專利名稱：低損耗輻射型泄漏同軸電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電纜領(lǐng)域，具體涉及ー種低損耗輻射型漏泄同軸電纜。
背景技術(shù)：
隨著生活水平的提高和通信行業(yè)的不斷發(fā)展，人們對通信的要求不再僅僅局限于語音通信和低數(shù)據(jù)流通信(如普通通話和短信)，而已經(jīng)逐漸轉(zhuǎn)向于高數(shù)據(jù)流、多媒體化的通信方式，比如手機(jī)高速上網(wǎng)、可視電話、視頻會議、物聯(lián)網(wǎng)等。從而誕生了現(xiàn)今的移動(dòng)通信3G (CDMA800、CDMA2000、WCDMA、TD-SCDMA 系統(tǒng))網(wǎng)絡(luò)、WLAN、WiFi 網(wǎng)絡(luò)，以及即將商用的 4G(LTE系統(tǒng))網(wǎng)絡(luò)。而對如此多的移動(dòng)通信系統(tǒng)，在室內(nèi)分布中，各個(gè)運(yùn)營商仍需單獨(dú)建設(shè)各 自的通信系統(tǒng)來滿足人們對通信的要求，并且各大運(yùn)營商仍一直采用著傳統(tǒng)的天線覆蓋方式或采用1/2耦合型漏纜進(jìn)行覆蓋，但是這兩種覆蓋方式存在如下諸多問題采用天線覆蓋時(shí)，系統(tǒng)成本高、系統(tǒng)駐波比高、天線輻射大、天線輻射不均勻、存在覆蓋盲區(qū)、信號自由空間損耗快、工程安裝復(fù)雜，并且因?yàn)檩椛?，諸多居民也開始排棄、不允許安裝天線等諸多問題；采用耦合型漏纜覆蓋時(shí)，漏纜電氣性能差，覆蓋距離短，信號波動(dòng)大、受環(huán)境干擾大、更重要的是其只能用于2G系統(tǒng)，不能滿足新興的3G、4G系統(tǒng)；采用大規(guī)格輻射型漏纜彎曲性能差、笨重，很難滿足室內(nèi)復(fù)雜的工程環(huán)境、在室內(nèi)覆蓋中基本不被采用。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種低損耗輻射型泄漏同軸電纜。技術(shù)方案為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明具體是這樣來實(shí)現(xiàn)的低損耗輻射型泄漏同軸電纜，包括內(nèi)導(dǎo)體，內(nèi)導(dǎo)體外依次由絕緣層、開槽外導(dǎo)體和外套包覆；所述內(nèi)導(dǎo)體為銅線、銅包鋁線或空心銅管，絕緣層和外套均為聚-4-甲基-I-戊烯發(fā)泡材料。其中，所述所述開槽外導(dǎo)體材質(zhì)為銅帶或鋁帶或其他導(dǎo)電性能良好的材料。其中所述開槽外導(dǎo)體開有相互對應(yīng)的槽ロ，每組槽ロ的數(shù)目為Γ16個(gè)，且為偶數(shù)。有益效果本發(fā)明具有優(yōu)良的電氣性能與更寬的使用頻段；不僅能拓展使用頻段，還能改善高頻耦合損耗指標(biāo)，具有耦合損耗小、使用頻段寬，低衰減、低電壓駐波比、較強(qiáng)的環(huán)境適應(yīng)能力的特點(diǎn)。


附圖為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖所示，本發(fā)明公開的低損耗輻射型泄漏同軸電纜，包括內(nèi)導(dǎo)體1，內(nèi)導(dǎo)體I外依次由絕緣層2、開槽外導(dǎo)體3和外套4包覆；所述內(nèi)導(dǎo)體I為銅包鋁線或，開槽外導(dǎo)體3為銅帶，絕緣層2和外套4均為聚-4-甲基-I-戊烯發(fā)泡材料；所述開槽外導(dǎo)體3上周期性開有相互對應(yīng)的槽ロ，每組槽ロ的數(shù)目為4 個(gè)。
權(quán)利要求
1.低損耗輻射型泄漏同軸電纜，其特征在于，包括內(nèi)導(dǎo)體(1)，內(nèi)導(dǎo)體(I)外依次由絕緣層(2)、開槽外導(dǎo)體(3)和外套(4)包覆；所述內(nèi)導(dǎo)體(I)為銅線、銅包鋁線或空心銅管，絕緣層(2)和外套(4)均為聚-4-甲基-I-戊烯發(fā)泡材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低損耗輻射型泄漏同軸電纜，其特征在于，所述所述開槽外導(dǎo)體(3)為銅帶或鋁帶。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的低損耗輻射型泄漏同軸電纜，其特征在于，所述開槽外導(dǎo)體(3)開有相互對應(yīng)的槽口，每組槽口的數(shù)目為4 16個(gè)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低損耗輻射型泄漏同軸電纜，包括內(nèi)導(dǎo)體，內(nèi)導(dǎo)體外依次由絕緣層、開槽外導(dǎo)體和外套包覆；所述內(nèi)導(dǎo)體為銅線、銅包鋁線或空心銅管，絕緣層和外套均為聚-4-甲基-1-戊烯發(fā)泡材料。本發(fā)明耦合損耗小、使用頻段寬，低衰減、低電壓駐波比。
文檔編號H01P3/06GK102683783SQ20121015341
公開日2012年9月19日 申請日期2012年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月16日
發(fā)明者史文凱, 吳華良, 李申月, 沈江華, 許益元, 金惠義 申請人:江蘇亨鑫科技有限公司