專利名稱：用于制造半導(dǎo)體襯底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體襯底的方法。
背景技術(shù)：

可以通過結(jié)合兩個或更多層制造復(fù)雜的半導(dǎo)體襯底。一類這樣的工程化襯底是絕緣體上半導(dǎo)體類型的襯底，其中，將頂端半導(dǎo)體層粘合在機械支撐層上，兩者之間具有介電層。對于頂端半導(dǎo)體層，可以采用諸如InGaN (氮化銦鎵)的III/V半導(dǎo)體材料。關(guān)于用于機械支撐的材料，通常采用藍(lán)寶石(這種情況下)。電子學(xué)、微電子學(xué)、光學(xué)電子學(xué)或光電池領(lǐng)域中，采用這種半導(dǎo)體襯底。為了制造這種半導(dǎo)體襯底，例如InGaNOS (粘合在藍(lán)寶石機械支撐上的氮化銦鎵層)襯底，常常通過異質(zhì)外延形成種子襯底的半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層在具有不同原子晶格間距的種子層上。這導(dǎo)致存在于半導(dǎo)體層中的應(yīng)變。這樣，本領(lǐng)域中，為了通過熱處理釋放應(yīng)變，諸如低粘性層的順應(yīng)層已經(jīng)被提供在異質(zhì)外延的半導(dǎo)體層和處理襯底之間，至少一部分半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)移到處理襯底。為了轉(zhuǎn)移到處理襯底，常常采用所謂的Smart Cut 技術(shù)，其中，一部分種子襯底被轉(zhuǎn)移到處理襯底。為了該目的，通過注入諸如氫和/或氦的離子以預(yù)先確定的深度形成預(yù)先確定的削弱平面，削弱平面劃界種子襯底內(nèi)部的待轉(zhuǎn)移的層。已經(jīng)將種子襯底粘合到處理襯底(示例性地采用兩個包括二氧化硅的粘合層)之后，熱處理分離種子襯底的剩余物(通過預(yù)先確定的削弱平面處的分裂)。已知的制造過程的缺點是半導(dǎo)體層的轉(zhuǎn)移常常不完全，并且/或者諸如裂縫的缺陷形成在轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層中。缺陷尺寸的范圍通常從0.1 μπι到幾毫米。缺陷可以包括非轉(zhuǎn)移的區(qū)域(宏觀和/或微觀規(guī)模)，裂縫(特別是沿著轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層的整個厚度)，粗糙和/或轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層的不均勻。因此，大部分轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層不能用于進(jìn)一步的處理；換句話說，缺陷導(dǎo)致產(chǎn)能損失。由于InGaN層中的應(yīng)變，缺陷(比如裂縫)延伸到InGaN層自身和/或延伸到附加的GaN層，GaN層常常被提供作為InGaN層下面的種子層。為了解決該問題，已經(jīng)提出幾個方法，方法主要以改進(jìn)單個處理步驟(比如清潔、拋光等等)為目標(biāo)。而且，可以減少轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層的厚度以避免轉(zhuǎn)移的InGaN層結(jié)構(gòu)中的裂縫的出現(xiàn)，例如，通過減少形成預(yù)先確定的削弱平面時的離子注入能量(從120keV到80keV)。然而，這樣，如果預(yù)先確定的削弱平面靠近GaN-InGaN層界面，缺陷的數(shù)量甚至可以增加。另外，為了避免后面松弛步驟期間的InGaN層的膨脹，需要用于GaN層的受控的厚度。

發(fā)明內(nèi)容
由于上述，本發(fā)明的一個目的是提供用于制作半導(dǎo)體襯底的改進(jìn)方法，其減少轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層中的缺陷數(shù)量。
采用根據(jù)權(quán)利要求I的方法實現(xiàn)該目的。因此，用于制造半導(dǎo)體襯底的方法包括步驟 提供種子支撐層和處理支撐層，形成半導(dǎo)體層，特別包括III-V半導(dǎo)體材料，在種子支撐層的上面，其中半導(dǎo)體層處在應(yīng)變狀態(tài)，形成在半導(dǎo)體層上面的粘合層，形成在處理支撐層上面的粘合層，以及將這樣獲得的種子襯底粘合到這樣獲得的處理襯底上，以獲得施主-處理混合物，由種子襯底的粘合層和處理襯底的粘合層之間的直接粘合產(chǎn)生，
其中，種子襯底的粘合層和處理襯底的粘合層之一包括氮化硅。本應(yīng)用的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)與兩個僅包括二氧化硅層的粘合層之間的結(jié)合能相比，采用一個包括氮化硅的粘合層增加兩個粘合層之間的結(jié)合能，目前工藝水平中采用僅包括二氧化硅層的粘合層。這樣，特別地，關(guān)于分裂界面能量可以增加結(jié)合能，并且可能減少轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層中的缺陷。該發(fā)明的方法可以特別地用于制造絕緣體上的半導(dǎo)體，其中，半導(dǎo)體層被粘合在支撐層上面(兩者之間具有絕緣層)。這里采用的，術(shù)語“襯底”涉及包括一個或更多層或薄膜的分層結(jié)構(gòu)。特別地，術(shù)語“種子襯底”涉及包括一個或更多在種子支撐層上面的層或薄膜的分層結(jié)構(gòu)。因此，術(shù)語“處理襯底”涉及包括一個或更多在處理支撐層上面的層或薄膜的分層結(jié)構(gòu)。術(shù)語“直接粘合”涉及基于分子黏附的粘合，并且特別與采用粘合劑的粘合區(qū)別。換句話說，種子襯底的粘合層和處理襯底的粘合層由于分子黏附彼此粘附。這樣，可以通過種子襯底的粘合層和處理襯底的粘合層之間的直接粘合獲得施主-處理混合物。處于應(yīng)變狀態(tài)的半導(dǎo)體層意味著材料的晶格參數(shù)不同于其公稱晶格參數(shù)(考慮到測量不確定性)。這種應(yīng)變可能是張力應(yīng)變或者壓力應(yīng)變。特別地，上述方法步驟可以以該順序執(zhí)行。換句話說，方法步驟可以連續(xù)執(zhí)行。根據(jù)有利的實現(xiàn)，種子襯底的粘合層和處理襯底的粘合層中的另一個可能包括二氧化硅。換句話說，直接粘合可以在包括氮化硅的粘合層和包括二氧化硅的粘合層之間進(jìn)行。這樣，可以方便地增加兩個粘合層之間的結(jié)合能。特別地，種子襯底的粘合層可以包括氮化硅或由氮化硅組成，并且處理襯底的粘合層可以包括二氧化硅或由二氧化硅組成，或者處理襯底的粘合層可以包括氮化硅或由氮化硅組成，并且種子襯底的粘合層可以包括二氧化硅或由二氧化硅組成。如果處理襯底的粘合層包括氮化硅或由氮化硅組成，可以減少其厚度。與采用種子襯底上的氮化硅實現(xiàn)的情況相比，這可以改善松弛。半導(dǎo)體層可以包括III/V半導(dǎo)體材料或由III/V半導(dǎo)體材料組成，特別地，III-N(氮化物)材料，例如，二氮化物、四氮化物或三氮化物。例如，半導(dǎo)體層可以包括氮化銦鎵(InGaN)和/或氮化鎵(GaN)和/或氮化鋁鎵(AlGaN)或由氮化銦鎵(InGaN)和/或氮化鎵(GaN)和/或氮化鋁鎵(AlGaN)組成。
可以沉積半導(dǎo)體層或通過外延形成半導(dǎo)體層，特別地假晶外延，半導(dǎo)體層在形成在種子支撐層上面的種子層上。因為形成在種子支撐層和半導(dǎo)體層之間的種子層具有與半導(dǎo)體的原子晶格間距不匹配的原子晶格間距，半導(dǎo)體層處在應(yīng)變狀態(tài)。特別地，半導(dǎo)體層可以包括氮化銦鎵(AlGaN)或由氮化銦鎵(AlGaN)組成，并且/或者種子層可以包括氮化鎵(GaN)或由氮化鎵(GaN)組成。特別地，處理支撐層可以包括藍(lán)寶石和/或玻璃和/或石英和/或硅(Si)或由藍(lán)寶石和/或玻璃和/或石英和/或硅(Si)組成。特別地，由于III-V半導(dǎo)體材料的增長，種子支撐層可以包括藍(lán)寶石，或硅或由藍(lán)寶石，或硅組成。包括氮化硅的粘合層可以包括SiN材料(比如，Si3N4和/或SixNy :H)或由SiN材料(比如，Si3N4和/或SixNy H)組成，并且/或者包括二氧化硅的粘合層包括BPSG和/或PECVD氧化物或由BPSG和/或PECVD氧化物組成。 例如，SixNyHz是可以用于包括氮化硅的粘合層的SiN材料。它在相當(dāng)?shù)偷臏囟韧ㄟ^PECVD形成。該特殊材料是非化學(xué)計算的且非同質(zhì)的，并且由于它的低密度可以特別適合作為粘合層。它可以提供將粘合副產(chǎn)品(氣體，水分子，……)歸并到其厚度里的手段，并且避免它們以氣泡的形式積聚在粘合界面。種子襯底的粘合層可以包括氮化硅和諸如低粘性層的順應(yīng)層(例如包括BPSG)，順應(yīng)層可以形成在半導(dǎo)體層和種子襯底的粘合層之間。該層(比如低粘性層)可以用于應(yīng)變的半導(dǎo)體層的松弛?；蛘?，處理襯底的粘合層可以包括氮化硅和諸如低粘性層的順應(yīng)層(例如包括BPSG)，順應(yīng)層可以形成在處理支撐層和處理襯底的粘合層之間。該層(比如低粘性層)可以相似地用于應(yīng)變的半導(dǎo)體層的松弛。二選一地或者附加地，包括二氧化硅(特別是BPSG)或由二氧化硅(特別是BPSG)組成的粘合層可以用于松弛應(yīng)變的半導(dǎo)體層。可以通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)或者通過低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)形成包括氮化硅的粘合層。通過化學(xué)氣相沉積法形成的層復(fù)制該層形成在其上的層的表面拓?fù)洹？梢酝ㄟ^等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)采用前體SiH4和NH3形成包括氮化娃的粘合層。根據(jù)有利的實現(xiàn)，方法可以進(jìn)一步包括種子襯底的粘合層和/或處理襯底的粘合層的致密化，特別地，其中密實化步驟包括熱處理。特別地，發(fā)現(xiàn)如果不密實化粘合層，小氣泡可以形成，并且小氣泡可以積聚在兩層之間的粘合面。結(jié)果，預(yù)先確定的削弱平面裂開之前可能發(fā)生剝離。這樣，粘合步驟之前，包括氮化硅和/或諸如BPSG層的順應(yīng)層的粘合層可能經(jīng)受熱處理。這樣，可以實現(xiàn)這些層的脫氣?？梢栽诟哂谛纬煞N子襯底的粘合層和/或處理襯底的粘合層時采用的溫度的溫度執(zhí)行密實化步驟。這樣，可以使包含在種子襯底的粘合層和/或處理襯底的粘合層中的氣體在形成期間和/或形成之后解除吸附。進(jìn)一步優(yōu)選的，可以在高于隨后處理步驟中采用的任何溫度的溫度執(zhí)行密實化步驟。這樣，可以最優(yōu)化種子襯底的粘合層和/或處理襯底的粘合層的解吸。特別地，可以在高于800° C的溫度執(zhí)行密實化步驟。特別地，隨后的半導(dǎo)體松弛期間，粘合層在800° C經(jīng)受處理。特別地，可以采用氮氣執(zhí)行包括氮化物的粘合層的密實化，并且/或者可以采用氧氣執(zhí)行包括氧化物的粘合層的密實化。根據(jù)優(yōu)選的實施方式，處理支撐層可以包括藍(lán)寶石或由藍(lán)寶石組成，并且方法可以進(jìn)一步包括形成吸收層(特別氮化硅)，吸收層在處理支撐層(特別地由二氧化硅組成)和處理襯底的粘合層之間。這樣，可以在隨后的處理步驟中通過激光剝離技術(shù)處理支撐層方便地除去。特別地，形成吸收層以便吸收用于處理支撐層的激光剝離的激光。特別地，吸收層(特別地包括氮化物，在處理支撐層和粘合層之間)可以包括氮化硅或由氮化硅組成。另外，可以在吸收層和處理支撐層之間形成一層(包括氧化物、特別包括二氧化硅或由二氧化硅組成)。 根據(jù)有利的實現(xiàn)，粘合步驟之前，方法可以進(jìn)一步包括處理，特別是拋光種子襯底的粘合層，以便其表面粗糙程度小于5埃(人)，特別小于或等于大約2Λ，并且/或者處理，特
別是拋光處理襯底的粘合層，以便其表面粗糙程度小于5人特別小于或等于大約2A這樣，可以改善兩個粘合層之間的直接粘合。粘合步驟之前，可以特別處理種子襯底的粘合層和/或處理襯底的粘合層，以便它們的粗糙程度小于或等于2人。根據(jù)優(yōu)選的實施方式，方法進(jìn)一步包括在種子襯底內(nèi)部以深度h形成預(yù)先確定的削弱平面?？梢蕴貏e在種子層內(nèi)部形成削弱平面，在種子層上面通過外延形成半導(dǎo)體層。形成預(yù)先確定的削弱平面可以包括離子注入步驟?？梢酝ㄟ^注入的離子的能量確定預(yù)先確定的削弱平面的深度h。注入的用于形成預(yù)先確定的削弱平面的離子可以是或者可以包括氫。它也可以是或者包括稀有氣體離子(氦，氬等等)。這樣，可以注入離子穿過半導(dǎo)體層以在種子襯底的內(nèi)部以深度h形成削弱平面。形成至少一個包括氮化硅的粘合層步驟之后，特別在密實化步驟之后，可以特別執(zhí)行形成預(yù)先確定的削弱平面步驟。否則，用于形成和/或密實化粘合層的溫度可能導(dǎo)致預(yù)先確定的削弱平面中的氣泡的形成，這將對分裂質(zhì)量具有負(fù)面影響。進(jìn)一步優(yōu)選地，方法可以包括從施主-處理混合物分離種子襯底的剩余物，其中分離發(fā)生在預(yù)先確定的削弱平面，從而在處理襯底的上面形成轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層。換句話說，可以將至少一部分半導(dǎo)體層從種子襯底轉(zhuǎn)移到處理襯底。特別地，該發(fā)明的方法可以進(jìn)一步包括退火施主-處理混合物。退火可以加強兩個粘合層之間的直接粘合，并且可以最終導(dǎo)致預(yù)先確定的削弱平面處的分離。如果在種子襯底的種子層的內(nèi)部形成預(yù)先確定的削弱平面，可以通過從施主-處理混合物分離種子襯底的剩余物形成轉(zhuǎn)移的種子層。換句話說，可以將至少一部分種子層從種子襯底轉(zhuǎn)移到處理襯底，在種子層上形成半導(dǎo)體層。這樣，可以將至少一部分種子層轉(zhuǎn)移到處理襯底，從而在轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層上面形成轉(zhuǎn)移的種子層。將種子襯底粘合到處理襯底之前，可以準(zhǔn)備處理襯底和/或種子襯底，特別地準(zhǔn)備處理襯底和/或種子襯底的粘合層用于粘合，比如，通過清潔或者任何合適的表面處理。有利地，方法可以進(jìn)一步包括在轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層中形成深溝，特別以便在轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層中獲得島狀的結(jié)構(gòu)。深溝也可以延伸到種子襯底的粘合層和/或處理襯底的粘合層?？梢孕纬缮顪?至少部分地在順應(yīng)層中)，順應(yīng)層比如形成在轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層和處理支撐層之間的低粘性層。低粘性層可以特別包括BPSG (磷硅酸鹽玻璃)或由BPSG (磷硅酸鹽玻璃)組成。方法可以進(jìn)一步包括通過熱處理至少部分松弛轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層，特別地，其中至少粘合層之一包括BPSG層。為了至少部分松弛轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層，轉(zhuǎn)移的種子層可以用作加勁物。處理襯底上面(特別是處理支撐層上面)的轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層可以隨后粘合到目標(biāo) 襯底上。目標(biāo)襯底可以包括一個或更多在目標(biāo)支撐層上面的層或薄膜。目標(biāo)襯底也可以相當(dāng)于目標(biāo)支撐層。目標(biāo)支撐層也特別包括藍(lán)寶石和/或玻璃和/或石英或由藍(lán)寶石和/或玻璃和/或石英組成。方法也特別包括形成氧化層(特別是二氧化硅層，在轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層上面和/或在深溝內(nèi))，以及將氧化層貼到(特別通過直接粘合)目標(biāo)襯底。這樣，可以實現(xiàn)將轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底。方法可以進(jìn)一步包括分離處理支撐層，特別通過激光剝離。這樣，可以獲得中間分層結(jié)構(gòu)，其中，中間分層結(jié)構(gòu)包括至少目標(biāo)襯底和具有形成在兩者之間的氧化層(特別是二氧化硅層)的轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層。方法可以進(jìn)一步包括通過化學(xué)機械拋光和/或通過蝕刻處理中間分層結(jié)構(gòu)，以便除去布置在轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層上面和/或在轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層中間(特別是在島狀轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層的不同區(qū)域或島嶼之間)的層，從而獲得最終的包括目標(biāo)襯底的分層結(jié)構(gòu)，氧化層形成在目標(biāo)襯底上面，并且轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層(特別是島狀轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層)形成在氧化層上面。這樣，可以獲得最終的半導(dǎo)體襯底(特別是最終的絕緣體襯底上的半導(dǎo)體)。本發(fā)明進(jìn)一步提供施主-處理混合物，施主-處理混合物包括種子襯底和處理襯底；其中，種子襯底包括種子支撐層，半導(dǎo)體層(特別包括III/V-半導(dǎo)體材料)，在種子支撐層上面，其中半導(dǎo)體層處于應(yīng)變狀態(tài)，以及第一粘合層，其中，削弱平面形成在種子襯底中，并且其中，處理襯底包括處理支撐層，以及第二粘合層，其中，直接粘合形成在第一粘合層和第二粘合層之間，并且其中第一粘合層和第二粘合層之一包括氮化娃。
可以特別采用上面討論的方法形成施主-處理混合物。有利地，半導(dǎo)體層、第一粘合層和第二粘合層可以包括一個或更多上面描述的特征。特別地，第一粘合層或第二粘合層可以包括二氧化硅或由二氧化硅組成。本發(fā)明進(jìn)一步提供分層結(jié)構(gòu)，分層結(jié)構(gòu)包括處理支撐層，和應(yīng)變材料層，其中，通過包括氮化硅的第一粘合層和包括二氧化硅的第二粘合層將應(yīng)變材料層粘合到處理支撐層。特別地，可以采用上面討論的方法形成分層結(jié)構(gòu)。有利地，處理支撐層、第一粘合層和第二粘合層可以包括一個或更多上面描述的特征。 應(yīng)變材料層尤其可以相當(dāng)于處于應(yīng)變狀態(tài)的半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層可以包括一個或更多上面描述的特征。應(yīng)變材料層尤其可以相當(dāng)于上面描述的轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層。根據(jù)優(yōu)選的實施方式，深溝可以形成在應(yīng)變材料層中和/或在第一粘合層中和/或在第二粘合層中。分層結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包括吸收層(特別來自氮化硅)，吸收層形成在處理支撐層和第一、第二粘合層之間。吸收層可以用于上面描述的處理支撐層的激光剝離技術(shù)。吸收層可以包括一個或更多上面描述的特征。


將結(jié)合附圖描述有利的實施方式。圖Ia-Ic示出根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體襯底的示例性方法的不同步驟；圖2a_2d示出在根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體襯底的示例性方法的不同步驟的種子襯底；圖3a_3c示出根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體襯底的示例性方法的不同步驟的處理襯底；圖4示出根據(jù)本發(fā)明的示例性的施主-處理混合物；圖5示出根據(jù)本發(fā)明的示例性的種子襯底和另一個示例性的處理襯底；圖6示出根據(jù)本發(fā)明的另外的示例性的種子襯底和處理襯底；圖7示出根據(jù)本發(fā)明的另外的示例性的種子襯底和處理襯底；圖8示出根據(jù)本發(fā)明的分離種子襯底的剩余物之后的示例性的分層結(jié)構(gòu)；圖9a_9b示出根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體襯底的另外的示例性的處理步驟；圖10顯示示出與根據(jù)目前工藝水平的示例性粘合層之間的結(jié)合能相比的，根據(jù)本發(fā)明的示例性粘合層之間的結(jié)合能的圖。
具體實施例方式圖Ia-Ic中，顯示了根據(jù)用于制造半導(dǎo)體襯底的示例性方法的處理步驟。圖Ia中，提供了種子襯底I和處理襯底5。種子襯底I包括種子支撐層2，并且半導(dǎo)體層3形成在種子支撐層2的上面。在半導(dǎo)體層3的上面，形成粘合層4。
深度為h的預(yù)先確定的削弱平面形成在半導(dǎo)體層3的內(nèi)部，以圖Ia中的虛線示出削弱平面。優(yōu)選地，采用形成粘合層4之后的離子注入處理形成預(yù)先確定的削弱平面。處理襯底5包括處理支撐層6和形成在處理支撐層6上面的粘合層7。種子支撐層2和/或處理支撐層6可以包括硅或藍(lán)寶石或由硅或藍(lán)寶石組成。半導(dǎo)體層3可以特別包括III/V半導(dǎo)體材料，比如氮化銦鎵(InGaN)?？梢酝ㄟ^外延(特別是假晶外延)在形成于種子支撐層2的上面的種子層(未示出)上形成半導(dǎo)體層3。形成在種子支撐層2和半導(dǎo)體層3之間的種子層可以具有與半導(dǎo)體層3的原子晶格間距不匹配的原子晶格間距，并且因此半導(dǎo)體層3可以處于應(yīng)變狀態(tài)。種子層可以具有GaN。 種子襯底I的粘合層4和處理襯底5的粘合層7之一可以包括氮化硅。種子襯底I的粘合層4和處理襯底5的粘合層7的另一個可以包括二氧化硅，比如BPSG。圖Ib中，顯示了施主-處理混合物8，其是通過將種子襯底I粘合到處理襯底5以便在種子襯底I的粘合層4和處理襯底5的粘合層7之間的形成直接粘合而獲得的。通過采用預(yù)先確定的溫度回火施主-處理混合物8，可以將種子襯底I的剩余物從施主-處理混合物8分離，其中，分離發(fā)生在預(yù)先確定的削弱平面。這樣，獲得如圖Ic中顯示的第一分層結(jié)構(gòu)9和第二分層結(jié)構(gòu)11，其中，第一分層結(jié)構(gòu)9包括處理支撐層6、處理襯底5的粘合層7、種子襯底I的粘合層4和轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層10，轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體10包括至少一部分半導(dǎo)體層3。第二分層結(jié)構(gòu)11包括種子支撐層2，并且可能包括半導(dǎo)體層3的剩余物12。圖2a_2d中，顯示處于根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體襯底的示例性方法的不同步驟的種子襯底。首先，圖2a中提供種子支撐層2。該例子中，示例性的種子支撐層2由藍(lán)寶石組成。然而，不同的材料也可以用于種子支撐層2，比如硅。在種子支撐層2的上面，形成包括GaN (氮化鎵)的種子層3a。該例子中，種子層3a具有3μπι的厚度。在種子層3a的上面，通過外延形成包括氮化銦鎵的半導(dǎo)體層3。該例子中，半導(dǎo)體層3具有150nm的厚度。圖2b中示出了這種結(jié)構(gòu)。由于種子層3a和半導(dǎo)體層3的不匹配的原子晶格間距，半導(dǎo)體層3處于應(yīng)變狀態(tài)。在半導(dǎo)體層3的上面，形成包括氮化硅的粘合層4。該例子中，粘合層4由氮化硅組成并且具有550nm的厚度。根據(jù)該例子，粘合層4是采用PECVD方法形成的SixNyHz氮化物。然而，也可以采用LPCVD方法形成粘合層4。圖2c中顯示了因此獲得的示例性的種子襯底I。采用氮氣密實化種子襯底I的粘合層4，根據(jù)該例子，以850° C的溫度密實化一個小時?？梢栽诟哂谟糜诓捎肞ECVD技術(shù)形成粘合層4的溫度并且高于任何隨后的處理步驟中采用的溫度的溫度特別地執(zhí)行密實化步驟。下一步，為了形成預(yù)先確定的削弱平面13，穿過粘合層4和半導(dǎo)體層3在種子層3a的內(nèi)部以預(yù)先確定的深度h注入氫離子。該例子中，在離子注入的方向，從種子襯底的粘合層4的表面測量深度h。例如，對于大約400° C的分裂溫度，離子注入步驟的能量可以高于160keV(以I. 3X IO17Cm-2以上的劑量)。離子注入步驟的能量特別取決于轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層的期望厚度。圖2d中顯示在種子層3a的內(nèi)部以預(yù)先確定的深度h具有預(yù)先確定的削弱平面13的種子襯底I。為了準(zhǔn)備種子襯底I用于粘合，可以執(zhí)行化學(xué)機械拋光?？梢酝ㄟ^拋光從粘合層4除去一部分粘合層4 (具有粘合層4形成在其上的層的表面拓?fù)涞姆骞?PV)幅值的三倍厚度)。例如，如果氮化銦鎵層3的的表面拓?fù)涞姆骞确凳?0nm，粘合層4的峰谷幅值是至少50nm (由于PECVD方法)，其復(fù)制了該層形成在其上的層的表面拓?fù)?。因此，作為第一近似值，不得不拋光粘合?的3x50=150nm，特別是除去，以使粘合層4的表面平坦(為了使它準(zhǔn)備好粘合)。 拋光之后，為了壓縮半導(dǎo)體層3的拓?fù)?，粘合?的厚度應(yīng)該至少50nm到lOOnm。因此，根據(jù)該例子，形成在半導(dǎo)體層3的上面的粘合層4的初始厚度應(yīng)該至少150+100=250nmo形成預(yù)先確定的削弱平面之后，根據(jù)該例子，可以采用化學(xué)機械拋光除去400nm的粘合層4。這樣，可以提供具有150nm剩余厚度的粘合層4 (粗糙程度大約2人)圖3a_3c中，顯示處于根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體襯底的示例性方法的不同步驟的處理襯底。首先，圖3a中提供由藍(lán)寶石組成的處理支撐層6。作為變體，處理支撐層6也可以包括不同材料(比如硅，玻璃或石英)或由不同材料(比如硅，玻璃或石英)組成。在處理支撐層6的上面沉積具有200nm厚度的二氧化硅層14和具有200nm厚度的氮化硅層15。氮化硅層15擔(dān)當(dāng)吸收層。埋入的二氧化硅層14和埋入的氮化硅層15將允許處理支撐層的激光剝離作為下面進(jìn)一步描述的隨后的處理步驟(不破壞處理支撐層6)。圖3b顯示這樣的具有SiO2層14和氮化硅層15的處理支撐層6。圖3c顯示處理襯底5，其中粘合層7形成在氮化硅層15的上面。這種情況下，粘合層7由磷硅酸鹽玻璃(BPSG)組成，并且粘合層7具有I μ m的厚度。粘合層7可以包括4. 7%的硼和I. 45%的磷。隨后的處理步驟中，采用氧氣密實化粘合層7，該例子中，以850° C的溫度密實化一個小時。這樣，可以獲得密實化的BPSG層(BPSGd)?；蛘撸澈蠈?可以由不同材料形成，比如二氧化硅。有利地，粘合層7由具有低粘性的(比如該例子中的BPSG)、適合松弛形成種子襯底的半導(dǎo)體層(該例子中的種子襯底I的InGaN層3)的應(yīng)變的材料的材料形成。隨后的處理步驟中，采用化學(xué)機械拋光對粘合層7進(jìn)行拋光，其中，除去大約
200nm的粘合層，從而獲得大約2A的粘合層7的粗糙程度，2人的粘合層 的粗糙程度允許與種子襯底I的粘合層4的直接粘合。隨后，可以按照上面討論的將處理襯底5與種子襯底I粘合，從而獲得施主-處理混合物。圖4中顯示根據(jù)本發(fā)明的示例性的施主-處理混合物8。特別地，圖4的施主-處理混合物8包括處理支撐層6、二氧化硅層14，、氮化硅層15、包括二氧化硅的粘合層7、包括氮化硅的粘合層4、半導(dǎo)體層3、具有形成其中的預(yù)先確定的削弱平面13的種子層3a和種子支撐層2。然后采用一個或更多預(yù)先確定的溫度和/或溫度梯度將施主-處理混合物8在烤箱中退火。這樣，首先，增加粘合層4和粘合層7的界面處的結(jié)合能。第二，在預(yù)先確定的分裂溫度，分離自然或外加外部機械力發(fā)生在預(yù)先確定的削弱平面13。圖8中顯示這樣獲得的第一分層結(jié)構(gòu)19 (包括轉(zhuǎn)移層20，轉(zhuǎn)移層20包括半導(dǎo)體層3和種子層3a的轉(zhuǎn)移部分23)和第二分層結(jié)構(gòu)21 (包括剩余的種子層22，剩余的種子層22來自于最初的種子支撐層2上面的種子層3a)。上面描述的例子中，包括氮化硅的粘合層已經(jīng)形成在種子襯底I的半導(dǎo)體層3的上面，并且包括二氧化硅的粘合層已經(jīng)形成在處理襯底5的氮化硅層15的上面。然而，粘合層的不同布置也是可能的。例如，圖5顯示變體，其中包括氮化硅的粘合層4形成在順應(yīng)層(比如，低粘性層 17，特別包括二氧化硅，特別是BPSG)的上面。低粘性層17形成在半導(dǎo)體層3的上面，二氧化硅層16形成在兩者之間。這種情況下，可以選擇粘合層4和/或低粘性層17和/或二氧化硅層16的厚度，以便可以通過離子注入實現(xiàn)預(yù)先確定的深度h的預(yù)先確定的削弱平面。低粘性層17可以由不同的單個次層組成，并且可以包括至少順應(yīng)材料次層(松弛次層)。順應(yīng)材料是顯示一些以通過熱處理達(dá)到的高于玻璃轉(zhuǎn)化溫度的溫度的回流(例如，由于一些玻璃轉(zhuǎn)化)的材料?；亓?熔融流動)導(dǎo)致應(yīng)變的半導(dǎo)體層3的彈性應(yīng)力松弛，在應(yīng)變的半導(dǎo)體層3上沉積低粘性層，比如，上述的埋入(氧化物)層。合適的順應(yīng)材料包括磷硅酸鹽玻璃(BPSG)或例如包括B (BSG)或P (PSG)的Si02混合物。例如，低粘性BPSG層(包括4. 5%的硼(B)和2%的磷(P))的玻璃轉(zhuǎn)化溫度大約是800° C。大部分低粘性氧化物材料具有大約600-700° C的玻璃轉(zhuǎn)化溫度，反之，高粘性氧化物材料的玻璃轉(zhuǎn)化溫度高于1000° C并且優(yōu)選地高于1200° C。處理襯底5相應(yīng)于圖3c中顯示的處理襯底5。顯示在圖1-4中的例子中，除了粘合，處理襯底的粘合層7可以具有與低粘性層17相同的功能至少部分松弛處于應(yīng)變狀態(tài)的半導(dǎo)體層3 (特別是轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層)。根據(jù)圖6中顯示的又一供替代的選擇，處理襯底5的粘合層7可以包括氮化硅或由氮化硅組成。這種情況下，粘合層7可以形成在氮化硅層15的上面，二氧化硅層(特別是BPSG層)18形成在兩者之間。該例子中，種子襯底I的粘合層4可以包括二氧化硅。特別地，粘合層4可以由BPSG組成，并且可以形成在半導(dǎo)體薄膜3的上面，二氧化硅層16形成在兩者之間。這種情況下，除了粘合，種子襯底I的粘合層4和處理襯底的層18可以具有與低粘性層17上面描述的相同的功能至少部分松弛處于應(yīng)變狀態(tài)的半導(dǎo)體層3 (特別是轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層)。形成具有氮化硅的粘合層7之前，可以拋光二氧化硅層18。因此，粘合層7在其形成之后將具有適合直接粘合的粗糙程度。這種情況下,粘合層7的厚度可以是50nm或更少,特別地，20nm或更少。與根據(jù)圖2a_2d上面描述的粘合層4的厚度相比，該厚度較小，可以減少包括氮化硅的粘合層對半導(dǎo)體薄膜3 (特別是轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體薄膜)的松弛的負(fù)面影響。而且，與上面描述的實施方式相t匕，準(zhǔn)備粘合層7的表面可以更快，因為它僅以激活表面為目標(biāo)，不以部分層的拓?fù)湟瞥秊槟繕?biāo)。根據(jù)圖7中顯示的第三供替代的選擇，處理襯底5的粘合層7可以包括氮化硅或由氮化硅組成，并且可以直接形成在處理支撐層6的上面(特別是處理支撐層6上)。根據(jù)該例子，種子襯底I可以相當(dāng)于根據(jù)圖6描述的種子襯底I。這種情況下，可以選擇包括BPSG的粘合層4的厚度，以便當(dāng)獲得充足的注入深度以形成預(yù)先確定的削弱平面13時允許半導(dǎo)體層的松弛。通過采用包括氮化硅的粘合層用于處理襯底或種子襯底，粘合層之間的結(jié)合能可以增強(與用在現(xiàn)有技術(shù)方法中的兩個包括二氧化硅的粘合層之間的結(jié)合能相比)。特別地，可以增加關(guān)于分裂界面能量的結(jié)合能，其導(dǎo)致了轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層中的缺陷的數(shù)量的減少。圖10顯示示出與根據(jù)目前工藝水平的示例性粘合層(也就是，兩個BPSGd層)之間的結(jié)合能(左手側(cè)的柱形物)相比的，根據(jù)本發(fā)明的示例性粘合層(也就是一個氮化硅層和一個BPSGd層)之間的結(jié)合能(右手側(cè)的柱形物)的圖。該沒有任何注入步驟執(zhí)行的具體 的粘合研究，僅僅為了測量各種配置的結(jié)合能的目的。就像從圖中看到的，采用氮化硅層和BPSGd層作為粘合層可以大大增加結(jié)合能。該圖尤其示出針對兩個不同的粘合后處理(在600° C和800° C)的結(jié)合能。對于兩種情況，一個氮化硅層和一個BPSGd層之間的結(jié)合能高于兩個BPSGd層之間的結(jié)合能。對于在800° C的處理，氮化硅層和BPSGd層之間的結(jié)合能甚至可以進(jìn)一步增加。分離或分裂步驟之后，獲得圖8中顯示的第一分層結(jié)構(gòu)19和第二分層結(jié)構(gòu)21。將半導(dǎo)體層3轉(zhuǎn)移到第一分層結(jié)構(gòu)19的方法通常稱作Smart Cut 處理。與現(xiàn)有技術(shù)方法相比，這里描述的該發(fā)明的方法可以減少裂縫和非轉(zhuǎn)移的區(qū)域的數(shù)量。隨后，也許可以除去轉(zhuǎn)移的種子層23，并且可以在轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層3中、粘合層4中和至少部分粘合層7中形成深溝24。圖9a中顯示這樣的結(jié)構(gòu)。這樣，可以形成島狀的轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層。下一步，按照歐洲專利申請EP 2 151 852中描述的，可以執(zhí)行島狀的轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層的松弛。特別地，松弛可以包括一系列受控?zé)崽幚砗?或蝕刻轉(zhuǎn)移的種子層23 (如果已經(jīng)保存層23)。特別地，對于轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層3(該例子中，轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層3由InGaN組成)，可以獲得松弛的原子晶格間距。隨后，可以特別采用PECVD、填充深溝24并且覆蓋島狀的轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層而形成二氧化硅層25。如圖9a中顯示，可以將該二氧化硅層25粘合到目標(biāo)襯底26上。目標(biāo)襯底26可以包括具有藍(lán)寶石或硅的目標(biāo)支撐層或由具有藍(lán)寶石或硅的目標(biāo)支撐層組成，并且粘合到二氧化硅層25之前可以清潔目標(biāo)襯底26。二氧化硅層25可以特別包括二氧化硅或由二氧化硅組成，并且可能不得不被拋光。隨后，可以采用WO 2010/015878中公開的激光剝離方法除去處理支撐層6 (不破壞處理支撐層6)。這樣，可以獲得圖9b中顯示的中間分層結(jié)構(gòu)。然后可以通過蝕刻和/或拋光而處理中間分層結(jié)構(gòu)，以獲得顯示在圖9b的右手側(cè)的最終的產(chǎn)品。最終的產(chǎn)品包括目標(biāo)襯底26，從二氧化硅層25剩余的剩余二氧化硅層27和島狀的轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層。
通過上面描述的方法獲得的最終的產(chǎn)品中，可以大大減少缺陷的數(shù)量。 盡管已經(jīng)分別描述了以前討論的本發(fā)明的實施方式和例子，應(yīng)該理解的是可以以不同的方式組合上面描述的特征的一些或所有。討論的實施方式并不意在進(jìn)行限制，而是作為闡明本發(fā)明的特征和優(yōu)點的例子。
權(quán)利要求
1.一種用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，包括步驟 提供種子支撐層(2)和處理支撐層(6)； 形成在所述種子支撐層(2)的上面的半導(dǎo)體層(3)，特別包括III/V半導(dǎo)體材料，其中所述半導(dǎo)體層(3)處在應(yīng)變狀態(tài)； 形成在所述半導(dǎo)體層(3 )上面的粘合層(4 ); 形成在所述處理支撐層(6 )上面的粘合層(7 );以及 將這樣獲得的種子襯底(I)粘合到這樣獲得的處理襯底(5)上，以獲得施主-處理混合物(8)，由所述種子襯底(I)的粘合層(4)和所述處理襯底(5)的粘合層(7)之間的直接粘合產(chǎn)生， 其中，所述種子襯底(I)的粘合層(4)和所述處理襯底(5)的粘合層(7)之一包括氮化硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，其中，所述種子襯底(I)的所述粘合層(4)和所述處理襯底(5)的所述粘合層(7)中的另一個包括二氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，其中，通過外延特別是假晶外延，所述半導(dǎo)體層(3)形成在所述種子支撐層(6)上面的種子層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，其中，形成在所述種子支撐層(6)和所述半導(dǎo)體層(3)之間的所述種子層具有與所述半導(dǎo)體層(3)的原子晶格間距不匹配的原子晶格間距，從而導(dǎo)致所述半導(dǎo)體層(3)處于應(yīng)變狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，所述種子襯底(I)的粘合層(4)包括氮化硅，并且所述處理襯底(5)的粘合層(7)包括二氧化硅，或者，其中所述處理襯底(5 )的粘合層(7 )包括氮化硅，并且所述種子襯底(I)的粘合層(4 )包括二氧化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-5任一所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，其中包括氮化硅的粘合層包括SiN材料和/或SixNy :H或由SiN材料和/或SixNy :H組成，并且/或者，其中包括二氧化硅的粘合層包括BPSG和/或PECVD氧化物或由BPSG和/或PECVD氧化物組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，其中所述種子襯底(I)的粘合層(4)包括氮化硅，并且其中諸如低粘性層的順應(yīng)層，特別包括BPSG，形成在所述半導(dǎo)體層(3 )和所述粘合層(4 )之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，所述處理襯底(5)的粘合層(7)包括氮化硅，并且其中諸如低粘性層的順應(yīng)層，特別包括BPSG，形成在所述處理支撐層(6 )和所述粘合層(7 )之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積法PECVD或者通過低壓化學(xué)氣相沉積法LPCVD形成包括氮化硅的粘合層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，粘合步驟之前，包括氮化硅和/或諸如BPSG層的順應(yīng)層的粘合層經(jīng)受熱處理。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，所述處理支撐層(6)包括藍(lán)寶石或由藍(lán)寶石組成，并且進(jìn)一步包括在所述處理支撐層(6)和所述處理襯底(5)的粘合層(7)之間特別是通過氮化硅(15)形成吸收層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11任一所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，粘合步驟之前進(jìn)一步包括處理，特別是拋光所述種子襯底(I)的粘合層(4)，以便其表面粗糙程度小于5埃，特別小于或等于大約2埃，并且/或者處理，特別是拋光所述處理襯底(5)的粘合層(7)，以便其表面粗糙程度小于5埃，特別小于或等于大約2埃。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-12任一所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，進(jìn)一步包括注入離子種類穿過所述半導(dǎo)體層(3)以在所述種子襯底(I)內(nèi)部以深度h形成削弱平面(13)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，進(jìn)一步包括從所述施主-處理混合物(8)分離所述種子襯底(I)的剩余物(22)，其 中分離發(fā)生在所述預(yù)先確定的削弱平面(13)，從而在所述處理襯底的上面形成轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，進(jìn)一步包括在所述轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層中形成深溝(24 )，特別以便在所述轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層中獲得島狀的結(jié)構(gòu)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，其中所述深溝(24)至少部分形成在順應(yīng)層中，所述順應(yīng)層例如為形成在所述轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層和所述處理支撐層(6)之間的低粘性層。
17.根據(jù)權(quán)利要求1-16任一所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，進(jìn)一步包括通過熱處理使得所述轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層至少部分松弛，特別地，其中粘合層(4 ；7)的至少一個包括BPSG 層。
18.根據(jù)權(quán)利要求13-17任一所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，進(jìn)一步包括將所述處理襯底上的所述轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層粘合到目標(biāo)襯底(26)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，進(jìn)一步包括分離所述處理支撐層(6 )，特別地通過激光剝離。
20.根據(jù)權(quán)利要求13-19任一所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，其中，所述削弱平面形成在所述種子襯底的種子層中。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，其中，將至少一部分所述種子層轉(zhuǎn)移到所述處理襯底，從而在所述轉(zhuǎn)移的半導(dǎo)體層上形成轉(zhuǎn)移的種子層。
22.根據(jù)權(quán)利要求1-21任一所述的用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，其中，所述處理支撐層(6)、所述種子支撐層(2)和所述目標(biāo)襯底包括藍(lán)寶石或由藍(lán)寶石組成，所述種子層包括GaN或由GaN組成，并且/或者應(yīng)變的半導(dǎo)體層(3)包括InGaN或由InGaN組成。
23.一種施主-處理混合物(8)，包括 種子襯底(I)和處理襯底(5)； 其中，所述種子襯底(I)包括 種子支撐層(2); 半導(dǎo)體層(3)，特別包括III/V-半導(dǎo)體材料，所述半導(dǎo)體層(3)在所述種子支撐層(2)上面，其中所述半導(dǎo)體層(3)處于應(yīng)變狀態(tài)，以及 第一粘合層(4), 其中，削弱平面形成在所述種子襯底中；并且 其中，所述處理襯底(5)包括 處理支撐層(6);以及 第二粘合層(7)， 其中，直接粘合形成在所述第一粘合層(4 )和所述第二粘合層(7 )之間，并且其中所述第一粘合層和所述第二粘合層之一包括氮化娃。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的施主-處理混合物(8)，其中，所述第一粘合層(4)和所述第二粘合層(7 )中的另一個包括二氧化硅或由二氧化硅組成。
25.一種分層結(jié)構(gòu)包括 處理支撐層(6);和 應(yīng)變材料層， 其中，通過包括氮化硅的第一粘合層和包括二氧化硅的第二粘合層將所述應(yīng)變材料層粘合到所述處理支撐層(6)。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的分層結(jié)構(gòu)，其中，深溝形成在所述應(yīng)變材料層中和/或在所述第一粘合層中和/或在所述第二粘合層中。
27.根據(jù)權(quán)利要求25或26所述的分層結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括形成在所述處理支撐層(6)以及所述第一粘合層和所述第二粘合層之間的特別是通過氮化硅形成的吸收層。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體襯底的方法，包括步驟提供種子支撐層(2)和處理支撐層(6)，形成至少一個半導(dǎo)體層(3)(特別包括III/V-半導(dǎo)體材料)，半導(dǎo)體層(3)在種子支撐層(2)的上面，其中，至少一個半導(dǎo)體層處于應(yīng)變狀態(tài)，在至少一個半導(dǎo)體層(3)的上面形成粘合層(4)，并且將這樣獲得的種子襯底(1)粘合到這樣獲得的處理襯底(5)以獲得施主-處理混合物，由種子襯底(1)的粘合層(4)和處理襯底(5)的粘合層(7)之間的直接粘合產(chǎn)生，其中至少種子襯底(1)的粘合層(4)和處理襯底(5)的粘合層(7)之一包括氮化硅。
文檔編號H01L21/02GK102810466SQ20121013768
公開日2012年12月5日 申請日期2012年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月10日
發(fā)明者M·洛吉烏 申請人:Soitec公司