專利名稱：Led芯片鍵合方法及l(fā)ed芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電器件制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及ー種LED芯片鍵合方法及LED芯片。
背景技術(shù)：
在當(dāng)前全球能源短缺的憂慮再度升高的背景下，節(jié)約能源是我們未來面臨的重要的問題。在照明領(lǐng)域，LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二級管)的應(yīng)用正吸引著世人的目光，LED作為ー種新型的緑色光源產(chǎn)品，必然是未來發(fā)展的趨勢，二十一世紀(jì)將進(jìn)入以LED為代表的新型照明光源時代。LED的應(yīng)用中，LED芯片的制造是其中最為關(guān)鍵的ー個步驟，而芯片鍵合是LED芯片制造過程中優(yōu)選的ー個エ藝過程。芯片鍵合主要是指在兩種襯底/基板上生長相應(yīng)的 金屬層，然后通過一定的外界條件使兩種襯底上生長的金屬層粘合在一起。目前，對于GaN基外延層都是在同質(zhì)或異質(zhì)襯底上通過外延エ藝生長，然而若不將外延層轉(zhuǎn)移到其它襯底上，則無論從應(yīng)カ的釋放、光的吸收、散熱等方面都會對器件造成影響，使其發(fā)光效率較低。若將GaN基外延層通過芯片鍵合轉(zhuǎn)移到散熱性好，膨脹系數(shù)相近的基板上，不僅能提高器件的可靠性，還能避免異質(zhì)襯底對光的吸收，顯著提高光強(qiáng)，更利于滿足固態(tài)照明對LED可靠性和光強(qiáng)的需求。目前，LED芯片轉(zhuǎn)移方式大多采用固態(tài)Au-Au擴(kuò)散鍵合或者Au-Sn共晶鍵合，且Au層的厚度至少需要I微米，而Au-Sn共晶鍵合的共晶溫度需要280°C左右，這樣后面LED芯片的制造エ藝和焊線都不能超過這個溫度，導(dǎo)致エ藝窗ロ狹窄。以上無論采用固相Au-Au擴(kuò)散鍵合或者Au-Sn共晶鍵合，所使用的Au含量至少70%以上，而Au作為貴金屬，會大幅度増加制造成本，阻礙LED進(jìn)入照明領(lǐng)域。針對以上問題，有必要尋找ー種更適合的鍵合方式解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供ー種LED芯片鍵合方法及LED芯片，以解決現(xiàn)有技術(shù)的芯片鍵合方法中制造成本高或者エ藝窗ロ狹窄的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供ー種LED芯片鍵合方法，包括提供襯底，所述襯底上順次形成有外延層、歐姆接觸層、第一粘結(jié)層、第一釬料阻擋層及第一鍵合層；提供基板，所述基板上順次形成有第二粘結(jié)層、第二釬料阻擋層及第ニ鍵合層；在第一鍵合層表面和/或第二鍵合層表面形成釬料層，所述釬料層的材料為金屬或者合金；將所述襯底與基板貼合，其中，所述釬料層的表面為貼合面，直至所述釬料層完全擴(kuò)散至所述第一鍵合層及第ニ鍵合層?？蛇x的，在所述的LED芯片鍵合方法中，所述釬料層的材料為熔點(diǎn)小于等于400°C的金屬或者含熔點(diǎn)小于400°C金屬的合金。可選的，在所述的LED芯片鍵合方法中，所述釬料層的材料為Sn、In、Pb、Bi、SnxCu1-P SnxPo1-P BixSn1_x> PbxSbySn1^v> SnxAg1^ 或 SnxAgyCu1Ty。可選的，在所述的LED芯片鍵合方法中，所述釬料層擴(kuò)散至所述第一鍵合層及第ニ鍵合層后，形成混合層，所述混合層在600°C以下物化性能穩(wěn)定?？蛇x的，在所述的LED芯片鍵合方法中，所述混合層的材料為合金。可選的，在所述的LED芯片鍵合方法中，所述混合層的材料為NixSrvx、NixIn1^x,CuxSrvx、CrxIrvx 或 TixIrw可選的，在所述的LED芯片鍵合方法中，所述第一鍵合層及第ニ鍵合層的材料為Pt、Ni、Ti、Cu 和 Cr 中的ー種。
可選的，在所述的LED芯片鍵合方法中，所述第一釬料阻擋層及第ニ釬料阻擋層的材料為Pt、Ni、TiW、W、TiN和TiWN中的一種或組合?？蛇x的，在所述的LED芯片鍵合方法中，所述第一粘結(jié)層和第二粘結(jié)層的材料為Ti、Cr 或 Ni。可選的，在所述的LED芯片鍵合方法中，在所述歐姆接觸層和第一粘結(jié)層之間還形成有反射鏡層和/或反射鏡阻擋層。可選的，在所述的LED芯片鍵合方法中，所述釬料層、第一鍵合層、第二鍵合層、第ー釬料阻擋層、第二釬料阻擋層、第一粘結(jié)層及第ニ粘結(jié)層均通過熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、濺射、電鍍或噴涂的方式形成?？蛇x的，在所述的LED芯片鍵合方法中，所述LED芯片的結(jié)構(gòu)為垂直結(jié)構(gòu)或者倒裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供ー種LED芯片，包括襯底；位于所述襯底上的外延層、歐姆接觸層、第一粘結(jié)層、第一釬料阻擋層及混合層；位于所述混合層上的第二釬料阻擋層、第二粘結(jié)層及基板?？蛇x的，在所述的LED芯片中，所述混合層在600°C以下物化性能穩(wěn)定?？蛇x的，在所述的LED芯片中，所述混合層的材料為合金?？蛇x的，在所述的LED芯片中，所述混合層的材料為NixSrvx, NixIrvx, CuxSrvxCrxIrvx 或 TixIn1Y可選的，在所述的LED芯片中，所述第一釬料阻擋層及第ニ釬料阻擋層的材料為Pt、Ni、TiW、W、TiN和TiWN中的一種或組合。可選的，在所述的LED芯片中，所述第一粘結(jié)層和第二粘結(jié)層的材料為Ti、Cr或Ni。可選的，在所述的LED芯片中，在所述歐姆接觸層和第一粘結(jié)層之間還形成有反射鏡層和/或反射鏡阻擋層。可選的，在所述的LED芯片中，所述第一釬料阻擋層、第二釬料阻擋層、第一粘結(jié)層及第二粘結(jié)層均通過熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、濺射、電鍍或噴涂的方式形成?？蛇x的，在所述的LED芯片中，所述LED芯片的結(jié)構(gòu)為垂直結(jié)構(gòu)或者倒裝結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明提供的LED芯片鍵合方法及LED芯片中，避免了 Au-Au固相擴(kuò)散鍵合或Au-Sn共晶鍵合，即避免或減少了貴金屬的使用，從而降低了 LED芯片制造成本。此外，在發(fā)明提供的LED芯片鍵合方法及LED芯片中，通過釬料層完全熔化，擴(kuò)散至第一鍵合層及第ニ鍵合層進(jìn)行鍵合，即利用了液相擴(kuò)散焊，由此能夠在較低的溫度下使釬料層熔化、擴(kuò)散，與第一、第二鍵合層形成穩(wěn)定的混合層，獲得較佳的鍵和界面。
圖I是本發(fā)明實施例的LED芯片鍵合方法的流程示意圖；圖2a 2e是本發(fā)明實施例一的LED芯片鍵合方法中的器件剖面示意圖；圖3是本發(fā)明實施例ニ的LED芯片鍵合方法中的器件剖面示意圖；圖4是本發(fā)明實施例三的LED芯片鍵合方法中的器件剖面示意圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的LED芯片鍵合方法及LED芯片作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。請參考圖1，其為本發(fā)明實施例的LED芯片鍵合方法的流程示意圖。如圖I所示，所述LED芯片鍵合方法包括如下步驟S10:提供襯底，所述襯底上順次形成有外延層、歐姆接觸層、第一粘結(jié)層、第一釬料阻擋層及第一鍵合層；Sll :提供基板，所述基板上順次形成有第二粘結(jié)層、第二釬料阻擋層及第ニ鍵合層；S12 :在第一鍵合層表面和/或第二鍵合層表面形成釬料層，所述釬料層的材料為金屬或者合金；S13:將所述襯底與基板貼合，其中，所述釬料層的表面為貼合面，直至所述釬料層完全擴(kuò)散至所述第一鍵合層及第ニ鍵合層。其中，該LED芯片鍵合方法既可用于垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片制造，形成垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片；也可用于倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片制造，形成倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片。接著，將通過如下三個實施例予以進(jìn)ー步說明。實施例一請參考圖2a 2e，其為是本發(fā)明實施例一的LED芯片鍵合方法中的器件剖面示意圖。首先，如圖2a所示，提供襯底20，所述襯底20上順次形成有外延層20a、歐姆接觸層20b、第一粘結(jié)層20c、第一釬料阻擋層20d及第一鍵合層20e。優(yōu)選的，所述襯底20的材料為GaN，所述外延層20a為GaN基外延層，所述外延層20a通過外延エ藝形成。在本發(fā)明的其他實施例中，所述襯底20的材料也可以為硅、碳化硅、GaAs、AlN或者ZnO等。在本實施例中，所述第一粘結(jié)層20c的材料為Ti，其厚度為30nnT70nm，優(yōu)選的，所述第一粘結(jié)層20c的厚度為50nm。所述第一釬料阻擋層20d的材料為Pt，其厚度為150nnT250nm,優(yōu)選的,所述第一釬料阻擋層20d的厚度為200nm。所述第一鍵合層20e的材料為Ni，其厚度為O. 8微米 I. 2微米，優(yōu)選的，所述第一鍵合層20e的厚度為I微米。其中，所述歐姆接觸層20b、第一粘結(jié)層20c、第一釬料阻擋層20d及第一鍵合層20e均可通過熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、濺射、電鍍或噴涂的方式形成。所述外延層20a可通過MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition,金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積)エ藝形成。接著，如圖2b所示，提供基板21，所述基板21上順次形成有第二粘結(jié)層21a、第二釬料阻擋層21b及第ニ鍵合層21c。在本實施例中，所述第二粘結(jié)層21a的材料為Ti，其厚度為30nnT70nm,優(yōu)選的,所述第一粘結(jié)層20c的厚度為50nm。所述第二釬料阻擋層21b的材料為Pt，其厚度為150nnT250nm，優(yōu)選的，所述第一釬料阻擋層20d的厚度為200nm。所 述第二鍵合層21c的材料為Ni，其厚度為O. 8微米 1. 2微米，優(yōu)選的，所述第一鍵合層20e的厚度為I微米。其中，所述第二粘結(jié)層21a、第二釬料阻擋層21b及第ニ鍵合層21c均可通過熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、濺射、電鍍或噴涂的方式形成。接著，如圖2c所示，在所述第一鍵合層20e表面形成釬料層22，在此，所述釬料層22的材料為Sn，其厚度為300nnT700nm，優(yōu)選的，所述釬料層22的厚度為500nm。該釬料層22可通過熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、濺射、電鍍或噴涂的方式形成。接著，如圖2d所示，將所述襯底20與基板21貼合，其中，所述釬料層22的表面為貼合面。即，在此將所述釬料層22的表面與所述第二鍵合層21c的表面貼合。具體的，在Sn (釬料層22的材料)的熔點(diǎn)溫度之上執(zhí)行該エ藝步驟。優(yōu)選的，在280°C下，真空環(huán)境中，IT的壓カ下執(zhí)行該エ藝步驟。該エ藝步驟將持續(xù)一定時間，直至所述釬料層22完全擴(kuò)散至所述第一鍵合層20e及第ニ鍵合層21c。如圖2e所示，最終，所述釬料層22將完全擴(kuò)散至所述第一鍵合層20e及第ニ鍵合層21c，由此，便完成了鍵合エ藝。在所述釬料層22完全擴(kuò)散至所述第一鍵合層20e及第ニ鍵合層21c之后，將形成新的膜層ー混合層23。該混合層23的材料為合金(具體在此為NixSrvx),其具有很高的穩(wěn)定性，通常，在室溫至600°C (或者說600°C以下)，其能夠保持穩(wěn)定的物化性能(即物理化學(xué)性能穩(wěn)定)。由于通過該LED芯片鍵合エ藝所形成的鍵合截面(混合層23)穩(wěn)定，其能夠為后續(xù)エ藝提供很寬的エ藝窗ロ，便于安全、可靠地執(zhí)行后續(xù)エ藝。此外，通過該LED芯片鍵合エ藝無需使用昂貴的Au，在此，僅使用了價格更為低廉的Sn，由此，極大地降低了制造成本。在此，對于釬料層22、第一鍵合層20e及第ニ鍵合層21c的材料優(yōu)選為具有很好浸潤性能的材料，由此，可提高釬料層22與第一鍵合層20e的粘結(jié)性能，以及后續(xù)釬料層22擴(kuò)散至第一鍵合層20e及第ニ鍵合層21c，并形成性能穩(wěn)定的混合層23。在本實施例中，通過所述第一釬料阻擋層20d及第ニ釬料阻擋層21b可在釬料層22擴(kuò)散的過程中，阻止釬料層22往第一粘結(jié)層20c及其下膜層，第二粘結(jié)層21a及其下膜層擴(kuò)散，從而提高所形成的LED芯片的可靠性。同時，通過所述第一粘結(jié)層20c及第ニ粘結(jié)層21a可很好的粘結(jié)其上下膜層，進(jìn)ー步提高LED芯片的可靠性。具體的，在本實施例中，釬料層22的Sn會熔化，接著擴(kuò)散到第一鍵合層20e及第ニ鍵合層21c當(dāng)中與之形成穩(wěn)定合金，而第一釬料阻擋層20d及第ニ釬料阻擋層21b的Pt的作用是阻擋釬料層22的Sn擴(kuò)散到第一粘結(jié)層20c及第ニ粘結(jié)層21a中與之形成有害相，破壞器件穩(wěn)定性，進(jìn)而提高所形成的器件的可靠性。請繼續(xù)參考圖2e，通過上述LED芯片鍵合方法可形成一 LED芯片，其包括襯底；位于所述襯底上的外延層20a、歐姆接觸層20b、第一粘結(jié)層20c、第一釬料阻擋層20d及混合層23 ；位于所述混合層23上的第二釬料阻擋層21b、第二粘結(jié)層21a及基板21。當(dāng)然，在完成LED芯片鍵合エ藝及由此形成了一器件之后，還可繼續(xù)后續(xù)エ藝，如將襯底20剝離等，此為現(xiàn)有エ藝，本申請對此不再贅述。實施例ニ
請參考圖3，其為本發(fā)明實施例ニ的LED芯片鍵合方法中的器件剖面示意圖。如圖3所示，在本實施例中，提供襯底30，所述襯底30上順次形成有外延層30a、歐姆接觸層30b、反射鏡層30c、反射鏡阻擋層30d、第一粘結(jié)層30e、第一釬料阻擋層30f及第一鍵合層30g。其中，所述第一粘結(jié)層30e的材料為Ti,其厚度優(yōu)選為50nm ;所述第一釬料阻擋層30f的材料為TiW，其厚度優(yōu)選為200nm ;所述第一鍵合層30g的材料為Ni，其厚度優(yōu)選為I微米。請繼續(xù)參考圖3，提供基板31，所述基板31上順次形成有第二粘結(jié)層31a、第二釬料阻擋層31b、第二鍵合層31c及釬料層32。其中，所述第二粘結(jié)層31a的材料為Ti，其厚度優(yōu)選為50nm ;所述第二釬料阻擋層31b的材料為TiW，其厚度優(yōu)選為200nm ;所述第二鍵合層31c的材料為Ni，其厚度優(yōu)選為I微米；所述釬料層32的材料為SnxCUl_x，其厚度優(yōu)選為 500nm。接著，可參考實施例一，將所述襯底30與基板31貼合，其中，所述釬料層32的表面為貼合面，在本實施例中，即指釬料層32的表面與第一鍵合層30g表面貼合，直至所述釬料層32完全擴(kuò)散至所述第一鍵合層30g及第ニ鍵合層31c，最終完成鍵合。具體的，在280°C下，真空環(huán)境中，IT的壓カ下進(jìn)行貼合，直至釬料層32完全擴(kuò)散。本實施例中釬料層32的SnxCUh合金中的Sn會熔化，接著擴(kuò)散到第一鍵合層30g和第二鍵合層31c當(dāng)中與之形成穩(wěn)定合金，而第一釬料阻擋層30f和第二釬料阻擋層31b的TiW的作用是阻擋Sn擴(kuò)散到第一粘結(jié)層30e和第二粘結(jié)層31a中與之形成有害相，破壞器件穩(wěn)定性，進(jìn)而提高所形成的器件的可靠性。本實施例與實施例一的差別在于在實施例一中，釬料層形成于第一鍵合層之上，而在本實施例中釬料層形成于第二鍵合層之上；此外，所述釬料層、第一釬料阻擋層及第ニ釬料阻擋層的材料也與實施例一的不同。但是，在本實施例提供的LED芯片鍵合方法中，同樣能夠?qū)崿F(xiàn)實施例一所提到有益效果。同時，本實施例未提及的エ藝步驟可相應(yīng)參考實施例一。實施例三請參考圖4，其為本發(fā)明實施例三的LED芯片鍵合方法中的器件剖面示意圖。如圖4所示，在本實施例中，提供襯底40，所述襯底40上順次形成有外延層40a、歐姆接觸層40b、反射鏡層40c、反射鏡阻擋層40d、第一粘結(jié)層40e、第一釬料阻擋層40f、第一鍵合層40g、第一釬料層42。其中，所述第一粘結(jié)層40e的材料為Ti，其厚度優(yōu)選為50nm ；所述第一釬料阻擋層40f的材料為TiW，其厚度優(yōu)選為200nm ;所述第一鍵合層40g的材料為Ni，其厚度優(yōu)選為I微米；所述第一釬料層42的材料為SnxCUl_x，其厚度優(yōu)選為250nm。請繼續(xù)參考圖4，提供基板41，所述基板41上順次形成有第二粘結(jié)層41a、第二釬料阻擋層41b、第二鍵合層41c及第二釬料層42’。其中，所述第二粘結(jié)層41a的材料為Ti，其厚度優(yōu)選為50nm ;所述第二釬料阻擋層41b的材料為TiW，其厚度優(yōu)選為200nm ;所述第二鍵合層41c的材料為Ni，其厚度優(yōu)選為I微米；所述第二釬料層42’的材料為SnxCUl_x，其厚度優(yōu)選為250nm。本實施例與實施例二的差別在于，釬料層分為第一釬料層42及第二釬料層42’，分別形成于第一鍵合層40g及第二鍵合層41c上。其同樣能夠?qū)崿F(xiàn)相應(yīng)的有益效果，同時，本實施例未提及的工藝步驟可相應(yīng)參考實施例一及實施例二。
需說明的是，釬料層、第一鍵合層、第二鍵合層、第一釬料阻擋層、第二釬料阻擋層、第一粘結(jié)層、第二粘結(jié)層的材料并不限定于上述提及的各種材料。例如，所述釬料層的材料可以為 SruIruPtKBiUSnxCUh'SnxPbh'BixSnh'PbxSbySnh-y、SnxAgh 或 SnxAgyCu1H,優(yōu)選的，所述釬料層的材料為熔點(diǎn)小于等于400°C的金屬或者含熔點(diǎn)小于400°C金屬的合金；所述第一鍵合層及第二鍵合層的材料可以為Pt、Ni、Ti、Cu和Cr中的一種；所述第一釬料阻擋層及第二釬料阻擋層的材料可以為Pt、Ni、TiW、W、TiN和TiWN中的一種或組合；所述第一粘結(jié)層和第二粘結(jié)層的材料可以為Ti、Cr或Ni。此外，根據(jù)不同的釬料層材料及不同的第一鍵合層、第二鍵合層材料，所述混合層也將由不同的材料形成，例如=NixSn1+ NixIrvx、CuxSrvxXrxIrvx或TixIrvx等。當(dāng)然，并不限定于上述所列舉的材料，各膜層也可以通過其他材料形成，其只需滿足實施例一中所提及的功能即可。上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.ー種LED芯片鍵合方法，其特征在于，包括 提供襯底，所述襯底上順次形成有外延層、歐姆接觸層、第一粘結(jié)層、第一釬料阻擋層及第一鍵合層； 提供基板，所述基板上順次形成有第二粘結(jié)層、第二釬料阻擋層及第ニ鍵合層； 在第一鍵合層表面和/或第二鍵合層表面形成釬料層，所述釬料層的材料為金屬或者合金； 將所述襯底與基板貼合，其中，所述釬料層的表面為貼合面，直至所述釬料層完全擴(kuò)散至所述第一鍵合層及第ニ鍵合層。
2.如權(quán)利要求I所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述釬料層的材料為熔點(diǎn)小于等于400°C的金屬或者含熔點(diǎn)小于400°C金屬的合金。
3.如權(quán)利要求I所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述釬料層的材料為Sn、In、Pb、Bi、SnxCu1-P SnxPb1-P BixSn1_x> PbxSbySn1^y> SnxAg1^ 或 SnxAgyCu1-Py。
4.如權(quán)利要求I所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述釬料層擴(kuò)散至所述第一鍵合層及第ニ鍵合層后，形成混合層，所述混合層在600°C以下物化性能穩(wěn)定。
5.如權(quán)利要求4所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述混合層的材料為合金。
6.如權(quán)利要求5所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述混合層的材料為NixSrvx,NixIrvx、CuxSn1^x, CrxIrvx 或 TixIrvx。
7.如權(quán)利要求I所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述第一鍵合層及第ニ鍵合層的材料為Pt、Ni、Ti、Cu和Cr中的ー種。
8.如權(quán)利要求I所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述第一釬料阻擋層及第ニ釬料阻擋層的材料為Pt、Ni、TiW、W、TiN和TiWN中的一種或組合。
9.如權(quán)利要求I所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述第一粘結(jié)層和第二粘結(jié)層的材料為Ti、Cr或Ni。
10.如權(quán)利要求I至9中的任一項所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，在所述歐姆接觸層和第一粘結(jié)層之間還形成有反射鏡層和/或反射鏡阻擋層。
11.如權(quán)利要求I至9中的任一項所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述釬料層、第一鍵合層、第二鍵合層、第一釬料阻擋層、第二釬料阻擋層、第一粘結(jié)層及第ニ粘結(jié)層均通過熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、濺射、電鍍或噴涂的方式形成。
12.如權(quán)利要求I至9中的任一項所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述LED芯片的結(jié)構(gòu)為垂直結(jié)構(gòu)或者倒裝結(jié)構(gòu)。
13.ー種LED芯片，其特征在于，包括 襯底； 位于所述襯底上的外延層、歐姆接觸層、第一粘結(jié)層、第一釬料阻擋層及混合層； 位于所述混合層上的第二釬料阻擋層、第二粘結(jié)層及基板。
14.如權(quán)利要求13所述的LED芯片，其特征在于，所述混合層在600°C以下物化性能穩(wěn)定。
15.如權(quán)利要求13所述的LED芯片，其特征在于，所述混合層的材料為合金。
16.如權(quán)利要求15所述的LED芯片，其特征在于，所述混合層的材料為NixSrvx,NixIrvx、CuxSn1^x, CrxIrvx 或 TixIrvx。
17.如權(quán)利要求13所述的LED芯片，其特征在于，所述第一釬料阻擋層及第ニ釬料阻擋層的材料為Pt、Ni、TiW、W、TiN和TiWN中的一種或組合。
18.如權(quán)利要求13所述的LED芯片，其特征在于，所述第一粘結(jié)層和第二粘結(jié)層的材料為 Ti、Cr 或 Ni。
19.如權(quán)利要求13至18中的任一項所述的LED芯片，其特征在于，在所述歐姆接觸層和第一粘結(jié)層之間還形成有反射鏡層和/或反射鏡阻擋層。
20.如權(quán)利要求13至18中的任一項所述的LED芯片，其特征在于，所述第一釬料阻擋層、第二釬料阻擋層、第一粘結(jié)層及第ニ粘結(jié)層均通過熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、濺射、電鍍或噴涂的方式形成。
21.如權(quán)利要求13至18中的任一項所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片的結(jié)構(gòu)為垂直結(jié)構(gòu)或者倒裝結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種LED芯片鍵合方法及LED芯片，其中，所述LED芯片鍵合方法包括提供襯底，所述襯底上順次形成有外延層、歐姆接觸層、第一粘結(jié)層、第一釬料阻擋層及第一鍵合層；提供基板，所述基板上順次形成有第二粘結(jié)層、第二釬料阻擋層及第二鍵合層；在第一鍵合層表面和/或第二鍵合層表面形成釬料層，所述釬料層的材料為金屬或者合金；將所述襯底與基板貼合，其中，所述釬料層的表面為貼合面，直至所述釬料層完全擴(kuò)散至所述第一鍵合層及第二鍵合層。通過避免Au-Au固相擴(kuò)散鍵合或Au-Sn共晶鍵合，即避免或減少了貴金屬的使用，從而降低了LED芯片制造成本。
文檔編號H01L33/00GK102694089SQ201210186840
公開日2012年9月26日 申請日期2012年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月6日
發(fā)明者萬遠(yuǎn)濤, 封飛飛, 張昊翔, 李東昇, 江忠永, 金豫浙 申請人:杭州士蘭明芯科技有限公司