專利名稱：用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例的方面涉及有機(jī)發(fā)光顯示面板、用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置以及通過(guò)利用該裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法。
背景技術(shù)：
一般而言，有機(jī)發(fā)光顯示面板包括陽(yáng)極、陰極以及介于陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)射層(EML)0 有機(jī)發(fā)光顯示面板因?yàn)樗鼈兊膹V視角、高對(duì)比度和短響應(yīng)時(shí)間的優(yōu)點(diǎn)而作為下一代顯示面板引起關(guān)注。根據(jù)EML是由聚合物有機(jī)材料還是低分子有機(jī)材料形成，有機(jī)發(fā)光顯示面板可進(jìn)一步包括從由空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層組成的組中選擇的至少一層。為了顯示有機(jī)發(fā)光顯示面板的全色圖像，EML被圖案化。在低分子有機(jī)發(fā)光顯示面板中，EML利用遮光板(shadow mask)被圖案化,而在聚合物有機(jī)發(fā)光顯示面板中,EML層利用噴墨印刷方法或激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)方法被圖案化。LITI方法使EML能夠被微圖案化，可用于大面積，且可提供高分辨率圖像顯示。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方面，配置一種用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置和利用該裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，通過(guò)該裝置在高真空室中執(zhí)行轉(zhuǎn)移層的沉積工藝和激光轉(zhuǎn)移工藝，而無(wú)需切斷膜。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，一種用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置包括多個(gè)室；沉積單元，被配置為將轉(zhuǎn)移層形成在以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)至所述多個(gè)室內(nèi)的膜上；以及激光熱轉(zhuǎn)移裝置，被配置為將形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案轉(zhuǎn)移到被供應(yīng)至所述多個(gè)室中的室內(nèi)的基板上。所述多個(gè)室可包括維持在多級(jí)真空態(tài)下的真空室。所述多個(gè)室中的室彼此可依次成直線放置。所述裝置可進(jìn)一步包括連接至所述多個(gè)室中的高真空室的基板轉(zhuǎn)移室，其中所述基板可從所述基板轉(zhuǎn)移室被供應(yīng)到所述高真空室內(nèi)。所述裝置可進(jìn)一步包括被放置在所述多個(gè)室的前方的洗滌室，其中所述洗滌室被配置為在空氣環(huán)境或惰性環(huán)境下執(zhí)行預(yù)處理工藝。以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的所述膜可沿水平或豎直方向供應(yīng)。
所述膜可包括基底膜和形成于所述基底膜上的光熱轉(zhuǎn)換層，并且所述沉積單元可被配置為將所述轉(zhuǎn)移層沉積在所述光熱轉(zhuǎn)換層上。所述膜可沿水平方向供應(yīng)，并且所述沉積單元可被放置在所述膜的下面且被配置為從所述膜的下面向所述膜的上部噴射轉(zhuǎn)移層形成原材料。所述膜可沿豎直方向供應(yīng)，并且所述沉積單元可與所述膜間隔開，平行于所述膜布置，且被配置為沿水平方向?qū)⑥D(zhuǎn)移層形成原材料噴射在所述膜上。所述裝置可進(jìn)一步包括托架以在所述托架上安裝所述基板。所述膜可沿水平方向供應(yīng)，并且所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置可被放置在所述膜的上方且被配置為從所述膜的上方向所述膜的下部照射激光束。所述膜可沿豎直方向供應(yīng)，并且所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置可與所述膜間隔開，平行于所述膜布置，且被配置為沿水平方向?qū)⒓す馐丈湓谒瞿ど稀！に鲅b置可進(jìn)一步包括放置在所述沉積單元和所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置之間的層壓滾筒，其中所述層壓滾筒被配置為將所述膜的上面形成有所述轉(zhuǎn)移層的表面附接至所述基板。所述裝置可進(jìn)一步包括靠近所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置放置的剝離滾筒，其中所述剝離滾筒被配置為將對(duì)其執(zhí)行轉(zhuǎn)移工藝的所述膜從所述基板剝離。根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例，一種制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法包括以卷對(duì)卷工藝將膜供應(yīng)至多個(gè)室內(nèi)；利用沉積單元在所述膜的表面上形成轉(zhuǎn)移層；將基板從基板轉(zhuǎn)移室轉(zhuǎn)移至所述多個(gè)室中的室內(nèi)；以及利用激光熱轉(zhuǎn)移裝置將形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案轉(zhuǎn)移至所述基板上。所述方法可進(jìn)一步包括在空氣環(huán)境或惰性環(huán)境下、在被放置于所述多個(gè)室的前方的洗滌室中使所述膜經(jīng)歷預(yù)處理工藝。所述多個(gè)室中的室可維持在多級(jí)真空態(tài)下，并且可在所述多個(gè)室中的高真空室中形成所述轉(zhuǎn)移層并轉(zhuǎn)移形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案。所述高真空室可連接至所述基板轉(zhuǎn)移室，并且可從所述基板轉(zhuǎn)移室轉(zhuǎn)移所述基板，以將形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案轉(zhuǎn)移至所述基板上。以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的所述膜可包括基底膜和形成于所述基底膜上的光熱轉(zhuǎn)換層，并且在所述膜的表面上形成所述轉(zhuǎn)移層可包括利用所述沉積單元在所述光熱轉(zhuǎn)換層上沉積所述轉(zhuǎn)移層?？裳厮椒较蚬?yīng)所述膜，并且所述沉積單元可被放置在所述膜的下面且從所述膜的下面向所述膜的上部噴射轉(zhuǎn)移層形成原材料?？裳刎Q直方向供應(yīng)所述膜，并且所述沉積單元可與所述膜間隔開，平行于所述膜布置，且沿水平方向噴射轉(zhuǎn)移層形成原材料。將所述基板轉(zhuǎn)移至所述室內(nèi)可包括將所述基板安裝在托架上?？裳厮椒较蚬?yīng)所述膜，并且所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置可被放置在所述膜的上方以及從所述膜的上方向所述膜的下部照射激光束，以將形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案轉(zhuǎn)移至所述基板上?？裳刎Q直方向供應(yīng)所述膜，并且所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置可與所述膜間隔開，平行于所述膜布置，且沿水平方向照射激光束，以將形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案轉(zhuǎn)移至所述基板上。所述方法可進(jìn)一步包括利用放置在所述沉積單元和所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置之間的層壓滾筒將上面形成有所述轉(zhuǎn)移層的所述膜附接至所述基板。所述方法可進(jìn)一步包括利用靠近所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置的剝離滾筒將經(jīng)轉(zhuǎn)移的膜從所述基板剝離。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述及其它特征和方面將變得更加明顯，在附圖中圖I為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板的部分截面圖；
圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖示位于基板上的有機(jī)發(fā)光二極管的示意性截面圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖示其中轉(zhuǎn)移層被沉積在以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的膜上的狀態(tài)的截面圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖示用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖4的裝置中的高真空室的部分分解圖；圖6為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖4的裝置中的沉積單元的示意圖；以及圖7為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖4的裝置中的激光熱轉(zhuǎn)移裝置的部分示意圖。
具體實(shí)施例方式下文中將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例；然而，本發(fā)明的實(shí)施例可以采用不同的形式來(lái)具體實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于這里所圖示和列舉的示例性實(shí)施例。更確切地說(shuō)，為了理解本發(fā)明并向本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的范圍，這些示例性實(shí)施例通過(guò)示例的方式提供。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所認(rèn)識(shí)到的那樣，所描述的實(shí)施例可以以所有均不背離本發(fā)明的精神或范圍的各種方式修改。雖然可以利用如“第一”、“第二”等這種術(shù)語(yǔ)來(lái)描述各種組件，但這種組件不必限于上面的術(shù)語(yǔ)。上面的術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)組件與另一個(gè)組件區(qū)別開來(lái)。在下面描述中使用的術(shù)語(yǔ)僅僅用于描述一些示例性實(shí)施例，而不旨在限制本發(fā)明。使用單數(shù)形式的表述包含復(fù)數(shù)的表述，除非其在上下文中具有明顯不同的含義。在下面的描述中，應(yīng)當(dāng)理解，諸如“包括”或“具有”等的術(shù)語(yǔ)旨在表示說(shuō)明書中所公開的特征、數(shù)值、步驟、動(dòng)作、組件、部件和/或它們的組合的存在，而不旨在排除一個(gè)以上的其它特征、數(shù)值、步驟、動(dòng)作、組件、部件和/或它們的組合可能存在或者可能增加的可能性。下面參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明一些示例性實(shí)施例的用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置和利用該裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，其中附圖示出了本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例。圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。圖I為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板100的部分截面圖。參照?qǐng)DI，有機(jī)發(fā)光顯示面板100包括第一基板101。第一基板101可為絕緣基板，例如玻璃基板或塑料基板。緩沖層102形成于第一基板101上。緩沖層102可由有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料形成，或者可具有既包括有機(jī)材料又包括無(wú)機(jī)材料的結(jié)構(gòu)，例如其中有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料交替堆疊的結(jié)構(gòu)。緩沖層102防止或基本上防止氧氣和濕氣的滲入，并且還防止或基本上防止從第一基板101產(chǎn)生的濕氣或雜質(zhì)的擴(kuò)散。半導(dǎo)體有源層103形成于緩沖層102上。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體有源層103由多晶硅形成，并且多晶硅可通過(guò)制備非晶硅并使非晶硅結(jié)晶而形成。非晶硅的結(jié)晶可利用諸如快速熱退火(RTA)、固相結(jié)晶(SPC)、準(zhǔn)分子激光退火(ELA)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)或連續(xù)橫向固化(SLS)之類的各種方法來(lái)執(zhí)行。半導(dǎo)體有源層103摻雜有N型或P型雜質(zhì)離子，以形成源區(qū)104和漏區(qū)105。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體有源層103包括位于源區(qū)104和漏區(qū)105之間的未摻雜N型或P型雜質(zhì)離子的溝道區(qū)106。柵絕緣層107沉積在半導(dǎo)體有源層103上。柵絕緣層107可為由Si02形成的單 層或Si02和SiNx的雙層。柵電極108形成于柵絕緣層107的一部分(例如，預(yù)定部分)上。柵電極108連接至柵極線(未示出)，通過(guò)柵極線施加薄膜晶體管的通/斷信號(hào)。柵電極108可包括一種金屬或多種金屬，并且可由Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Al、Ni、W或Au的單層或它們的組合的多層形成。層間絕緣層109形成于柵絕緣層107上以覆蓋柵電極108，源電極110通過(guò)接觸孔電連接至源區(qū)104，并且漏電極111通過(guò)接觸孔電連接至漏區(qū)105。包括鈍化層和平坦化層中的至少一個(gè)的保護(hù)層112形成于層間絕緣層109上，以覆蓋源電極110和漏電極111。保護(hù)層112可由例如丙烯或苯并環(huán)丁烯(BCB)的有機(jī)材料形成，或者由例如SiNx的無(wú)機(jī)材料形成，并且可為有機(jī)或無(wú)機(jī)材料的單層，或者為這些材料的任意組合的雙層或多層。在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 114的第一電極115形成于保護(hù)層112上，并且有機(jī)材料的像素限定層(PDL) 113形成于保護(hù)層112上，以覆蓋第一電極115的部分。第一電極115電連接至源電極110或漏電極111其中之一。有機(jī)層116形成于第一電極115的暴露部分上,該暴露部分可通過(guò)蝕刻像素限定層113的一部分來(lái)形成。OLED 114的第二電極117形成于有機(jī)層116上。第一電極115和第二電極117通過(guò)有機(jī)層116彼此絕緣,并且在第一電極115和第二電極117之間施加具有不同極性的電壓，以從有機(jī)層116發(fā)出光。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電極115充當(dāng)陽(yáng)極,并且可由各種導(dǎo)電材料中的任意一種形成。第一電極115可為透明電極或反射電極。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，第一電極115為透明電極，且可包括ITO、IZO、ZnO或In203。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一電極115為反射電極，并且形成Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或這些材料的任意混合物的反射層，然后在該反射層上形成ITO、IZO, ZnO或In203o在一個(gè)實(shí)施例中，第二電極117充當(dāng)陰極，并且可為透明電極或反射電極。在一個(gè)實(shí)施例中，第二電極117為透明電極，并且具有低功函數(shù)的金屬，例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的任意混合物，被沉積在有機(jī)層116的一側(cè)，然后由形成透明電極的材料，例如ITO、IZO、ZnO或Ιη203，組成的輔助電極層或總線電極線形成于
該金屬上。在另一個(gè)實(shí)施例中，第二電極117為反射電極，并且沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的任意混合物來(lái)形成第二電極117。當(dāng)?shù)谝浑姌O115形成為透明電極或反射電極時(shí)，第一電極115可形成為與多個(gè)子像素中每一個(gè)子像素的開口形狀相對(duì)應(yīng)。形成為透明電極或反射電極的第二電極117可被沉積在整個(gè)顯示區(qū)上。不過(guò)，第二電極117可以不必沉積在整個(gè)顯示區(qū)上，而可以以不同的圖案形成。在這一點(diǎn)上，第二電極117可形成在第一電極115上，或者第一電極115可形成在第二電極117上。有機(jī)層116可為低分子有機(jī)層或聚合物有機(jī)層。在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)層116由低分子有機(jī)材料形成,并且如圖2所不,有機(jī)層116可具有單一結(jié)構(gòu)或包括空穴注入層(HIL) 201、空穴傳輸層(HTL) 202、發(fā)射層(EML) 203、電子傳輸層(ETU204和電子注入層(EIU205的堆疊結(jié)構(gòu)。低分子有機(jī)材料可包括例如銅鈦菁(CuPc)、N, N，- 二 (萘-I-基)-N, N，-聯(lián)苯-聯(lián)苯胺(NPB)或三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。低分子有機(jī)層可通過(guò)真空沉積來(lái)形成。在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)層116形成為聚合物有機(jī)層，并且有機(jī)層116通常包括HTL和EML。HTL可通過(guò)絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷由PEDOT形成，而EML可通過(guò)絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷由諸如聚苯乙炔(PPV)或聚芴的聚合物有機(jī)材料形成。不過(guò)，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層116不限于上述示例。第二基板118形成于OLED 114上。第二基板118可為玻璃基板或柔性基板，或者可通過(guò)在OLED 114上涂覆絕緣材料而形成。圖3為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖示轉(zhuǎn)移層304被沉積于以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的膜300上之后的狀態(tài)的截面圖。參照?qǐng)D3，在一個(gè)實(shí)施例中，膜300包括基底膜301和形成于基底膜301上的光熱轉(zhuǎn)換層302。在一個(gè)實(shí)施例中，氣體阻擋層303可形成于光熱轉(zhuǎn)換層302上?；讓?01可由諸如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)之類的透明聚合物有機(jī)材料形成。光熱轉(zhuǎn)換層302將入射光轉(zhuǎn)換為熱量，并且可包括諸如氧化鋁、硫化鋁、炭黑、石墨或紅外線顏料之類的吸光材料。氣體阻擋層303被形成為防止或基本上防止在除氣過(guò)程中產(chǎn)生的氣體滲入到轉(zhuǎn)移層304中。在一個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移層304在沉積工藝過(guò)程中通過(guò)沉積單元形成于氣體阻擋層303上。在一個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移層304為有機(jī)轉(zhuǎn)移層，并且可為從由HIL、HTL、EML、ETL和EIL組成的組中選擇的一種。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移層304為EML。通過(guò)在空氣環(huán)境下將低分子有機(jī)材料或聚合物有機(jī)材料涂覆于膜上并將激光束照射在涂覆后的膜上，或者通過(guò)在真空環(huán)境中將膜刻版安裝于托架上，在該膜上涂覆有機(jī)材料，然后將激光束照射在涂覆后的膜上，在基板上形成紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)射層的圖案。不過(guò)，當(dāng)LITI方法在空氣環(huán)境中或在特定環(huán)境中執(zhí)行時(shí)，難以提高EML的效率和壽命。另外，當(dāng)LITI方法在真空環(huán)境中執(zhí)行時(shí)，由于復(fù)雜的制造裝置而導(dǎo)致設(shè)備成本高，生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間被延遲，以及膜的分離困難。此外，在空氣環(huán)境中執(zhí)行的LITI方法中，難以去除對(duì)有機(jī)材料的壽命具有不利影響的氧氣或濕氣。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖示用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置400的結(jié)構(gòu)的示意圖，并且圖5為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖4的裝置400中的高真空室的部分分解圖。 參照?qǐng)D4和圖5，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置400包括多個(gè)室410、將圖案轉(zhuǎn)移至被轉(zhuǎn)移到室410內(nèi)的膜300上的沉積單元420，以及將膜300的圖案轉(zhuǎn)移至被轉(zhuǎn)移到室410內(nèi)的基板430上的激光熱轉(zhuǎn)移裝置440。在一個(gè)實(shí)施例中，室410為維持多級(jí)真空態(tài)的真空室。在一個(gè)實(shí)施例中，室410包括第一真空室411、第二真空室412、第三真空室413、第四真空室414以及第五真空室415。第一真空室411至第五真空室415彼此成一直線依次放置。不過(guò)，盡管室410被配置為維持多級(jí)真空態(tài)，但真空室的數(shù)量不限于真空室的具體數(shù)量。在一個(gè)實(shí)施例中，第一真空室411和第五真空室415維持在10_2托以下的低真空 環(huán)境下，第二真空室412和第四真空室414維持在10-4托以下的中等真空環(huán)境下，并且第三真空室413維持在10-6托以下的高真空環(huán)境下。在一個(gè)實(shí)施例中，在膜300上沉積材料的工藝和將膜300的圖案轉(zhuǎn)移至基板430上的工藝是在維持在高真空環(huán)境下的第三真空室413中執(zhí)行。在一個(gè)實(shí)施例中，可在第一真空室411的前方進(jìn)一步放置洗滌室416。洗滌室416不必維持在真空環(huán)境下，而可維持在空氣環(huán)境或惰性環(huán)境下。洗滌室416是用于預(yù)處理工藝的室，預(yù)處理工藝包括去除殘留于以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的膜300上的雜質(zhì)的洗滌?；遛D(zhuǎn)移室417連接至第三真空室413的一側(cè)。基板轉(zhuǎn)移室417將基板430轉(zhuǎn)移到維持在高真空環(huán)境下的第三真空室413內(nèi)?；遛D(zhuǎn)移室417將基板430轉(zhuǎn)移到第三真空室413內(nèi)，并將其上具有轉(zhuǎn)移的圖案的基板430轉(zhuǎn)移到第三真空室413外部。在一個(gè)實(shí)施例中，基板轉(zhuǎn)移室417基本維持在與第三真空室413所維持的環(huán)境相同的環(huán)境下。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所不,膜300包括依次形成于基底膜301上的光熱轉(zhuǎn)換層302和氣體阻擋層303。在一個(gè)實(shí)施例中，膜300是柔性的，并且可由柔性材料組成，以便以卷對(duì)卷工藝被供應(yīng)至室410內(nèi)，而不切斷膜300。在一個(gè)實(shí)施例中，膜300從解繞輥(未示出)展開，并被連續(xù)地供應(yīng)至室410內(nèi)。完成沉積和轉(zhuǎn)移工藝之后，膜300被卷繞在卷繞輥上。以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的膜300可沿平行于室410的方向或沿垂直于室410的方向被轉(zhuǎn)移。沉積單元420用于在膜300上沉積轉(zhuǎn)移層304。沉積單元420可通過(guò)利用電阻加熱方法在一溫度(例如預(yù)定的溫度)下加熱沉積材料以形成蒸汽相的沉積材料來(lái)在膜300上沉積轉(zhuǎn)移層304。沉積單元420可沿以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)膜300的方向?qū)⒊练e材料從膜300的下部沉積到上部，或者可沿基本垂直于或平行于膜300的方向?qū)⒊练e材料沉積在膜300上。在一個(gè)實(shí)施例中，沉積于膜300上的轉(zhuǎn)移層304為EML 203，但本發(fā)明實(shí)施例不限于此。例如，可在膜300上沉積從HIL、HTL、ETL或EIL中選擇的單一結(jié)構(gòu)或包括這些層的
復(fù)合結(jié)構(gòu)。基板430可以為但不限于例如母玻璃基板的大基板。而且,基板430可為絕緣基板，例如玻璃基板或塑料基板?；?30可通過(guò)被安裝在托架450上而從基板轉(zhuǎn)移室417被轉(zhuǎn)移?；?30可通過(guò)傳送機(jī)系統(tǒng)(未示出)被轉(zhuǎn)移到第三真空室413內(nèi)，或者基板430的位置可通過(guò)機(jī)器人儀器被改變。激光熱轉(zhuǎn)移裝置440將沉積于膜300上的轉(zhuǎn)移層304轉(zhuǎn)移至基板430的表面。激光熱轉(zhuǎn)移裝置440將激光束441照射到膜300。在一個(gè)實(shí)施例中，激光熱轉(zhuǎn)移裝置440包括從其照射激光束441的激光束生成單元(未示出)、定形激光束的光學(xué)系統(tǒng)(未示出)、放置于基板430上的圖案掩膜442以及用于控制激光束生成單元、光學(xué)系統(tǒng)和圖案掩膜442的控制單元(未示出)。激光束生成單元生成激光束，并且可為諸如紅寶石激光器、玻璃激光器、YAG激光器或YLF激光器的固體激光器，或者為諸如準(zhǔn)分子激光器或氦氖激光器的氣體激光器。該光學(xué)系統(tǒng)被放置在從激光束生成單元生成的激光束411所行進(jìn)的路徑上。該光 學(xué)系統(tǒng)可包括使激光束441的形狀均勻以形成具有期望形狀的激光束411的均質(zhì)器。激光熱轉(zhuǎn)移裝置440可進(jìn)一步包括位于透過(guò)光學(xué)系統(tǒng)的激光束441的路徑上的鏡，以改變激光束441的角度。透過(guò)光學(xué)系統(tǒng)的激光束441可被形成為具有例如直線或四邊形的期望形狀。光學(xué)系統(tǒng)可進(jìn)一步包括諸如聚光透鏡、起偏鏡等的一個(gè)以上的不同透鏡組。該鏡可為根據(jù)所施加電壓的變化而線性改變鏡的角度的Galvano鏡(電流鏡)或反射鏡。在一個(gè)實(shí)施例中，圖案掩膜442為布置于激光熱轉(zhuǎn)移裝置440和基板430之間的光學(xué)掩膜。圖案掩膜442可包括光透射圖案中的至少一種或光反射圖案中的至少一種。透過(guò)形成于圖案掩膜442中的開口的激光束441可照射在其上沉積有轉(zhuǎn)移層304的膜300上，膜300附接至基板430。在一個(gè)實(shí)施例中，層壓滾筒460可形成于沉積單元420和激光熱轉(zhuǎn)移裝置440之間，以將其上形成有轉(zhuǎn)移層304的膜300附接至基板430。在一個(gè)實(shí)施例中，安裝在托架450上的基板430被放置在膜300的表面上，并且當(dāng)其上布置有基板430的膜300穿過(guò)層壓滾筒460時(shí)，膜300可通過(guò)靜電而附接至基板430。膜300的其上形成有轉(zhuǎn)移層304的表面被附接朝向基板430。在一個(gè)實(shí)施例中，可鄰接激光熱轉(zhuǎn)移裝置440 (例如位于其下游)放置剝離滾筒470，以在轉(zhuǎn)移工藝之后將膜300從基板430剝離。第三真空室413可進(jìn)一步包括對(duì)準(zhǔn)單元(未示出)。當(dāng)形成于膜300上的轉(zhuǎn)移層304被轉(zhuǎn)移至基板430上時(shí)，對(duì)準(zhǔn)單元關(guān)于安裝在托架450上的基板430對(duì)準(zhǔn)圖案掩膜442。下面參照?qǐng)D4和圖5更詳細(xì)地描述通過(guò)利用如上所述的用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置400來(lái)執(zhí)行的沉積和轉(zhuǎn)移工藝。在一個(gè)實(shí)施例中，膜300以卷對(duì)卷工藝被供應(yīng)至室410內(nèi)。供應(yīng)至室410內(nèi)的膜300可包括依次形成于基底膜301上的光熱轉(zhuǎn)換層302和氣體阻擋層303。膜300可由柔性材料組成，以便被連續(xù)地供應(yīng)至室410內(nèi)，而無(wú)需切斷膜300。在一個(gè)實(shí)施例中，膜300可沿平行于室410的方向或者沿垂直于室410的方向轉(zhuǎn)移。在一個(gè)實(shí)施例中，膜300沿垂直于室410的方向轉(zhuǎn)移。在一個(gè)實(shí)施例中，在多個(gè)室410的入口處放置洗滌室416。在將膜300供應(yīng)至室410內(nèi)之前，以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的膜300可通過(guò)洗滌室416經(jīng)歷預(yù)處理工藝，以去除膜300上殘留的雜質(zhì)。洗滌室416可不必維持在真空環(huán)境下，而可維持在空氣環(huán)境或惰性環(huán)境下。
在經(jīng)由維持在低真空環(huán)境下的第一真空室411和維持在中等真空環(huán)境下的第二真空室412將膜300供應(yīng)至第三真空室413之后，通過(guò)沉積單元420在維持于高真空環(huán)境下的第三真空室413中將轉(zhuǎn)移層304形成在以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的膜300上。參照?qǐng)D6，在一個(gè)實(shí)施例中，以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的膜300沿垂直于室410的方向轉(zhuǎn)移。沉積單元420放置在膜300的一側(cè)。沉積單元420與膜300間隔開(例如相距預(yù)定的距離)且平行于膜300放置，并且轉(zhuǎn)移層形成原材料601沿水平或基本水平的方向噴射在膜300上。在一個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移層形成原材料601沉積在氣體阻擋層303的表面上，以形成轉(zhuǎn)移層304。在一個(gè)實(shí)施例中，氣體阻擋層303不形成在膜300上，并且轉(zhuǎn)移層形成原材料601可沉積在光熱轉(zhuǎn)換層302的表面上。在一個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移層形成原材料601可從沉積單元420噴射在基底膜301上，從而在基底膜301上形成轉(zhuǎn)移層304 (例如EML)?？商娲?，以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的膜300可沿水平方向轉(zhuǎn)移，并且沉積單元420可放置在膜300的下方，以及轉(zhuǎn)移層形成原材料601可從膜300的下部向上部噴射，以在基底膜 301上形成轉(zhuǎn)移層304。返回參照?qǐng)D4和圖5，基板430布置在其上形成有轉(zhuǎn)移層304的膜300上。基板430從連接至第三真空室413的基板轉(zhuǎn)移室417轉(zhuǎn)移。在一個(gè)實(shí)施例中，基板430通過(guò)安裝在托架450上被轉(zhuǎn)移。被轉(zhuǎn)移的基板430放置在膜300的表面上。層壓滾筒460放置在激光熱轉(zhuǎn)移裝置440的前方，即位于沉積單元420和激光熱轉(zhuǎn)移單元440之間，以將其上形成有轉(zhuǎn)移層304的膜300附接至基板430。膜300和基板430在穿過(guò)層壓滾筒460時(shí)可通過(guò)靜電彼此附接，使得膜300的其上形成有轉(zhuǎn)移層304的表面附接至基板430。隨后，轉(zhuǎn)移層304通過(guò)激光熱轉(zhuǎn)移裝置440轉(zhuǎn)移至基板430上。在一個(gè)實(shí)施例中，以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的膜300沿豎直方向轉(zhuǎn)移。激光熱轉(zhuǎn)移裝置440放置在膜300的一側(cè)。激光熱轉(zhuǎn)移裝置440與膜300間隔開(例如相距預(yù)定的距離)，并且可平行于膜300。圖案掩膜442和膜300布置在激光熱轉(zhuǎn)移裝置440和基板430之間。圖案掩膜442可包括光透射圖案中的至少一種或光反射圖案中的至少一種。參照?qǐng)D7，從激光熱轉(zhuǎn)移裝置440發(fā)出的激光束441透過(guò)形成于圖案掩膜442中的開口，并照射在附接至基板430的轉(zhuǎn)移層304上，從而將轉(zhuǎn)移層304的期望圖案轉(zhuǎn)移至基板430 上。可替代地，在另一個(gè)實(shí)施例中，以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的膜300沿水平方向轉(zhuǎn)移，并且放置在其上附接有膜300的基板430上方的激光熱轉(zhuǎn)移裝置400從膜300的上部向下部照射激光束441，以將轉(zhuǎn)移層304的期望圖案轉(zhuǎn)移至基板430上。當(dāng)將形成于膜300上的轉(zhuǎn)移層304轉(zhuǎn)移至基板430上時(shí)，對(duì)準(zhǔn)單元可關(guān)于安裝在托架450上的基板430對(duì)準(zhǔn)圖案掩膜442，由此可最小化或減小圖案掩膜442和基板430之間的位置誤差。如上所述，返回參照?qǐng)D5，可在激光熱轉(zhuǎn)移裝置440后(例如鄰接)放置剝離滾筒470。在完成轉(zhuǎn)移工藝后，當(dāng)膜300穿過(guò)剝離滾筒470時(shí)將其從基板430剝離。隨后，將轉(zhuǎn)移層304的期望圖案被轉(zhuǎn)移到的基板430轉(zhuǎn)移到基板轉(zhuǎn)移室417，從而完成沉積和轉(zhuǎn)移工藝。如上所述，通過(guò)以卷對(duì)卷工藝將膜300供應(yīng)至多個(gè)室410內(nèi)來(lái)執(zhí)行諸如單色的EML的層的沉積和轉(zhuǎn)移工藝。在完成沉積和轉(zhuǎn)移工藝后，可重復(fù)執(zhí)行上述工藝，從而沉積和轉(zhuǎn)移其它顏色的發(fā)射層。下面闡述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置和通過(guò)利用該裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法的一些方面。可以以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)膜，因此不需要其上安裝有膜的單獨(dú)托架。不需要在完成激光轉(zhuǎn)移工藝之后用于存儲(chǔ)膜的空間，從而簡(jiǎn)化了制造裝置的結(jié)構(gòu)。轉(zhuǎn)移工藝在高真空室中執(zhí)行，因此可防止或基本防止不必要的氣體滲入到EML 中。簡(jiǎn)化了在沉積和激光轉(zhuǎn)移工藝期間膜的轉(zhuǎn)移工藝，可縮短由于膜的制備而產(chǎn)生的生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間，且膜的速度是可調(diào)整的。膜是以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的，由此膜可沿水平或豎直方向轉(zhuǎn)移。經(jīng)轉(zhuǎn)移工藝之后，膜可在真空室中從基板剝離，因此可防止或基本防止在剝離工藝過(guò)程中由于空氣或氣體而對(duì)膜造成的損壞。激光熱轉(zhuǎn)移裝置可調(diào)整在基板上執(zhí)行的轉(zhuǎn)移工藝的速度。盡管參照本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在不背離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此處進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置，該裝置包括 多個(gè)室； 沉積單元，被配置為將轉(zhuǎn)移層形成在以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)到所述多個(gè)室內(nèi)的膜上；以及 激光熱轉(zhuǎn)移裝置，被配置為將形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案轉(zhuǎn)移到被供應(yīng)至所述多個(gè)室中的室內(nèi)的基板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述多個(gè)室包括維持在多級(jí)真空態(tài)下的真空室。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述多個(gè)室中的室彼此依次成直線放置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，進(jìn)一步包括連接至所述多個(gè)室中的高真空室的基板轉(zhuǎn)移室，其中所述基板能從所述基板轉(zhuǎn)移室供應(yīng)到所述高真空室內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，進(jìn)一步包括被放置在所述多個(gè)室的前方的洗滌室，其中所述洗滌室被配置為在空氣環(huán)境或惰性環(huán)境下執(zhí)行預(yù)處理工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的所述膜沿水平或豎直方向供應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述膜包括基底膜和形成于所述基底膜上的光熱轉(zhuǎn)換層，并且其中所述沉積單元被配置為將所述轉(zhuǎn)移層沉積在所述光熱轉(zhuǎn)換層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述膜能沿所述水平方向供應(yīng)，并且所述沉積單元被放置在所述膜的下面且被配置為從所述膜的下面向所述膜的上部噴射轉(zhuǎn)移層形成原材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述膜能沿所述豎直方向供應(yīng)，并且所述沉積單元與所述膜間隔開，平行于所述膜布置，且被配置為沿所述水平方向?qū)⑥D(zhuǎn)移層形成原材料噴射在所述膜上。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，進(jìn)一步包括托架以在所述托架上安裝所述基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述膜能沿水平方向供應(yīng)，并且所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置被放置在所述膜的上方且被配置為從所述膜的上方向所述膜的下部照射激光束。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中所述膜能沿豎直方向供應(yīng)，并且所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置與所述膜間隔開，平行于所述膜布置，以及被配置為沿水平方向?qū)⒓す馐丈湓谒瞿ど稀?br> 13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，進(jìn)一步包括放置在所述沉積單元和所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置之間的層壓滾筒，其中所述層壓滾筒被配置為將所述膜的上面形成有所述轉(zhuǎn)移層的表面附接至所述基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，進(jìn)一步包括靠近所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置放置的剝離滾筒，其中所述剝離滾筒被配置為將對(duì)其執(zhí)行轉(zhuǎn)移工藝的所述膜從所述基板剝離。
15.—種制造有機(jī)發(fā)光顯不面板的方法,該方法包括 以卷對(duì)卷工藝將膜供應(yīng)至多個(gè)室內(nèi)； 利用沉積單元在所述膜的表面上形成轉(zhuǎn)移層； 將基板從基板轉(zhuǎn)移室轉(zhuǎn)移至所述多個(gè)室中的室內(nèi)；以及 利用激光熱轉(zhuǎn)移裝置將形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案轉(zhuǎn)移至所述基板上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，進(jìn)一步包括在空氣環(huán)境或惰性環(huán)境下、在被放置于所述多個(gè)室的前方的洗滌室中使所述膜經(jīng)歷預(yù)處理工藝。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，其中所述多個(gè)室中的室被維持在多級(jí)真空態(tài)下，并且在所述多個(gè)室中的高真空室中形成所述轉(zhuǎn)移層和轉(zhuǎn)移形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，其中所述高真空室連接至所述基板轉(zhuǎn)移室，并且從所述基板轉(zhuǎn)移室轉(zhuǎn)移所述基板，以將形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案轉(zhuǎn)移至所述基板上。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，其中以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)的所述膜包括基底膜和形成于所述基底膜上的光熱轉(zhuǎn)換層，并且其中在所述膜的表面上形成所述轉(zhuǎn)移層包括利用所述沉積單元在所述光熱轉(zhuǎn)換層上沉積所述轉(zhuǎn)移層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，其中能沿水平方向供應(yīng)所述膜，并且所述沉積單元被放置在所述膜的下面且從所述膜的下面向所述膜的上部噴射轉(zhuǎn)移層形成原材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，其中能沿豎直方向供應(yīng)所述膜，并且所述沉積單元與所述膜間隔開，平行于所述膜布置，且沿水平方向噴射轉(zhuǎn)移層形成原材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，其中將所述基板轉(zhuǎn)移至所述室內(nèi)包括將所述基板安裝在托架上。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，其中能沿水平方向供應(yīng)所述膜，并且所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置被放置在所述膜的上方且從所述膜的上方向所述膜的下部照射激光束，以將形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案轉(zhuǎn)移至所述基板上。
24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，其中能沿豎直方向供應(yīng)所述膜，并且所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置與所述膜間隔開，平行于所述膜布置，且沿水平方向照射激光束，以將形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案轉(zhuǎn)移至所述基板上。
25.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，進(jìn)一步包括利用放置在所述沉積單元和所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置之間的層壓滾筒將上面形成有所述轉(zhuǎn)移層的所述膜附接至所述基板。
26.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，進(jìn)一步包括利用靠近所述激光熱轉(zhuǎn)移裝置放置的剝離滾筒將經(jīng)轉(zhuǎn)移的膜從所述基板剝離。
全文摘要
一種用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置和方法。一種用于制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的裝置包括多個(gè)室；沉積單元，被配置為將轉(zhuǎn)移層形成在以卷對(duì)卷工藝供應(yīng)到所述多個(gè)室內(nèi)的膜上；以及激光熱轉(zhuǎn)移裝置，被配置為將形成于所述膜上的所述轉(zhuǎn)移層的圖案轉(zhuǎn)移到被供應(yīng)至所述多個(gè)室中的室內(nèi)的基板上。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102891165SQ201210181270
公開日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月18日
發(fā)明者宋河珍, 李承默 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司