專利名稱：應(yīng)變硅納米線nmosfet的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，涉及一種硅納米線NMOSFET的制備方法，尤其涉及一種應(yīng)變硅納米線NMOSFET的制備方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)前，在先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造中引入應(yīng)變工程非常普遍。在通過應(yīng)變工程所制造的半導(dǎo)體器件中，對(duì)于溝道方向?yàn)椤?10〉的M0SFET，當(dāng)溝道方向具有張應(yīng)力時(shí)，可以有效增大NMOSFET的電流驅(qū)動(dòng)能力，而當(dāng)溝道方向具有壓應(yīng)力時(shí)，可以有效增大PM0SFET的電流驅(qū)動(dòng)能力。同樣道理，對(duì)于最先進(jìn)的半導(dǎo)體納米線場效應(yīng)晶體管(Nanowire Field EffectTransistor, NWFET)，如果在其納米線長度方向(即溝道方向)引入應(yīng)變工程，也將大大增 大NWFET的電流驅(qū)動(dòng)能力。如在NMOSFET中的源漏區(qū)域采用選擇性刻蝕和選擇性外延技術(shù)嵌入式SiC，使得NMOSFET的溝道內(nèi)沿源漏方向具有張應(yīng)力，從而有效提高NMOSFET的開啟電流 Ion (Yaocheng Liu 等人，VLSI Technology ((Strained Si Channel MOSFETs withEmbedded Silicon Carbon Formed by Solid Phase Epitaxy)), IEEE Symposium, 2007)。美國專利(公開號(hào)US 2011/0104860 Al)公開了一種內(nèi)建應(yīng)力半導(dǎo)體納米線制備方法，它基于具有埋氧層的半導(dǎo)體襯底(如SOI襯底)，在半導(dǎo)體納米線制備完成后，沉積一層壓應(yīng)變薄膜層，如應(yīng)變氮化硅層。在后續(xù)將柵極區(qū)域的應(yīng)變薄膜刻蝕以后，由于兩邊源漏區(qū)域的應(yīng)變薄膜的收縮作用，使得柵極區(qū)域(即溝道區(qū)域)的半導(dǎo)體納米線具有張應(yīng)力。在柵極工藝完成后，這種半導(dǎo)體納米線長度方向(即NWFET溝道方向)的張應(yīng)力就被固定在半導(dǎo)體納米線中，后續(xù)壓應(yīng)變薄膜層去除后也不會(huì)使這種張應(yīng)力消失。該方法具有以下兩個(gè)缺點(diǎn)
該結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體納米線是與半導(dǎo)體兩個(gè)相對(duì)的襯墊相連，而半導(dǎo)體兩個(gè)襯墊又與絕緣基底相連，在其工藝制備過程有一個(gè)步驟是，包裹在半導(dǎo)體納米線上的壓應(yīng)變薄膜被刻蝕掉而只保留包裹在半導(dǎo)體兩個(gè)襯墊上的壓應(yīng)變薄膜，這時(shí)，受兩邊收縮力作用，半導(dǎo)體納米線所受到的力其實(shí)不是在水平方向的，而是在水平方向上再向下一定角度的反向張應(yīng)力。當(dāng)半導(dǎo)體納米線足夠細(xì)時(shí)，這種不在水平方向的反向張應(yīng)力可能會(huì)造成半導(dǎo)體納米線中間部位發(fā)生錯(cuò)位，甚至斷裂。并且，應(yīng)變薄膜層在柵極制備完畢后需要去除，這其實(shí)是一種應(yīng)力記憶技術(shù)(SMT，Stress Memorized Technology),其產(chǎn)生的半導(dǎo)體納米線溝道應(yīng)力只能到達(dá)0. 3GPa,無法使N-NWFET的Ion較大的增大。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有的技術(shù)中缺乏穩(wěn)定有效的應(yīng)變硅納米線NMOSFET的制備方法。本發(fā)明提供的一種應(yīng)變硅納米線NMOSFET的制備方法，包括以下步驟步驟1，提供SOI硅片，包括硅襯底、硅襯底上的埋氧層和埋氧層上的頂層硅；
步驟2，定義硅納米線場效應(yīng)晶體管區(qū)域，并在頂層硅和埋氧層之間形成空洞層，并形成源漏襯墊，在空洞層上方的頂層硅上制備出硅納米線；
步驟3，沉淀絕緣介質(zhì)層，并填充頂層硅下方的空洞層；磨平絕緣介質(zhì)層，使得源漏襯墊上方的絕緣介質(zhì)層厚度為20nnT200nm ；
步驟4，刻蝕柵極區(qū)域的絕緣介質(zhì)層，直至露出埋氧層；
步驟5，進(jìn)行柵氧工藝制備柵氧層，并沉積柵極材料； 步驟6，刻蝕源漏襯墊區(qū)域的頂層硅并保留底部的部分頂層硅；
步驟7，在源漏襯墊區(qū)域生長碳硅層，同時(shí)進(jìn)行源漏區(qū)域原位摻雜；
步驟8，進(jìn)行金屬硅合金工藝，及接觸孔工藝，將源、漏、柵極引出。在本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述步驟I中的埋氧層的厚度為l(Tl000nm，頂層硅厚度為l(T200nm。在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中，所述步驟I中還包括通過離子注入或所述頂層硅中原始含有雜質(zhì)離子，作為后續(xù)器件的溝道摻雜離子。在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中，所述步驟2中通過光刻和刻蝕形成硅納米線場效應(yīng)晶體管區(qū)域，并直至刻蝕掉部分埋氧層。在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中，所述步驟2中采用濕法刻蝕去除部分埋氧層，形成空洞層。在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中，所述步驟2中通過熱氧化工藝和濕法刻蝕工藝，制備出空洞層上方的頂層硅上的硅納米線。在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中，所述硅納米線的截面形狀為圓形，橫向跑道形或縱向跑道形。在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中，所述步驟4中通過光刻或選擇性刻蝕將柵極區(qū)域刻蝕出來，并直至埋氧層。在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中，所述步驟5中的柵極材料為多晶硅、無定形硅、金屬或者其組合。在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中，所述步驟7中通過自對(duì)準(zhǔn)選擇性刻蝕源漏襯墊區(qū)域的頂層硅，并保留底部的部分頂層硅，作為生長碳硅層的籽晶層。本發(fā)明采用了 e-SiC技術(shù)應(yīng)用于N-SiNWFET中，增大了 N-SiNWFET中硅納米線源漏方向的張應(yīng)力，從而有效增大N-SiNWFET的電流驅(qū)動(dòng)能力。避免了半導(dǎo)體納米線反向內(nèi)建應(yīng)力不在水平方向的問題，避免了半導(dǎo)體納米線中間部位可能發(fā)生的錯(cuò)位，甚至斷裂問題。由于源漏區(qū)和柵極之間已經(jīng)有絕緣介質(zhì)隔離，并且最終源漏區(qū)和柵極區(qū)頂部是同一平面，因此不需要柵極側(cè)墻工藝，簡化了工藝流程。


圖I是本發(fā)明的實(shí)施例的SOI硅片的結(jié)構(gòu)示意 圖2a是本發(fā)明的實(shí)施例定義出硅納米線場效應(yīng)晶體管區(qū)域的結(jié)構(gòu)俯視 圖2b是本發(fā)明的實(shí)施例定義出硅納米線場效應(yīng)晶體管區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意 圖3是本發(fā)明的實(shí)施例形成空洞層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4a是本發(fā)明的實(shí)施例形成硅納米線的結(jié)構(gòu)俯視 圖4b是本發(fā)明的實(shí)施例形成硅納米線的結(jié)構(gòu)示意 圖5是本發(fā)明的實(shí)施例形成柵極層的結(jié)構(gòu)示意 圖6是本發(fā)明的實(shí)施例刻蝕源漏襯墊區(qū)域后的結(jié)構(gòu)示意 圖7是本發(fā)明的實(shí)施例生長碳硅層后的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做具體闡釋。本發(fā)明的實(shí)施例的應(yīng)變硅納米線NMOSFET的制備方法，包括以下步驟
步驟I，提供如圖I所示的SOI硅片，包括硅襯底I、硅襯底I上的埋氧層2和埋氧層2上的頂層硅3 ;優(yōu)選地，埋氧層2厚度為l(Tl000nm，頂層硅3厚度為l(T200nm。并優(yōu)選通過離子注入或者頂層硅層中原始包括雜質(zhì)離子，作為后續(xù)NWFET的溝道摻雜離子。步驟2，形成硅納米線場效應(yīng)晶體管區(qū)域，其中，可以通過光刻、刻蝕，可以采用光阻掩模(PR mask),也可以采用硬掩膜(Hard mask)定義出娃納米線場效應(yīng)晶體管(SiNanowire FET, SiNWFET)的區(qū)域,如圖2a和2b中所示，中間4為定義出的娃納米線區(qū)域，兩邊5為NWFET的源漏襯墊(Pad)，一直刻蝕到埋氧層2，并向下刻蝕掉部分埋氧層2。并如圖3中所示，采用濕法刻蝕去除部分埋氧層2，在頂層硅3和埋氧層2之間形成空洞層6，并保證頂層硅的源漏襯墊位置與下面埋氧層相連；
再如圖4a和4b中所示，通過熱氧化工藝和濕法去除頂層硅3表面的氧化層，制備出硅納米線7。根據(jù)硅納米線區(qū)域刻蝕寬度和厚度的不同，硅納米線的截面形狀也不同，有圓形、橫向跑道形和縱向跑道形三種。步驟3，沉淀絕緣介質(zhì)層(如SiO2層)，并填充頂層硅下方的空洞層；化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)將絕緣介質(zhì)層磨平，使得將形成的NWFET的源漏襯墊上方的絕緣介質(zhì)層厚度為20 200nm。步驟4，光刻、選擇性刻蝕將NWFET的柵極區(qū)域刻蝕出來，可以采用PR mask,也可以采用Hard mask，刻蝕掉柵極區(qū)域的絕緣介質(zhì)層，并且一直刻蝕到埋氧層為止。步驟5，進(jìn)行柵氧工藝，可以通過熱氧化或者沉積工藝制備SiO2或者SiON或者Si3N4或者高K材料或者其組合的柵氧層，其中，高K材料可以為HfO2, ZrO2, La2O3, Al2O3,TiO2, SrTiO3, LaAlO3, Y2O3, HfOxNy, ZrOxNy, La2OxNy, Al2OxNy, TiOxNy, SrTiOxNy, LaAlOxNy,Y2OxNy中的一種或組合，并如圖5中所示，沉積柵極材料8，優(yōu)選可以為多晶硅、無定形硅、金屬或者其組合。并化學(xué)機(jī)械研磨去除多余的柵極材料。圖中所示9為絕緣介質(zhì)材料層。步驟6，如圖6中所示，光刻、刻蝕源漏襯墊區(qū)域10的硅層，直到留下底部頂層硅的薄層，作為后續(xù)外延SiC的籽晶層。步驟7，如圖7中所示，在刻蝕出的源漏襯墊區(qū)域選擇性外延生長(SEG，Selective Epitaxial Growth )SiC層11,其中Ge的化學(xué)摩爾比為0. 01% 10%,優(yōu)選地，為
0.19^5%。同時(shí)，進(jìn)行源漏原位摻雜，優(yōu)選地，摻雜P、As離子。如果柵極材料采用多晶硅或者無定形硅，則步驟6中光刻需采用硬掩膜并在步驟7中保留硬掩膜以避免在柵極區(qū)域發(fā)生外延生長。由于本工藝制備方法使得源漏區(qū)和柵極之間已經(jīng)有絕緣介質(zhì)隔離，并且最終源漏區(qū)和柵極區(qū)頂部是同一平面，因此不需要柵極側(cè)墻工藝，簡化了工藝流程。步驟8，進(jìn)行金屬硅合金工藝，及接觸孔工藝，將源、漏、柵極引出。本發(fā)明采用了 e-SiC技術(shù)應(yīng)用于N-SiNWFET中，增大了 N-SiNWFET中硅納米線源漏方向的壓應(yīng)力，從而有效增大N-SiNWFET的電流驅(qū)動(dòng)能力。避免了半導(dǎo)體納米線反向內(nèi)建應(yīng)力不在水平方向的問題，避免了半導(dǎo)體納米線中間部位可能發(fā)生的錯(cuò)位，甚至斷裂問題。由于源漏區(qū)和柵極之間已經(jīng)有絕緣介質(zhì)隔離，并且最終源漏區(qū)和柵極區(qū)頂部是同一平面，因此不需要柵極側(cè)墻工藝，簡化了工藝流程。以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限 制于以上描述的具體實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)變硅納米線NMOSFET的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟1，提供SOI硅片，包括硅襯底、硅襯底上的埋氧層和埋氧層上的頂層硅； 步驟2，定義硅納米線場效應(yīng)晶體管區(qū)域，并在頂層硅和埋氧層之間形成空洞層，并形成源漏襯墊，在空洞層上方的頂層硅上制備出硅納米線； 步驟3，沉淀絕緣介質(zhì)層，并填充頂層硅下方的空洞層；磨平絕緣介質(zhì)層，使得源漏襯墊上方的絕緣介質(zhì)層厚度為20nnT200nm ； 步驟4，刻蝕柵極區(qū)域的絕緣介質(zhì)層，直至露出埋氧層； 步驟5，進(jìn)行柵氧工藝制備柵氧層，并沉積柵極材料； 步驟6，刻蝕源漏襯墊區(qū)域的頂層硅并保留底部的部分頂層硅； 步驟7，在源漏襯墊區(qū)域生長碳硅層，同時(shí)進(jìn)行源漏區(qū)域原位摻雜； 步驟8，進(jìn)行金屬硅合金工藝，及接觸孔工藝，將源、漏、柵極引出。
2.如權(quán)利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述步驟I中的埋氧層的厚度為l(Tl000nm，頂層硅厚度為 l(T200nm。
3.如權(quán)利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述步驟I中還包括通過離子注入或所述頂層硅中原始含有雜質(zhì)離子，作為后續(xù)器件的溝道摻雜離子。
4.如權(quán)利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述步驟2中通過光刻或刻蝕形成硅納米線場效應(yīng)晶體管區(qū)域，并直至刻蝕掉部分埋氧層。
5.如權(quán)利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述步驟2中采用濕法刻蝕去除部分埋氧層，形成空洞層。
6.如權(quán)利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述步驟2中通過熱氧化工藝和濕法刻蝕工藝，制備出空洞層上方的頂層硅上的硅納米線。
7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述硅納米線的截面形狀為圓形，橫向跑道形或縱向跑道形。
8.如權(quán)利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述步驟4中通過光刻或選擇性刻蝕將柵極區(qū)域刻蝕出來，并直至埋氧層。
9.如權(quán)利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述步驟5中的柵極材料為多晶硅、無定形硅、金屬或者其組合。
10.如權(quán)利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述步驟7中通過自對(duì)準(zhǔn)選擇性刻蝕源漏襯墊區(qū)域的頂層硅，并保留底部的部分頂層硅，作為生長碳硅層的籽晶層。
全文摘要
本發(fā)明提供的一種應(yīng)變硅納米線NMOSFET的制備方法，包括形成硅納米線場效應(yīng)晶體管區(qū)域，并在頂層硅和埋氧層之間形成空洞層，在空洞層上方的頂層硅上制備出硅納米線；沉淀絕緣介質(zhì)層，并填充頂層硅下方的空洞層；磨平絕緣介質(zhì)層，使得源漏襯墊上方的絕緣介質(zhì)層厚度為20~200nm；刻蝕柵極區(qū)域的絕緣介質(zhì)層，直至露出埋氧層；刻蝕源漏襯墊區(qū)并保留底部的部分頂層硅；在源漏襯墊區(qū)域生長碳硅層，同時(shí)進(jìn)行源漏區(qū)域原位摻雜；進(jìn)行金屬硅合金工藝，及接觸孔工藝，將源、漏、柵極引出。本發(fā)明有效增大N-SiNWFET的電流驅(qū)動(dòng)能力；避免了半導(dǎo)體納米線中間部位可能發(fā)生的錯(cuò)位，甚至斷裂問題；不需要柵極側(cè)墻工藝，簡化了工藝流程。
文檔編號(hào)H01L21/336GK102683215SQ201210136028
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月4日
發(fā)明者黃曉櫓 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司