段，人工電磁材料通常體現(xiàn)出高度的色散特性，換言之，天線的阻抗、容感性、等效的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率隨著頻率會(huì)發(fā)生劇烈的變化。因而可采用人エ電磁材料技術(shù)對(duì)上述天線的基本特性進(jìn)行改造，使得金屬結(jié)構(gòu)與其依附的介質(zhì)基板等效地組成了ー個(gè)高度色散的特種電磁材料，從而實(shí)現(xiàn)輻射特性豐富的新型天線。所述金屬結(jié)構(gòu)可采用三維立體結(jié)構(gòu)或平面ニ維結(jié)構(gòu)(平面ニ維結(jié)構(gòu)也可稱之為金屬圖案)。 請(qǐng)參閱圖1，為本發(fā)明雙頻天線裝置一實(shí)施例的立體圖。所述雙頻天線裝置包括一介質(zhì)基板I、設(shè)置于介質(zhì)基板I表面的天線導(dǎo)體2及同軸信號(hào)線10。所述天線導(dǎo)體2包括一人エ電磁材料的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，即超材料拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，所述天線導(dǎo)體2通過(guò)激光雕刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)在單面覆銅介質(zhì)基板的表面上形成。所述介質(zhì)基板在IGHz頻率下工作，具有彡4. O的標(biāo)稱介電常數(shù)和彡O. 0002的電損耗正切量。所述介質(zhì)基板包括玻纖布、環(huán)氧樹(shù)脂及包含與所述環(huán)氧樹(shù)脂發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的化合物。所述介質(zhì)基板第一類實(shí)施方式如下所述介質(zhì)基板制作エ藝如下首先，提供ー浸潤(rùn)溶液包括第一組份，包含有環(huán)氧樹(shù)脂；第二組份，包含與所述環(huán)氧樹(shù)脂發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的化合物；及ー種或者多種溶剤。其中第一組份和第二組份按照一定比例配置混合。所述浸潤(rùn)溶液經(jīng)過(guò)攪拌后、將所述一玻纖布浸潤(rùn)所述浸潤(rùn)溶液中使第一組份與第ニ組份吸附在玻纖布中或者表面上；然后烘拷所述玻纖布使所述ー種或者多種溶劑揮發(fā)，、并使第一組份與第二組份相互化合交聯(lián)形成半固化片或者固化片。半固化片是指將吸附第一組份與第二組份的玻纖布在烘拷溫度相對(duì)較低環(huán)境中，第一組份包含環(huán)氧樹(shù)脂與第二組份包含化合物部分發(fā)生化合交聯(lián)反應(yīng)的軟性混合物。固化物是指將吸附第一組份與第二組份的玻纖布在烘拷溫度相對(duì)較高環(huán)境中，第一組份包含環(huán)氧樹(shù)脂與第二組份包含化合物部分發(fā)生化合交聯(lián)反應(yīng)的相對(duì)較硬的混合物。在本實(shí)施方式中，所述浸潤(rùn)過(guò)的玻纖布通過(guò)低溫烘烤形成半固化物(呈片狀)，然后所述半固化物剪裁成剪裁片，根據(jù)厚度需要將所述多片剪裁片疊合并進(jìn)行熱壓成本實(shí)施所述的多層介質(zhì)基板(即多層層壓板或片)。在具體的實(shí)施例中，所述第二組份的化合物可選用包含由極性高分子與非極性高分子化合的共聚物，如苯こ烯馬來(lái)酸酐共聚物?？梢岳斫獾氖?，可以與環(huán)氧樹(shù)脂發(fā)生化合交聯(lián)反應(yīng)的共聚物均可用于本實(shí)施方式的配方成份。其中本實(shí)施方式的苯こ烯馬來(lái)酸酐共聚物，其分子式如下
I/ ΓΤΤ ΓΤΤ \ ΓΤΤ ΓΤΤ .
...........................I.......I..............L
5o= C=O
°在上述苯こ烯馬來(lái)酸酐共聚物分子式中包含4個(gè)苯こ烯。在其他實(shí)施方式中，可以選擇相應(yīng)分子量，如苯こ烯馬來(lái)酸酐共聚物分子式中包含6、8個(gè)苯こ烯或者任意個(gè)數(shù)。環(huán)氧樹(shù)脂是泛指分子中含有兩個(gè)或兩個(gè)以上環(huán)氧基團(tuán)的有機(jī)高分子化合物。在其他的實(shí)施例中，所述第二組份的化合物還可以選用氰酸酯預(yù)聚體或者選用苯こ烯馬來(lái)酸酐共聚物與氰酸酯預(yù)聚體按照任意比例混合的混合物。在具體的實(shí)施例中，所述環(huán)氧樹(shù)脂與苯こ烯馬來(lái)酸酐共聚物按照官能值的比例進(jìn)行配制，然后加入一定量的溶劑配成溶液。所述環(huán)氧樹(shù)脂與苯こ烯馬來(lái)酸酐共聚物混合エ藝采用常規(guī)設(shè)備進(jìn)行加工，如普通攪拌桶以及反應(yīng)釜使環(huán)氧樹(shù)脂與苯こ烯馬來(lái)酸酐共聚物均勻混合，從而使所述溶液中的環(huán)氧樹(shù)脂與苯こ烯馬來(lái)酸酐共聚物均勻混合。在具體的實(shí)施例中，通過(guò)加入一定的促進(jìn)劑促使上述浸潤(rùn)溶液200-400秒時(shí)間內(nèi)膠化(選用膠化環(huán)境溫度171°C)，其中促進(jìn)上述浸潤(rùn)溶液膠化時(shí)間260秒左右(如258-260秒、或250-270秒等)效果較好。所述促進(jìn)劑可選用包括但不限于叔胺類，咪唑類以及三氟化硼單こ胺中的任意一類或他們之間混合物。
所述ー種或者多種溶劑可以選用包括但不限于丙酮、丁酮、N，N_ ニ甲基甲酰胺、こニ醇甲醚、甲苯中任意ー種或上述兩種以上溶劑之間混合形成的混合溶剤。在另ー實(shí)施例中，所述浸潤(rùn)溶液包括第一組份，包含環(huán)氧樹(shù)脂；第二組份，包含與所述環(huán)氧樹(shù)脂發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的化合物；及ー種或者多種溶剤。所述第二組份的化合物選用苯こ烯馬來(lái)酸酐共聚物與氰酸酯預(yù)聚體按照任意比例混合的混合物。其中所述氰酸酯預(yù)聚體濃度75%。促進(jìn)劑選用ニ甲基咪唑；所述溶劑選用丁酮。通過(guò)上述配方及其制造エ藝制成本發(fā)明所述介質(zhì)基板3，從而提高天線導(dǎo)體2的輻射效率。請(qǐng)參閱圖2，為雙頻天線裝置的平面示意圖。所述天線導(dǎo)體2還包括ー導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)3、第一發(fā)射臺(tái)4、第二發(fā)射臺(tái)5、饋電部6、信號(hào)傳輸部9、扼流部7及接地部8。所述第一發(fā)射臺(tái)4和第二發(fā)射臺(tái)5與所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)3電耦合連接在本實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)3、第一發(fā)射臺(tái)4、第二發(fā)射臺(tái)5、饋電部6、信號(hào)傳輸部9、扼流部7及接地部8設(shè)置于所述介質(zhì)基板I的同一側(cè)表面上。在本實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)3為ー軸非對(duì)稱圖案。其他實(shí)施方式中,所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)3為ー軸對(duì)稱圖案。所述饋電部6連接所述信號(hào)傳輸部9的一端，所述信號(hào)傳輸部9的另一端形成所述第一發(fā)射臺(tái)4和第二發(fā)射臺(tái)5公共連接端。所述第一發(fā)射臺(tái)4和第二發(fā)射臺(tái)5沿著所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)3邊緣設(shè)置以將所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)3包圍設(shè)置。所述饋電部6和信號(hào)傳輸部9設(shè)置在所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)3的軸線上。在本實(shí)施方式中，所述接地部8相對(duì)且絕緣地設(shè)置于所述饋電部6，其兩臂垂直延伸成所述扼流部7。從而所述扼流部7和接地部8形成ー相對(duì)于所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)3倒立設(shè)置的一“U”字狀。同軸信號(hào)線10的內(nèi)導(dǎo)體焊接于所述饋電部6上，所述同軸信號(hào)線10的外導(dǎo)體焊接于所述接地部8上。在其他實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)3、第一發(fā)射臺(tái)4、第二發(fā)射臺(tái)5、饋電部6及信號(hào)傳輸部9設(shè)置于所述介質(zhì)基板I的同一側(cè)表面上；所述扼流部7和接地部8設(shè)置于所述介質(zhì)基板I的相對(duì)的ー側(cè)表面上。所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的長(zhǎng)、寬及線寬之間變化使得超材料具有不同的介電常數(shù)和不同的磁導(dǎo)率從而使得超材料具有不同的電磁響應(yīng)。其中，當(dāng)該導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)處于諧振頻段時(shí)，該人造金屬導(dǎo)電片將表現(xiàn)出高度的色散特性，所謂高度的色散特性是指該人造金屬導(dǎo)電片的阻抗、容感性、等效的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率隨著頻率會(huì)發(fā)生劇烈的變化。在本實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為對(duì)應(yīng)的通信頻段為2. 4GHz-2. 48GHz和5. 725GHz_5. 85GHz兩個(gè)通訊頻段。其中導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為銅或銀材料制成。優(yōu)選為銅，價(jià)格低廉，導(dǎo)電性能好。為了實(shí)現(xiàn)更好阻抗匹配，導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)也為銅和銀形成合金或選用純銀材料制成。請(qǐng)參閱圖3，為雙頻天線裝置的Sll實(shí)測(cè)參數(shù)圖。所述圖示在2. 4GHz-2. 48GHz和5. 725GHz-5. 85GHz兩個(gè)頻段的駐波系數(shù)，其中在頻點(diǎn)2. 4500GHz (ml)、2. 4500GHz (m2)、5. 700GHz (m3)及 5. 850GHz (m4)的駐波系數(shù)分別為-10. 3726dB、-17. 1806dB、-9. 6054dB及-9.8834dB。請(qǐng)ー并參閱圖4和圖5，所示雙頻天線裝置的在2. 4GHz-2. 48GHz頻段的仿真立體方向圖及仿真E和H面ニ維方向圖。參閱圖6和圖7，為雙頻天線裝置的在5. 725GHz-5. 85GHz頻段的仿真方向立體圖及仿真E和H面ニ維方向圖。從上述圖可以看出，所述雙頻天線裝置為全向天線，具有現(xiàn)在IEEE 802. 11這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)要求的頻段寬度，增益在2. 4-2. 48GHz達(dá)到2dB、5. 725-5. 85GHz達(dá)到4dB，駐波系數(shù)低于2等優(yōu)良的電性能指標(biāo)。從人工電磁材料原理得出開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)天線可以采用的金屬結(jié)構(gòu)，利用這些金屬結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)天線時(shí)，且在滿足天線性能設(shè)計(jì)的要求前提下，可以進(jìn)一歩對(duì)影響的天線性能的參數(shù) 進(jìn)行優(yōu)化，縮小天線的體積，有利于天線小型化，從而避免傳統(tǒng)天線受到物理尺寸的限制。上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實(shí)施方式
，上述的具體實(shí)施方式
僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗g和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種雙頻天線裝置，其特征在于，所述雙頻天線裝置包括 一介質(zhì)基板，及 一天線導(dǎo)體，設(shè)置所述介質(zhì)基板表面；所述天線導(dǎo)體包括一導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、第一發(fā)射臺(tái)、第二發(fā)射臺(tái)、饋電部及信號(hào)傳輸部；所述饋電部連接所述信號(hào)傳輸部的一端，所述信號(hào)傳輸部的另一端形成所述第一發(fā)射臺(tái)和第二發(fā)射臺(tái)公共連接端；所述第一發(fā)射臺(tái)和第二發(fā)射臺(tái)與所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電耦合連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙頻天線裝置，其特征在于，所述雙頻天線裝置還包括一接地部和ー扼流部，所述接地部相對(duì)且絕緣地設(shè)置于所述饋電部，所述接地部?jī)杀鄞怪毖由斐伤龆罅鞑俊?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙頻天線裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、第一發(fā)射臺(tái)、第二發(fā)射臺(tái)、饋電部、信號(hào)傳輸部、扼流部及接地部設(shè)置于所述介質(zhì)基板的同一側(cè)表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙頻天線裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、第一發(fā)射臺(tái)、第二發(fā)射臺(tái)、饋電部及信號(hào)傳輸部設(shè)置于所述介質(zhì)基板的同一側(cè)表面上；所述扼流部和接地部設(shè)置于所述介質(zhì)基板的相対的ー側(cè)表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的雙頻天線裝置，其特征在于，所述雙頻天線裝置還包括一同軸信號(hào)線，所述同軸信號(hào)線的內(nèi)導(dǎo)體焊接于所述饋電部上，所述同軸信號(hào)線的外導(dǎo)體焊接于所述接地部上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙頻天線裝置，其特征在于，所述介質(zhì)基板在IGHz頻率下エ作，具有< O. 0002的電損耗正切量。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙頻天線裝置，其特征在于，所述第一發(fā)射臺(tái)和第二發(fā)射臺(tái)沿著所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)邊緣設(shè)置以將所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包圍設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙頻天線裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為ー軸非對(duì)稱圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙頻天線裝置，其特征在干，所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為一軸對(duì)稱圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙頻天線裝置，其特征在于，所述雙頻天線裝置通信諧振頻段為 2. 4GHz-2. 48GHz 和 5. 725GHz_5. 85GHz 兩個(gè)通訊頻段。
全文摘要
一種天線裝置包括一種雙頻天線裝置，其特征在于，所述雙頻天線裝置包括一介質(zhì)基板，及一天線導(dǎo)體，設(shè)置所述介質(zhì)基板表面；所述天線導(dǎo)體包括一導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、第一發(fā)射臺(tái)、第二發(fā)射臺(tái)、饋電部及信號(hào)傳輸部；所述饋電部連接所述信號(hào)傳輸部的一端，所述信號(hào)傳輸部的另一端形成所述第一發(fā)射臺(tái)和第二發(fā)射臺(tái)公共連接端；所述第一發(fā)射臺(tái)和第二發(fā)射臺(tái)與所述導(dǎo)電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電耦合連接。通過(guò)低介電損耗介質(zhì)基基板和天線選型、且優(yōu)化天線選型設(shè)計(jì)提高了天線裝置的增益等綜合性能。
文檔編號(hào)H01Q5/01GK102664306SQ20121012778
公開(kāi)日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2012年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月27日
發(fā)明者劉若鵬, 徐冠雄, 李圣源, 鄧存喜 申請(qǐng)人:深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司