專利名稱：襯底處理設(shè)備、控制該設(shè)備的程序及制造半導體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種用于處理如晶片等襯底的襯底處理設(shè)備、用于控制該襯底處理設(shè)備的程序以及用于制造半導體器件的方法，其中，在半導體襯底(例如半導體晶片)上執(zhí)行
薄膜形成工藝等以在其上制造半導體集成電路(此后稱為“1C”)。更特別地，本公開涉及一種具有容納多個襯底的多個襯底容器的襯底處理設(shè)備、用于控制該襯底處理設(shè)備的程序以及用于制造半導體器件的方法，其中，將第一襯底容器內(nèi)的襯底連續(xù)地單獨運送(或載運)至處理腔以便進行處理，并且隨后，當?shù)谝灰r底容器內(nèi)的襯底的處理完成時，將第二襯底容器內(nèi)的襯底連續(xù)地單獨運送至處理腔。
背景技術(shù)：
在相關(guān)技術(shù)中，多個襯底容器被安裝在襯底處理設(shè)備的裝載端口上；多個安裝的襯底容器中的例如第一襯底容器的蓋子被開啟，以便用于核查容納在其中的晶片的存在或不存在或者晶片的位置；執(zhí)行晶片映射以便對晶片的片數(shù)進行計數(shù)；以及在第一襯底容器中的晶片(襯底)被連續(xù)地單獨運送至處理腔并被處理。在對第一襯底容器執(zhí)行晶片映射以后，第二襯底容器的蓋子被開啟，并且對第二襯底容器執(zhí)行晶片映射。在對第二襯底容器的晶片映射結(jié)束以后，第二襯底容器在其蓋子被開啟的情況下被保持在待命狀態(tài)；此后，在對第一襯底容器中的所有襯底的處理結(jié)束以后，對第二襯底容器中的襯底的處理開始。在相關(guān)技術(shù)中，還公知一種襯底處理設(shè)備，其用于連續(xù)地運出來自安裝在裝載端口上的多個襯底容器中的襯底，運送該襯底容器至處理腔中，并在該處理腔中對其進行處理。在相關(guān)技術(shù)的襯底處理設(shè)備中，多個襯底容器的蓋子(例如，第一襯底容器的蓋子)被開啟，執(zhí)行晶片映射，然后第一襯底容器中的襯底開始被處理，并且同時，第二襯底容器的蓋子被開啟且執(zhí)行晶片映射。然而，在這種情況下，即使在用于第二襯底容器的晶片映射結(jié)束之后，保持在待命狀態(tài)的第二襯底容器的蓋子仍然維持在開啟的狀態(tài)。因此，在待命狀態(tài)的第二襯底容器中的晶片暴露在襯底處理設(shè)備內(nèi)的氣氛中，從而提供了其中顆粒可以附著到晶片表面的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
本公開提供了若干實施例，其中襯底容器的蓋子被開啟，執(zhí)行諸如晶片映射等的處理，保持在待命狀態(tài)的襯底容器的蓋子被關(guān)閉，且當襯底容器中的襯底的處理開始時，襯底容器的蓋子再次被開啟。根據(jù)本公開的一個實施例，其提供了一種襯底處理設(shè)備，包括安裝架，在該安裝架上保持其中容納多個襯底的襯底容器；蓋子開啟和關(guān)閉單元，其被配置用于開啟和關(guān)閉安裝在安裝架上的襯底容器的蓋子；襯底核查單元，其被配置用于核查其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在或者襯底的位置；襯底傳送機構(gòu)，其被配置用于將襯底容器中的襯底傳送到處理腔；襯底處理單元，其被配置用于在已由襯底傳送機構(gòu)傳送的、處理腔中的襯底上進行處理；以及控制器，其被配置用于控制蓋子開啟和關(guān)閉單元、襯底核查單元、襯底處理單元以及襯底傳送機構(gòu)的操作，其中襯底容器包括第一襯底容器和第二襯底容器，并且，在襯底處理單元處理由襯底傳送機構(gòu)從第一襯底容器傳送到處理腔的襯底的同時，當?shù)诙r底容器被安裝在安裝架上時，控制器提供控制以開啟第二襯底容器的蓋子并通過襯底核查單元來核查第二襯底容器中的襯底，并且當襯底核查結(jié)束時，控制器提供控制以關(guān)閉第二襯底容器的蓋子。


圖I是根據(jù)本公開的一個實施例的襯底處理裝置的平面視圖。圖2是襯底處理裝置的側(cè)視圖。 圖3是示出了用于控制襯底處理裝置的控制器的配置的方框圖。圖4是襯底處理裝置的處理單元的側(cè)視圖。圖5是圖示了開啟和關(guān)閉襯底處理裝置的襯底容器的蓋子的操作的流程圖。圖6是圖示了用于當已經(jīng)執(zhí)行了預定的先前處理時執(zhí)行圖5的蓋子開啟和關(guān)閉操作的配置例子中的控制器的操作的流程圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參考附圖在下文詳細說明本公開的示例性實施例。參照圖I和圖2說明根據(jù)本發(fā)明實施例的襯底處理裝置10。圖I是襯底處理裝置10的平面視圖，而圖2是襯底處理裝置10的側(cè)視圖。在襯底處理裝置10中，前開式標準晶盒(FOUP)(在下文中被稱為“晶盒” )101被用作載運器(襯底容器)以用于運送如晶片之類的襯底。例如，晶盒101可容納25片晶片并且具有用于關(guān)閉將晶片運入或運出所經(jīng)過的開口的蓋子。晶盒101中的氣氛通過該蓋子而與晶盒101外的氣氛隔離開，并且防止晶盒101中的晶片受到晶盒101外的氣氛的不利影響。同時，在下文的描述中，基于圖I來標示前、后、左及右方向(或所有方向)。即，前方為當從第一傳送腔110看去時第二傳送腔120的方向。后方為當從第二傳送腔120看去時第一傳送腔110的方向。左方指的是當從第一傳送腔110看去時處理單元150的方向。右方指的是當從第一傳送腔110看去時處理單元153的方向。如圖I和圖2所示，襯底處理設(shè)備10包括第一傳送腔110。第一傳送腔110具有的結(jié)構(gòu)能夠經(jīng)受低于大氣壓的壓力(負壓)，諸如真空狀態(tài)之類。當從上方看去時，第一傳送腔Iio的主體111具有封閉的五邊形盒形形狀。第一晶片傳送裝置112被裝配在第一晶片傳送腔110中。第一晶片傳送裝置112可以在負壓下同時傳送兩片晶片200，且在第一傳送腔110被保持密閉的狀態(tài)下被配置用于通過升降器113來上升或下降。裝載鎖定腔131和141連接至第一傳送腔110的主體111的五個側(cè)壁中的前側(cè)壁，其中在它們之間分別插入有閘閥134和144。裝載鎖定腔131和141具有能夠經(jīng)受住負壓的結(jié)構(gòu)。其上臨時安裝襯底的襯底安裝臺132和133被裝配在裝載鎖定腔131中，而其上臨時安裝襯底的襯底安裝臺142和143被裝配在裝載鎖定腔141中?；旧瞎ぷ髟诖髿鈮合碌牡诙魉颓?20連接到裝載鎖定腔131和141，在它們之間分別插入有閘閥130和140。第二晶片傳送裝置122被裝配在第二傳送腔120中。該第二晶片傳送腔122能夠同時傳送兩片晶片200，且通過裝配在第二傳送腔120中的升降器123來上升或下降，并且通過線性致動器124在水平方向上移動。用于將襯底容器中的襯底傳送至處理腔的襯底傳送機構(gòu)主要包括第一晶片傳送裝置112和第二晶片傳送裝置122。 如圖I所示，切口調(diào)整裝置107被裝配在第二傳送腔120的左部。再者，如圖2所示，用于供應清洗氣體的清洗單元106被裝配在第二傳送腔120的上部。如圖I和圖2所示，用于將晶片200裝載到第二傳送腔120和從第二傳送腔120卸載晶片200的晶片裝載/卸載孔104、用于關(guān)閉晶片裝載/卸載孔104的閘門105以及晶盒開啟器103被裝配在第二傳送腔120的主體121中。晶盒開啟器103具有蓋帽開啟和關(guān)閉機構(gòu)102，以用于開啟和關(guān)閉安裝在輸入/輸出(I/O)載臺(裝載端口)100上的晶盒101的蓋帽(蓋子)。其上裝配多個襯底容器的安裝架主要包括I/O載臺100。用于將安裝在安裝架上的襯底容器的蓋子開啟和關(guān)閉的蓋子開啟和關(guān)閉單元主要包括蓋帽開啟和關(guān)閉機構(gòu)102。該蓋帽開啟和關(guān)閉機構(gòu)102開啟和關(guān)閉閘門105，以用于關(guān)閉晶片裝載/卸載孔104以及晶盒101的蓋帽。通過開啟安裝在I/O載臺100上的晶盒101的蓋帽和閘門105，晶盒101中的晶片200可被運入和運出。再者，通過工藝間傳送裝置，例如自動導引車(AGV)或懸吊式搬運裝置(OHT)(未示出)，晶盒101被輸送至I/O載臺100或從I/O載臺卸下。如圖I所示，在晶片200上執(zhí)行所希望的處理的第一處理單元150、第二處理單元151、第三處理單元152以及第四處理單元153連接至第一傳送腔110的主體111的四個側(cè)壁，在它們之間插入有閘閥160、161、162和163。附圖標記108表示用于控制襯底處理設(shè)備10的控制器，其控制襯底處理設(shè)備10的相應組件，例如蓋帽開啟和關(guān)閉機構(gòu)102、切口調(diào)整裝置107、第一晶片傳送裝置112等
坐寸o取決于襯底處理設(shè)備10的目的，處理單元150、151、152和153可以處理相同類型的襯底或者可以處理不同類型的襯底。在該實施例中，假定處理單元150、151、152和153處理相同類型的襯底。處理單元150、151、152和153的細節(jié)將在下文描述。在下文中，將描述采用具有前述結(jié)構(gòu)的襯底處理設(shè)備10的襯底處理過程。在該襯底處理過程中，襯底處理設(shè)備10的相應組件通過控制器108來控制。首先，將在其中已經(jīng)接收到待處理的25片晶片200的晶盒101通過工藝間傳送裝置(未示出)傳送至襯底處理設(shè)備10。如圖I和圖2所示，晶盒101從工藝間傳送裝置來傳送并且隨后安裝在I/O載臺100上。通過夾具(未示出)將安裝在I/O載臺100的平板上的晶盒101固定到該平板上，并且通過ID讀取裝置(未示出)讀取晶盒101的ID以便進行驗證。此后，其上安裝有晶盒101的平板移動至晶盒101的蓋帽可以被開啟或關(guān)閉的?？课恢?。在該停靠位置處，用于關(guān)閉晶片裝載/卸載孔104和晶盒101的蓋帽的閘門105通過蓋帽開啟和關(guān)閉機構(gòu)102來釋放，從而開啟晶片裝載/卸載孔104和晶盒101的蓋帽。對于其蓋帽被開啟的晶盒101，通過晶片映射裝置(未示出)來檢驗和核查在該晶盒101中的晶片200的存在與不存在、晶片200的片數(shù)、或者晶片200的位置，即晶片200的映射狀態(tài)。當晶片映射裝置完成檢驗晶片200的晶片映射狀態(tài)時，其將晶片映射狀態(tài)報告至控制器108。用于核查其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在、襯底的位置、或者襯底片數(shù)的襯底核查單元主要包括該襯底映射裝置。當晶片映射狀態(tài)的檢驗和核查結(jié)束時，如果其他晶盒101中的晶片200正在處理腔150、151、152或153中處理，則通過蓋帽開啟和關(guān)閉機構(gòu)102來關(guān)閉用于關(guān)閉裝載/卸載孔104的閘門105和晶盒101的蓋帽，從而關(guān)閉晶片裝載/卸載孔104和晶盒101的蓋帽。晶片映射狀態(tài)的核查結(jié)束后關(guān)閉晶盒101的蓋帽的操作的細節(jié)將在下文中描述。晶片映射狀態(tài)的核查結(jié)束以后，如果逼近對處理腔中的晶盒101進行處理的處理定時，那么通過晶盒開啟器103來開啟晶盒101。當通過晶盒開啟器103開啟晶盒101時，裝配在第二傳送腔120中的第二晶片傳送裝置122從晶盒101中拾取一片晶片200，并將其安裝到切口調(diào)整裝置107上。切口調(diào)整裝置107通過在水平和垂直方向(X方向和Y方向)或者在圓周的方向上移動所安裝的晶片200來調(diào)整晶片200的切口位置等。在通過切口調(diào)整裝置107來調(diào)整第一片晶片200的位置的同時，第二晶片傳送裝置122從晶盒101拾取第二片晶片200，將其傳送到第二傳送腔120中并在該第二傳送腔120中等待。通過切口調(diào)整裝置107對第一片晶片200的位置的調(diào)整結(jié)束以后，第二晶片傳送裝置122拾取切口調(diào)整裝置107上的第一片晶片200。第二晶片傳送裝置122隨后將由第二晶片傳送裝置122保持的第二片晶片200安裝到切口調(diào)整裝置107上。此后，執(zhí)行對第二片晶片200的切口調(diào)整。接著，閘閥130被開啟，第二晶片傳送裝置122將第一片晶片200裝載到第一裝載鎖定腔131中并將其傳送到襯底安裝臺133上。在該傳送操作期間，位于第一傳送腔110旁邊的閘閥134被關(guān)閉，從而維持第一傳送腔110中的負壓。當?shù)谝黄?00到襯底安裝臺133的傳送完成時，閘閥130被關(guān)閉，并且第一裝載鎖定腔131的內(nèi)部通過排氣裝置(未示出)來排氣以便具有負壓。在第一裝載鎖定腔131中的氛圍被排氣的同時，第二晶片傳送裝置122從切口調(diào)整裝置107拾取第二片晶片200。當閘閥140被開啟時，第二晶片傳送裝置122將第二片晶片200裝載到第二裝載鎖定腔141中并將其傳送到襯底安裝臺143上。隨后，閘閥140被關(guān)閉，并且第二裝載鎖定腔141的內(nèi)部通過排氣裝置(未示出)來排氣以便具有負壓。第二晶片傳送裝置122重復執(zhí)行前述的操作。在這種情況下，當?shù)谝谎b載鎖定腔131和第二裝載鎖定腔141都處于負壓的狀態(tài)時，第二晶片傳送裝置122停止在第一裝載鎖定腔131或第二裝載鎖定腔141正前方的位置處并且等待，而不將晶片200裝載至第一裝載鎖定腔131和第二裝載鎖定腔141中。當?shù)谝谎b載鎖定腔131減壓至具有預定的壓力值時，閘閥134被開啟。隨后，第一傳送腔Iio的第一晶片傳送裝置112從襯底安裝臺133拾取例如第一片晶片200。第一晶片傳送裝置112從襯底安裝臺133拾取第一片晶片200以后，閘閥134被關(guān)閉，第一裝載鎖定腔131的內(nèi)部恢復為大氣壓，并且下一晶片200準備裝載到第一裝載鎖定腔131中。此外，第一處理單元150的閘閥160被開啟，且晶片傳送裝置112將第一片晶片200裝載到第一處理單元150中。處理氣體由氣體供應設(shè)備(未示出)供應到第一處理單元150中以便在第一片晶片200上進行所需的處理。用于在處理腔中的襯底上進行處理的襯底處理單元主要包括襯底安裝臺133、陽極電極420、陰極電極430、排氣管線410等，如下文所述。當?shù)诙b載鎖定腔141減壓至具有預定的壓力值時，閘閥144被開啟。隨后，第一傳送腔110的第一晶片傳送裝置112從襯底安裝臺143拾取例如第二片晶片200。第一晶片傳送裝置112從襯底安裝臺143拾取第二片晶片200以后，閘閥144被關(guān)閉，第二裝載鎖定腔141的內(nèi)部恢復為大氣壓，并且下一晶片200準備裝載到第二裝載鎖定腔141中。此外，第二處理單元151的閘閥161被開啟，且晶片傳送裝置112將第二片晶片200裝載到第二處理單元151中。處理氣體由氣體供應裝置(未示出)供應到第二處理單元151中以便在第二片晶片200上進行所需的處理。隨后，下一晶片200被裝載到第三處理單元152或第四處理單元153中，且以相同的方法在晶片200上進行所需的處理。當?shù)谝惶幚韱卧?50中的處理結(jié)束時，第一晶片傳送單元112將從處理單元150卸載的晶片200裝載到第一裝載鎖定腔131中，且將其安裝在襯底安裝臺132上。如果在第一裝載鎖定腔131中的襯底安裝臺132上存在未處理的晶片200，則第一晶片傳送裝置112將未處理的晶片200從第一裝載鎖定腔131傳送到第一傳送腔110中。此后，閘閥134被關(guān)閉，并且已經(jīng)完成處理的晶片200在第一裝載鎖定腔131中被冷卻，同時，惰性氣體從連接至第一裝載鎖定腔131的惰性氣體供應裝置(未示出)引入，以便將第一裝載鎖定腔131中的壓力恢復為大氣壓。在第一裝載鎖定腔131中，當預定的冷卻時間已經(jīng)過去并且第一裝載鎖定腔131中的壓力恢復為大氣壓時，閘閥130被開啟。隨后，第二傳送腔120的第二晶片傳送裝置122從襯底安裝臺132拾取完成處理的晶片200，并將其卸載到第二傳送腔120中，并且隨后閘閥130被關(guān)閉。此后，第二晶片傳送裝置122通過第二傳送腔120的晶片裝載/卸載孔104將完成處理的晶片200傳送至晶盒101。當通過前述工藝在晶盒101中的所有晶片200上執(zhí)行完所需的處理，并且例如25片完成處理的晶片200被全部接收在晶盒101中時，用于關(guān)閉晶盒101的蓋帽以及晶片裝載/卸載孔104的閘門105通過晶盒開啟器103來關(guān)閉。通過工藝間運送裝置(未示出)將關(guān)閉的晶盒101從I/O載臺100卸載以用于進一步的工藝。重復執(zhí)行上述操作以便連續(xù)處理例如每次25片晶片200。下面將描述控制器108。控制器108被配置用于執(zhí)行控制程序，以用于通過控制襯底處理設(shè)備10的相應組件來執(zhí)行傳送控制或工藝控制，該相應組件例如是蓋子開啟和關(guān)、閉單元、襯底核查單元、襯底處理單元、襯底傳送機構(gòu)等。圖3為方框圖，其示出了用于控制圖I和圖2描述的襯底處理設(shè)備10的控制器108的結(jié)構(gòu)。在圖3中，控制器108包括通用控制器13，其用于控制蓋子開啟和關(guān)閉單元、襯底核查單元、襯底傳送機構(gòu)等；第一處理腔控制器(PMC) (I) 14，其用于控制第一處理單元150 ;第二 PMC (2) 15，其用于控制第二處理單元151 ;以及操控單元12，其具有用于存儲包括控制程序的操控單元程序的存儲單元(未示出)，通用控制器13、第一 PMC 14、第二 PMC 15以及操縱單元12通過LAN電路16來連接。用于控制第一傳送裝置112的真空機器人控制器13a、用于控制第二傳送裝置122的氣氛機器人控制器13b、質(zhì)量流量控制器(MFC) 13c等連接至通用控制器13。操縱單元12被配置用于執(zhí)行用于圖形用戶界面(⑶I)、作業(yè)控制(制造中的順序 控制)、主機操控(主機的事件/監(jiān)控報告、來自主機的命令的處理)等的操縱單元程序。MFC 14a、自動處理控制器(APC) 14b、溫度控制器14c、閥門I/O 14d等都連接至PMC(I) 14。在此，MFC 14a控制氣體的流速，而APC 14b控制第一處理單元150中的壓力。而且，溫度控制器14c控制第一處理單元150中的溫度，而閥門I/O 14d為輸入/輸出端口，其用于控制氣閥或排氣閥的開/關(guān)操作。PMC (2) 15具有與PMC (I) 14相同的結(jié)構(gòu)。同時，盡管并未示出，但是用于控制第三處理單元152的PMC(3)以及用于控制第四處理單元153的PMC⑷具有與PMC⑴14相同的結(jié)構(gòu)，并且以相同的方式被連接至LAN電路16。操縱單元12包括顯示單元18以用于顯示屏幕圖像，諸如系統(tǒng)控制命令的指令、監(jiān)視器顯示、記錄數(shù)據(jù)、報警解釋、參數(shù)編輯等。此外，在本實施例中，操縱單元12顯示用于設(shè)置是否執(zhí)行蓋子開啟和關(guān)閉控制程序的屏幕圖像，如下文所述。此外，通過在顯示單元18上顯示的屏幕圖像輸入的指令數(shù)據(jù)或各種制作方法(工藝方法、用于虛擬襯底的制作方法等)都被存儲在操縱單元12中。而且，將在下文中描述的本實施例中用于執(zhí)行晶片映射的程序、或者包括蓋子開啟和關(guān)閉控制程序的操縱單元程序被存儲在操縱單元12的存儲單元中。通用控制器13控制整個系統(tǒng)、真空機器人控制器13a、氣氛機器人控制器13b、MFC13c以及用于控制閥門、泵等的氣體供應排氣系統(tǒng)的操作。以下將描述如圖3所示的控制器108的操作實例。當通過工藝間傳送裝置傳送的晶盒101安裝在I/O載臺100上時，通用控制器13開啟晶盒101的蓋帽，且通過晶片映射裝置(未示出)來檢驗和核查晶盒101中的晶片200的晶片映射狀態(tài)。在晶片映射狀態(tài)檢驗結(jié)束以后，如果其他晶盒101中的晶片200正在處理腔中進行處理，那么通用控制器13關(guān)閉晶盒101的蓋帽。當通用控制器13接收到關(guān)于來自操縱單元12或襯底處理設(shè)備10的高級主機計算機的某個晶盒101的作為制造指令的命令時，該通用控制器13開啟晶盒101的蓋帽并且命令氣氛機器人控制器13b來傳送晶片200。然后，氣氛機器人控制器13b控制第二傳送裝置122將晶片200從晶盒101通過切口調(diào)整裝置107傳送至裝載鎖定腔131和141。當晶片200被傳送時，通用控制器13執(zhí)行裝載鎖定腔131和141的排氣控制(即，泵或閥門的控制)。當裝載鎖定腔131和141達到預定的負壓時，通用控制器13命令真空機器人控制器13a將晶片200傳送至第一處理單元150。
隨后，通用控制器13命令PMC (I) 14、PMC (2) 15等在晶片200上執(zhí)行預定的工藝，且預定的工藝在晶片200上被執(zhí)行。當晶片200完成處理時，晶片200從第一處理單元150被傳送至裝載鎖定腔131和141，并且，裝載鎖定腔131和141恢復至大氣壓以后，晶片200被傳送至原始晶盒101。但是，如果預先指定了不同的晶盒，那么晶片200可以被傳送至指定晶盒而不是原始晶盒101。下面，通過參考圖4來描述處理單元。圖4是根據(jù)本實施例的處理單元的側(cè)視圖。在圖4中，等離子體處理裝置400描述為處理裝置的一個例子，其可用在多個處理單元150、151、152和153的至少一個中。如圖4所示，等離子體處理裝置400包括形成處理腔402的真空容器404。用來將作為待處理的襯底的晶片200裝載到處理腔和從處理器卸載該晶片的晶片裝載/卸載孔406被裝配在真空容器404的側(cè)壁上。晶片裝載/卸載孔406被配置用于通過閘閥408來開啟和關(guān)閉。 排氣管線410的一端連接至真空容器404的下壁，且排氣管線410的另一端連接至作為真空排氣工具的真空排氣裝置411。作為排氣傳導調(diào)整工具的排氣傳導調(diào)整閥412被裝配在排氣管線410的中段。排氣傳導調(diào)整閥控制裝置414電連接至排氣傳導調(diào)整閥412，并且用于檢測處理腔402中的壓力的壓力傳感器416電連接至排氣傳導調(diào)整閥控制裝置414?；趤碜詨毫鞲衅?16的檢測結(jié)果和來自控制器108的命令，通過控制排氣傳導調(diào)整閥412，排氣傳導調(diào)整閥控制裝置414被配置用于調(diào)整處理腔402中的壓力。陽極電極(正電極)420被裝配在真空容器404的處理腔402中。氣體通路424形成在陽極電極420中，并且噴淋板422被裝配在陽極電極420的下部以便限定氣體通路424。多個入口 /出口孔426在噴淋板422中提供從而以噴淋的形式來輸入和輸出氣體。作為氣體引入工具的氣體引入管線428連接至陽極電極420的氣體通路424，且各種類型的氣體可以由氣體引入管線428引入至氣體通路424。同時，陰極電極(負電極)430被裝配在真空容器404的處理腔402的下部。陰極電極430還被配置用于用作襯底安裝臺(基座)以用于保持在其上安裝的晶片200，而且，用于加熱被保持的晶片200的加熱器(未示出)裝配在陰極電極430中，其也用作基座。作為高頻電源供應工具的高頻振蕩器432在陽極電極420和陰極電極430之間通過阻抗匹配單元434來連接。高頻振蕩器432通過通信線路436來連接至對應于前述PMC (1)14(或者PMC (2) 15)的控制器418。此外，高頻振蕩器432被配置用于響應來自控制器418的命令通過阻抗匹配單元434在陽極電極420和陰極電極430之間施加高頻電壓。作為自偏壓檢測工具的電壓表438被連接至陰極電極430。電壓表438被配置用于通過通信線路440將檢測結(jié)果傳輸至控制器418。存儲裝置442、顯示裝置444以及輸入裝置446都連接至控制器418。在此，控制器418對應于前述的PMC(I) 14。而且，盡管采用其中分離地提供存儲裝置442的情況作為實例，但是也可以采用裝配在控制器418中的存儲器等。控制器418可以具有管理作為軟件函數(shù)的累積自偏壓電壓以及前進波電能的功能。因此，控制器418可被配置為通過通信線路436從高頻振蕩器432來獲得用作關(guān)于等離子體處理的數(shù)據(jù)的前進波功率值，并且將其存儲至存儲裝置442中。此外，控制器418可被配置為通過通信線路440從電壓表438來獲得用作關(guān)于等離子體處理的數(shù)據(jù)的自偏壓電壓值，并將其存儲至存儲裝置442中。
下面，將描述通過涉及前文結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置400在晶片200上形成膜的方法。當其上將要形成膜的晶片200被傳送至晶片裝載/卸載孔406時，閘閥408被開啟，晶片200從晶片裝載/卸載孔406裝載到處理腔402中并安裝在也用作基座的陰極電極430上。當晶片200被裝配在陰極電極430上并被保持時，晶片裝載/卸載孔406通過閘閥408來關(guān)閉。處理腔402的內(nèi)部由真空排氣裝置411經(jīng)過排氣管線410以及排氣傳導調(diào)整閥412來排氣。在處理腔402的內(nèi)部被保持具有某一壓力的同時，原料氣體從氣體引入管線428引入到氣體通路424，并且從處理腔402中的噴淋板422的入口 /出口孔426以噴淋的形式輸入和輸出。為了均勻地保持處理腔402中的壓力，采用了反饋控制方法，該方法基于從壓力傳感器416輸出并且向排氣傳導調(diào)整閥控制裝置414輸入的信號來控制排氣傳導調(diào)整閥
412。隨著處理腔402的內(nèi)部被保持為具有某一壓力，由輸入裝置446向控制器418輸入的功率值通過通信線路436而在高頻振蕩器432中設(shè)定，并且由高頻振蕩器432來產(chǎn)生高頻功率。該由高頻振蕩器432產(chǎn)生的高頻功率通過阻抗匹配單元434被施加到陽極電極420。當施加高頻功率時，等離子體在陽極電極420和陰極電極430之間產(chǎn)生。采用該產(chǎn)生的等離子體，以處理腔402中的噴淋器的形式輸入和輸出的原料氣體被分解或激活，并且沉積到保持在也用作基座的陰極電極430上的晶片200上，由此在晶片200上形成膜。下面，參照圖5，將詳細地描述通過晶片映射裝置的晶片映射狀態(tài)檢驗之前或之后開啟和關(guān)閉晶盒101的蓋帽的操作。圖5為流程圖，其圖示了開啟和關(guān)閉襯底容器的蓋子(即晶盒101的蓋帽)的操作。圖5中的開啟和關(guān)閉操作是通過允許由控制器108來執(zhí)行蓋子開啟和關(guān)閉控制程序而實現(xiàn)的。如上文所述，裝載在I/O載臺100上的晶盒101的蓋帽經(jīng)由蓋帽開啟和關(guān)閉機構(gòu)102移除在停靠位置處，以開啟晶片裝載/卸載孔104和晶盒101的蓋帽(步驟S I)。當晶盒101的蓋帽被開啟時，在蓋帽開啟的晶盒101中的晶片200的晶片映射狀態(tài)通過晶片映射裝置(未示出)來檢驗和核查。在晶片映射被核查后，在晶盒101的蓋帽被關(guān)閉前，關(guān)閉計時器(未示出)開始計時(步驟S2)。該操作等待直至關(guān)閉計時器逾時(即，直至預定時間過去)(步驟S3)。當關(guān)閉計時器逾時(步驟S3中的是)時，其判斷是否有其它晶盒101存在于I/O載臺100上(步驟S4)。對于裝配關(guān)閉計時器和從晶盒101的蓋帽被開啟的時間起過去預定時間以后關(guān)閉晶盒101的蓋帽的原因，也就是，對于開啟晶盒101的蓋帽、執(zhí)行晶片映射以及提供從晶片映射結(jié)束到蓋帽關(guān)閉的延遲時間的原因是為了在晶片映射結(jié)束以后省略不必要的蓋帽關(guān)閉操作。當I/o載臺100上不存在其它晶盒101時，制造指令在晶片映射結(jié)束以后由主機計算機等來發(fā)出。由于這個原因，如果沒有提供從晶片映射結(jié)束到關(guān)閉晶盒101的蓋帽的延遲時間，那么晶盒101的蓋帽在晶片映射結(jié)束以后就被關(guān)閉，并且隨后當接收到制造指令時，晶盒101的蓋帽就被重新開啟。同時，關(guān)閉計時器并非必須裝配。進一步的，可通過操縱單元12來設(shè)置是否采用關(guān)閉計時器功能。
如果I/O載臺100上不存在其它晶盒101(步驟S4中為否)，則判斷是否從主機計算機等已經(jīng)發(fā)出制造指令，即，用于在處理腔中對晶盒101中的晶片200(對此晶盒已經(jīng)核查晶片映射)執(zhí)行處理的指令(步驟Sll)。如果制造指令已經(jīng)發(fā)出(步驟11中為是)，則晶盒101的蓋帽被維持為開啟狀態(tài)而不是被關(guān)閉，并且處理進行到步驟S7和S8以便開始在晶片200上的處理。特別地，晶盒101中的晶片200由第二傳送裝置122經(jīng)過切口調(diào)整裝置107而被傳送至例如裝載鎖定腔(備份腔及冷卻腔)131，并且隨后由第一晶片傳送裝置112傳送至例如第一處理單元150以進行處理。如果沒有發(fā)出制造指令(步驟Sll中為否)，則晶盒101的蓋帽由蓋帽開啟和關(guān)閉機構(gòu)102來關(guān)閉(步驟S12)，并且操作等待直至制造指令被發(fā)出(步驟S13)。如果制造指令被發(fā)出(步驟S13中為是)，則晶盒101的蓋帽由蓋帽開啟和關(guān)閉機構(gòu)102來開啟(步驟S14)，該處理進行至步驟S7和S8，然后在晶片200上的處理開始。
如果I/O載臺100上存在其它晶盒101 (步驟S4中為是)，則判斷其它晶盒101中的晶片200是否正在處理(步驟S5)，如果晶片并未正在處理(步驟S5中為否)，那么操作進行至前述步驟SI I。在此，將描述其它晶盒101中的晶片200正被處理的狀態(tài)。當制造指令由主機計算機等發(fā)出時，在I/o載臺100上的晶盒101中的晶片200經(jīng)由切口調(diào)整裝置107而被傳送至例如裝載鎖定腔131，并且隨后從裝載鎖定腔131傳送至例如第一處理單元150以進行處理。此后，完成處理的晶片200從第一處理單元150被傳送至裝載鎖定腔131，且隨后從裝載鎖定腔131返回到I/O載臺100上的晶盒101中。其它晶盒101中的晶片200正被處理的狀態(tài)指的是如下狀態(tài)從當關(guān)于其它晶盒101由主機計算機等發(fā)出制造指令時，直至其它晶盒101中的最后一片未被處理的晶片200 (舉例來說，如果晶盒101中存在25片晶片200，則24片晶片200已經(jīng)完成了處理，并且剩下的第25片晶片200為未被處理的晶片200)被傳送至例如第一處理單元150、進行處理并且返回到I/O載臺100上的晶盒101中。在這種情況下，其它晶盒101可能屬于前一批或同一批。當其它晶盒101中的晶片200正被處理時(步驟S5中為是)，相對于對其核查了晶片映射的晶盒101，判斷制造指令是否已經(jīng)由主機計算機等發(fā)出(步驟S6)。如果制造指令沒被發(fā)出(步驟S6中為否)，則操作進行到前述步驟S12，晶盒101的蓋帽被關(guān)閉，并且操作等待直至制造指令被發(fā)出。在該實施例中，在I/O載臺100上存在多個晶盒101的情況下，當控制器108將其它晶盒101中最后未被處理的晶片200從I/O載臺100上的其它晶盒101 (在晶盒101等待被處理的同時該其它晶盒101正被處理)中安裝到第二傳送裝置122上時，也就是當控制器108由襯底傳送機構(gòu)卸載最后未被處理的晶片200時，由主機計算機等來發(fā)出用于晶盒101的制造指令。因此，在晶片映射結(jié)束以后，當處理腔中的處理計時逼近以后，晶盒101由晶盒開啟器103來開啟。即，在晶片映射結(jié)束以后，控制器108提供控制以計算處理晶盒101中的晶片200開始處理的計時，并且在晶片映射結(jié)束以后根據(jù)該計算的計時開啟晶盒101的蓋子。而且，如上文所述，在I/O載臺100上存在多個晶盒101的情況下，當其它晶盒101 (在晶盒101等待被處理的同時該其它晶盒101正被處理)中最后未被處理的晶片200從I/o載臺100上的晶盒101中安裝在第二傳送裝置122上時，由主機計算機等來發(fā)出制造制令。因此，當制造指令被發(fā)出時，由于晶盒101的蓋帽維持在開啟狀態(tài)而沒有被關(guān)閉，與晶盒101的蓋帽將在處理其它晶盒101之后開啟的情況相比較，生產(chǎn)效率可得以提高。在本實施例中，用于開啟晶盒101的蓋帽的操作時間大約為10秒，用于關(guān)閉蓋帽的時間大約為3秒，并且，從在先處理的晶盒101中的最后未被處理的晶片從I/O載臺100上的晶盒101內(nèi)卸載的時間點至下一個將要處理的晶盒101中的第一片未被處理的晶片開始從I/o載臺100上的晶盒101內(nèi)卸載的時間點所持續(xù)的時間約為20秒。當制造指令被發(fā)出時(步驟S6中為是)，晶盒101的蓋帽維持在開啟狀態(tài)而沒有被關(guān)閉，并且操作等待直至I/o載臺100上的其它晶盒101的處理結(jié)束(步驟S7)，隨后開始處理襯底(晶片200)(步驟S8)。以此方式，在晶片映射結(jié)束的時刻，如果在晶片映射結(jié)束以后直到晶盒101中的晶片200開始被處理的時間小于預定時間，那么控制器108在晶片映射結(jié)束之后維持晶盒101的蓋子的開啟狀態(tài)，并且如果該時間大于預定時間，那么控制器108在晶片映射結(jié)束之后提供控制來關(guān)閉晶盒101的蓋子。在前述實施例中，當襯底容器被安裝在襯底安裝臺上時，開啟和關(guān)閉晶盒101的蓋帽的操作是通過執(zhí)行蓋子開啟和關(guān)閉程序來實現(xiàn)的，但其可以被配置為使得選擇是否執(zhí)行蓋子開啟和關(guān)閉程序(執(zhí)行圖5的操作)。該選擇可基于通過操縱者來自操縱單元的命令來進行，或者可通過控制器基于先前處理內(nèi)容來自動進行?，F(xiàn)在將通過參照圖6來描述其中選擇是否執(zhí)行蓋子開啟和關(guān)閉控制程序(執(zhí)行圖5的操作)的結(jié)構(gòu)示例。圖6是圖示了當已經(jīng)執(zhí)行預定先前處理時用于執(zhí)行圖5的蓋子開啟和關(guān)閉操作的結(jié)構(gòu)示例中的控制器108的操作的流程圖。該操作被配置為使得預定的先前處理的內(nèi)容可以通過例如操縱者來預先設(shè)定，并且存儲在操縱單元12的存儲單元中。在圖6中，當蓋子開啟和關(guān)閉控制程序啟動時，控制器108讀取預設(shè)的條件，該預設(shè)的條件為存儲在操縱單元12的存儲單元中的先前處理的內(nèi)容(步驟S21)。接著，當其中容納多片晶片200的晶盒101被保持在I/O載臺100上時，由于先前處理的內(nèi)容信息被以例如條形碼的形式附接在晶盒101上，因此控制器108通過采用裝配在襯底處理設(shè)備10中的條形碼讀取器(未示出)來讀取先前處理的內(nèi)容信息(步驟S22)?？刂破?08判斷蓋子開啟和關(guān)閉控制程序的執(zhí)行條件是否達到(步驟S23)。如果達到蓋子開啟和關(guān)閉控制程序的執(zhí)行條件，也就是，存儲在操縱單元12中的設(shè)定條件與附接在晶盒101上的先前處理的內(nèi)容信息是同樣的(步驟S23中為是)，那么就執(zhí)行蓋子開啟和關(guān)閉控制程序(步驟S24)。如果操縱單元12中存儲的設(shè)定條件與附接在晶盒101上的先前處理的內(nèi)容信息不同(步驟S23中為否)，那么晶盒101的蓋子被開啟并且晶盒101中的晶片200的晶片映射狀態(tài)被通過晶片映射裝置來檢驗和核查，如圖5所示的步驟S2，而不執(zhí)行該蓋子開啟和關(guān)閉控制程序。其后，晶盒101進入待命狀態(tài)并等待制造指令(步驟S25)。上文所述的實施例達到如下的效果(I)至(7)。(I)當在安裝在I/O載臺100上的第一晶盒101中的晶片200正在處理的同時第
二晶盒101被安裝在I/O載臺100上時，控制使得第二晶盒101的蓋子開啟、在第二晶盒、101中的晶片200上執(zhí)行晶片映射且隨后蓋子再次關(guān)閉。因此，可抑制由于第二晶盒101的蓋子被開啟而可能由第二晶盒101中的晶片200被暴露在空氣中導致的晶片200表面附著顆粒、晶片200表面污染等。(2)當被處理的第一晶盒101中的最后未被處理的晶片200開始處理時，控制使得處于待命狀態(tài)的第二晶盒101的蓋子開啟。因此，當?shù)诙Ш?01中的晶片200上的處理開始時，無需等待第二晶盒101的蓋子開啟，因此提高了生產(chǎn)效率。(3)計算第二晶盒101中的晶片200上的處理開始時的計時，并且基于該計算的計時來控制第二晶盒101的蓋子開啟。因此，在預期開始第二晶盒101中的晶片200上的處理的計時以前，可以可靠地開啟第二晶盒101的蓋子。(4)可配置使得在I/O載臺100上不存在其它晶盒101的狀態(tài)下，在晶片映射以 后，在晶盒101的蓋子開啟的情況下等待關(guān)于對應晶盒101中的晶片200的處理命令(制造指令)預定時間，從而不執(zhí)行不必要的蓋子開啟和關(guān)閉操作，因此提高生產(chǎn)效率。(5)可配置使得基于通過操縱者來自操縱單元的指令，可選擇是否執(zhí)行對在晶片映射以后關(guān)閉蓋子的控制。通過這種配置，例如依賴于晶片200表面的狀態(tài)，例如可選擇是否執(zhí)行蓋子開啟和關(guān)閉控制程序。在其中晶片200表面的顆粒附著不是問題的工藝的情況下，或者其中由于暴露在襯底處理設(shè)備10中的空氣而導致的形成在晶片200表面上的膜的質(zhì)量改變不是問題的工藝的情況下，可以不執(zhí)行圖5的蓋子開啟和關(guān)閉控制程序，從而靈活地應對情況。(6)可配置使得基于先前處理的內(nèi)容，自動地選擇執(zhí)行對在晶片映射以后關(guān)閉蓋子的控制。因此，關(guān)于襯底容器中的襯底處于待命狀態(tài)，可以限制先前處理中的襯底的表面上形成的膜的質(zhì)量改變。(7)由于可配置使得基于先前處理的內(nèi)容(特別地，根據(jù)圖6的流程圖)自動地選擇執(zhí)行對在晶片映射以后關(guān)閉蓋子的控制，因此當由操縱單元設(shè)定的條件和先前處理的內(nèi)容相同時，可執(zhí)行對在晶片映射之后關(guān)閉蓋子的控制，并且當操縱單元設(shè)定的條件和先前處理的內(nèi)容不同時，可以不執(zhí)行對在晶片映射之后關(guān)閉蓋子的控制。因此，不管先前處理的內(nèi)容如何，都可以減少顆粒的附著并且可以避免生產(chǎn)效率的降低。此外，毋容質(zhì)疑，本發(fā)明并非限于前面的實施例，而是在不脫離本發(fā)明總體思路的范圍內(nèi)可進行各種改變。而且，本公開可應用于處理玻璃襯底的設(shè)備，如LCD制造設(shè)備，以及任何其他襯底處理設(shè)備，也可用于制造半導體的設(shè)備。襯底處理可以是CVD、PVD、形成氧化膜、氮化膜、含金屬膜等的膜形成處理、以及曝光處理、光刻、涂覆處理等。根據(jù)某些實施例，襯底處理設(shè)備包括安裝架，該安裝架上保持其中容納多片襯底的襯底容器；蓋子開啟和關(guān)閉單元，其被配置用于開啟和關(guān)閉安裝在安裝架上的襯底容器的蓋子；襯底核查單元，其被配置用于核查其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置；襯底傳送機構(gòu)，其被配置用于將襯底容器中的襯底傳送至處理腔；襯底處理單元，其被配置用于在已經(jīng)由襯底傳送機構(gòu)傳送的、處理腔中的襯底上進行處理；以及控制器，其被配置用于控制蓋子開啟和關(guān)閉單元、襯底核查單元、襯底處理單元以及襯底傳送機構(gòu)的操作，其中襯底容器包括第一襯底容器和第二襯底容器，并且，與襯底處理單元對從第一襯底容器通過襯底傳送機構(gòu)傳送至處理腔的襯底進行處理的同時，當?shù)诙r底容器被安裝在安裝架上時，控制器提供控制以開啟第二襯底容器的蓋子，并且通過襯底核查單元來核查第二襯底容器中的襯底；以及當襯底核查結(jié)束時，控制器提供控制以關(guān)閉第二襯底容器的蓋子。根據(jù)某些其它實施例，當?shù)谝灰r底容器中的最后未被處理的襯底經(jīng)由襯底傳送機構(gòu)來卸載時，或者當用于在第二襯底容器中的襯底上開始處理的計時逼近時，控制器提供控制以開啟第二襯底容器的蓋子。根據(jù)某些其它實施例，與襯底處理單元對安裝在安裝架上的第一襯底容器中的襯底進行處理的同時，控制器計算在第二襯底容器中的襯底上開始襯底處理的計時，并且基于該計算的計時來提供控制以開啟第二襯底容器的蓋子。根據(jù)某些其它實施例，在安裝架上不存在其他襯底容器的狀態(tài)下，當?shù)诙r底容 器被安裝在安裝架上時，控制器提供控制以開啟第二襯底容器的蓋子并通過襯底核查單元來核查第二襯底容器中的襯底，以及當襯底核查結(jié)束時，控制器提供控制以維持第二襯底容器蓋子的開啟狀態(tài)。根據(jù)某些其它實施例，襯底處理設(shè)備包括安裝架，該安裝架上保持其中容納多個襯底的襯底容器；蓋子開啟和關(guān)閉單元，其被配置用于開啟和關(guān)閉安裝在安裝架上的襯底容器的蓋子；襯底核查單元，其被配置用于核查其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置；襯底傳送機構(gòu)，其被配置用于將襯底容器中的襯底傳送至處理腔；襯底處理單元，其被配置用于在已經(jīng)由襯底傳送機構(gòu)傳送的、處理腔中的襯底上進行處理；以及控制器，其被配置用于控制蓋子開啟和關(guān)閉單元、襯底核查單元、襯底處理單元以及襯底傳送機構(gòu)的操作，其中襯底容器包括第一襯底容器和第二襯底容器，并且，與襯底處理單元對從第一襯底容器通過襯底傳送機構(gòu)傳送至處理腔的襯底進行處理的同時，當?shù)诙r底容器被安裝在安裝架上時，控制器提供控制以開啟第二襯底容器的蓋子，并且通過襯底核查單元來核查第二襯底容器中的襯底；以及當襯底核查結(jié)束時，控制器提供控制以選擇是否關(guān)閉第二襯底容器的蓋子。根據(jù)某些其它實施例，與襯底處理單元對安裝在安裝架上的第一襯底容器中的襯底進行處理的同時，當?shù)诙r底容器被安裝在安裝架上時，控制器提供控制以開啟第二襯底容器的蓋子并通過襯底核查單元來核查第二襯底容器中的襯底，以及當襯底核查結(jié)束時，基于與第二襯底容器中的襯底有關(guān)的襯底處理設(shè)備的先前處理中所進行的處理，控制器提供控制以選擇是否關(guān)閉第二襯底容器的蓋子。根據(jù)某些其它實施例，襯底處理設(shè)備包括安裝架，該安裝架上保持其中容納多個襯底的襯底容器；蓋子開啟和關(guān)閉單元，其被配置用于開啟和關(guān)閉安裝在安裝架上的襯底容器的蓋子；襯底核查單元，其被配置用于核查其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置；襯底傳送機構(gòu)，其被配置用于將襯底容器中的襯底傳送至處理腔；襯底處理單元，其被配置用于在已經(jīng)由襯底傳送機構(gòu)傳送的、處理腔中的襯底上進行處理；操縱單元，其被配置為接收來自操縱者的指令；以及控制器，其被配置用于控制蓋子開啟和關(guān)閉單元、襯底核查單元、襯底處理單元、襯底傳送機構(gòu)以及操縱單元的操作，其中，襯底容器包括第一襯底容器和第二襯底容器，并且，與襯底處理單兀對從第一襯底容器通過襯底傳送機構(gòu)傳送至處理腔的襯底進行處理的同時，當?shù)诙r底容器被安裝在安裝架上時，控制器提供控制以開啟第二襯底容器的蓋子，并且通過襯底核查單元來核查第二襯底容器中的襯底；以及當襯底核查結(jié)束時，基于來自操縱單元的指令，控制器提供控制以選擇是否關(guān)閉第二襯底容器的蓋子。根據(jù)某些其它實施例，用于制造半導體器件的方法包括安裝工藝，其將容納多個襯底的襯底容器安裝在安裝架上；第一開啟工藝，其在安裝工藝之后將安裝在安裝架上的襯底容器的蓋子開啟；核查工藝，其用于核查在第一開啟工藝中其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置；關(guān)閉工藝，其在核查工藝之后將襯底容器的蓋子關(guān)閉；第二開啟工藝，其在關(guān)閉工藝之后將襯底容器的蓋子開啟；襯底傳送工藝，其將在第二開啟工藝中其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底傳送至處理腔；以及襯底處理工藝，其在襯底傳送工藝中傳送至處理腔的襯底上執(zhí)行處理。根據(jù)某些其它實施例，用于傳送襯底的方法包括安裝工藝，其將容納多個襯底的襯底容器安裝在安裝架上；第一開啟工藝，其在安裝工藝之后將安裝在安裝架上的襯底容器的蓋子開啟；核查工藝，其用于核查在第一開啟工藝中其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置；關(guān)閉工藝，其在核查工藝之后將襯底容器的蓋子關(guān)閉；第二開啟工藝，其在關(guān)閉工藝之后將襯底容器的蓋子開啟；以及襯底傳送工藝，其將在第二 開啟工藝中其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底傳送至處理腔。根據(jù)某些其它實施例，用于控制襯底處理設(shè)備的程序包括襯底核查工藝，在第一襯底容器中的襯底正被處理的同時，將第二襯底容器的蓋子開啟，并且核查第二襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置；以及蓋子開啟和關(guān)閉工藝，如果到第二襯底容器中的襯底開始處理的時間小于襯底核查結(jié)束的預定時間，則維持第二襯底容器蓋子的開啟狀態(tài)，并且，如果到襯底開始處理的時間大于襯底核查結(jié)束的預定時間，則關(guān)閉第二襯底容器的蓋子。根據(jù)某些其他實施例，用于控制襯底容器蓋子的開啟和關(guān)閉的程序包括在處理第一襯底容器中的襯底的同時通過開啟第二襯底容器的蓋子來進行襯底核查并且核查第二襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置以后，關(guān)閉第二襯底容器蓋子的蓋子關(guān)閉工藝；以及，在蓋子關(guān)閉工藝之后第二襯底容器中的襯底開始處理的計時逼近時開啟第二襯底容器蓋子的蓋子開啟工藝。根據(jù)某些其它實施例，在襯底核查結(jié)束的計時，如果到第二襯底容器中的襯底開始處理的時間小于預定時間，那么控制器提供控制以維持第二襯底容器蓋子的開啟狀態(tài)；而如果到襯底開始處理的時間大于預定時間，那么控制器提供控制以關(guān)閉第二襯底容器的蓋子。當襯底處理裝置被如上所述配置時，在某個襯底容器中的襯底正被處理的同時，可傳送下一個襯底容器并且可執(zhí)行如晶片映射之類的預定工藝，且隨后，其蓋子可自動關(guān)閉。因此，下一個襯底容器中的襯底的顆粒附著可減少。盡管已經(jīng)描述某些實施例，但這些實施例僅通過示例來呈現(xiàn)，而非為了限制本發(fā)明的范圍。實際上，在此所描述的新穎方法和設(shè)備可實施于多種其它形式中；而且，在不脫離本公開的精神的情況下可以在本文所述實施例的變型中做出各種省略、替代和改變。所附的權(quán)利要求及其等同方案旨在于涵蓋這種將落入本公共的范圍和精神內(nèi)的變型或修改。
權(quán)利要求
1.ー種襯底處理設(shè)備，包括 安裝架，該安裝架上保持其中容納多個襯底的襯底容器； 蓋子開啟和關(guān)閉單元，其被配置用于開啟和關(guān)閉安裝在所述安裝架上的所述襯底容器的蓋子； 襯底核查單元，其被配置用于核查其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置； 襯底傳送機構(gòu)，其被配置用于將所述襯底容器中的襯底傳送至處理腔； 襯底處理單元，其被配置用于在已經(jīng)由所述襯底傳送機構(gòu)傳送的、所述處理腔中的襯底上進行處理；以及 控制器，其被配置用于控制所述蓋子開啟和關(guān)閉單元、襯底核查單元、襯底處理單元以 及襯底傳送機構(gòu)的操作， 其中所述襯底容器包括第一襯底容器和第二襯底容器，并且，在與所述襯底處理單元對從所述第一襯底容器通過所述襯底傳送機構(gòu)傳送至所述處理腔的襯底進行處理的同吋，當所述第二襯底容器被安裝在所述安裝架上時，所述控制器提供控制以開啟所述第二襯底容器的蓋子，并且通過所述襯底核查單元來核查所述第二襯底容器中的襯底，以及當襯底核查結(jié)束時，所述控制器提供控制以關(guān)閉所述第二襯底容器的蓋子。
2.如權(quán)利要求I所述的襯底處理設(shè)備，其中，在襯底核查結(jié)束的計時，如果到所述第二襯底容器中的襯底開始處理的時間小于預定時間，則所述控制器提供控制以維持所述第二襯底容器的蓋子的開啟狀態(tài)；并且如果到所述襯底開始處理的時間大于所述預定時間，則所述控制器提供控制以關(guān)閉所述第二襯底容器的蓋子。
3.如權(quán)利要求I所述的襯底處理設(shè)備，其中，當所述第一襯底容器中的最后未被處理的襯底經(jīng)由所述襯底傳送機構(gòu)來卸載時，或者當用于開始在所述第二襯底容器中的襯底上的處理的計時逼近時，所述控制器提供控制以開啟所述第二襯底容器的蓋子。
4.如權(quán)利要求I所述的襯底處理設(shè)備，其中，與所述襯底處理單元對安裝在所述安裝架上的所述第一襯底容器中的襯底進行處理的同時，所述控制器計算在所述第二襯底容器中的襯底上開始進行處理的計時，并且基于該計算的計時來提供控制以開啟所述第二襯底容器的蓋子。
5.一種用于制造半導體器件的方法，包括 安裝エ藝，其將容納多個襯底的襯底容器安裝在安裝架上； 第一開啟エ藝，其在所述安裝エ藝之后將安裝在所述安裝架上的襯底容器的蓋子開啟; 核查エ藝，其用于核查在所述第一開啟エ藝中其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置； 關(guān)閉エ藝，其在所述核查エ藝之后將所述襯底容器的蓋子關(guān)閉； 第二開啟エ藝，其在所述關(guān)閉エ藝之后將所述襯底容器的蓋子開啟； 襯底傳送エ藝，其將在所述第二開啟エ藝中其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底傳送至處理腔；以及 襯底處理工藝，其在所述襯底傳送エ藝中傳送至所述處理腔的襯底上執(zhí)行處理。
6.一種計算機可讀記錄介質(zhì)，在其上存儲有用于控制襯底處理設(shè)備的程序，該程序包括 襯底核查エ藝，用于在第一襯底容器中的襯底正被處理的同時，將第二襯底容器的蓋子開啟，并且核查所述第二襯底容器中襯底的存在或不存在或襯底的位置；以及 蓋子開啟和關(guān)閉エ藝，用于如果到所述第二襯底容器中的襯底開始處理的時間小于襯底核查結(jié)束的計時的預定時間，則維持所述第二襯底容器的蓋子的開啟狀態(tài)，并且，如果到所述襯底開始處理的時間大于襯底核查結(jié)束的計時的預定時間，則關(guān)閉所述第二襯底容器的蓋子。
7.—種襯底處理設(shè)備,包括 安裝架，該安裝架上保持其中容納多個襯底的襯底容器； 蓋子開啟/關(guān)閉單元，其被配置用于開啟和關(guān)閉安裝在所述安裝架上的襯底容器的蓋子; 襯底核查單元，其被配置用于核查其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置； 襯底傳送機構(gòu)，其被配置用于將所述襯底容器中的襯底傳送至處理腔； 襯底處理單元，其被配置用于在已經(jīng)由所述襯底傳送機構(gòu)傳送的、所述處理腔中的襯底上進行處理；以及 控制器，其被配置用于控制所述蓋子開啟和關(guān)閉單元、所述襯底核查單元、所述襯底處理單元以及所述襯底傳送機構(gòu)的操作， 其中所述襯底容器包括第一襯底容器和第二襯底容器，并且，在與所述襯底處理單元對從所述第一襯底容器通過所述襯底傳送機構(gòu)傳送至所述處理腔的襯底進行處理的同吋，當所述第二襯底容器被安裝在所述安裝架上時，所述控制器提供控制以開啟所述第二襯底容器的蓋子，并且通過所述襯底核查單元來核查所述第二襯底容器中的襯底，以及當襯底核查結(jié)束時，所述控制器提供控制以選擇是否關(guān)閉所述第二襯底容器的蓋子。
8.如權(quán)利要求7所述的襯底處理設(shè)備，其中當襯底核查結(jié)束時，基于由所述襯底處理設(shè)備在所述第二襯底容器中的襯底上先前所執(zhí)行的エ藝，所述控制器控制以選擇是否關(guān)閉所述第二襯底容器的蓋子。
9.如權(quán)利要求7所述的襯底處理設(shè)備，其中，在襯底核查結(jié)束的計時，如果到所述第二襯底容器中的襯底開始處理的時間小于預定時間，則所述控制器提供控制以維持所述第二襯底容器的蓋子的開啟狀態(tài)，并且，如果到所述襯底開始處理的時間大于所述預定時間，則所述控制器提供控制以關(guān)閉所述第二襯底容器的蓋子。
10.ー種襯底處理設(shè)備,包括 安裝架，該安裝架上保持其中容納多個襯底的襯底容器； 蓋子開啟/關(guān)閉單元，其被配置用于開啟和關(guān)閉安裝在所述安裝架上的襯底容器的蓋子; 襯底核查單元，其被配置用于核查其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置； 襯底傳送機構(gòu)，其被配置用于將所述襯底容器中的襯底傳送至處理腔； 襯底處理單元，其被配置用于在已經(jīng)由所述襯底傳送機構(gòu)傳送的、所述處理腔中的襯底上進行處理；操縱單元，其被配置用于接收來自操縱器的指令；以及 控制器，其被配置用于控制所述蓋子開啟和關(guān)閉單元、所述襯底核查單元、所述襯底處理單元、所述襯底傳送機構(gòu)以及所述操縱単元的操作， 其中，所述襯底容器包括第一襯底容器和第二襯底容器，并且，在與所述襯底處理單元對從所述第一襯底容器通過所述襯底傳送機構(gòu)傳送至所述處理腔的襯底進行處理的同吋，當所述第二襯底容器被安裝在所述安裝架上時，所述控制器提供控制以開啟所述第二襯底容器的蓋子，并且通過所述襯底核查單元來核查所述第二襯底容器中的襯底，以及當襯底核查結(jié)束時，基于來自所述操縱単元的指令，所述控制器提供控制以選擇是否關(guān)閉所述第ニ襯底容器的蓋子。
11.如權(quán)利要求1、7和10中任一個所述的襯底處理設(shè)備，其中，在所述安裝架上沒有其它襯底容器的情況下，所述控制器通過使用所述襯底核查單元核查所述第二襯底容器中是否存在襯底，并且當核查完成后，控制維持所述第二襯底容器的蓋子的開啟狀態(tài)。
12.一種用于傳送襯底的方法，包括 安裝エ藝，其將容納多個襯底的襯底容器安裝在安裝架上； 第一開啟エ藝，其在所述安裝エ藝之后將安裝在所述安裝架上的襯底容器的蓋子開啟; 核查エ藝，其用于核查在所述第一開啟エ藝中其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置； 關(guān)閉エ藝，其在所述核查エ藝之后將所述襯底容器的蓋子關(guān)閉； 第二開啟エ藝，其在所述關(guān)閉エ藝之后將所述襯底容器的蓋子開啟；以及 襯底傳送エ藝，其將在所述第二開啟エ藝中其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底傳送至處理腔。
13.一種計算機可讀記錄介質(zhì)，在其上存儲有用于控制開啟和關(guān)閉襯底容器的蓋子的程序，該程序包括 蓋子關(guān)閉エ藝，用于在第一襯底容器中的襯底正在處理的同時，通過開啟第二襯底容器的蓋子并且核查所述第二襯底容器中的襯底的存在或不存在或襯底的位置而執(zhí)行襯底核查之后，將所述第二襯底容器的蓋子關(guān)閉，以及 蓋子開啟エ藝，用于在所述蓋子關(guān)閉エ藝以后，當所述第二襯底容器中的襯底開始處理的計時逼近吋，將所述第二襯底容器的蓋子開啟。
全文摘要
本發(fā)明涉及襯底處理設(shè)備、控制該設(shè)備的程序及制造半導體器件的方法。襯底處理設(shè)備包括安裝架、蓋子開啟和關(guān)閉單元、襯底核查單元、襯底傳送機構(gòu)、襯底處理單元以及控制器。在襯底處理單元處理安裝在安裝架上的第一襯底容器中的襯底的同時，當?shù)诙r底容器被安裝在安裝架上時，控制器提供控制以將第二襯底容器的蓋子開啟且通過襯底核查單元來核查第二襯底容器中的襯底，并且當襯底核查結(jié)束時，控制器提供控制以將第二襯底容器的蓋子關(guān)閉。
文檔編號H01L21/67GK102738042SQ20121016922
公開日2012年10月17日 申請日期2012年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月11日
發(fā)明者白川真人 申請人:株式會社日立國際電氣