專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件和使用引線框本體形成開(kāi)口的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體器件，且更具體地涉及一種半導(dǎo)體器件以及使用引線框本體形成用于半導(dǎo)體管芯的垂直互連的成蜂窩布置的穿過(guò)密封劑的開(kāi)口的方法。
背景技術(shù)：
常常在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件在電組件的數(shù)目和密度方面變化。分立的半導(dǎo)體器件一般包含一種類(lèi)型的電組件，例如發(fā)光二極管(LED)、小信號(hào)晶體管、電阻器、電容器、電感器、功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。集成半導(dǎo)體器件典型地包含幾百個(gè)到數(shù)以百萬(wàn)的電組件。集成半導(dǎo)體器件的示例包括微控制器、微處理器、電荷耦合器件(CCD)、太陽(yáng)能電池以及數(shù)字微鏡器件(DMD)。半導(dǎo)體器件執(zhí)行各種的功能，諸如信號(hào)處理、高速計(jì)算、發(fā)射和接收電磁信號(hào)、控 制電子器件、將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏σ约爱a(chǎn)生用于電視顯示的視覺(jué)投影。在娛樂(lè)、通信、功率轉(zhuǎn)換、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算機(jī)以及消費(fèi)產(chǎn)品的領(lǐng)域中發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體器件。還在軍事應(yīng)用、航空、汽車(chē)、工業(yè)控制器和辦公設(shè)備中發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件利用半導(dǎo)體材料的電屬性。半導(dǎo)體材料的原子結(jié)構(gòu)允許通過(guò)施加電場(chǎng)或基電流(base current)或通過(guò)摻雜工藝而操縱其導(dǎo)電性。摻雜向半導(dǎo)體材料引入雜質(zhì)以操縱和控制半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電性。半導(dǎo)體器件包含有源和無(wú)源電結(jié)構(gòu)。包括雙極和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有源結(jié)構(gòu)控制電流的流動(dòng)。通過(guò)改變摻雜水平和施加電場(chǎng)或基電流，晶體管要么促進(jìn)要么限制電流的流動(dòng)。包括電阻器、電容器和電感器的無(wú)源結(jié)構(gòu)創(chuàng)建為執(zhí)行各種電功能所必須的電壓和電流之間的關(guān)系。無(wú)源和有源結(jié)構(gòu)電連接以形成電路，這使得半導(dǎo)體器件能夠執(zhí)行高速計(jì)算和其它有用功能。半導(dǎo)體器件一般使用兩個(gè)復(fù)雜的制造工藝來(lái)制造，即，前端制造和和后端制造，每一個(gè)可能涉及成百個(gè)步驟。前端制造涉及在半導(dǎo)體晶片的表面上形成多個(gè)管芯。每個(gè)半導(dǎo)體管芯典型地是相同的且包含通過(guò)電連接有源和無(wú)源組件而形成的電路。后端制造涉及從完成的晶片分割(Singulate)各個(gè)半導(dǎo)體管芯且封裝管芯以提供結(jié)構(gòu)支撐和環(huán)境隔離。如此處使用的術(shù)語(yǔ)“半導(dǎo)體管芯”是指該詞語(yǔ)的單數(shù)和復(fù)數(shù)形式，并且因此可以指單個(gè)半導(dǎo)體器件和多個(gè)半導(dǎo)體器件二者。半導(dǎo)體制造的一個(gè)目的是生產(chǎn)較小的半導(dǎo)體器件。較小的器件典型地消耗較少的功率、具有較高的性能且可以更高效地生產(chǎn)。另外，較小的半導(dǎo)體器件具有較小的占位面積，這對(duì)于較小的終端產(chǎn)品而言是希望的。較小的半導(dǎo)體管芯尺寸可以通過(guò)前端工藝中的改進(jìn)來(lái)獲得，該前端工藝中的改進(jìn)導(dǎo)致半導(dǎo)體管芯具有較小、較高密度的有源和無(wú)源組件。后端工藝可以通過(guò)電互連和封裝材料中的改進(jìn)而導(dǎo)致具有較小占位面積的半導(dǎo)體器件封裝。傳統(tǒng)扇出晶片級(jí)芯片尺度封裝(F0-WLCSP)可包含半導(dǎo)體管芯，凸塊形成于在管芯的有源表面上的接觸焊盤(pán)上方。半導(dǎo)體管芯安裝到基板并且用密封劑覆蓋。在基板周?chē)纬纱┻^(guò)密封劑的導(dǎo)電通孔以用于垂直電互連。然而，導(dǎo)電通孔的形成可能涉及耗時(shí)的電鍍工藝并且易受空洞以及其它缺陷影響。缺陷降低制造良率并且增加成本。在另一傳統(tǒng)Fo-WLCSP中，引線框安裝在半導(dǎo)體和基板上方。引線框具有垂直導(dǎo)電本體，該垂直導(dǎo)電本體布置在基板上方以及半導(dǎo)體管芯周?chē)?。密封劑沉積在半導(dǎo)體管芯和導(dǎo)電本體周?chē)?。?dāng)引線框被分割時(shí)，導(dǎo)電本體被電隔離為密封劑中的導(dǎo)電通孔以用于垂直互連。翹曲以及來(lái)自電短路的缺陷為Fo-WLCSP的主要擔(dān)憂。

發(fā)明內(nèi)容
存在對(duì)于簡(jiǎn)單且成本有效的半導(dǎo)體管芯的垂直電互連的需求。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明是一種制作半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括步驟提供具有底板和多個(gè)本體的引線框，多個(gè)本體與底板集成并且從底板延伸；將第一半導(dǎo)體管芯安裝到本體之間的引線框的底板；在第一半導(dǎo)體管芯和底板上方以及引線框的本體周?chē)练e密封劑；移除引線框的本體上方的密封劑的一部分以形成露出本體的密封劑中的第一開(kāi)口 ；將互連結(jié)構(gòu)形成于密封劑上方并且延伸到第一開(kāi)口中到達(dá)引線框的本體；以及移除引線框和本體以形成與先前由本體占據(jù)的空間對(duì)應(yīng)的密封劑中的第二開(kāi)口從而露出互連結(jié)構(gòu)。 在另一實(shí)施例中，本發(fā)明是一種制作半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括步驟提供載體，該載體具有從載體延伸的多個(gè)本體；將第一半導(dǎo)體管芯安裝到本體之間的載體；將密封劑沉積在第一半導(dǎo)體管芯和載體上方以及載體的本體周?chē)?；移除載體的本體上方的密封劑的一部分，從而形成露出本體的密封劑中的第一開(kāi)口 ；將互連結(jié)構(gòu)形成于密封劑上方并且延伸到第一開(kāi)口中到達(dá)載體的本體；以及移除載體和本體，以形成與先前由本體占據(jù)的空間對(duì)應(yīng)的密封劑中的第二開(kāi)口從而露出互連結(jié)構(gòu)。在另一實(shí)施例中，本發(fā)明是一種制作半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括步驟提供載體，該載體具有從載體延伸的多個(gè)本體；將第一半導(dǎo)體管芯安裝到本體之間的載體；將密封劑沉積在第一半導(dǎo)體管芯和載體上方以及載體的本體周?chē)?；將互連結(jié)構(gòu)形成于密封劑上方并且延伸到載體的本體；以及移除載體和本體，以形成與先前由本體占據(jù)的空間對(duì)應(yīng)的密封劑中的第一開(kāi)口從而露出互連結(jié)構(gòu)。在另一實(shí)施例中，本發(fā)明是一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括載體，該載體具有從載體延伸的多個(gè)本體。第一半導(dǎo)體管芯安裝到本體之間的載體。密封劑沉積在第一半導(dǎo)體管芯和載體上方以及載體的本體周?chē)??；ミB結(jié)構(gòu)形成于密封劑上方并且延伸到載體的本體。載體和本體被移除以形成與先前由本體占據(jù)的空間對(duì)應(yīng)的密封劑中的開(kāi)口從而露出互連結(jié)構(gòu)。


圖I說(shuō)明印刷電路板(PCB)，不同類(lèi)型的封裝安裝到PCB的表面；
圖2a-2c說(shuō)明安裝到PCB的代表性半導(dǎo)體封裝的進(jìn)一步細(xì)節(jié)；
圖3a_3c說(shuō)明具有由劃片線分離的多個(gè)半導(dǎo)體管芯的半導(dǎo)體晶片；
圖4a_4q說(shuō)明使用具有集成本體的引線框形成用于半導(dǎo)體管芯的垂直互連的穿過(guò)密封劑的開(kāi)口的工藝；
圖5說(shuō)明Fo-WLCSP，其具有使用具有集成本體的引線框穿過(guò)密封劑形成的用于半導(dǎo)體管芯的垂直互連的開(kāi)口；
圖6a-6b說(shuō)明半導(dǎo)體管芯安裝到Fo-WLCSP的PoP布置；
圖7說(shuō)明凸塊形成于半導(dǎo)體管芯上的Fo-WLCSP ；
圖8說(shuō)明 Μ和散熱器安裝在半導(dǎo)體管芯上方的Fo-WLCSP ；
圖9說(shuō)明屏蔽層安裝在半導(dǎo)體管芯上方的Fo-WLCSP ；
圖IOa-IOc說(shuō)明半導(dǎo)體管芯安裝到包含TSV半導(dǎo)體管芯的Fo-WLCSP的PoP布置；以及 圖Ila-Ilc說(shuō)明兩個(gè)半導(dǎo)體管芯安裝到包含TSV半導(dǎo)體管芯的Fo-WLCSP的PoP布置。
具體實(shí)施方式

在下面的描述中，參考圖以一個(gè)或更多實(shí)施例描述本發(fā)明，在這些圖中相似的標(biāo)號(hào)代表相同或類(lèi)似的元件。盡管就用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的最佳模式描述本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，其旨在覆蓋可以包括在如下面的公開(kāi)和圖支持的所附權(quán)利要求及其等價(jià)物限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的備選、修改和等價(jià)物。半導(dǎo)體器件一般使用兩個(gè)復(fù)雜制造工藝來(lái)制造前端制造和后端制造。前端制造涉及在半導(dǎo)體晶片的表面上形成多個(gè)管芯。晶片上的每個(gè)管芯包含有源和無(wú)源電組件，它們電連接以形成功能電路。諸如晶體管和二極管的有源電組件具有控制電流流動(dòng)的能力。諸如電容器、電感器、電阻器和變壓器的無(wú)源電組件創(chuàng)建為執(zhí)行電路功能所必須的電壓和電流之間的關(guān)系。通過(guò)包括摻雜、沉積、光刻、蝕刻和平坦化的一系列工藝步驟在半導(dǎo)體晶片的表面上形成無(wú)源和有源組件。摻雜通過(guò)諸如離子注入或熱擴(kuò)散的技術(shù)將雜質(zhì)引入到半導(dǎo)體材料中。摻雜工藝修改了有源器件中半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性，將半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)變?yōu)榻^緣體、導(dǎo)體，或者響應(yīng)于電場(chǎng)或基電流而動(dòng)態(tài)地改變半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性。晶體管包含不同類(lèi)型和摻雜程度的區(qū)域，其按照需要被布置為使得當(dāng)施加電場(chǎng)或基電流時(shí)晶體管能夠促進(jìn)或限制電流的流動(dòng)。通過(guò)具有不同電屬性的材料層形成有源和無(wú)源組件。層可以通過(guò)部分由被沉積的材料類(lèi)型確定的各種沉積技術(shù)來(lái)形成。例如，薄膜沉積可涉及化學(xué)汽相沉積(CVD)、物理汽相沉積(PVD)、電解電鍍和化學(xué)電鍍工藝。每一層一般被圖案化以形成有源組件、無(wú)源組件或組件之間的電連接的部分。可以使用光刻對(duì)層進(jìn)行圖案化，光刻涉及例如光刻膠的光敏材料在待被圖案化的層上方的沉積。使用光，圖案從光掩模轉(zhuǎn)印到光刻膠。在一個(gè)實(shí)施例中，受光影響的光刻膠圖案的部分使用溶劑來(lái)移除，露出待被圖案化的底層的部分。在另一實(shí)施例中，未受光影響的光刻膠圖案的部分，即負(fù)光刻膠使用溶劑來(lái)移除，露出待被圖案化的底層的部分。光刻膠的剩余部分被移除，留下圖案化層。備選地，一些類(lèi)型的材料通過(guò)使用諸如化學(xué)電鍍和電解電鍍這樣的技術(shù)來(lái)直接向原先沉積/蝕刻工藝形成的區(qū)域或空位沉積材料而被圖案化。在現(xiàn)有圖案上方沉積材料的薄膜可以放大底層圖案且形成不均勻的平坦表面。需要均勻的平坦表面來(lái)生產(chǎn)更小且更致密堆疊的有源和無(wú)源組件。平坦化可以用于從晶片的表面移除材料且產(chǎn)生均勻的平坦表面。平坦化涉及使用拋光墊對(duì)晶片的表面進(jìn)行拋光。研磨材料和腐蝕化學(xué)物在拋光期間被添加到晶片的表面。組合的研磨物的機(jī)械行為和化學(xué)物的腐蝕行為移除任何不規(guī)則拓?fù)?，?dǎo)致均勻的平坦表面。
后端制造指將完成的晶片切割或分割為各個(gè)管芯且然后封裝管芯以用于結(jié)構(gòu)支撐和環(huán)境隔離。為了分割半導(dǎo)體管芯，晶片沿著稱(chēng)為切割線或劃線的晶片的非功能區(qū)域被劃片且折斷。使用激光切割工具或鋸條來(lái)分割晶片。在分割之后，各個(gè)半導(dǎo)體芯片被安裝到封裝基板，該封裝基板包括引腳或接觸焊盤(pán)以用于與其它系統(tǒng)組件互連。在半導(dǎo)體管芯上方形成的接觸焊盤(pán)然后連接到封裝內(nèi)的接觸焊盤(pán)。電連接可以使用焊料凸塊、柱形凸塊、導(dǎo)電膠或引線接合來(lái)制成。密封劑或其它模塑材料沉積在封裝上以提供物理支撐和電隔離。完成的封裝然后被插入到電系統(tǒng)中且使得半導(dǎo)體器件的功能性對(duì)于其它系統(tǒng)組件可用。圖I說(shuō)明具有芯片載體基板或印刷電路板(PCB)52的電子器件50，該芯片載體基板或印刷電路板(PCB) 52具有安裝在其表面上的多個(gè)半導(dǎo)體封裝。取決于應(yīng)用，電子器件50可具有一種類(lèi)型的半導(dǎo)體封裝或多種類(lèi)型的半導(dǎo)體封裝。用于說(shuō)明性目的，在圖I中示出了不同類(lèi)型的半導(dǎo)體封裝。電子器件50可以是使用半導(dǎo)體封裝以執(zhí)行一個(gè)或更多電功能的獨(dú)立系統(tǒng)。備選 地，電子器件50可以是較大系統(tǒng)的子組件。例如，電子器件50可以是蜂窩電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼攝像機(jī)(DVC)或其它電子通信器件的一部分。備選地，電子器件50可以是圖形卡、網(wǎng)絡(luò)接口卡或可以被插入到計(jì)算機(jī)中的其它信號(hào)處理卡。半導(dǎo)體封裝可以包括微處理器、存儲(chǔ)器、專(zhuān)用集成電路(ASIC)、邏輯電路、模擬電路、RF電路、分立器件或其它半導(dǎo)體管芯或電組件。微型化和重量減小對(duì)于這些產(chǎn)品被市場(chǎng)接受是至關(guān)重要的。半導(dǎo)體器件之間的距離必須減小以實(shí)現(xiàn)更高的密度。在圖I中，PCB 52提供用于安裝到PCB上的半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)支撐和電互連的一般性基板。使用蒸發(fā)、電解電鍍、化學(xué)電鍍、絲網(wǎng)印刷或者其它合適的金屬沉積工藝，導(dǎo)電信號(hào)跡線54在PCB 52的表面上方或其層內(nèi)形成。信號(hào)跡線54提供半導(dǎo)體封裝、安裝的組件以及其它外部系統(tǒng)組件中的每一個(gè)之間的電通信。跡線54還向半導(dǎo)體封裝中的每一個(gè)提供功率和接地連接。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件具有兩個(gè)封裝級(jí)別。第一級(jí)封裝是用于機(jī)械和電附連半導(dǎo)體管芯到中間載體的技術(shù)。第二級(jí)封裝涉及機(jī)械和電附連中間載體到PCB。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件可以?xún)H具有第一級(jí)封裝，其中管芯被直接機(jī)械和電地安裝到PCB。用于說(shuō)明目的，在PCB 52上示出包括接合引線封裝56和倒裝芯片58的若干類(lèi)型的第一級(jí)封裝。另外，示出在PCB 52上安裝的若干類(lèi)型的第二級(jí)封裝，包括球柵陣列(BGA)60、凸塊芯片載體(BCC)62、雙列直插式封裝(DIP)64、岸面柵格陣列(LGA)66、多芯片模塊(MCM) 68、四方扁平無(wú)引腳封裝(QFN) 70以及方形扁平封裝72。取決于系統(tǒng)需求，使用第一和第二級(jí)封裝類(lèi)型的任何組合配置的半導(dǎo)體封裝以及其它電子組件的任何組合可以連接到PCB 52。在一些實(shí)施例中，電子器件50包括單一附連的半導(dǎo)體封裝，而其它實(shí)施例需要多個(gè)互連封裝。通過(guò)在單個(gè)基板上方組合一個(gè)或更多半導(dǎo)體封裝，制造商可以將預(yù)制組件結(jié)合到電子器件和系統(tǒng)中。因?yàn)榘雽?dǎo)體封裝包括復(fù)雜的功能性，可以使用較廉價(jià)的組件和流水線制造工藝來(lái)制造電子器件。所得到的器件較不傾向于發(fā)生故障且對(duì)于制造而言較不昂貴，導(dǎo)致針對(duì)消費(fèi)者的較少的成本。圖2a_2c示出示例性半導(dǎo)體封裝。圖2a說(shuō)明安裝在PCB 52上的DIP 64的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。半導(dǎo)體管芯74包括有源區(qū)域，該有源區(qū)域包含實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)而在管芯內(nèi)形成且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層以及電介質(zhì)層的模擬或數(shù)字電路。例如，電路可以包括一個(gè)或更多晶體管、二極管、電感器、電容器、電阻器以及在半導(dǎo)體管芯74的有源區(qū)域內(nèi)形成的其它電路元件。接觸焊盤(pán)76是諸如鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)、鎳(Ni)、金(Au)或銀(Ag)的一層或多層導(dǎo)電材料，且電連接到半導(dǎo)體管芯74內(nèi)形成的電路元件。在DIP 64的組裝期間，半導(dǎo)體管芯74使用金-硅共熔層或者諸如熱環(huán)氧物或環(huán)氧樹(shù)脂的粘合劑材料而安裝到中間載體78。封裝體包括諸如聚合物或陶瓷的絕緣封裝材料。導(dǎo)線80和接合引線82提供半導(dǎo)體管芯74和PCB 52之間的電互連。密封劑84沉積在封裝上方，以通過(guò)防止?jié)駳夂皖w粒進(jìn)入封裝且污染半導(dǎo)體管芯74或接合引線82而進(jìn)行環(huán)境保護(hù)。圖2b說(shuō)明安裝在PCB 52上的BCC 62的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。半導(dǎo)體管芯88使用底層填料或者環(huán)氧樹(shù)脂粘合劑材料92而安裝在載體90上方。接合引線94提供接觸焊盤(pán)96和98之間的第一級(jí)封裝互連。模塑料或密封劑100沉積在半導(dǎo)體管芯88和接合引線94上方，從而為器件提供物理支撐和電隔離。接觸焊盤(pán)102使用諸如電解電鍍 或化學(xué)電鍍之類(lèi)的合適的金屬沉積工藝而在PCB 52的表面上方形成以防止氧化。接觸焊盤(pán)102電連接到PCB52中的一個(gè)或更多導(dǎo)電信號(hào)跡線54。凸塊104在BCC 62的接觸焊盤(pán)98和PCB 52的接觸焊盤(pán)102之間形成。在圖2c中，使用倒裝芯片類(lèi)型第一級(jí)封裝將半導(dǎo)體管芯58面朝下地安裝到中間載體106。半導(dǎo)體管芯58的有源區(qū)域108包含實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)而形成的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層以及電介質(zhì)層的模擬或數(shù)字電路。例如，電路可以包括一個(gè)或更多晶體管、二極管、電感器、電容器、電阻器以及有源區(qū)域108內(nèi)的其它電路元件。半導(dǎo)體管芯58通過(guò)凸塊110電和機(jī)械連接到載體106。使用利用凸塊112的BGA類(lèi)型第二級(jí)封裝，BGA 60電且機(jī)械連接到PCB 52。半導(dǎo)體管芯58通過(guò)凸塊110、信號(hào)線114和凸塊112電連接到PCB 52中的導(dǎo)電跡線54。模塑料或密封劑116被沉積在半導(dǎo)體管芯58和載體106上方以為器件提供物理支撐和電隔離。倒裝芯片半導(dǎo)體器件提供從半導(dǎo)體管芯58上的有源器件到PCB 52上的導(dǎo)電跡線的短導(dǎo)電路徑以便減小信號(hào)傳播距離、降低電容且改善整體電路性能。在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯58可以使用倒裝芯片類(lèi)型第一級(jí)封裝來(lái)直接機(jī)械和電地連接到PCB 52而不使用中間載體106。圖3a示出具有用于結(jié)構(gòu)支撐的基底基板材料122的半導(dǎo)體晶片120，該基底基板材料諸如是硅、鍺、砷化鎵、磷化銦或者碳化硅。如上所述，在晶片120上形成通過(guò)非有源的、管芯間晶片區(qū)域或劃片線126分離的多個(gè)半導(dǎo)體管芯或組件124。劃片線126提供切割區(qū)域以將半導(dǎo)體晶片120分割為各個(gè)半導(dǎo)體管芯124。圖3b示出半導(dǎo)體晶片120的一部分的剖面圖。每個(gè)半導(dǎo)體管芯124具有后表面128和有源表面130，該有源表面包含實(shí)現(xiàn)為在管芯內(nèi)形成的且根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)和功能而電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層以及電介質(zhì)層的模擬或數(shù)字電路。例如，電路可以包括一個(gè)或更多個(gè)晶體管、二極管以及在有源表面130內(nèi)形成的其它電路元件以實(shí)現(xiàn)諸如數(shù)字信號(hào)處理(DSP)、ASIC、存儲(chǔ)器或其它信號(hào)處理電路之類(lèi)的數(shù)字電路或模擬電路。半導(dǎo)體管芯124還可以包含諸如電感器、電容器和電阻器的集成無(wú)源器件(IPD)以用于RF信號(hào)處理。使用PVD、CVD、電解電鍍、化學(xué)電鍍工藝或其它合適的金屬沉積工藝而在有源表面130上方形成導(dǎo)電層132。導(dǎo)電層132可以是Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag或其它合適的導(dǎo)電材料中的一層或更多層。導(dǎo)電層132操作為電連接到有源表面130上的電路的接觸焊盤(pán)。接觸焊盤(pán)132可以并排布置距離半導(dǎo)體管芯124的邊緣第一距離，如圖3b所示。備選地，接觸焊盤(pán)132可以在多個(gè)行中偏移，使得第一行的接觸焊盤(pán)布置為距離管芯的邊緣第一距離，并且與第一行交替的第二行的接觸焊盤(pán)布置為距離管芯的邊緣第二距離。在圖3c中，使用鋸條或激光切割工具134，半導(dǎo)體晶片120通過(guò)劃片線126分割成各個(gè)半導(dǎo)體管芯124。與圖I和圖2a_2c相關(guān)聯(lián)，圖4a_4q說(shuō)明使用具有集成本體的引線框以形成用于半導(dǎo)體管芯的垂直互連的穿過(guò)密封劑的開(kāi)口的工藝。圖4a示出晶片形式或條帶形式的載體或引線框136的一部分，該載體或引線框具有底板138，該底板具有管芯安裝部位140以及與底板集成并且從底板延伸的多個(gè)本體142。圖4b示出引線框136的頂視圖，其具有在底板138周?chē)煞涓C布置的多行的集成本體142。在一個(gè)實(shí)施例中，引線框136是未分割的、預(yù)形成的層壓基板，其利用諸如沖?；蛭g刻的引線框制造技術(shù)制作成單個(gè)集成結(jié)構(gòu)。引線框136可以是預(yù)電鍍的引線框(PPF)。引線框136可以是金、銀、鎳、鉬、銅、銅合金(包括 鎳、鐵、鋅、錫、鉻、銀和磷的一種或多種元素)，或其它合適導(dǎo)電材料。引線框136為半導(dǎo)體管芯124提供結(jié)構(gòu)支撐和電互連。備選地，臨時(shí)載體136包含犧牲基底材料，諸如硅、鍺、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、樹(shù)脂或其它用于結(jié)構(gòu)支撐的合適的低成本剛性材料。載體136包括管芯安裝部位140以及從載體延伸的多個(gè)本體142。在圖4c中，來(lái)自圖3a_3c的半導(dǎo)體管芯124置于管芯安裝部位140上方，后表面128朝向引線框136取向。圖4d示出作為重組或重新配置的晶片級(jí)封裝的一部分的，利用管芯附連粘合劑144安裝到引線框136的本體142之間的管芯安裝部位140的半導(dǎo)體管芯124。在一個(gè)實(shí)施例中，在引線框136的底板138上抽真空，從而在后續(xù)加工步驟期間減小翹曲。在圖4e中，使用膏料印刷、壓縮模塑、轉(zhuǎn)移模塑、液體密封劑模塑、真空壓合、旋涂或其它合適涂敷機(jī)，將密封劑或模塑料146沉積在半導(dǎo)體管芯124和引線框136上方。密封劑146可以是聚合物復(fù)合材料，諸如具有填料的環(huán)氧樹(shù)脂、具有填料的環(huán)氧丙烯酸酯或具有適當(dāng)填料的聚合物。密封劑146的粘度被選擇用于均勻覆蓋，例如，較低粘度增加密封劑的流動(dòng)。密封劑146是不導(dǎo)電的并且環(huán)境上保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部元件和污染物的影響。在另一實(shí)施例中，膜輔助模具(FAM)可以應(yīng)用在半導(dǎo)體管芯124和引線框136上方。在可選步驟中，密封劑146的后表面148通過(guò)研磨機(jī)150平坦化以露出有源表面130和導(dǎo)電層132，如圖4f所示。密封劑146也可以通過(guò)蝕刻工藝或CMP平坦化以露出有源表面130和導(dǎo)電層132。在圖4g中，密封劑146的一部分通過(guò)光刻膠層(未示出)利用蝕刻工藝被移除，從而形成圖案化開(kāi)口 152并且露出引線框136的本體142。從圖4e繼續(xù)，密封劑146的一部分通過(guò)光刻膠層利用蝕刻工藝被移除，從而形成圖案化開(kāi)口 154并且露出本體142，如圖4h所示。在同一加工步驟中，密封劑146的一部分通過(guò)光刻膠層利用蝕刻工藝被移除，從而形成圖案化開(kāi)口 156并且露出半導(dǎo)體管芯124的導(dǎo)電層132。備選地，在需要更精細(xì)互連尺度的應(yīng)用中，圖案化開(kāi)口 152-156可以使用激光158通過(guò)激光直接消融(LDA)來(lái)形成，從而移除密封劑146的部分并且露出本體142和導(dǎo)電層132，如圖4i所示。在圖4j中，使用圖案化和諸如印刷、PVD、CVD、濺射、電解電鍍和化學(xué)電鍍的金屬沉積工藝，將導(dǎo)電層160共形地應(yīng)用在密封劑146、露出部分本體142以及露出的導(dǎo)電層132上方。導(dǎo)電層160可以是Al、Cu、Sn、Ti、Ni、Au、Ag或其它合適導(dǎo)電材料的一層或多層。導(dǎo)電層160循著密封劑146的輪廓,包括進(jìn)入開(kāi)口 154和156。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層160包括粘附層、屏障層以及種子或潤(rùn)濕層。導(dǎo)電層160的一個(gè)部分電連接到導(dǎo)電層132。取決于半導(dǎo)體管芯124的設(shè)計(jì)和功能，導(dǎo)電層160的其它部分可以是電共同的或者電隔離的。在圖4k中，使用PVD、CVD、印刷、旋涂、噴涂、層壓、燒結(jié)或熱氧化，將絕緣或電介質(zhì)層162形成于密封劑146和導(dǎo)電層160上方。絕緣層162包含二氧化娃(Si02)、氮化娃(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、五氧化二鉭(Ta205)、氧化鋁(A1203)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰亞胺(PD、聚苯并惡唑(PBO)或其它合適電介質(zhì)材料的一層或多層。絕緣層162的一部分通過(guò)光刻膠層利用蝕刻工藝被移除以露出導(dǎo)電層160。
在圖41中，使用圖案化和諸如印刷、PVD、CVD、濺射、電解電鍍和化學(xué)電鍍的金屬沉積工藝，將導(dǎo)電層164共形地應(yīng)用在導(dǎo)電層160和絕緣層162上方。導(dǎo)電層164可以是Al、Cu、Sn、Ti、Ni、Au、Ag或其它合適導(dǎo)電材料的一層或多層。導(dǎo)電層164循著導(dǎo)電層160和絕緣層162的輪廓。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層164包括粘附層、屏障層以及種子或潤(rùn)濕層。導(dǎo)電層164的一個(gè)部分電連接到導(dǎo)電層160。取決于半導(dǎo)體管芯124的設(shè)計(jì)和功能，導(dǎo)電層164的其它部分可以是電共同的或電隔離。在圖4m中，使用PVD、CVD、印刷、旋涂、噴涂、層壓、燒結(jié)或熱氧化，絕緣或鈍化層166形成于絕緣層162和導(dǎo)電層164上方。絕緣層166包含Si02、Si3N4、Si0N、Ta205、A1203或具有類(lèi)似絕緣和結(jié)構(gòu)屬性的其它材料的一層或多層。絕緣層166的一部分通過(guò)光刻膠層利用蝕刻工藝被移除從而露出導(dǎo)電層164。圖4n示出臨時(shí)基板或載體170，其包含諸如硅、聚合物、氧化鈹或者用于結(jié)構(gòu)支撐的其它合適低成本的剛性材料的犧牲基底材料。界面層或雙面膠帶171形成于載體170上方作為臨時(shí)粘合劑接合膜或蝕刻停止層。圖4m中的重組或重新配置晶片級(jí)封裝安裝到界面層171和載體170，絕緣層166朝向載體取向。在圖4o中，引線框136通過(guò)蝕刻工藝被移除，留下密封劑146中成蜂窩布置的開(kāi)口 172從而露出導(dǎo)電層160。換言之，正是先前由引線框136的本體142在密封劑146中占據(jù)的空間在一旦引線框和本體被移除時(shí)形成密封劑146中的開(kāi)口 172。在圖4p中，通過(guò)化學(xué)蝕刻、機(jī)械剝落、CMP、機(jī)械研磨、熱烘烤、UV光、激光掃描或者濕剝尚，將載體170和界面層171移除，從而露出導(dǎo)電層164和絕緣層166。使用蒸發(fā)、電解電鍍、化學(xué)電鍍、球滴或絲網(wǎng)印刷工藝，將導(dǎo)電凸塊材料沉積在導(dǎo)電層164上方。凸塊材料可以是具有可選助焊劑溶液的Al、Sn、Ni、Au、Ag、Pb、Bi、Cu、焊料及其組合。例如，凸塊材料可以是共熔Sn/Pb、高鉛焊料或無(wú)鉛焊料。使用合適附連或接合工藝，將凸塊材料接合到導(dǎo)電層164。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)將凸塊材料加熱高于其熔點(diǎn)而使材料回流，從而形成球或凸塊174。在一些應(yīng)用中，凸塊174被二次回流以改善與導(dǎo)電層164的電接觸。凸塊下金屬化(UBM)層可以形成于凸塊174下。凸塊174也可以壓縮接合到導(dǎo)電層164。凸塊174代表可以形成在導(dǎo)電層164上方的一種類(lèi)型的互連結(jié)構(gòu)?；ミB結(jié)構(gòu)也可以是柱形凸塊、微凸塊或其它電互連。
備選地，在形成凸塊174之后，引線框136被移除。導(dǎo)電層160和164、絕緣層162和166以及凸塊174的組合組成堆積互連結(jié)構(gòu)176。在圖4q中，使用鋸條或激光切割工具178，將圖4p中的重組或重新配置晶片級(jí)封裝穿過(guò)密封劑146和堆積互連結(jié)構(gòu)176分割為各個(gè)扇出晶片級(jí)芯片尺度封裝(Fo-WLSCP)180。圖5示出分割之后的Fo-WLCSP 180。半導(dǎo)體管芯124穿過(guò)堆積互連結(jié)構(gòu)176電連接到外部器件。通過(guò)從密封劑146移除引線框136的本體142而形成的開(kāi)口 172提供從與堆積互連結(jié)構(gòu)176相對(duì)的Fo-WLCSP 180的側(cè)面到導(dǎo)電層160的互連路徑。圖6a_6b說(shuō)明安裝到Fo-WLCSP 180的半導(dǎo)體管芯或封裝182。在圖6a中，類(lèi)似于圖3a-3c，源于半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體管芯182具有后表面184以及包含模擬或數(shù)字電路的有源表面186，該模擬或數(shù)字電路實(shí)施為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)和功能在管芯中形成且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層以及電介質(zhì)層。例如，電路可包括在有源表面186中形成的一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管以及其它電路元件，從而實(shí)施模擬電路或數(shù)字電路，諸如DSP、 ASIC、存儲(chǔ)器或其它信號(hào)處理電路。半導(dǎo)體管芯182還可包含用于RF信號(hào)處理的IPD，諸如電感器、電容器以及電阻器。多個(gè)接觸焊盤(pán)188形成于有源表面186上并且電連接到有源表面上的電路。多個(gè)凸塊190形成于接觸焊盤(pán)188上方。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯182為倒裝芯片類(lèi)型管芯。半導(dǎo)體管芯182置于Fo-WLCSP 180上方，有源表面186朝向Fo-WLCSP取向并且凸塊190與開(kāi)口 172的蜂窩布置對(duì)齊。凸塊190回流到堆積互連結(jié)構(gòu)176的露出的導(dǎo)電層160上方的開(kāi)口 172中，從而將半導(dǎo)體管芯182冶金地且電地連接到Fo-WLCSP 180。圖6b示出在封裝體疊層(PoP)布置194中安裝到Fo-WLCSP 180的半導(dǎo)體管芯182。開(kāi)口 172的蜂窩布置輔助半導(dǎo)體管芯182到Fo-WLCSP 180的對(duì)齊和安裝。由于凸塊190部分地包含在開(kāi)口 172中，PoP布置194的總高度減小，并且在回流期間較少發(fā)生鄰近凸塊之間的橋接。備選地，分立的有源或無(wú)源組件可以安裝到Fo-WLCSP 180。圖7說(shuō)明類(lèi)似于圖5的Fo-WLCSP 196的另一實(shí)施例，其具有在將半導(dǎo)體管芯安裝到引線框136之前，在半導(dǎo)體管芯124的導(dǎo)電層132上方形成的多個(gè)凸塊198，見(jiàn)圖4c_4d。凸塊198被冶金地且電地連接到堆積互連結(jié)構(gòu)176的導(dǎo)電層160。圖8說(shuō)明類(lèi)似于圖5的Fo-WLCSP 200的另一實(shí)施例，其具有沉積在半導(dǎo)體管芯124的后表面128上方的熱界面材料( Μ) 202。TIM 202為熱環(huán)氧物、熱環(huán)氧樹(shù)脂或?qū)岣?。散熱器或熱?04置于 Μ 202上方并且安裝到 Μ 202，該 Μ 202位于半導(dǎo)體管芯124上方。散熱器204可以是Cu、Al或具有高熱導(dǎo)率的其它材料。散熱器204和 Μ 202形成分布和散逸由半導(dǎo)體管芯124的高頻電子組件產(chǎn)生的熱量的導(dǎo)熱路徑，并且增大半導(dǎo)體封裝200的熱性能。熱量從散熱器204放射狀散逸。圖9說(shuō)明類(lèi)似于圖5的Fo-WLCSP 210的另一實(shí)施例，其具有形成于半導(dǎo)體管芯124的后表面128上方的電磁干擾(EMI)或射頻干擾(RFI)屏蔽層212。半導(dǎo)體管芯124可包含基帶電路，該基帶電路產(chǎn)生EMI、RFI或者諸如電容、電感或?qū)щ婑詈系钠渌骷g干擾。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯124包含易受EMI、RFI和器件間干擾影響的IPD。例如，半導(dǎo)體管芯124中包含的IPD，諸如諧振器、高通濾波器、低通濾波器、帶通濾波器、對(duì)稱(chēng)高品質(zhì)因數(shù)諧振變壓器以及調(diào)諧電容器，提供高頻應(yīng)用所需的電特性。iro可以用作前端無(wú)線RF組件，其可以置于天線和收發(fā)器之間。iro電感器可以是在高至100千兆赫茲工作的高品質(zhì)因數(shù)平衡-不平衡變換器、變壓器或線圈。在一些應(yīng)用中，多個(gè)平衡-不平衡變換器形成于同一基板上，從而允許多頻段工作。例如，兩個(gè)或更多個(gè)平衡-不平衡變換器被用于移動(dòng)電話的四頻中或其它全球移動(dòng)系統(tǒng)(GSM)通信，每個(gè)平衡-不平衡變換器專(zhuān)用于四頻器件的工作的一個(gè)頻帶。典型RF系統(tǒng)在一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體封裝中需要多個(gè)IPD以及其它聞?lì)l電路以執(zhí)行必須的電功能。為了減小EMI和RFI的影響，利用粘合劑層214將屏蔽層212置于且安裝于半導(dǎo)體管芯124上方。屏蔽層212可以是下述的一層或多層A1、Cu、鐵素體或羰基鐵、不銹鋼、鎳銀、低碳鋼、硅-鐵鋼、箔、導(dǎo)電樹(shù)脂、導(dǎo)電膏料、以及能夠阻擋或吸收EMI、RFI和其它器件間干擾的其它金屬和復(fù)合物。在另一實(shí)施例中，屏蔽層212可以是諸如炭黑或鋁薄片的非金屬材料從而減小EMI和RFI的影響。屏蔽層212通過(guò)在開(kāi)口 172和堆積互連結(jié)構(gòu)176中形成到外部低阻抗接地點(diǎn)的導(dǎo)電層216而接地。圖IOa-IOc說(shuō)明形成PoP布置的另一實(shí)施例。圖IOa示出類(lèi)似于圖5的Fo-WLCSP 220中包含的半導(dǎo)體管芯124。使用激光鉆孔、機(jī)械鉆孔、蝕刻或DRIE，多個(gè)通孔被形成穿過(guò)仍為晶片形式的半導(dǎo)體管芯124，見(jiàn)圖3a-3c。使用電解電鍍、化學(xué)電鍍工藝或其它合適金屬沉積工藝，通孔用Al、Cu、Sn、Ni、Au、Ag、Ti、W、多晶硅或其它合適導(dǎo)電材料填充，從而形成z方向的垂直互連導(dǎo)電穿硅通孔(TSV) 222。導(dǎo)電TSV 222電連接到形成于TSV半導(dǎo)體管芯124的后表面128上的導(dǎo)電層132和導(dǎo)電層224。在另一實(shí)施例中，兩個(gè)TSV半導(dǎo)體管芯后表面靠后表面堆疊并且通過(guò)導(dǎo)電TSV電連接。在圖IOb中，類(lèi)似于圖3a_3c，源于半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體管芯230具有后表面232以及包含模擬或數(shù)字電路的有源表面234，該模擬或數(shù)字電路實(shí)施為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)和功能在管芯中形成且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層和電介質(zhì)層。例如，電路可包括在有源表面234中形成的一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管以及其它電路元件，從而實(shí)施模擬電路或數(shù)字電路，諸如DSP、ASIC、存儲(chǔ)器或其它信號(hào)處理電路。半導(dǎo)體管芯230還可包含用于RF信號(hào)處理的IPD，諸如電感器、電容器和電阻器。多個(gè)接觸焊盤(pán)236形成于有源表面234上并且電連接到有源表面上的電路。多個(gè)凸塊238形成于接觸焊盤(pán)236上方。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯230為倒裝芯片類(lèi)型管芯。半導(dǎo)體管芯230置于Fo-WLCSP 220上方，有源表面234朝向Fo-WLCSP取向并且凸塊238與開(kāi)口 172的蜂窩布置對(duì)齊。凸塊238回流到堆積互連結(jié)構(gòu)176的露出的導(dǎo)電層160上方的開(kāi)口 172中，從而將半導(dǎo)體管芯230冶金地且電地連接到Fo-WLCSP 220。圖IOc示出在PoP布置240中安裝到Fo-WLCSP 220的半導(dǎo)體管芯230。開(kāi)口 172的蜂窩布置輔助半導(dǎo)體管芯230到Fo-WLCSP 220的對(duì)齊和安裝。由于凸塊238部分地包含在開(kāi)口 172中，PoP布置240的總高度減小，并且在回流期間較少發(fā)生鄰近凸塊之間的橋接。備選地，分立的有源或無(wú)源組件可以安裝到Fo-WLCSP 220。圖Ila-Ilc說(shuō)明形成PoP布置的另一實(shí)施例。從圖IOa繼續(xù)，類(lèi)似于圖3a_3c，源于半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體管芯250具有后表面252以及包含模擬或數(shù)字電路的有源表面254，該模擬或數(shù)字電路實(shí)施為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)和功能在管芯中形成且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層以及電介質(zhì)層。例如，電路可包括在有源表面254中形成的一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管以及其它電路元件，從而實(shí)施模擬電路或數(shù)字電路，諸如DSP、ASIC、存儲(chǔ)器或其它信號(hào)處理電路。半導(dǎo)體管芯250還可包含用于RF信號(hào)處理的IPD，諸如電感器、電容器和電阻器。多個(gè)接觸焊盤(pán)256形成于有源表面254上并且電連接到有源表面上的電路。多個(gè)凸塊258形成于接觸焊盤(pán)256上方。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯250為倒裝芯片類(lèi)型管
-!-H
Λ ο在圖Ila中，半導(dǎo)體管芯250置于TSV半導(dǎo)體管芯124上方，有源表面254朝向Fo-WLCSP取向并且凸塊258與導(dǎo)電層224對(duì)齊。凸塊258回流到導(dǎo)電層224上方，從而將半導(dǎo)體管芯250冶金地且電地連接到TSV半導(dǎo)體管芯124。圖Ilb示出安裝到TSV半導(dǎo)體管芯124的半導(dǎo)體管芯250。類(lèi)似于圖3a_3c，源于半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體管芯260具有后表面262以及包含模擬或數(shù)字電路的有源表面264，該模擬或數(shù)字電路實(shí)施為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)和功能在管芯中 形成且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層和電介質(zhì)層。例如，電路可包括在有源表面264中形成的一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管以及其它電路元件，從而實(shí)施模擬電路或數(shù)字電路，諸如DSP、ASIC、存儲(chǔ)器或其它信號(hào)處理電路。半導(dǎo)體管芯260還可包含用于RF信號(hào)處理的IPD，諸如電感器、電容器以及電阻器。多個(gè)接觸焊盤(pán)266形成于有源表面264上并且電連接到有源表面上的電路。多個(gè)凸塊268形成于接觸焊盤(pán)266上方。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯260為倒裝芯片類(lèi)型管芯。半導(dǎo)體管芯260置于Fo-WLCSP 220和半導(dǎo)體管芯250上方，有源表面264朝向Fo-WLCSP取向并且凸塊268與開(kāi)口 172的蜂窩布置對(duì)齊。凸塊268回流到堆積互連結(jié)構(gòu)176的露出的導(dǎo)電層160上方的開(kāi)口 172中，從而將半導(dǎo)體管芯260冶金地且電地連接到Fo-WLCSP 220。圖Ilc示出在PoP布置270中安裝到Fo-WLCSP 220的半導(dǎo)體管芯260。開(kāi)口 172的蜂窩布置輔助半導(dǎo)體管芯260到Fo-WLCSP 220的對(duì)齊和安裝。由于凸塊268部分地包含在開(kāi)口 172中，PoP布置270的總高度減小，并且在回流期間較少發(fā)生鄰近凸塊之間的橋接。盡管已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的一個(gè)或更多實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識(shí)至IJ，可以在不偏離如隨后的權(quán)利要求提及的本發(fā)明的范圍的情況下對(duì)那些實(shí)施例做出修改和改寫(xiě)。
權(quán)利要求
1.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括 提供載體，其具有從載體延伸的多個(gè)本體； 將第一半導(dǎo)體管芯安裝到本體之間的載體； 將密封劑沉積在第一半導(dǎo)體管芯和載體上方以及載體的本體周?chē)? 移除載體的本體上方的密封劑的一部分，從而形成露出本體的密封劑中的第一開(kāi)口 ；將互連結(jié)構(gòu)形成于密封劑上方并且延伸到第一開(kāi)口中到達(dá)載體的本體；以及移除載體和本體，以形成與先前由本體占據(jù)的空間對(duì)應(yīng)的密封劑中的第二開(kāi)口從而露出互連結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，進(jìn)一步包括 提供第二半導(dǎo)體管芯，該第二半導(dǎo)體管芯具有在第二半導(dǎo)體管芯的表面上方形成的多個(gè)凸塊；以及 在第一半導(dǎo)體管芯上方安裝第二半導(dǎo)體管芯，凸塊延伸到密封劑的第二開(kāi)口中從而電連接到互連結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，進(jìn)一步包括形成穿過(guò)第一半導(dǎo)體管芯的多個(gè)導(dǎo)電通孔。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，進(jìn)一步包括 提供第二半導(dǎo)體管芯； 在第一半導(dǎo)體管芯上方安裝第二半導(dǎo)體管芯； 提供第三半導(dǎo)體管芯，該第三半導(dǎo)體管芯具有在第二半導(dǎo)體管芯的表面上方形成的多個(gè)凸塊；以及 在第一和第二半導(dǎo)體管芯上方安裝第三半導(dǎo)體管芯，凸塊延伸到密封劑的第二開(kāi)口中從而電連接到互連結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求I所述的方法，進(jìn)一步包括在第一半導(dǎo)體管芯上方形成散熱器或屏蔽層。
6.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括 提供載體，該載體具有從載體延伸的多個(gè)本體； 將第一半導(dǎo)體管芯安裝到本體之間的載體； 將密封劑沉積在第一半導(dǎo)體管芯和載體上方以及載體的本體周?chē)? 將互連結(jié)構(gòu)形成于密封劑上方并且延伸到載體的本體；以及 移除載體和本體，以形成與先前由本體占據(jù)的空間對(duì)應(yīng)的密封劑中的第一開(kāi)口從而露出互連結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括移除載體的本體上方的密封劑的一部分，從而形成露出載體的本體的密封劑中的第二開(kāi)口。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括 提供第二半導(dǎo)體管芯，該第二半導(dǎo)體管芯具有在第二半導(dǎo)體管芯的表面上方形成的多個(gè)凸塊；以及 在第一半導(dǎo)體管芯上方安裝第二半導(dǎo)體管芯，凸塊延伸到密封劑的第一開(kāi)口中從而電連接到互連結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括形成穿過(guò)第一半導(dǎo)體管芯的多個(gè)導(dǎo)電通孔。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括提供第二半導(dǎo)體管芯； 在第一半導(dǎo)體管芯上方安裝第二半導(dǎo)體管芯； 提供第三半導(dǎo)體管芯，該第三半導(dǎo)體管芯具有在第二半導(dǎo)體管芯的表面上方形成的多個(gè)凸塊；以及 在第一和第二半導(dǎo)體管芯上方安裝第三半導(dǎo)體管芯，凸塊延伸到密封劑的第一開(kāi)口中從而電連接到互連結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括在第一半導(dǎo)體管芯上方形成多個(gè)凸塊。
12.—種半導(dǎo)體器件，包括 載體，其具有從載體延伸的多個(gè)本體； 第一半導(dǎo)體管芯，其安裝到本體之間的載體； 密封劑，其沉積在第一半導(dǎo)體管芯和載體上方以及載體的本體周?chē)?；以? 互連結(jié)構(gòu)，其形成在密封劑上方并且延伸到載體的本體，其中載體和本體被移除以形成與先前由本體占據(jù)的空間對(duì)應(yīng)的密封劑中的開(kāi)口從而露出互連結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括第二半導(dǎo)體管芯，該第二半導(dǎo)體管芯具有在第二半導(dǎo)體管芯的表面上方形成的多個(gè)凸塊，第二半導(dǎo)體管芯安裝在第一半導(dǎo)體管芯上方，凸塊延伸到密封劑的開(kāi)口中從而電連接到互連結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括形成穿過(guò)第一半導(dǎo)體管芯的多個(gè)導(dǎo)電通孔。
15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括 第二半導(dǎo)體管芯，其安裝在第一半導(dǎo)體管芯上方；以及 第三半導(dǎo)體管芯，其具有在第二半導(dǎo)體管芯的表面上方形成的多個(gè)凸塊，第三半導(dǎo)體管芯安裝在第一和第二半導(dǎo)體管芯上方，凸塊延伸到密封劑的開(kāi)口中從而電連接到互連結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和使用引線框本體形成開(kāi)口的方法。半導(dǎo)體器件具有引線框，該引線框具有從底板延伸的多個(gè)本體。第一半導(dǎo)體管芯安裝到本體之間的引線框的底板。密封劑沉積在第一半導(dǎo)體管芯和底板上方以及引線框的本體周?chē)?。引線框的本體上方的密封劑的一部分被移除以形成露出本體的密封劑中的第一開(kāi)口。互連結(jié)構(gòu)形成于密封劑上方并且延伸到第一開(kāi)口中到達(dá)引線框的本體。引線框和本體被移除以形成與先前由本體占據(jù)的空間對(duì)應(yīng)的密封劑中的第二開(kāi)口從而露出互連結(jié)構(gòu)。第二半導(dǎo)體管芯安裝在第一半導(dǎo)體管芯上方，凸塊延伸到密封劑的第二開(kāi)口中從而電連接到互連結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L23/495GK102810507SQ20121017798
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月3日
發(fā)明者H.基, N.仇, H.辛 申請(qǐng)人:新科金朋有限公司