專利名稱：一種led芯片及其相應(yīng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電芯片制造領(lǐng)域，尤其涉及ー種LED芯片結(jié)構(gòu)及其相應(yīng)的制作方法。
背景技術(shù)：
20世紀90年代末，在半導體器件照明時代的初期，居室照明主要是鎢白熾燈，緊湊型熒光燈由于高效率正被積極推廣。多數(shù)工作環(huán)境使用熒光燈，街道照明則以鈉燈為主。然而，高亮度可見光發(fā)光二極管(light-emitting diode, LED)已經(jīng)有很大的應(yīng)用，以它為基礎(chǔ)的固體照明正在迅猛發(fā)展，即將引起照明歷史的又一次革命。盡管這種發(fā)展態(tài)勢勢如 破竹，但是發(fā)光二極管效率普遍不是很高，其中主要問題是LED芯片光提取效率不高。采用反射鏡和增加電流密度的方式能有效地改善LED芯片提取效率，而銀作為自然界反射率最高的金屬，一般用來制成反射鏡來提高LED的出光效率，但是銀作為ー種最易發(fā)生遷移，且遷移速率最高的金屬，在LED工作過程中會沿芯片側(cè)面產(chǎn)生漏電通道，極大的影響LED的穩(wěn)定性。目前，為了防止銀的擴散和電遷移，一般將銀制成的反射鏡層刻蝕成小圖形，并采用金、鉬、鎳、鉻、鎢、鎢鈦合金中的一種或組合制成阻擋層沉積在其表面上，但阻擋效果依舊不好，在芯片邊緣，銀仍然很容易擴散或產(chǎn)生電遷移現(xiàn)象，導致芯片失效，且エ藝復雜，成本較高。對于倒裝LED芯片，一般都會采用絕緣介質(zhì)膜ニ氧化硅制作鈍化膜，使刻蝕臺階絕緣，減少芯片的漏電，但是需要額外一次光刻，増加了エ藝復雜性和制作成本。針對以上問題，需要設(shè)計ー種新的結(jié)構(gòu)和方法，不僅提高LED出光效率，而且能防止銀在芯片邊緣擴散和降低電遷移現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供ー種LED芯片的制作方法，防止反射鏡層中的銀擴散和電遷移現(xiàn)象，提高芯片可靠性。為了達到上述目的，本發(fā)明提供了ー種LED芯片的制作方法，包括如下步驟提供一村底，在所述襯底的表面上形成外延層，所述外延層由下至上依次沉積包含有N型層、發(fā)光層和P型層；刻蝕P型層、發(fā)光層，形成由上至下貫穿P型層、發(fā)光層、直到N型層的臺階；沉積絕緣材料覆蓋所述臺階側(cè)面、所述N型層和所述P型層，通過刻蝕P型層表面的絕緣材料形成銀遷移阻擋層和窗ロ，每個窗ロ底部暴露出P型層；在所述每個窗ロ形成金屬功能層。進ー步的，形成金屬功能層之后，包括如下步驟在所述臺階上的銀遷移阻擋層中刻蝕出N電極凹槽，并在所述N電極凹槽中形成N電極；在所述銀遷移阻擋層、金屬功能層和N電極的表面形成第一鍵合層；提供一基板，在所述基板的一面形成第二鍵合層，并在所述第二鍵合層中刻蝕出ー開ロ ；所述開ロ對應(yīng)于銀遷移阻擋層與緊鄰的N電極之間，將第一鍵合層與第二鍵合層進行鍵合，制成LED芯片。進ー步的，所述金屬功能層為包含有依次形成于P型層上的P型接觸層、反射鏡層或P型接觸層、反射鏡層和防擴散層。進ー步的，采用化學氣相沉積、蒸發(fā)或者濺射形成所述銀遷移阻擋層。優(yōu)選的，所述銀遷移阻擋層使用的材料為絕緣材料。優(yōu)選的，所述絕緣材料為ニ氧化硅、氮化硅、氮氧硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦中的
一種或組合。優(yōu)選的，所述銀遷移阻擋層的厚度為lOOnm-lOOOOnm。優(yōu)選的，所述反射鏡層的厚度為50nm-500nm。 進ー步的，所述銀遷移阻擋層的外框尺寸等于LED芯片邊框尺寸。進ー步的，所述銀遷移阻擋層的外框尺寸為200μπι-20_。進ー步的，所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框尺寸等于反射鏡層邊框尺寸。進ー步的，所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框尺寸為200μπι-20_。進ー步的，所述銀遷移阻擋層的外框尺寸等于LED芯片邊框尺寸，其內(nèi)框尺寸等于反射鏡層邊框尺寸。優(yōu)選的，所述銀遷移阻擋層的外框尺寸和內(nèi)框尺寸差為5μπι-200μπι。進ー步的，所述銀遷移阻擋層外框和內(nèi)框形狀為正方形、長方形、圓形、或多邊形中的一種或組合。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了ー種LED芯片，至少包括外延層，所述外延層包括N型層、位于所述N型層上的發(fā)光層、及位于所述發(fā)光層上的P型層；金屬功能層，所述金屬功能層位于所述P型層上；銀遷移阻擋層，所述銀遷移阻擋層位于所述P型層上，且位于所述金屬功能層外國。進ー步的，所述金屬功能層包含有依次形成于P型層表面的P型接觸層、反射鏡層或P型接觸層、反射鏡層和防擴散層。進ー步的，緊鄰所述銀遷移阻擋層的ー側(cè)形成有貫穿P型層、發(fā)光層的臺階，該側(cè)的銀遷移阻擋層延伸覆蓋所述臺階的表面形成為鈍化膜；所述臺階表面上的銀遷移阻擋層中形成有N電極凹槽，位于所述N電極凹槽中形成有N電極；位于金屬功能層表面、銀遷移阻擋層和N電極的表面依次形成有第一鍵合層和第二鍵合層，位于第二鍵合層表面形成有基板。優(yōu)選的，所述銀遷移阻擋層使用的材料為絕緣材料。優(yōu)選的，所述絕緣材料為ニ氧化硅、氮化硅、氮氧硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦中的
一種或組合。優(yōu)選的，所述銀遷移阻擋層的厚度為100nm-10000nm。優(yōu)選的，所述反射鏡層的厚度為50nm_500nm。進ー步的，所述銀遷移阻擋層的外框尺寸等于LED芯片邊框尺寸。進ー步的，所述銀遷移阻擋層的外框尺寸為200μπι-20_。進ー步的，所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框尺寸等于反射鏡層邊框尺寸。進ー步的，所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框尺寸為200μπι-20_。進ー步的，所述銀遷移阻擋層的外框尺寸等于LED芯片邊框尺寸，其內(nèi)框尺寸等于反射鏡層邊框尺寸。優(yōu)選的，所述銀遷移阻擋層的外框尺寸和內(nèi)框尺寸差為5μπι-200μπι。進ー步的，所述銀遷移阻擋層外框和內(nèi)框形狀為正方形、長方形、圓形、或多邊形中的一種或組合。

由上述技術(shù)方案可見，與現(xiàn)有的通過在銀反射鏡層上采用貴金屬沉積形成阻擋層的エ藝相比，本發(fā)明公開的LED芯片的制作方法，利用金屬功能層外圍的銀遷移阻擋層，防止其擴散和發(fā)生電遷移，并且順帶制作了鈍化膜，提高了 LED芯片可靠性，且エ藝簡化，降低了成本。


圖I是本發(fā)明ー種LED芯片的制作方法流程；圖2a至2k是圖I之制造方法；圖3是圖2d之俯視圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。參見圖1，本發(fā)明所提供的ー種LED芯片制作方法流程為SlOO :提供一村底，在所述襯底的表面上形成外延層，所述外延層由下至上依次沉積包含有N型層、發(fā)光層和P型層；SlOl :刻蝕P型層、發(fā)光層，形成由上至下貫穿P型層、發(fā)光層、直到N型層的臺階；S102 :沉積絕緣材料覆蓋所述臺階側(cè)面、所述N型層和所述P型層，通過刻蝕P型層表面的絕緣材料形成銀遷移阻擋層和窗ロ，每個窗ロ底部暴露出P型層；S103 :在所述每個窗ロ形成金屬功能層。下面以圖I所示的方法流程為例，結(jié)合附圖2a至2k以及圖3，對ー種LED芯片的制作エ藝進行詳細描述。SlOO :提供一村底，在所述襯底的表面上形成外延層，所述外延層由下至上依次沉積包含有N型層、發(fā)光層和P型層。參見圖2a，提供ー襯底100，在所述襯底100上生長外延層108，所述襯底100為藍寶石襯底，所述外延層108由下至上依次包含生長的N型層102、發(fā)光層104和P型層106。SlOl :刻蝕P型層、發(fā)光層，形成由上至下貫穿P型層、發(fā)光層、直到N型層的臺階。參見圖2b，在所述外延層108上采用ICP (電感耦合等離子體)刻蝕出臺階110，所述臺階110由上至下貫穿所述P型層106、發(fā)光層104，刻蝕停止在所述N型層102表面上。當然，也可以繼續(xù)刻蝕部分N型層，形成臺階，刻蝕停止在所述N型層中。S102 :沉積絕緣材料覆蓋所述臺階側(cè)面、所述N型層和所述P型層，通過刻蝕P型層表面的絕緣材料形成銀遷移阻擋層和窗ロ，每個窗ロ底部暴露出P型層。首先，參見圖2c，可以采用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、蒸發(fā)或者濺射エ藝形成絕緣材料112覆蓋所述臺階110側(cè)面、所述N型層102和所述P型層106，優(yōu)選的，采用PECVD形成絕緣材料112。所述絕緣材料112的厚度為100nm-10000nm，優(yōu)選的，所述絕緣材料112的厚度為500nm。所述絕緣材料112為ニ氧化硅、氮化硅、氮氧硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦和其它絕緣介質(zhì)膜中的一種或組合。其次，參見圖2d，采用光刻エ藝形成圖案化的絕緣材料112，然后，采用氧化物刻蝕緩沖液(Buffered Oxide Etcher，BOE)腐蝕圖案化的絕緣材料112，在所述P型層106表面上形成銀遷移阻擋層114a和窗ロ 116，在所述臺階110表面上保留的絕緣材 料充當鈍化膜114b，每個窗ロ 116底部暴露出所述P型層106。S103 :在所述每個窗ロ形成金屬功能層。參見圖2e，首先，在每個窗ロ 116中采用電子束蒸發(fā)エ藝在所述P型層106表面上依次沉積包含有P型接觸層120和反射鏡層122的金屬功能層118 ;為了更好的防止銀擴散或電遷移現(xiàn)象的發(fā)生，還可以在反射鏡層122上采用電子束蒸發(fā)エ藝沉積防擴散層124，形成包含有P型接觸層120、反射鏡層122和防擴散層124的金屬功能層118。其次，在氮氣(N2)氛圍中進行高溫快速退火，所述高溫為500°C，退火時間為20min。接著，剝離掉所述銀遷移阻擋層114a表面上分別形成P型接觸層120、反射鏡層122和防擴散層124的金屬材料。所述P型接觸層120使用的材料為鎳，優(yōu)選的，所述P型接觸層120的厚度為0. 5nm ;所述反射鏡層122使用的材料為銀，所述反射鏡層的厚度為50nm-500nm，優(yōu)選的，所述反射鏡層122的厚度為200nm ;所述防擴散層124使用的材料為鉬，優(yōu)選的，所述防擴散層124的厚度為300nm。參見圖4，圖4為圖2e的俯視圖。由于，所述銀遷移阻擋層位于反射鏡層的外圍，為了防止所述反射鏡層發(fā)生擴散和電遷移現(xiàn)象，因此，決定了所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框尺寸d2等于反射鏡層邊框尺寸。優(yōu)選的，所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框尺寸d2是200ym-20mm。并且，所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框形狀為正方形、長方形、圓形、或多邊形中的一種或組合，其內(nèi)框形狀隨需要制作的反射鏡層的形狀而隨之改變。其中，在形成所述窗ロ 116之后，形成金屬功能層118之前，還可以先對外延層108進行清洗，這樣能更好的形成優(yōu)良的P型歐姆接觸，優(yōu)選的，采用沸騰王水煮外延層108，再沖水20min。當然，形成所述金屬功能層118之后，還可以繼續(xù)進行后續(xù)加工，完成LED芯片的制作，包括如下步驟S104 :在所述臺階上的銀遷移阻擋層中刻蝕出N電極凹槽，并在所述N電極凹槽中形成N電極。參見圖2f，在所述臺階110上的銀遷移阻擋層114b中刻蝕出N電極凹槽，并在所述N電極凹槽中采用蒸發(fā)或者濺射的方式形成N電極128。所述N電極128的表面和金屬功能層118的表面平齊。S105 :在所述銀遷移阻擋層、金屬功能層和N電極的表面形成第一鍵合層。
參見圖2g，在所述銀遷移阻擋層114a、金屬功能層118和N電極128的表面采用蒸發(fā)エ藝沉積金屬，形成第一鍵合層130，所述第一鍵合層130使用的材料為金，所述第一鍵合層130的厚度為1.5μπι。S106 :提供一基板，所述基板的一面形成有第二鍵合層，并在所述第二鍵合層中刻蝕出ー開ロ。參見圖2h，提供一基板132，所述基板132為絕緣基板，在所述基板132的一面采用蒸發(fā)エ藝形成厚度為I. 5 μ m的第二鍵合層134，并采用光刻エ藝形成圖案化的第二鍵合層134，并將圖案化的第二鍵合層134刻蝕出ー開ロ 136，所述開ロ底部暴露出基板132。S107 :所述開ロ對應(yīng)于銀遷移阻擋層與緊鄰的N電極之間，將第一鍵合層與第二鍵合層進行鍵合，制成LED芯片。參見圖2i，將所述開ロ 136對應(yīng)于所述銀遷移阻擋層114a與緊鄰的所述N電層128之間的部位，對外延層108上的第一鍵合層130和基板132上的第二鍵合層134鍵合在 一起，形成LED芯片。所述鍵合的溫度為300°C、鍵合的壓カ為5T，鍵合的時間為5min，使第一鍵合層和第二鍵合層通過固相擴散鍵合在一起，這樣能使基板起到支撐和散熱作用。所述銀遷移阻擋層的外框尺寸dl等于形成的LED芯片邊框尺寸。優(yōu)選的，所述銀遷移阻擋層的外框尺寸dl為200 μ m-20mm。進ー步的，所述銀遷移阻擋層的外框尺寸dl和內(nèi)框尺寸差d2為5 μ m-200 μ m,即所述銀遷移阻擋層框?qū)挒? μ m-200 μ m。其中所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框形狀為正方形、長方形、圓形、或多邊形中的一種或組合，其外框形狀隨需要制作的LED芯片的形狀而隨之改變。優(yōu)選的，通過化學機械拋光技術(shù)(CMP)減薄所述襯底100至所需厚度，如圖2j所
/Jn ο優(yōu)選的，還可以制作納米掩膜板，以該納米掩膜板為掩模，采用干法刻蝕エ藝處理所述襯底，使所述襯底表面粗化，如圖2k所示，形成平面倒裝LED芯片。為此，基于上述LED芯片的制作方法，本發(fā)明還提供了ー種LED芯片，如圖2k所示，至少包括外延層108，所述外延層108包括N型層102、位于所述N型層102上的發(fā)光層104、及位于所述發(fā)光層104上的P型層106 ;金屬功能層118，所述金屬功能層118位于所述P型層106上；銀遷移阻擋層114a，所述銀遷移阻擋層114a位于所述P型層106上，且位于所述金屬功能層118外國。進ー步的，在所述P型層106上形成的金屬功能層118由下至上依次包括有P型接觸層120、和反射鏡層122，或P型接觸層120、反射鏡層122和防擴散層124。進ー步的，與所述外延層108相反的金屬功能層118、銀遷移阻擋層114a和N電極的表面上依次形成有第一鍵合層130、第二鍵合層134和基板132。進ー步的，所述襯底為表面粗化的襯底。為此，緊鄰所述銀遷移阻擋層的ー側(cè)形成有貫穿P型層、發(fā)光層的臺階，該側(cè)的銀遷移阻擋層延伸覆蓋所述臺階的表面形成為鈍化膜；所述臺階表面上的銀遷移阻擋層中形成有N電極凹槽，位于所述N電極凹槽中形成有N電極；位于金屬功能層表面、銀遷移阻擋層和N電極的表面依次形成有第一鍵合層和第二鍵合層,位于第二鍵合層表面形成有基板，形成了平面倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片。本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，如絕緣介質(zhì)膜的材料和制作方法，因此本 發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.ー種LED芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步驟 提供一村底，在所述襯底的表面上形成外延層，所述外延層由下至上依次沉積包含有N型層、發(fā)光層和P型層； 刻蝕P型層、發(fā)光層，形成由上至下貫穿P型層、發(fā)光層、直到N型層的臺階； 沉積絕緣材料覆蓋所述臺階側(cè)面、所述N型層和所述P型層，通過刻蝕P型層表面的絕緣材料形成銀遷移阻擋層和窗ロ，每個窗ロ底部暴露出P型層； 在所述每個窗ロ形成金屬功能層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的LED芯片的制作方法，其特征在于形成金屬功能層之后，包括如下步驟 在所述臺階上的銀遷移阻擋層中刻蝕出N電極凹槽，并在所述N電極凹槽中形成N電極； 在所述銀遷移阻擋層、金屬功能層和N電極的表面形成第一鍵合層； 提供一基板，在所述基板的一面形成第二鍵合層，并在所述第二鍵合層中刻蝕出ー開Π ； 所述開ロ對應(yīng)于銀遷移阻擋層與緊鄰的N電極之間，將第一鍵合層與第二鍵合層進行鍵合，制成LED芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2中任一項所述的LED芯片的制作方法，其特征在于所述金屬功能層為包含有依次形成于P型層上的P型接觸層、反射鏡層或P型接觸層、反射鏡層和防擴散層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3中任一項所述的LED芯片的制作方法，其特征在于采用化學氣相沉積、蒸發(fā)或者濺射形成所述銀遷移阻擋層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED芯片的制作方法，其特征在于所述銀遷移阻擋層使用的材料為絕緣材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED芯片的制作方法，其特征在于所述絕緣材料為ニ氧化硅、氮化硅、氮氧硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦中的一種或組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于所述銀遷移阻擋層的厚度為 lOOnm-lOOOOnm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于所述反射鏡層的厚度為50nm-500nmo
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于所述銀遷移阻擋層的外框尺寸等于LED芯片邊框尺寸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED芯片的制作方法，其特征在于所述銀遷移阻擋層的外框尺寸為200 μ m-20mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框尺寸等于反射鏡層邊框尺寸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED芯片的制作方法，其特征在于所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框尺寸為200 μ m-20mm。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于所述銀遷移阻擋層的外框尺寸等于LED芯片邊框尺寸，其內(nèi)框尺寸等于反射鏡層邊框尺寸。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的LED芯片的制作方法，其特征在于所述銀遷移阻擋層的外框尺寸和內(nèi)框尺寸差為5 μ m-200 μ m。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于所述銀遷移阻擋層外框和內(nèi)框形狀為正方形、長方形、圓形、或多邊形中的一種或組合。
16.ー種LED芯片，其特征在于，至少包括 外延層，所述外延層包括N型層、位于所述N型層上的發(fā)光層、及位于所述發(fā)光層上的P型層； 金屬功能層，所述金屬功能層位于所述P型層上； 銀遷移阻擋層，所述銀遷移阻擋層位于所述P型層上，且位于所述金屬功能層外國。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的LED芯片，其特征在于所述金屬功能層包含有依次形成于P型層表面的P型接觸層、反射鏡層或P型接觸層、反射鏡層和防擴散層。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17中任一項所述的LED芯片，其特征在于緊鄰所述銀遷移阻擋層的ー側(cè)形成有貫穿P型層、發(fā)光層的臺階，該側(cè)的銀遷移阻擋層延伸覆蓋所述臺階的表面形成為鈍化膜；所述臺階表面上的銀遷移阻擋層中形成有N電極凹槽，位于所述N電極凹槽中形成有N電極；位于金屬功能層表面、銀遷移阻擋層和N電極的表面依次形成有第一鍵合層和第二鍵合層，位于第二鍵合層表面形成有基板。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的LED芯片，其特征在于所述銀遷移阻擋層使用的材料為絕緣材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的LED芯片，其特征在于所述絕緣材料為ニ氧化硅、氮化硅、氮氧硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦中的一種或組合。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的LED芯片，其特征在于所述銀遷移阻擋層的厚度為lOOnm-lOOOOnm。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的LED芯片，其特征在干所述反射鏡層的厚度為50nm-500nmo
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的LED芯片，其特征在于所述銀遷移阻擋層的外框尺寸等于LED芯片邊框尺寸。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的LED芯片，其特征在于所述銀遷移阻擋層的外框尺寸為200 μ m-20mm。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的LED芯片，其特征在于所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框尺寸等于反射鏡層邊框尺寸。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的LED芯片，其特征在于所述銀遷移阻擋層的內(nèi)框尺寸為200 μ m-20mm。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的LED芯片，其特征在于所述銀遷移阻擋層的外框尺寸等于LED芯片邊框尺寸，其內(nèi)框尺寸等于反射鏡層邊框尺寸。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的LED芯片，其特征在于所述銀遷移阻擋層的外框尺寸和內(nèi)框尺寸差為5 μ m-200 μ m。
29.根據(jù)權(quán)利要求19所述的LED芯片，其特征在于所述銀遷移阻擋層外框和內(nèi)框形狀為正方形、長方形、圓形、或多邊形中的一種或組合。
全文摘要
本發(fā)明提出一種LED芯片，至少包括外延層，所述外延層包括N型層、位于所述N型層上的發(fā)光層、及位于所述發(fā)光層上的P型層；金屬功能層，所述金屬功能層位于所述P型層上；銀遷移阻擋層，所述銀遷移阻擋層位于所述P型層上，且位于所述金屬功能層外圍。本發(fā)明還提供了LED芯片的制作方法，以解決反射鏡層的擴散和電遷移，改善LED的可靠性。
文檔編號H01L33/00GK102646765SQ20121013539
公開日2012年8月22日 申請日期2012年5月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月3日
發(fā)明者萬遠濤, 封飛飛, 張昊翔, 李東昇, 江忠永, 金豫浙, 高耀輝 申請人:杭州士蘭明芯科技有限公司