專利名稱：一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領域，尤其涉及一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示
>J-U裝直。
背景技術：
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導地位。其中，高級超維場轉換技術(ADvanced SuperDimension Switch,簡稱ADS),通過同一平面內狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。ADS型陣列基板一般采用六次構圖工藝制作完成，包括通過第一次構圖工藝形成柵電極和柵線，通過第二次構圖工藝形成像素電極，通過第三次構圖工藝形成有源層，通過第四次構圖工藝形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線，通過第五次構圖工藝形成鈍化層上的過孔，通過第六次構圖工藝形成公共電極。圖I為現(xiàn)有按照六次構圖工藝形成的陣列基板的像素區(qū)域的截面圖。參照圖1，所述陣列基板包括基板I ;位于所述基板I上的柵電極和柵線(圖中未示出)；位于形成有所述柵電極和柵線的基板I上的柵絕緣層3 ;位于所述柵絕緣層3上的像素電極6 ;位于形成有像素電極6的基板I上的有源層4 ;位于所述有源層4上的源電極(圖中未示出)、漏電極5和數(shù)據(jù)線(圖中未示出);位于形成有所述源電極、漏電極5和數(shù)據(jù)線的基板I上的鈍化層7 ;位于所述鈍化層7上的公共電極81。從圖I中可以看出，在此種結構的陣列基板中，由于像素電極6與漏電極5直接相連，從而不存在斷層等不良現(xiàn)象。為了節(jié)省成本，還可以將ADS型陣列基板的制作縮減到通過五次構圖工藝完成，包括通過第一次構圖工藝形成柵電極和柵線，通過第二次構圖工藝形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線，通過第三次構圖工藝形成像素電極，通過第四次構圖工藝形成鈍化層上的過孔，通過第五次構圖工藝形成公共電極。圖2為現(xiàn)有按照五次構圖工藝形成的陣列基板的像素區(qū)域的截面圖。參照圖2，所述陣列基板包括基板I ;位于所述基板I上的柵電極和柵線(圖中未示出)；位于形成有所述柵電極和柵線的基板I上的柵絕緣層3 ;位于所述柵絕緣層3上的有源層4 ;位于所述有源層4上的源電極(圖中未示出)、漏電極5和數(shù)據(jù)線(圖中未示出);位于形成有所述源電極、漏電極5和數(shù)據(jù)線的基板I上的像素電極6 ;位于形成有所述像素電極6的基板上的鈍化層7 ;位于所述鈍化層7上的公共電極81。從圖2中可以看出，在此種結構的陣列基板中，像素區(qū)域內的像素電極6具有一段差部10，由于段差過大和坡度角(Profile)過陡，存在嚴重的像素電極斷層(disconnect)不良現(xiàn)象，而像素電極6的斷層會引起異常顯示。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置，以避免由于像素電極的斷層引起的像素電極層信號的割斷。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供技術方案如下 一種陣列基板，包括，具有段差部的像素電極，所述像素電極位于段差部兩側的部分由導電層通過過孔連通，所述導電層與所述像素電極位于不同的層。
上述的陣列基板，其中，還包括由透明導電層形成的公共電極和連接部，所述連接部與所述公共電極斷開；形成在像素電極所在的層與公共電極所在的層之間的鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述連接部通過所述鈍化層上的過孔連通。上述的陣列基板具體包括基板；位于所述基板上由柵金屬層形成的柵電極和柵線；位于形成有所述柵電極和柵線的基板上的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層上的有源層；位于所述有源層上的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；位于形成有所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上的具有段差部的像素電極，所述像素電極與所述漏電極相連接；位于形成有所述像素電極的基板上的鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔；位于所述鈍化層上的由透明導電層形成的公共電極和連接部，所述連接部與所述公共電極斷開，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述連接部通過鈍化層上的過孔連通。上述的陣列基板，其中所述鈍化層上的過孔包括第一過孔和第二過孔，所述第一過孔位于所述段差部的一側，所述第二過孔位于所述段差部的另一側。上述的陣列基板，其中所述鈍化層上的過孔跨越所述段差部。上述的陣列基板，其中，還包括由透明導電層形成的公共電極和第一連接部，所述第一連接部與所述公共電極斷開；形成在像素電極所在的層與公共電極所在的層之間的鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔；由柵金屬層形成的柵電極、柵線和第二連接部，所述第二連接部與柵電極和柵線斷開；形成在柵金屬層與像素電極所在的層之間的柵絕緣層，所柵絕緣層上形成有過孔；
其中，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述第一連接部和第二連接部通過鈍化層和柵絕緣層上的過孔連通。上述的陣列基板具體包括基板；位于所述基板上由柵金屬層形成的柵電極、柵線和第二連接部，所述第二連接部與柵電極和柵線斷開；位于形成有所述柵電極、柵線和第二連接部的基板上的柵絕緣層，所述柵絕緣層上形成有過孔；位于所述柵絕緣層上的有源層；位于所述有源層上的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線； 位于形成有所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上的具有段差部的像素電極，所述像素電極與所述漏電極相連接；位于形成有所述像素電極的基板上的鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔；位于所述鈍化層上的由透明導電層形成的公共電極和第一連接部，所述第一連接部與所述公共電極斷開，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述第一連接部和第二連接部通過鈍化層和柵絕緣層上的過孔連通。一種陣列基板的制造方法，包括在基板上形成柵電極和柵線；在形成有柵電極和柵線的基板上形成柵絕緣層；在形成有柵絕緣層的基板上形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；在形成有有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上形成像素電極，所述像素電極具有一段差部；在形成有像素電極的基板上形成鈍化層，并在鈍化層上形成過孔；在形成有鈍化層的基板上形成公共電極和連接部，所述連接部和所述公共電極斷開，所述連接部通過過孔連通所述像素電極位于段差部兩側的部分。上述的制造方法，其中，所述在形成有柵絕緣層的基板上形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線，包括在形成有柵絕緣層的基板上依次形成半導體材料層和源漏金屬層；在源漏金屬層上形成光刻膠層；采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠層進行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域；刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬層和半導體材料層；通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的源漏金屬層；剝離剩余的光刻膠。上述的制造方法，其中所述在鈍化層上形成過孔包括，在所述鈍化層上形成第一過孔和第二過孔，所述第一過孔位于所述段差部的一側，所述第二過孔位于所述段差部的另一側。上述的制造方法，其中
所述鈍化層上的過孔跨越所述段差部。一種陣列基板的制造方法，包括在基板上形成柵電極、柵線和第二連接部，所述第二連接部與柵電極和柵線斷開；在形成有柵電極、柵線和第二連接部的基板上形成柵絕緣層，并在柵絕緣層上形成過孔；
在形成有柵絕緣層的基板上形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；在形成有有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上形成像素電極，所述像素電極具有一段差部；在形成有像素電極的基板上形成鈍化層，并在鈍化層上形成過孔；在形成有鈍化層的基板上形成公共電極和第一連接部，所述第一連接部和所述公共電極斷開，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述第一連接部和第二連接部通過鈍化層和柵絕緣層上的過孔連通。上述的制造方法，其中，所述在形成有柵絕緣層的基板上形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線，包括在形成有柵絕緣層的基板上依次形成半導體材料層和源漏金屬層； 在源漏金屬層上形成光刻膠層；采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠層進行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域；刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬層和半導體材料層；通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的源漏金屬層；剝離剩余的光刻膠。一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明在像素電極的斷層區(qū)域，利用其他的導電層通過過孔對斷層的像素電極進行再次連接，從而能夠避免由于像素電極的斷層引起的像素電極層信號的割斷，解決了像素區(qū)域由于像素電極易斷層而造成的異常顯示的問題。


圖I為現(xiàn)有按照六次構圖工藝形成的陣列基板的像素區(qū)域的截面圖；圖2為現(xiàn)有按照五次構圖工藝形成的陣列基板的像素區(qū)域的截面圖；圖3為本發(fā)明實施例I的陣列基板的像素區(qū)域的截面圖；圖4為本發(fā)明實施例2的陣列基板的像素區(qū)域的截面圖；圖5為本發(fā)明實施例3的陣列基板的像素區(qū)域的截面圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述。現(xiàn)有按照五次構圖工藝形成的陣列基板中，像素區(qū)域內的像素電極具有一段差部，由于段差過大和坡度角過陡，存在嚴重的像素電極斷層不良現(xiàn)象，而像素電極的斷層會造成像素電極層信號的割斷，從而引起異常顯示。為了解決此問題，本發(fā)明實施例在此斷層區(qū)域利用其他的導電層(與所述像素電極位于不同的層)通過過孔對斷層的像素電極進行再次連接，從而解決像素區(qū)域由于像素電極易斷層而造成的異常顯示的問題。具體地，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括具有段差部的像素電極，所述像素電極位于段差部兩側的部分由導電層通過過孔連通，所述導電層與所述像素電極位于不同的層。 在一種實現(xiàn)方式中，所述陣列基板還包括由透明導電層形成的公共電極和連接部，所述連接部與所述公共電極斷開；形成在像素電極所在的層與公共電極所在的層之間的鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述連接部通過所述鈍化層上的過孔連通。在該種實現(xiàn)方式中，可以在鈍化層上形成兩個過孔第一過孔和第二過孔，所述第一過孔位于所述段差部的一側，所述第二過孔位于所述段差部的另一側。還可以在鈍化層上只形成一個過孔，所述過孔跨越所述段差部。在另外一種實現(xiàn)方式中，所述陣列基板還包括由透明導電層形成的公共電極和第一連接部，所述第一連接部與所述公共電極斷開；形成在像素電極所在的層與公共電極所在的層之間的鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔；由柵金屬層形成的柵電極、柵線和第二連接部，所述第二連接部與柵電極和柵線斷開；形成在柵金屬層與像素電極所在的層之間的柵絕緣層，所柵絕緣層上形成有過孔；其中，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述第一連接部和第二連接部通過鈍化層和柵絕緣層上的過孔連通。在本發(fā)明實施例中，陣列基板的具體結構可以根據(jù)實際情況進行設置，比如薄膜晶體管可以為頂柵結構，也可以為底柵結構，在此不做限定。下面示例性的給出陣列基板的3種具體結構，來對本發(fā)明實施例的技術方案進行詳細說明。實施例I參照圖3，本發(fā)明實施例的陣列基板可以包括基板I ;位于所述基板I上由柵金屬層形成的柵電極和柵線(圖中未示出)；位于形成有所述柵電極和柵線的基板I上的柵絕緣層3 ；位于所述柵絕緣層3上的有源層4 ；位于所述有源層4上的源電極(圖中未示出)、漏電極5和數(shù)據(jù)線(圖中未示出)；位于形成有所述源電極、漏電極5和數(shù)據(jù)線的基板I上的具有段差部10的像素電極6，所述像素電極6與所述漏電極5相連接；位于形成有所述像素電極6的基板I上的鈍化層7，所述鈍化層7上形成有第一過孔11和第二過孔12;位于所述鈍化層7上的由透明導電層形成的公共電極(圖中未示出)和連接部82，所述連接部82與所述公共電極斷開，所述連接部82通過鈍化層7上的第一過孔11和第二過孔12將段差部10兩側的像素電極6連通。即每一個段差部10對應一個第一過孔11和一個第二過孔12。在本實施例中第一過孔11形成在段差部10的左側，第二過孔12形成在段差部10的右側，這樣，即使段差部10的像素電極6斷開，所述段差部10兩側的像素電極6仍然可以由所述連接部82通過鈍化層7上的第一·過孔11和第二過孔12連通。該陣列基板的制造過程與現(xiàn)有的五次構圖工藝相似，差別在于在第四次構圖工藝中，還在鈍化層7上形成用于連通像素電極6的第一過孔11和第二過孔12 ;在第五次構圖工藝中，透明導電層除了形成公共電極外，還形成連接部82，且連接部82與所述公共電極斷開。以下給出該陣列基板的具體制造方法，可以包括如下步驟步驟Sll，在基板上形成柵電極和柵線；步驟S12，在形成有柵電極和柵線的基板上形成柵絕緣層；步驟S13，在形成有柵絕緣層的基板上形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；具體包括在形成有柵絕緣層的基板上依次形成半導體材料層和源漏金屬層；在源漏金屬層上形成光刻膠層；采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠層進行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域；刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬層和半導體材料層；通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的源漏金屬層；剝離剩余的光刻膠。步驟S14，在形成有有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上形成像素電極，所述像素電極具有一段差部；步驟S15，在形成有像素電極的基板上形成鈍化層，并在鈍化層上形成第一過孔和第二過孔；步驟S16，在形成有鈍化層的基板上形成公共電極和連接部，所述連接部和所述公共電極斷開，所述連接部通過第一過孔和第二過孔連通所述像素電極位于段差部兩側的部分。實施例2參照圖4，本發(fā)明實施例的陣列基板可以包括基板I;位于所述基板I上由柵金屬層形成的柵電極和柵線(圖中未示出)；位于形成有所述柵電極和柵線的基板I上的柵絕緣層3 ；位于所述柵絕緣層3上的有源層4 ；位于所述有源層4上的源電極(圖中未示出)、漏電極5和數(shù)據(jù)線(圖中未示出)；
位于形成有所述源電極、漏電極5和數(shù)據(jù)線的基板I上的具有段差部10的像素電極6，所述像素電極6與所述漏電極5相連接；位于形成有所述像素電極6的基板I上的鈍化層7，所述鈍化層7上形成有第三過孔13，該第三過孔13跨越所述段差部10 ；位于所述鈍化層7上的由透明導電層形成的公共電極(圖中未示出)和連接部82，所述連接部82與所述公共電極斷開，所述連接部82通過第三過孔13連接段差部10兩側的像素電極6。即每一個段差部10對應一個第三過孔13，該第三過孔13的大小應保證可以跨越段差部10，以實現(xiàn)段差部10兩側的像素電極6可以由連接部82通過其連通。在本實施例中，在鈍化層7上形成一個跨越所述段差部10第三過孔13，即使段差部10的像素電極6斷開，所述段差部10兩側的像素電極6仍然可以由所述連接部82通過鈍化層7上的第三過孔13連通。該陣列基板的制造過程與實施例I相似，差別在于在鈍化層上形成過孔的數(shù)量和位置不同。因此，不再對其具體制造過程進行詳細描述，參照實施例I即可。實施例3參照圖5，本發(fā)明實施例的陣列基板可以包括基板I;位于所述基板I上由柵金屬層形成的柵電極(圖中未示出)、柵線(圖中未示出)和第二連接部2，所述第二連接部2與柵電極和柵線斷開；位于形成有所述柵電極、柵線和第二連接部2的基板I上的柵絕緣層3，所述柵絕 緣層3上形成有第四過孔14和第五過孔15 ；位于所述柵絕緣層3上的有源層4 ；位于所述有源層4上的源電極(圖中未示出)、漏電極5和數(shù)據(jù)線(圖中未示出)；位于形成有所述源電極、漏電極5和數(shù)據(jù)線的基板I上的具有段差部10的像素電極6，所述像素電極6與所述漏電極5相連接；位于形成有所述像素電極6的基板I上的鈍化層7，所述鈍化層上7形成有第五過孔15和第六過孔16 (說明一點，第五過孔15同時貫穿柵絕緣層3和鈍化層7)；位于所述鈍化層上7的由透明導電層形成的公共電極(圖中未示出)和第一連接部82，所述第一連接部82與所述公共電極斷開，所述段差部10兩側的像素電極6由所述第一連接部82和第二連接部2通過鈍化層7和柵絕緣層3上的第四過孔14、第五過孔15和第六過孔16連通。在本實施例中，第四過孔14形成在段差部10的左側，第六過孔16形成在段差部10的右側，第五過孔15形成在陣列基板中沒有像素電極6覆蓋的區(qū)域，且同時貫穿柵絕緣層3和鈍化層7。這樣，即使段差部10的像素電極6斷開，所述段差部10兩側的像素電極6仍然可以由，第四過孔14-第二連接部2-第五過孔15-第一連接部82-第六過孔，構成的這條路徑連通。該陣列基板的制造過程與實施例I相比，差別在于需要增加一次構圖工藝，以在柵絕緣層中形成過孔；在鈍化層上過孔的數(shù)量和位置有差異。以下給出該陣列基板的具體制造方法，可以包括如下步驟步驟S21，在基板上形成柵電極、柵線和第二連接部，所述第二連接部與柵電極和柵線斷開；步驟S22，在形成有柵電極、柵線和第二連接部的基板上形成柵絕緣層，并在柵絕緣層上形成過孔(包括第四過孔14、第五過孔15)；步驟S23，在形成有柵絕緣層的基板上形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；具體包括在形成有柵絕緣層的基板上依次形成半導體材料層和源漏金屬層；在源漏金屬層上形成光刻膠層；采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠層進行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域； 刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬層和半導體材料層；通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的源漏金屬層；剝離剩余的光刻膠。步驟S24，在形成有有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上形成像素電極，所述像素電極具有一段差部；步驟S25，在形成有像素電極的基板上形成鈍化層，并在鈍化層上形成過孔(第五過孔15和第六過孔16);說明一點，第五過孔15同時貫穿柵絕緣層3和鈍化層7。步驟S26，在形成有鈍化層的基板上形成公共電極和第一連接部，所述第一連接部和所述公共電極斷開，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述第一連接部和第二連接部通過鈍化層和柵絕緣層上的過孔連通本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的任一種陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。綜上所述，本發(fā)明實施例在像素電極的斷層區(qū)域，利用其他的導電層通過過孔對斷層的像素電極進行再次連接，從而能夠避免由于像素電極的斷層引起的像素電極層信號的割斷，解決了像素區(qū)域由于像素電極易斷層而造成的異常顯示的問題。另外，在上述實施例中，還可以通過改變過孔的大小和間距來調節(jié)對開口率的影響。最后應當說明的是，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案而非限制，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發(fā)明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術方案的精神范圍，其均應涵蓋在本發(fā)明的權利要求范圍當中。
權利要求
1.一種陣列基板，包括，具有段差部的像素電極，其特征在于 所述像素電極位于段差部兩側的部分由導電層通過過孔連通，所述導電層與所述像素電極位于不同的層。
2.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，還包括 由透明導電層形成的公共電極和連接部，所述連接部與所述公共電極斷開； 形成在像素電極所在的層與公共電極所在的層之間的鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述連接部通過所述鈍化層上的過孔連通。
3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板具體包括 基板； 位于所述基板上由柵金屬層形成的柵電極和柵線； 位于形成有所述柵電極和柵線的基板上的柵絕緣層； 位于所述柵絕緣層上的有源層； 位于所述有源層上的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線； 位于形成有所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上的具有段差部的像素電極，所述像素電極與所述漏電極相連接； 位于形成有所述像素電極的基板上的鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔； 位于所述鈍化層上的由透明導電層形成的公共電極和連接部，所述連接部與所述公共電極斷開，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述連接部通過鈍化層上的過孔連通。
4.如權利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于 所述鈍化層上的過孔包括第一過孔和第二過孔，所述第一過孔位于所述段差部的一偵U，所述第二過孔位于所述段差部的另一側。
5.如權利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于 所述鈍化層上的過孔跨越所述段差部。
6.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，還包括 由透明導電層形成的公共電極和第一連接部，所述第一連接部與所述公共電極斷開； 形成在像素電極所在的層與公共電極所在的層之間的鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔； 由柵金屬層形成的柵電極、柵線和第二連接部，所述第二連接部與柵電極和柵線斷開； 形成在柵金屬層與像素電極所在的層之間的柵絕緣層，所柵絕緣層上形成有過孔；其中，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述第一連接部和第二連接部通過鈍化層和柵絕緣層上的過孔連通。
7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板具體包括 基板； 位于所述基板上由柵金屬層形成的柵電極、柵線和第二連接部，所述第二連接部與柵電極和柵線斷開； 位于形成有所述柵電極、柵線和第二連接部的基板上的柵絕緣層，所述柵絕緣層上形成有過孔； 位于所述柵絕緣層上的有源層；位于所述有源層上的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線； 位于形成有所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上的具有段差部的像素電極，所述像素電極與所述漏電極相連接； 位于形成有所述像素電極的基板上的鈍化層，所述鈍化層上形成有過孔； 位于所述鈍化層上的由透明導電層形成的公共電極和第一連接部，所述第一連接部與所述公共電極斷開，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述第一連接部和第二連接部通過鈍化層和柵絕緣層上的過孔連通。
8.—種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成柵電極和柵線； 在形成有柵電極和柵線的基板上形成柵絕緣層； 在形成有柵絕緣層的基板上形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線； 在形成有有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上形成像素電極，所述像素電極具有一段差部； 在形成有像素電極的基板上形成鈍化層，并在鈍化層上形成過孔； 在形成有鈍化層的基板上形成公共電極和連接部，所述連接部和所述公共電極斷開，所述連接部通過過孔連通所述像素電極位于段差部兩側的部分。
9.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述在形成有柵絕緣層的基板上形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線，包括 在形成有柵絕緣層的基板上依次形成半導體材料層和源漏金屬層； 在源漏金屬層上形成光刻膠層； 采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠層進行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域； 刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬層和半導體材料層； 通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠； 刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的源漏金屬層； 剝離剩余的光刻膠。
10.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于 所述在鈍化層上形成過孔包括，在所述鈍化層上形成第一過孔和第二過孔，所述第一過孔位于所述段差部的一側，所述第二過孔位于所述段差部的另一側。
11.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于 所述鈍化層上的過孔跨越所述段差部。
12.—種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成柵電極、柵線和第二連接部，所述第二連接部與柵電極和柵線斷開； 在形成有柵電極、柵線和第二連接部的基板上形成柵絕緣層，并在柵絕緣層上形成過孔； 在形成有柵絕緣層的基板上形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線； 在形成有有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上形成像素電極，所述像素電極具有一段差部； 在形成有像素電極的基板上形成鈍化層，并在鈍化層上形成過孔；在形成有鈍化層的基板上形成公共電極和第一連接部，所述第一連接部和所述公共電極斷開，所述像素電極位于段差部兩側的部分由所述第一連接部和第二連接部通過鈍化層和柵絕緣層上的過孔連通。
13.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述在形成有柵絕緣層的基板上形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線，包括 在形成有柵絕緣層的基板上依次形成半導體材料層和源漏金屬層； 在源漏金屬層上形成光刻膠層； 采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠層進行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域； 刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬層和半導體材料層； 通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠； 刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的源漏金屬層； 剝離剩余的光刻膠。
14.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求I至7中任一項所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置，屬于液晶顯示領域。所述陣列基板包括具有段差部的像素電極，所述像素電極位于段差部兩側的部分由導電層通過過孔連通，所述導電層與所述像素電極位于不同的層。本發(fā)明能夠避免由于像素電極的斷層引起的像素電極層信號的割斷。
文檔編號H01L29/786GK102751276SQ20121017972
公開日2012年10月24日 申請日期2012年6月1日 優(yōu)先權日2012年6月1日
發(fā)明者玄明花, 董向丹, 高永益, 黃煒赟 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司