專利名稱：環(huán)形器磁屏蔽組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明 涉及一種環(huán)形器磁屏蔽組件。
背景技術(shù)：
環(huán)形器是將進(jìn)入其任一端口的入射波，按照由靜偏磁場(chǎng)確定的方向順序傳入下一個(gè)端口的多端口器件?，F(xiàn)有的環(huán)形器具有磁泄漏較大，磁路效率較低，外部磁場(chǎng)對(duì)環(huán)形器電性能的影響較大，環(huán)形器周圍的磁敏感元器件易受環(huán)形器磁場(chǎng)的影響，永磁體的能量只有少部分集中在環(huán)形器內(nèi)，能量利用率較低等缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的即在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，提供一個(gè)低磁阻通道，提高環(huán)形器磁路效率，減小磁泄漏，減少外部磁場(chǎng)對(duì)環(huán)形器電性能的影響，保護(hù)環(huán)形器周圍的磁敏感元器件不受環(huán)形器磁場(chǎng)的影響，盡可能使永磁體的能量集中在環(huán)形器內(nèi)部，使得能量利用率達(dá)到最高。本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)環(huán)形器磁屏蔽組件，它包括腔體和一個(gè)或多個(gè)屏蔽板，腔體的上部、下部和四周分別安裝有至少一個(gè)屏蔽板，形成一個(gè)閉合磁路。所述的屏蔽板為鐵片。本發(fā)明的有益效果是
(1)本發(fā)明提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，減少外部磁場(chǎng)對(duì)環(huán)形器電性能的影響；
(2)本發(fā)明提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，保護(hù)環(huán)形器周圍的磁敏感元器件不受環(huán)形器磁場(chǎng)的影響；
(3)本發(fā)明提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，提供一個(gè)低磁阻通道，提高環(huán)形器磁路效率，減小磁泄漏；
(4)本發(fā)明提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，盡可能使永磁體的能量集中在環(huán)形器內(nèi)部，使得能量利用率達(dá)到最高。


圖I為本發(fā)明的結(jié)構(gòu) 圖中，I-腔體，2-屏蔽板。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的描述，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于以下所述。如圖I所示，環(huán)形器磁屏蔽組件，它包括腔體I和一個(gè)或多個(gè)屏蔽板2，腔體I的上部、下部和四周分別安裝有至少一個(gè)屏蔽板2，形成一個(gè)閉合磁路，所述的屏蔽板2為鐵片，所述的鐵片由導(dǎo)磁率很高的純鐵片Q235材料制作而成。
權(quán)利要求
1.環(huán)形器磁屏蔽組件，其特征在于它包括腔體(I)和一個(gè)或多個(gè)屏蔽板(2)，腔體(I)的上部、下部和四周分別安裝有至少一個(gè)屏蔽板(2)，形成一個(gè)閉合磁路。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的環(huán)形器磁屏蔽組件，其特征在于所述的屏蔽板(2)為鐵片。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種環(huán)形器磁屏蔽組件，它包括腔體(1)和一個(gè)或多個(gè)屏蔽板(2)，腔體(1)的上部、下部和四周分別安裝有至少一個(gè)屏蔽板(2)，形成一個(gè)閉合磁路。本發(fā)明提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，提供一個(gè)低磁阻通道，提高環(huán)形器磁路效率，減小磁泄漏，減少外部磁場(chǎng)對(duì)環(huán)形器電性能的影響，保護(hù)環(huán)形器周圍的磁敏感元器件不受環(huán)形器磁場(chǎng)的影響，盡可能使永磁體的能量集中在環(huán)形器內(nèi)部，使得能量利用率達(dá)到最高。
文檔編號(hào)H01P1/38GK102623780SQ20121012810
公開日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月28日
發(fā)明者張建林 申請(qǐng)人:成都泰格微波技術(shù)股份有限公司