專利名稱：電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子部件，尤其涉及具有致密性不同的鍍覆層的例如層疊陶瓷電容器等電子部件。
背景技術(shù)：
作為成為該發(fā)明的背景的技術(shù)，公開了能夠形成在嚴酷的冷熱循環(huán)試驗條件下沒有晶須的產(chǎn)生、不受基底的金屬的影響的鍍Sn皮膜的技術(shù)(參照專利文獻I)。鍍Sn層由于隨著時間的經(jīng)過而產(chǎn)生針狀的晶須，所以通過采用Sn-Pb合金鍍覆來謀求解決，但從近年來的環(huán)境保護的觀點出發(fā)，由于Pb的使用的限制強化對無Pb焊料的要求變得顯著。因此，Sn-Pb合金鍍覆受到忌避，作為焊料的替代品，焊料潤濕性也優(yōu)異的Sn 材被重新認識，將鍍Sn層用于電子部件端子等導(dǎo)通連接部的形成。然而，若如上所述形成這樣的鍍Sn層的皮膜，則在皮膜上容易產(chǎn)生針狀的Sn的晶須。若晶須產(chǎn)生并生長，則有時在鄰接的電極間引起電短路故障。此外，若晶須從皮膜脫離并飛散，則飛散的晶須成為在裝置內(nèi)外引起短路的原因。專利文獻I中公開的技術(shù)中，以提供具有能夠抑制這樣的晶須發(fā)生的皮膜的構(gòu)件為目的，提供一種鍍Sn皮膜，其特征在于，鍍Sn皮膜是將鍍Sn液電解而得到的鍍Sn皮膜，該鍍Sn皮膜內(nèi)包了壓縮應(yīng)力，通過螺旋法測定時的壓縮應(yīng)力為IMPa以上?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2007-239076號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題通常，已知Sn晶須在對Sn皮膜施加壓縮應(yīng)力時生長，但專利文獻I中公開的鍍Sn皮膜中，由于鍍Sn皮膜中已經(jīng)內(nèi)包有壓縮應(yīng)力，所以沒有緩和應(yīng)力的余地，因此具有晶須容易伸長的環(huán)境。此外，實際上，評價了專利文獻I中公開的鍍覆浴，結(jié)果沒有確認到與其它鍍覆浴相比，晶須不易伸長的事實。因此，本發(fā)明的主要目的在于提供抑制晶須的生長、且焊料潤濕性優(yōu)異的電子部件。用于解決問題的方案本發(fā)明為一種電子部件，其是在最外層具備包含鍍Sn皮膜的電極的電子部件，其特征在于，鍍Sn皮膜由彼此致密性不同的2個以上的鍍覆層的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成，鍍覆層中，最表層的鍍覆層是致密性低的鍍覆層。在本發(fā)明所述的電子部件中，優(yōu)選在最表層的鍍覆層的表面，存在沿與層疊結(jié)構(gòu)的層疊方向平行的方向延伸的多個間隙。此外，在本發(fā)明所述的電子部件中，優(yōu)選最表層的鍍覆層的厚度為O. 3μπι以上。
此外，在本發(fā)明所述的電子部件中，優(yōu)選相比最表層為下層的鍍覆層的厚度是Iym以上。在本發(fā)明所述的電子部件中，由于在最外層具備包含鍍Sn皮膜的電極的電子部件中，該鍍Sn皮膜由彼此致密性不同的2個以上的鍍覆層的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成，該鍍覆層中在最表層形成致密性低的鍍覆層，所以能夠抑制晶須的生長，并且提高焊料潤濕性。這是由于，在最表層致密性低的鍍覆層抑制在受到壓縮應(yīng)力時生長的晶須的生長，并且，即使最表層的鍍覆層例如由于氧化而導(dǎo)致焊料潤濕性的效果降低，也能夠通過形成于其下層的致密性高的鍍覆層來維持焊料潤濕性的效果。 此外，在本發(fā)明所述的電子部件中，由于在最表層的鍍覆層的表面，存在沿與層疊結(jié)構(gòu)的層疊方向平行的方向延伸的多個間隙，所以更加能夠抑制在受到壓縮應(yīng)力時生長的晶須的生長。在本發(fā)明所述的電子部件中，通過將鍍Sn皮膜中的最表層的鍍覆層的厚度以O(shè). 3 μ m以上形成，從而能夠更可靠地抑制晶須的生長。此外，本發(fā)明所述的電子部件中，通過將形成于鍍Sn皮膜的下層的致密性高的鍍覆層的厚度以Iym以上形成，從而能夠更加提高焊料潤濕性的效果。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠得到抑制晶須的生長、且焊料潤濕性優(yōu)異的電子部件。本發(fā)明的上述目的、其它的目的、特征及優(yōu)點由參照附圖進行的以下的具體實施方式
的說明更加清楚。


圖I是表示本發(fā)明所述的層疊陶瓷電容器的一個例子的截面圖解圖。圖2是實施例I的層疊陶瓷電容器中沿第I鍍覆皮膜及第2鍍覆皮膜的厚度方向切斷的截面的示意圖。圖3是實施例I的層疊陶瓷電容器中相對于第2鍍覆皮膜中的第2鍍覆層的表面從垂直上方拍攝的電子顯微鏡照片圖像。
具體實施例方式圖I是表示本發(fā)明所述的層疊陶瓷電容器的一個例子的截面圖解圖。圖I所示的層疊陶瓷電容器10包含長方體狀的陶瓷元件12。陶瓷元件12包含例如由鈦酸鋇系的電介體陶瓷構(gòu)成的多個陶瓷層14作為電介體。這些陶瓷層14被層疊，在陶瓷層14間交替形成例如由Ni構(gòu)成的內(nèi)部電極16a及16b。這種情況下，內(nèi)部電極16a的一端部延伸到陶瓷元件12的一端部而形成。此外，內(nèi)部電極16b的一端部延伸到陶瓷元件12的另一端部而形成。進而，內(nèi)部電極16a及16b按照中間部及另一端部隔著陶瓷層14重疊的方式形成。因此，該陶瓷元件12具有在內(nèi)部隔著陶瓷層14設(shè)置有多個內(nèi)部電極16a及16b的層疊結(jié)構(gòu)。在陶瓷元件12的一端面，按照與內(nèi)部電極16a連接的方式形成端子電極18a。同樣地，在陶瓷元件12的另一端面，按照與內(nèi)部電極16b連接的方式形成端子電極18b。端子電極18a包含例如由Cu構(gòu)成的外部電極20a。外部電極20a按照與內(nèi)部電極16a連接的方式形成于陶瓷元件12的一端面。同樣地，端子電極18b包含例如由Cu構(gòu)成的外部電極20b。外部電極20b按照與內(nèi)部電極16b連接的方式形成于陶瓷元件12的另
一端面。此外，在外部電極20a及20b的表面，為了防止焊料浸出(solder leach)，分別形成包含Ni的第I鍍覆皮膜22a及22b。進而，如圖2所示那樣，在第I鍍覆皮膜22a及22b的表面，為了改良軟釬焊性，分別形成包含Sn的第2鍍覆皮膜24a及24b。第2鍍覆皮膜24a及24b進一步通過第I鍍覆層26a、26b及第2鍍覆層28a、28b而形成。第I鍍覆層26a及26b形成于第2鍍覆層28a及28b的下層。因此，第2鍍覆皮膜24a及24b由層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成。另外，圖2是沿第I鍍覆皮膜22a、22b及第2鍍覆皮膜24a、24b的厚度方向切斷的截面的示意圖。第I鍍覆層26a及26b作為致密性高的鍍覆層而形成。第I鍍覆層26a及26b的厚度優(yōu)選以I μ m以上且10 μ m以下的厚度形成。若第I鍍覆層26a及26b的厚度以I μ m以上形成，則能夠更加提高焊料潤濕性的效果，進而，能夠更可靠地覆蓋第I鍍覆皮膜22a 及22b。此外，若第I鍍覆層26a及26b的厚度以4μ m以下形成，則能夠維持層疊陶瓷電容器10的小型化，故更優(yōu)選。此外，在第I鍍覆層26a及26b的表面，進而，作為第2鍍覆皮膜24a及24b的最表層，形成第2鍍覆層28a及28b。這些第2鍍覆層28a及28b作為與第I鍍覆層26a及26b相比致密性較低的鍍覆層形成。因此，由于第2鍍覆層28a及28b通過致密性較低的鍍覆而形成，所以形成沿相對于第2鍍覆皮膜24a及24b的層疊結(jié)構(gòu)的層疊方向平行的方向延伸的多個間隙部30。第2鍍覆層28a及28b的厚度優(yōu)選以O(shè). 3 μ m以上且3 μ m以下的厚度形成。若第2鍍覆層28a及28b以O(shè). 3μπι以上形成，則能夠更可靠地抑制晶須的生長。此夕卜，若第2鍍覆層28a及28b以I μ m以下形成，則能夠維持層疊陶瓷電容器10的小型化，故更優(yōu)選。因此，由于第I鍍覆層26a及26b與第2鍍覆層28a及28b的致密性不同，所以通過各層中的致密性的差異在第I鍍覆層26a及26b與第2鍍覆層28a及28b之間形成邊界面32。接著，對用于制造圖I所示的層疊陶瓷電容器10的層疊陶瓷電容器的制造方法的一個例子進行說明。首先，準備陶瓷生片、內(nèi)部電極用導(dǎo)電性糊劑及外部電極用導(dǎo)電性糊劑。在陶瓷生片和各種導(dǎo)電性糊劑中雖然包含粘合劑及溶劑，但可以使用公知的有機粘合劑或有機溶劑。接著，在陶瓷生片上，例如通過絲網(wǎng)印刷等以規(guī)定的圖案印刷內(nèi)部電極用導(dǎo)電性糊劑，形成內(nèi)部電極圖案。然后，通過層疊規(guī)定片數(shù)的未印刷內(nèi)部電極圖案的外層用陶瓷生片，在其上依次層疊印刷有內(nèi)部電極圖案的陶瓷生片，在其上層疊規(guī)定片數(shù)的外層用陶瓷生片，從而制作母層疊體。此后，通過靜壓壓制等手段沿層疊方向?qū)δ笇盈B體進行壓制。然后，將經(jīng)壓制的母層疊體切割成規(guī)定的尺寸，切出未加工的陶瓷層疊體(rawceramic laminate)。另外,此時,也可以通過滾磨等使未加工的陶瓷層疊體的角部或棱部圓潤。
此后，對未加工的陶瓷層疊體進行燒成。這種情況下，燒成溫度也依賴于陶瓷層14或內(nèi)部電極16a、16b的材料，但優(yōu)選為900°C 1300°C。燒成后的陶瓷層疊體變成由層疊陶瓷電容器10的陶瓷層14及內(nèi)部電極16a、16b構(gòu)成的陶瓷元件12。然后，通過在燒成后的陶瓷層疊體的兩端面涂布外部電極用導(dǎo)電性糊劑，并進行燒結(jié)，從而形成端子電極18a及18b的外部電極20a及20b。此后，通過對第I外部電極20a的表面及第2外部電極20b的表面分別實施例如鍍Ni，從而形成第I鍍覆皮膜22a及22b。然后，通過對第I鍍覆皮膜22a及22b的表面分別實施鍍Sn，從而形成致密性高的 第2鍍覆皮膜24a及24b的第I鍍覆層26a及26b。此后，進一步對第I鍍覆層26a及26b的表面分別實施鍍Sn作為第2鍍覆皮膜24a及24b的最表層，從而形成致密性低的第2鍍覆層28a及28b。因此，第I鍍覆層26a及26b形成于第2鍍覆層28a及28b的下層。因此，第2鍍覆皮膜24a及24b由層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成。如上所述，形成第I鍍覆皮膜22a、22b及第2鍍覆皮膜24a、24b后進行干燥。如上所述那樣制造圖I所示的層疊陶瓷電容器10。在圖I所示的層疊陶瓷電容器10中，由于第2鍍覆皮膜24a及24b中的最表層中第2鍍覆層28a及28b例如使用Sn作為材料來形成致密性低的鍍覆層，所以能夠抑制晶須的生長。因此，在該層疊陶瓷電容器10中，能夠防止晶須作為原因的短路故障。此外，在圖I所示的層疊陶瓷電容器10中，由于第2鍍覆皮膜24a及24b中的第I鍍覆層26a及26b包含Sn，所以軟釬焊性良好。進而，在圖I所示的層疊陶瓷電容器10中，由于第I鍍覆皮膜22a及20b分別包含Ni，所以能夠防止焊料浸出。進而，在圖I所示的層疊陶瓷電容器10中，由于在第I鍍覆皮膜22a、22b及第2鍍覆皮膜24a、24b等中不使用Pb，所以從環(huán)境保護的觀點來看也優(yōu)異。(實驗例)實驗例中，制造以下所示的實施例I、比較例I及比較例2的層疊陶瓷電容器，對于這些層疊陶瓷電容器，評價皮膜中的晶須。(實施例I)實施例I中，通過上述的方法制造圖I所示的層疊陶瓷電容器10。這種情況下，將層疊陶瓷電容器10的外形尺寸設(shè)定為長度2. 0mm、寬度I. 25mm、高度I. 25mm。此外，作為陶瓷層14(電介體陶瓷)，使用鈦酸鋇系電介體陶瓷。進而，作為內(nèi)部電極16a、16b的材料，使用Ni。進而，作為外部電極20a、20b的材料，使用Cu。此外，實施例I中，在下面的條件下形成第I鍍覆皮膜22a、22b及第2鍍覆皮膜24a、24b。(I)關(guān)于鍍覆浴·用于形成第I鍍覆皮膜的鍍覆浴的組成使用硫酸鎳300g/L、氯化鎳45g/L、硼酸 40mg/L、pH 4. O、浴溫:55°C。·用于形成第2鍍覆皮膜中的第I鍍覆層的鍍覆浴使用石原藥品株式會社制NB-RZS，浴溫30°C，pH :4. 5。該第I鍍覆層作為致密性高的鍍覆層而形成。
用于形成第2鍍覆皮膜中的第2鍍覆層的鍍覆浴的組成硫酸Sn浴(硫酸亞錫50g/L、檸檬酸氫二銨100g/L、硫酸銨150g/L)，浴溫為30°C，pH :4. 5。該第2鍍覆層作為致密性低的鍍覆層而形成。(2)關(guān)于通電條件·第I鍍覆皮膜以電流IOA通電75分鐘，第I鍍覆皮膜的膜厚為3 μ m。 第2鍍覆皮膜中的第I鍍覆層以電流6A通電30分鐘，第I鍍覆層的膜厚為3 μ m0·第2鍍覆皮膜中的第2鍍覆層以電流2A通電30分鐘，第2鍍覆層的膜厚為I μ m0(3)關(guān)于鍍覆裝置
·用于形成第I鍍覆皮膜以及第2鍍覆皮膜中的第I鍍覆層及第2鍍覆層的鍍覆裝置鍍覆方式使用容積300ml、直徑70mm的轉(zhuǎn)筒來進行。介質(zhì)使用40ml材質(zhì)為Sn的直徑O. 7mm的球。攪拌球使用直徑為8. 0mm,50cc的尼龍包覆鐵球。片屑加料量設(shè)定為20ml。此外，轉(zhuǎn)筒轉(zhuǎn)速設(shè)定為20rpm。如上所述，形成第I鍍覆皮膜以及第2鍍覆皮膜中的第I鍍覆層及第2鍍覆層后，在空氣中80°C下干燥15分鐘。另外，形成第I鍍覆皮膜以及第2鍍覆皮膜中的第I鍍覆層及第2鍍覆層后，分別在形成的狀態(tài)下實施純水洗滌。(比較例I)比較例I中，與實施例I同樣地形成Ni鍍覆皮膜(第I鍍覆皮膜)及鍍Sn皮膜(第2鍍覆皮膜)，但作為第2鍍覆皮膜，僅形成致密性高的第I鍍覆層，未形成致密性低的第2鍍覆層。另外，用于形成比較例I中的第2鍍覆皮膜的鍍覆浴與用于實施例I的第2鍍覆皮膜中的第I鍍覆層的鍍覆浴相同。此外，用于形成第2鍍覆皮膜的通電條件設(shè)定為以電流6A通電40分鐘，第2鍍覆皮膜的膜厚為4 μ m。(比較例2)比較例2中，與實施例I同樣地形成Ni鍍覆皮膜(第I鍍覆皮膜)及鍍Sn皮膜(第2鍍覆皮膜)，但作為第2鍍覆皮膜，僅形成致密性低的第2鍍覆層，未形成致密性高的第I鍍覆層。另外，用于形成比較例2中的第2鍍覆皮膜的鍍覆浴與用于實施例I的第2鍍覆皮膜中的第2鍍覆層的鍍覆浴相同。此外，用于形成第2鍍覆皮膜的通電條件設(shè)定為以電流6A通電40分鐘，第2鍍覆皮膜的膜厚為4 μ m。接著，對于實施例I、比較例I及比較例2的各層疊陶瓷電容器，依據(jù)以下所示的JEDEC標準來評價鍍覆皮膜中產(chǎn)生的晶須的生長。晶須的生長的評價通過以下記載的熱沖擊試驗及濕中放置試驗來進行。熱沖擊試驗主要是為了評價因熱膨脹系數(shù)之差而產(chǎn)生的晶須的生長而進行的，濕中放置試驗主要是為了評價因電解腐蝕而產(chǎn)生的晶須的生長而進行的。(熱沖擊試驗) 試樣數(shù)目(電極數(shù)目)6·試驗條件作為最低溫度的_55°C (+0/-10)，作為最高溫度的85°C (+10/-0)，在各溫度下保持10分鐘，在氣相式中給予1500次熱沖擊。 觀察方法使用掃描型電子顯微鏡(SEM)以1000倍的電子顯微鏡照片圖像進行。
·判定基準應(yīng)用Class 2 (通信用基礎(chǔ)設(shè)備、汽車用設(shè)備)，實施例I、比較例I及比較例2的各試樣中，將各自中的晶須最大長度(直線長度)低于45μπι的情況判斷為良好，將為45 μ m以上的情況判斷為不良。(濕中放置試驗) 試驗數(shù)目(電極數(shù)目)6 試驗條件周圍溫度設(shè)定為55°C (+0/-10)，濕度設(shè)定為85% RH，放置4000小時。 觀察方法使用掃描型電子顯微鏡(SEM)以1000倍的電子顯微鏡照片圖像進行。
·判定基準應(yīng)用Class 2 (通信用基礎(chǔ)設(shè)備、汽車用設(shè)備)，實施例I、比較例I及比較例2的試樣中，將各自中的晶須最大長度(直線長度)低于45 μ m的情況判斷為良好，將為45 μ m以上的情況判斷為不良。此外，對于實施例I、比較例I及比較例2的各層疊陶瓷電容器，評價焊料潤濕性。評價通過以下記載的潤濕性評價試驗來進行。(潤濕性評價試驗)潤濕性評價試驗中，對實施例I、比較例I及比較例2中得到的層疊陶瓷電容器使用助焊劑C(松香-乙醇)，浸潰到無鉛焊錫膏M705(Sn-3Ag-0. 5Cu)的焊錫槽(245°C )中。使用焊料潤濕性試驗機(RHESCA制SAT-5000)通過焊錫膏微球平衡法基于零交叉時間來評價實施例I、比較例I及比較例2中的焊料潤濕性。此時，作為判定基準，將零交叉時間的平均值為2秒以下判斷為良好(對應(yīng)標準國際標準IEC60068-2-69、日本工業(yè)標準JISC60068-2-69)。圖3表示實施例I的層疊陶瓷電容器中相對于作為最表層的第2鍍覆皮膜中的第2鍍覆層的表面從垂直上方拍攝的電子顯微鏡照片圖像。此外，表I示出實施例I、比較例I及比較例2中的各試驗結(jié)果和判斷結(jié)果。表I中，評價結(jié)果滿足判定基準的情況下利用“G”表示，不滿足判定基準的情況下利用“NG”表示。表I
對應(yīng)實麵—mm曰曰晶須麵潤濕性評價試驗
實施例 I30 μηχO μιτχGG
比較例 I60 μηιO μηιNGG
比較例 220 μηχGU μηιNGNG首先,看熱沖擊試驗的結(jié)果,實施例I中，晶須最大長度為30 μ m,滿足判定基準。另一方面，比較例I中，晶須最大長度為60 μ m,不滿足判定基準，比較例2中，晶須最大長度為20 μ m。熱沖擊試驗中，實施例I及比較例2中得到良好的結(jié)果的理由是，作為晶須產(chǎn)生的原因，認為是因應(yīng)力集中于鍍Sn皮膜的表層部的一點而被擠出，但通過將鍍Sn皮膜制成彼此致密性不同的鍍覆層，最表層的鍍Sn層制成致密性低的鍍覆層，從而如圖3所示那樣，鍍覆層的表面粗糙且不會作為一個面而形成。因此，認為這是由于通過將鍍覆層中的表層部縱向分割，預(yù)先形成間隙部，從而避免局部性應(yīng)力集中，所以晶須未生長。此外，認為這是由于鍍Sn皮膜由彼此致密性不同的鍍覆層的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成而形成邊界面，所以該邊界面有助于緩和應(yīng)力集中。接著，看濕中放置試驗的結(jié)果，實施例I中，晶須最大長度為O μ m，滿足判定基準。另一方面，比較例I中，晶須最大長度為O μ m,滿足判定基準，比較例2中，晶須最大長度為60 μ m，不滿足判定基準。在濕中放置試驗中，實施例I的晶須的生長得到抑制，認為這是由于，存在于致密性高的鍍覆層與致密性低的鍍覆層之間的邊界面抑制晶須的生長。此外，看潤濕性評價試驗的結(jié)果，實施例I中，焊料潤濕性的試驗結(jié)果滿足判定基準。另一方面，比較例I中，焊料潤濕性的試驗結(jié)果滿足判定基準，比較例2中，焊料潤濕性的試驗結(jié)果不滿足判定基準。 潤濕性評價試驗中，實施例I及比較例I中得到良好的結(jié)果的理由是，起因于若在Sn的鍍覆皮膜整體中，降低致密性，則作為其基底的Ni的鍍覆皮膜無法覆蓋。此外，由于Sn的鍍覆皮膜自身的氧化的進行，導(dǎo)致焊料潤濕性顯著降低。另外，在上述的實施方式及實施例I中，關(guān)于由彼此致密性不同的鍍覆層的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成的第2鍍覆皮膜，最表層制成致密性低的Sn的鍍覆層，在其下層形成致密性高的Sn的鍍覆層，從而制成2層，但并不限定于此，只要最表層的鍍覆層制成致密性低的鍍覆層，形成于其下層的鍍覆層作為致密性高的鍍覆層形成，則也可以是多層。在上述的實施方式及實施例I中，作為電介體，雖然使用鈦酸鋇系的電介體陶瓷，但也可以使用例如鈦酸鈣系、鈦酸鍶系、鋯酸鈣系的電介體陶瓷來代替其。此外，作為陶瓷層14的陶瓷材料，也可以使用例如添加有Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土類化合物等副成分的陶瓷材料。在上述的實施方式及實施例I中，作為內(nèi)部電極，雖然使用Ni，但也可以使用例如Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等來代替其。在上述的實施方式及實施例I中，作為外部電極，雖然使用Cu，但也可以使用例如選自由Ag、Au及Sn組成的組中的I種金屬或含有該金屬的合金來代替其。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明所述的電子部件特別適宜用于例如高密度安裝的層疊陶瓷電容器等電子部件。符號的說明10層疊陶瓷電容器12陶瓷元件14陶瓷層16a、16b 內(nèi)部電極18a、18b 端子電極20a、20b 外部電極22a、22b第I鍍覆皮膜24a、24b第2鍍覆皮膜26a、26b 第 I 鍍覆層
28a、28b 第 2 鍍覆層

30間隙部32邊界面
權(quán)利要求
1.一種電子部件，其是在最外層具備包含鍍Sn皮膜的電極的電子部件，其特征在于， 所述鍍Sn皮膜由彼此致密性不同的2個以上的鍍覆層的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成， 所述鍍覆層中，最表層的鍍覆層是致密性低的鍍覆層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子部件，其特征在于，在所述最表層的鍍覆層的表面，存在沿與所述層疊結(jié)構(gòu)的層疊方向平行的方向延伸的多個間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或權(quán)利要求2所述的電子部件，其中，所述最表層的鍍覆層的厚度為.O.3 μ m以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 權(quán)利要求3中任一項所述的電子部件，其中，相比所述最表層為下層的鍍覆層的厚度是Iym以上。
全文摘要
本發(fā)明提供抑制晶須的生長、且焊料潤濕性優(yōu)異的電子部件。作為電子部件的層疊陶瓷電容器(10)包含例如長方體狀的電子部件元件(12)。在電子部件元件(12)的一端面及另一端面形成端子電極(18a、18b)的外部電極(20a、20b)。在外部電極(20a、20b)的表面形成由鍍Ni構(gòu)成的第1鍍覆皮膜(22a、22b)。在第1鍍覆皮膜(22a、22b)的表面形成第2鍍覆皮膜(24a、24b)。第2鍍覆皮膜(24a、24b)通過第1鍍覆層(26a、26b)及第2鍍覆層(28a、28b)形成為層疊結(jié)構(gòu)。第2鍍覆層(28a、28b)作為與第1鍍覆層(26a、26b)相比致密性較低的鍍覆層形成。
文檔編號H01G4/30GK102820132SQ201210181690
公開日2012年12月12日 申請日期2012年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月7日
發(fā)明者小川誠, 元木章博, 齊藤篤子, 增子賢仁, 藤原敏伸 申請人:株式會社村田制作所