專(zhuān)利名稱(chēng)：用于集成電路裝置的晶粒密封件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本揭示內(nèi)容大體有關(guān)于精密半導(dǎo)體裝置的制造，且更特別的是，有關(guān)用于集成電路裝置的新穎晶粒密封件。
背景技術(shù)：
集成電路裝置，例如微處理器、記憶體芯片、特殊應(yīng)用集成電路等等，一般是用許多加工操作制造于半導(dǎo)電襯底或晶圓上，例如沉積、蝕刻、熱處理，研磨等等，直到裝置完成。單一集成電路裝置的制作通常涉及數(shù)百萬(wàn)個(gè)半導(dǎo)體裝置的形成，例如晶體管、電阻器、電容器及其類(lèi)似者。制作加工也涉及在多個(gè)絕緣材料層中許多層次導(dǎo)線及插塞的形成使得電子信號(hào)能夠傳輸進(jìn)出集成電路裝置。圖IA為可形成于半導(dǎo)電襯底或晶圓上方的多個(gè)晶粒20的簡(jiǎn)圖。晶粒20用通常 彼此垂直的切割道(scribe line)22分離。每個(gè)晶粒20包含集成電路裝置24(只繪出中央的晶粒20)。取決于襯底的大小及正被制造的集成電路裝置24的大小，在典型的12英吋直徑晶圓上可形成50至3000個(gè)晶粒。最后，在形成集成電路裝置24于晶粒20上之后，晶粒20將彼此分離，封裝及出售。通常使用金剛石刀片沿著切割道22切割晶圓以得到單一晶粒20。不過(guò)，通常涉及使用金剛石刀片的鋸切(saw cutting)可能導(dǎo)致晶粒20的龜裂及破碎,特別是晶粒的邊角面積。雷射也已用來(lái)分離晶粒20，有時(shí)會(huì)結(jié)合習(xí)用的鋸切。不過(guò)，雷射切割法還是有點(diǎn)問(wèn)題，例如雷射沒(méi)有完全移除金屬?gòu)亩鴮?dǎo)致額外的污染而對(duì)于集成電路裝置24的效能有不利地影響。使用雷射也導(dǎo)致在切割道22附近熱影響區(qū)(heat affected zone)或區(qū)域的形成，從而產(chǎn)生至少更多問(wèn)題的可能性。最后，雷射切割系統(tǒng)的價(jià)格為金剛石刀片切割系統(tǒng)2至3倍以上。由于形成不同的材料層于晶圓上為形成集成電路裝置24的加工的一部分，由晶粒鋸斷操作所致的應(yīng)力可能造成該等材料層龜裂、破碎及/或剝離，特別是在晶粒20的邊角區(qū)域(corner region) 20A,從而有可能減少集成電路裝置24的壽命或效能。這在更先進(jìn)的技術(shù)使用低k介電材料(k值小于3. 5)或超低k介電材料(k值小于3)于集成電路裝置24以力求減少串?dāng)_(cross-talk)、互連電阻電容延遲(interconnect RC delay)、及耗電量時(shí)特別為真。此類(lèi)低k及超低k材料一般而言更脆弱而且彈性模量小于更傳統(tǒng)的介電材料，例如二氧化硅。一般而言，在封裝操作期間更有可能出現(xiàn)龜裂及破碎，在此晶粒20會(huì)經(jīng)受許多以不同溫度執(zhí)行的加工操作，例如，在覆晶回焊工藝期間、在底填固化期間等等。通常在晶粒20上形成一或更多晶粒密封件以力求減少與用鋸切加工分離晶粒20有關(guān)的反效應(yīng)。例如，圖不于圖IA的中央晶粒20包括不范的第一和第_■晶粒密封件26A、26B，其中第一晶粒密封件26A位在第二晶粒密封件26B內(nèi)。在第一晶粒密封件26A內(nèi)形成集成電路裝置24。圖IB圖示圖IA所示的第二晶粒密封件26B的剖視圖。圖IC圖示圖IA所示的第一和第二晶粒密封件26A、26B的剖視圖。一般而言，圖示于圖IA至圖IC的示范晶粒密封件26A、26B由形成于各層絕緣材料30 (彼等形成于示范半導(dǎo)電襯底28上方)的多條金屬線32及多個(gè)金屬插塞34構(gòu)成。通常在形成第一和第二晶粒密封件26A、26B時(shí)，同時(shí)形成集成電路裝置24的導(dǎo)線及插塞。盡管使用此類(lèi)示范晶粒密封件，晶粒20仍會(huì)發(fā)生龜裂及破碎，特別是晶粒20的邊角區(qū)域20A。本揭示內(nèi)容是針對(duì)能夠避免或至少降低一或更多上述問(wèn)題的影響的各種方法及
>J-U裝直。

發(fā)明內(nèi)容
為供基本理解本發(fā)明的一些方面，提出以下簡(jiǎn)化的總結(jié)。此總結(jié)并非本發(fā)明的窮舉式總覽。它不是想要確認(rèn)本發(fā)明的關(guān)鍵或重要組件或者是描繪本發(fā)明的范疇。唯一的目的是要以簡(jiǎn)要的形式提出一些概念作為以下更詳細(xì)說(shuō)明的前言。 本揭示內(nèi)容大體針對(duì)一種用于集成電路裝置的新穎晶粒密封件。在一范例中，該裝置包括含有半導(dǎo)電襯底的晶粒，其中該晶粒包括一切斷面。該裝置還包含定義一周界的第一晶粒密封件，以及至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)，它至少有一部分位于由該第一晶粒密封件所定義的周界與該切斷面之間，其中該切斷面暴露該減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)的至少一部分。在另一示范范例中，該裝置包含含有多個(gè)晶粒的半導(dǎo)電襯底，其中相鄰晶粒用數(shù)條切割道分離，且延伸越過(guò)位在一對(duì)相鄰晶粒之間的一切割道的至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)。在此范例中，該對(duì)相鄰晶粒中的每一者包括定義一周界的第一晶粒密封件，以及該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)的部分位于該對(duì)相鄰晶粒上的該等第一晶粒密封件之間。本文還揭示一種示范方法，其包括提供包括多個(gè)晶粒的半導(dǎo)電襯底，其中相鄰晶粒用數(shù)條切割道分離，以及形成越過(guò)分離兩個(gè)相鄰晶粒的一切割道的至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)。在此示范方法中，該對(duì)相鄰晶粒中的每一者具有定義一周界的第一晶粒密封件，以及該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)經(jīng)形成為該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)有一部分位于在該對(duì)相鄰晶粒上的該等第一晶粒密封件之間。


參考以下結(jié)合附圖的說(shuō)明可了解本揭示內(nèi)容，附圖中類(lèi)似的組件用類(lèi)似的組件符號(hào)表不。圖IA至圖IC示意地圖示有多個(gè)示范晶粒密封件的示范現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體裝置；以及圖2A至圖2H圖示描述于本文的新穎半導(dǎo)體裝置的一示范實(shí)施例。盡管本發(fā)明容易做成各種修改及替代形式，但是于此仍以附圖為例顯示本發(fā)明的特定具體實(shí)施例且詳述其中的細(xì)節(jié)。不過(guò)，應(yīng)當(dāng)了解本文所描述的特定具體實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明所揭示的特定形式，反而是，本發(fā)明是要涵蓋落入依照附上的權(quán)利要求所界定的本發(fā)明精神及范疇內(nèi)的所有修改、等價(jià)及替代。
具體實(shí)施例方式以下描述本發(fā)明的各種示范具體實(shí)施例。為了清楚說(shuō)明，本專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)沒(méi)有描述實(shí)際具體實(shí)作的所有特征。當(dāng)然，應(yīng)了解的，在開(kāi)發(fā)任一此類(lèi)的實(shí)際具體實(shí)施例時(shí)，必需做許多與具體實(shí)作有關(guān)的決策以達(dá)成開(kāi)發(fā)人員的特定目標(biāo)，例如遵循與系統(tǒng)相關(guān)及與商務(wù)有關(guān)的限制，這些都會(huì)隨著每一個(gè)具體實(shí)作而有所不同。此外，應(yīng)了解的，此類(lèi)開(kāi)發(fā)即復(fù)雜又花時(shí)間，決不是本領(lǐng)域一般技術(shù)人員在閱讀本揭示內(nèi)容后即可實(shí)作的例行工作。此時(shí)以參照附圖來(lái)描述本發(fā)明。示意地圖示于附圖的各種結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)及裝置僅供解釋以及避免本領(lǐng)域技術(shù)人員所習(xí)知的細(xì)節(jié)混淆本發(fā)明。盡管如此，仍納入附圖用來(lái)描述及解釋本揭示內(nèi)容的示范實(shí)施例。應(yīng)使用與相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員所熟悉的意思一致的方式理解及解釋用于本文的字匯及片語(yǔ)。本文沒(méi)有特別定義的術(shù)語(yǔ)或片語(yǔ)(亦即，與本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的普通慣用意思不同定義)是想要用術(shù)語(yǔ)或片語(yǔ)的一致用法來(lái)暗示。在這個(gè)意義上，希望術(shù)語(yǔ)或片語(yǔ)具有特定的意思時(shí)(亦即，不同于本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的意思)，則會(huì)在本專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)中以直接明白地提供特定定義的方式清楚地陳述用于該術(shù)語(yǔ)或片語(yǔ) 的特定定義。本揭示內(nèi)容提供可用來(lái)形成晶粒密封件于各種集成電路上的技術(shù)。本領(lǐng)域技術(shù)人員在完全閱讀本申請(qǐng)案后會(huì)明白，本發(fā)明方法可應(yīng)用于各式各樣的技術(shù)，以及容易應(yīng)用于各種裝置，包括但不受限于邏輯裝置、記憶體裝置、微處理器等等。參考圖2A至圖2H，此時(shí)會(huì)更詳細(xì)地描述其它的示范具體實(shí)施例，其中如有必要，也可參考圖IA至圖1C。如果相同的組件符號(hào)在圖2A至圖2H用來(lái)描述某一結(jié)構(gòu)，先前所提供的說(shuō)明也適用于圖2A至圖2H所示裝置的描述。圖2A圖示用切割道22分離的多個(gè)晶粒20。晶粒20是形成于半導(dǎo)電襯底(未圖示于圖2A至圖2H)上方。在一示范具體實(shí)施例中，該半導(dǎo)電襯底可為由塊硅、埋藏絕緣層(常被稱(chēng)作“BOX”層)及主動(dòng)層所構(gòu)成的絕緣體上硅(SOI)襯底，也可為硅材料。當(dāng)然，本發(fā)明也可用于以下情形襯底由半導(dǎo)電材料制成而不是硅及/或它可處于另一形式，例如塊硅組態(tài)。因此，應(yīng)了解術(shù)語(yǔ)襯底或半導(dǎo)體襯底涵蓋所有形式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。圖2A也示意地圖示預(yù)定分割線(intended cut line)38用于進(jìn)一步地切割加工以完成分離晶粒20。為求圖示清楚，預(yù)定分割線38未顯示于后續(xù)附圖。用來(lái)分離晶粒20的切割加工可為任何類(lèi)型，例如，鋸切或雷射切割加工，或兩者的組合。各種集成電路裝置24 (未圖示于圖2A至圖2H)類(lèi)型的任一可形成于晶粒20上。圖2A也圖示示范外晶粒密封環(huán)40以及形成于由外晶粒密封環(huán)40所界定的周界里面的示范內(nèi)晶粒密封環(huán)42。在圖示于圖2A的示范具體實(shí)施例中，內(nèi)晶粒密封環(huán)42有倒角42A,同時(shí)示范外晶粒密封環(huán)40具有實(shí)質(zhì)矩形或方形的邊角組態(tài)40A。本領(lǐng)域技術(shù)人員在完全閱讀本申請(qǐng)案后會(huì)將明白，揭示于本文中的示范密封環(huán)40、42的數(shù)目、大小及組態(tài)可隨著特定應(yīng)用而改變。例如，外和內(nèi)晶粒密封環(huán)40、42可由多條金屬線及多個(gè)插塞組成，這與圖1B、圖IC所示的類(lèi)似。外和內(nèi)晶粒密封環(huán)40、42的總垂直高度也可隨著特定應(yīng)用而改變，例如，它們可具有由半導(dǎo)體裝置24的第一個(gè)延伸至最后一個(gè)金屬化層的高度。密封環(huán)在晶粒20上的數(shù)目也可改變。例如，在一些具體實(shí)施例中，晶粒20不包含內(nèi)晶粒密封環(huán)42。另外，盡管圖示于附圖的示范外晶粒密封環(huán)40有實(shí)質(zhì)矩形或方形的整體組態(tài)，在所有的情形下不需要此一組態(tài)，以及此類(lèi)示范組態(tài)不應(yīng)被視為本發(fā)明的限制。圖2A也圖示多個(gè)減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50,在圖示于圖2A的示范實(shí)施例中，其延伸越過(guò)在相鄰晶粒20之間的切割道22。實(shí)際上，減低應(yīng)力特征50為用來(lái)減少或阻止晶粒20的龜裂及破碎的結(jié)構(gòu)，例如，在晶粒20的邊角區(qū)域。因此，片語(yǔ)“減低應(yīng)力特征”只是揭示于本文的各種結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)稱(chēng)。更特別的是，減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50由第一晶粒20上的外晶粒密封件40所定義的外周界延伸至第二晶粒20上所外晶粒密封件所定義的外周界。不過(guò)，在所有應(yīng)用中，減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50與各個(gè)晶粒20上的一或更多外晶粒密封件40之間的接觸可能需要或不需要。圖2B至圖2F圖示描述于此的減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50的各種示范組態(tài)及位置。例如，在圖2B中，在由圖2A所示的減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50所定義的周界內(nèi)的切割道22中形成多個(gè)倒角減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50A。不過(guò)，在所有應(yīng)用中，減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50A與一或更多減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50之間的接觸可能不需要。圖2C圖示一示范范例，其中形成由第一晶粒20上的外晶粒密封件40所定義的外周界延伸至第二晶粒20上的外晶粒密封件40所定義的外周界的多個(gè)減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50。不過(guò)，如前述，在所有應(yīng)用中，減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50與各個(gè)晶粒20上的一或更多外晶粒密封件40之間的實(shí)際接觸可能不需要。而且，在所有應(yīng)用中，圖2C所示的相鄰減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50之間是不需要存在大體平行的關(guān)系。圖2D圖示一示范范例,其中在由圖2D所示相交的最里面減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50所定義 的周界內(nèi)部的切割道22中形成多個(gè)倒角減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50A。不過(guò)，如前述，在所有應(yīng)用中，倒角減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50A與一或更多減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50之間的接觸可能不需要。圖2E圖示一示范范例，其中在襯底的切割道22中形成多個(gè)邊角形減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50B。在此范例中，邊角形減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50B已加到圖示于圖2A的結(jié)構(gòu)。如圖示,邊角形減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50B延伸越過(guò)一對(duì)減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50。在一特定范例中，邊角形減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50B被組態(tài)成與外晶粒密封件40的邊角區(qū)域40A的組態(tài)類(lèi)似。如前述，在所有應(yīng)用中，邊角形減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50B與一或更多減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50之間的接觸可能不需要。圖2F圖示一示范范例,其中多個(gè)邊角形減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50B已加到圖示于圖2A的結(jié)構(gòu)。在此示范具體實(shí)施例中,邊角形減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50B的每一支腳延伸越過(guò)該等減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50中的一個(gè)并且抵頂或接觸另一個(gè)減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50。在此范例中，邊角形減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50B的組態(tài)也與外晶粒密封件40的邊角區(qū)域40A的組態(tài)類(lèi)似。如前述，在所有應(yīng)用中，邊角形減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50B與一或更多減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50之間的接觸可能不需要。圖示于本文的示范減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50、50A及/或50B的個(gè)體或各個(gè)組合,傾向減少至少在晶粒20上的外晶粒密封件40的邊角區(qū)域40A外的緊鄰面積中出現(xiàn)的應(yīng)力，從而傾向減少龜裂傳播到晶粒20內(nèi)部的機(jī)會(huì)。一般而言，減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50、50A及/或50B的大小及/或組態(tài)可與定義外晶粒密封件40及/或內(nèi)晶粒密封件42的結(jié)構(gòu)的大小及組態(tài)相同或不同。例如，如圖2A所示，若由上俯視，在由外晶粒密封件40所定義的周界外部的一或更多減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50的厚度50T可與用來(lái)定義外晶粒密封件40的結(jié)構(gòu)的厚度40T相同。作為一特定示范范例，厚度40T可約在3至30微米(ii m)之間，而厚度50T可約在3至30微米之間。在其它范例中，若需要，厚度40T和50T可不同，例如，厚度50T可大于厚度40T。作為另一范例，邊角形減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50B的厚度可與減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50的厚度50T相同或不同。在有些情形下，可同時(shí)制造減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50、50A及/或50B和定義外晶粒密封件40及/或內(nèi)晶粒密封件42的結(jié)構(gòu)。在其它情況中，減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50、50A及/或50B的制造可與定義外晶粒密封件40及/或內(nèi)晶粒密封件42的結(jié)構(gòu)的制造完全無(wú)關(guān)。在一特別示范實(shí)施例中，減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50、50A及50B各有與定義外晶粒密封件40及/或內(nèi)晶粒密封件42的結(jié)構(gòu)相同的大小及組態(tài)，以及延伸超過(guò)由外晶粒密封件40定義的周界的減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50、50A及50B為定義外晶粒密封件40的結(jié)構(gòu)的延伸部。圖2G圖示在通過(guò)沿著圖2A所示的分割線38執(zhí)行例如鋸切操作而與晶圓上的另一晶粒分離后的示范個(gè)別晶粒20。在此特殊范例中，晶粒20包含外和內(nèi)晶粒密封件40、42以及有如圖2C所示組態(tài)的多個(gè)減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50。圖2G也圖示一示范半導(dǎo)體裝置24 (以虛線顯示)。圖2H為圖2G所示的晶粒20的側(cè)視圖。由圖2H可見(jiàn)，減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50是由形成于各個(gè)絕緣材料30層的多個(gè)互連金屬線32及金屬插塞34形成。重要的是，部分減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50落在晶粒20的切斷面39 (由沿著分割線38的切割所定義)中或被它暴露。通過(guò)執(zhí)行一或更多切片操作(dicing operation)可定義切斷面39,例如鋸切操作或雷射切割操作，或兩者的組合，以分離該多個(gè)晶粒20。在圖示于圖2H的范例中，切斷面39延伸穿過(guò)示范金屬線32及金屬插塞34。不過(guò)，取決于分割線38相對(duì)于金屬插塞34的位置的位置，切斷面可能只包含或暴露減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50的金屬線部分32。通過(guò)在晶粒20上裝設(shè)一或更多減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)50、50A及/或50B或彼等的組合于超出由外晶粒密封件40所定義的周界的面積或區(qū)域中，但是在一具體實(shí)施例中，延伸至晶粒20的切斷面39，而使構(gòu)成位在晶粒20上的半導(dǎo)體裝置24的各層龜裂及/或破碎。
以上所揭示的特定具體實(shí)施例均僅供圖解說(shuō)明，因?yàn)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員在受益于本文的教導(dǎo)后顯然可以不同但等價(jià)的方式來(lái)修改及實(shí)施本發(fā)明。例如，可用不同的順序完成以上所提出的加工步驟。此外，除非在以下權(quán)利要求有提及，不希望本發(fā)明受限于本文所示的構(gòu)造或設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)。因此，顯然可改變或修改以上所揭示的特定具體實(shí)施例而所有此類(lèi)變體都被認(rèn)為仍然是在本發(fā)明的范疇與精神內(nèi)。因此，本文提出以下的權(quán)利要求尋求保護(hù)。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括 包括半導(dǎo)電襯底的晶粒，該晶粒包括切斷面； 定義一周界的第一晶粒密封件；以及 至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)，它至少有一部分位于由該第一晶粒密封件所定義的該周界與該切斷面之間，其中該切斷面暴露該減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)的至少一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中該裝置還包括位于由該第一晶粒密封件所定義的該周界內(nèi)的第二晶粒密封件，以及其中該第一晶粒密封件為一外晶粒密封件。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)由位于多個(gè)絕緣材料層中的多條金屬線及多個(gè)金屬插塞構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中該第一晶粒密封件與該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)是各由位于多個(gè)絕緣材料層中的多條金屬線及多個(gè)金屬插塞構(gòu)成，且其中該第一晶粒密封件與該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)有相同的組態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中該第一晶粒密封件與該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)是各由位于多個(gè)絕緣材料層中的多條金屬線及多個(gè)金屬插塞構(gòu)成，且其中該第一晶粒密封件與該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)有不同的組態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中構(gòu)成該第一晶粒密封件的至少該等金屬線的水平厚度與構(gòu)成該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)的至少該等金屬線的水平厚度不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中構(gòu)成該第一晶粒密封件的至少該等金屬線的該水平厚度小于構(gòu)成該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)的至少該等金屬線的水平厚度。
8.一種裝置，包括 包括半導(dǎo)電襯底的晶粒，該晶粒包括切斷面； 定義一周界的第一外晶粒密封件； 位于由該第一外晶粒密封件所定義的該周界內(nèi)的第二內(nèi)晶粒密封件；以及 至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)，它至少有一部分位于由該第一外晶粒密封件所定義的該周界與該切斷面之間，其中該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)由位于多個(gè)絕緣材料層中的多條金屬線及多個(gè)金屬插塞構(gòu)成，且其中該切斷面暴露該等金屬線的至少一部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中該第一外晶粒密封件也由該等多條金屬線及該等多個(gè)金屬插塞構(gòu)成，且其中該第一外晶粒密封件與該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)有相同的組態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中該第一外晶粒密封件與該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)有不同的組態(tài)。
11.一種裝置，包括 包括多個(gè)晶粒的半導(dǎo)電襯底，其中相鄰晶粒用數(shù)條切割道分離；以及 延伸越過(guò)位于一對(duì)相鄰晶粒之間的一切割道的至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)，其中該對(duì)相鄰晶粒中的每一者包括定義一周界的第一晶粒密封件，且其中該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)的該至少一部分位于該對(duì)相鄰晶粒上的該等第一晶粒密封件之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)與在該對(duì)相鄰晶粒中的每一者上的該第一晶粒密封件接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)包括多個(gè)該減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)，且其中該等多個(gè)減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)中的每一者延伸越過(guò)位于該對(duì)相鄰晶粒之間的一切割道。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)是由位于多個(gè)絕緣材料層中的多條金屬線及多個(gè)金屬插塞構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中該第一晶粒密封件與該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)是各由位于多個(gè)絕緣材料層中的多條金屬線及多個(gè)金屬插塞構(gòu)成，且其中該第一晶粒密封件與該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)有相同的組態(tài)。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中該第一晶粒密封件與該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)是各由位于多個(gè)絕緣材料層中的多條金屬線及多個(gè)金屬插塞構(gòu)成，且其中該第一晶粒密封件與該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)有不同的組態(tài)。
17.一種方法，包括下列步驟 裝設(shè)包括多個(gè)晶粒的半導(dǎo)電襯底，其中相鄰晶粒用數(shù)條切割道分離；以及 形成越過(guò)分離兩個(gè)相鄰晶粒的一切割道的至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)，其中該對(duì)相鄰晶粒中的每一者包括定義一周界的第一晶粒密封件，以及其中該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)的該至少一部分位于該對(duì)相鄰晶粒上的該等第一晶粒密封件之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括下列步驟執(zhí)行至少一切片操作以分離該等多個(gè)晶粒，其中該等切片操作在該對(duì)相鄰晶粒之間產(chǎn)生切斷面，該減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)的至少一部分被該切斷面暴露。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中該至少一切片操作包括執(zhí)行鋸斷操作或雷射切割操作中的一者。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中形成該至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)的步驟包括在多個(gè)絕緣材料層中形成多條金屬線及多個(gè)金屬插塞。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于集成電路裝置的晶粒密封件，揭示一種半導(dǎo)體裝置，其具有新穎的減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)用來(lái)力求排除或至少減少半導(dǎo)體晶粒不良的龜裂或破碎。在一范例中，該裝置包含含有半導(dǎo)電襯底的晶粒，其中該晶粒包含切斷面。該裝置也包含定義一周界的第一晶粒密封件，以及至少一減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)，它至少有一部分位在由該第一晶粒密封件所定義的周界與該切斷面之間，其中該切斷面暴露該減低應(yīng)力結(jié)構(gòu)的至少一部分。
文檔編號(hào)H01L21/78GK102779792SQ20121014781
公開(kāi)日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2012年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月13日
發(fā)明者F·庫(kù)切梅斯特, M·里爾 申請(qǐng)人:格羅方德半導(dǎo)體公司