技術(shù)特征：
1.一種寬帶陶瓷微波器件全密封封裝，由第一層陶瓷、第二層陶瓷、位于第一層陶瓷底部的金屬基底和金屬引腳、連接第二層陶瓷上層的金屬密封圈和金屬基底的第一過(guò)孔、連接封裝內(nèi)部的導(dǎo)線和金屬引腳的第二過(guò)孔以及蓋子構(gòu)成；所述導(dǎo)線包括第一地線、第二地線、直流導(dǎo)線以及用于連接射頻信號(hào)的中心導(dǎo)線，所述第一地線和第二地線包圍著中心導(dǎo)線并形成共面波導(dǎo)傳輸線，所述中心導(dǎo)線由多截不同寬度的導(dǎo)線構(gòu)成；所述第一過(guò)孔穿過(guò)第二層陶瓷和第一層陶瓷把第二層陶瓷上層的金屬密封圈連接到金屬基底上，所述第一過(guò)孔的間距隨著工作頻帶的上限頻率的增高而減小。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述封裝，其特征之一是陶瓷為高溫共燒陶瓷。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述封裝，其特征之一是陶瓷為低溫共燒陶瓷。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述封裝，其特征之一是一層陶瓷由多層陶瓷共同燒制而成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述封裝，其特征之一是金屬基底由絕緣材料做成，絕緣材料表面鍍金或者中間加入導(dǎo)電過(guò)孔。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述封裝，其特征之一是金屬密封圈和蓋子用焊錫結(jié)合在一起。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述封裝，其特征之一是連接金屬引腳和封裝內(nèi)部的導(dǎo)線的第二過(guò)孔是位于陶瓷邊緣的鍍金半切過(guò)孔。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述封裝，其特征之一是連接金屬引腳和封裝內(nèi)部的導(dǎo)線的第二過(guò)孔是位于陶瓷內(nèi)部的實(shí)心過(guò)孔。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述封裝，其特征之一是連接金屬引腳和封裝內(nèi)部的導(dǎo)線的第二過(guò)孔是位于陶瓷內(nèi)部的空心過(guò)孔。