一種高壓結(jié)型場效應晶體管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高壓結(jié)型場效應晶體管，包括：第一導電類型外延層上的第二導電類型漂移區(qū)；第二導電類型漂移區(qū)中的第二導電類型漏極重摻雜區(qū)；第二導電類型漏極重摻雜區(qū)一側(cè)、第二導電類型漂移區(qū)上的漏端場氧區(qū)；第二導電類型漂移區(qū)一側(cè)的第一導電類型阱區(qū)；第一導電類型阱區(qū)上的第二導電類型源極重摻雜區(qū)和第一導電類型柵極重摻雜區(qū)及柵源端場氧區(qū)；第二導電類型源極重摻雜區(qū)與第二導電類型漂移區(qū)之間的第二導電類型溝道層；第二導電類型溝道層之上的介電層和場極板；其漏極由第二導電類型漏極重摻雜區(qū)引出，源極由場極板與第二導電類型源極重摻雜區(qū)連接后引出，柵極由第一導電類型柵極重摻雜區(qū)引出。該晶體管具有高的崩潰電壓，且易于集成。
【專利說明】一種高壓結(jié)型場效應晶體管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種場效應晶體管的器件結(jié)構(gòu)，尤其涉及ー種應用于高壓下的結(jié)型場效應晶體管(JFET, Junction Field Effect Transistor),屬于半導體器件制造領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]場效應晶體管(Field Effect Transistor)廣泛應用于各類模擬電路的設(shè)計,例如:放大器電路、偏壓或降壓電路、啟動電路、可變電阻……等等。隨著高壓器件需求的日益増加，如何提高各種場效應晶體管的崩潰電壓，已成為高壓場效應晶體管器件設(shè)計的目標。
[0003]對于金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET,Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor),一種利用平面擴散技術(shù)的 DMOS (Double-diffused M0S)結(jié)構(gòu)，具有高電流驅(qū)動能力、低導通電阻和高擊穿電壓等特點，在功率器件中有廣泛應用。其中，橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管(LDM0SFET，Lateral Double-diffused MOSFET)由于更容易與CMOSエ藝兼容而被廣泛采用。通常LDMOS的器件結(jié)構(gòu)在有源區(qū)和漏區(qū)之間設(shè)有漂移區(qū)，并且漂移區(qū)的雜質(zhì)濃度比較低，當LDMOS接高壓時，漂移區(qū)由于是高阻，能夠承受較高的電壓。另外，LDMOS的多晶層或金屬層擴展到漂移區(qū)的場氧區(qū)上面，充當場極板，可以弱化漂移區(qū)的表面電場，有利于提高提高崩潰電壓。
[0004]對于結(jié)型場效應晶體管(JFET,Junction Field Effect Transistor),與LDM0SFET不同，其漏極電壓加在漏極與柵極的PN結(jié)上，且擊穿點一般在體內(nèi)，不是在表面，所以場極板等方式都不能提高其崩潰電壓，故傳統(tǒng)的結(jié)型場效應晶體管JFET受限于PN結(jié)，其崩潰電壓約為2(T30V左右，限制了`其在高壓領(lǐng)域的應用。
[0005]然而，對于日漸興起的高壓半導體集成電路エ藝而言，不僅需要高壓MOS晶體管，同時也需要提供具有更高崩潰電壓、且能與CM0S/LDM0S集成電路制造エ藝兼容的高壓JFET,以滿足更多電源管理等芯片的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種高壓結(jié)型場效應晶體管，該晶體管具有高的崩潰電壓，且能與CM0S/LDM0S集成電路制造エ藝兼容。
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種高壓結(jié)型場效應晶體管，包括:
具有第一導電類型外延層的半導體襯底；
位于所述第一導電類型外延層上的第二導電類型漂移區(qū)；
位于所述第二導電類型漂移區(qū)中的第二導電類型漏極重摻雜區(qū)；
位于所述第二導電類型漏極重摻雜區(qū)ー側(cè)、第二導電類型漂移區(qū)上的漏端場氧區(qū)；
位于所述第二導電類型漂移區(qū)ー側(cè)的第一導電類型阱區(qū)，所述第一導電類型阱區(qū)與所述第二導電類型漂移區(qū)之間由第一導電類型外延層隔開；
位于所述第一導電類型阱區(qū)上的第二導電類型源極重摻雜區(qū)和第一導電類型柵極重摻雜區(qū)，所述第二導電類型源極重摻雜區(qū)和第一導電類型柵極重摻雜區(qū)之間設(shè)有柵源端場氧區(qū)將其隔開；
位于所述第二導電類型源極重摻雜區(qū)與第二導電類型漂移區(qū)之間的第二導電類型溝道層；
位于所述第二導電類型溝道層之上的場極板，所述場極板延伸至所述漏端場氧區(qū)的部分表面，所述場極板與所述第二導電類型溝道層和第二導電類型漂移區(qū)之間設(shè)有介電層；其中，漏極由第二導電類型漏極重摻雜區(qū)電引出；源極由所述場極板與第二導電類型源極重摻雜區(qū)電連接后引出；柵極由第一導電類型柵極重摻雜區(qū)電引出。
[0008]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述第二導電類型溝道層為離子注入形成的第二導電類型注入層。
[0009]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述場極板為多晶層或金屬層。
[0010]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，在所述高壓場效應晶體管兩側(cè)設(shè)有第二導電類型阱區(qū)，在所述第一導電類型外延層之下設(shè)有第二導電類型深阱區(qū)，以將所述高壓場效應晶體管隔離。
[0011]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，在所述第二導電類型漂移區(qū)相對第一導電類型阱區(qū)的另一側(cè)設(shè)有抗高壓結(jié)構(gòu)。
[0012]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述第一導電類型為P型，第二導電類型為N型。
[0013]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述第一導電類型為N型，第二導電類型為P型。
[0014]另ー種高壓結(jié)型場效應晶體管，包括:
具有第一導電類型外延層的半導體襯底；
位于所述第一導電類型外延層上的第二導電類型漂移區(qū)；
位于所述第二導電類型漂移區(qū)中的第二導電類型漏極重摻雜區(qū)；
分別位于所述第二導電類型漏極重摻雜區(qū)兩側(cè)、第二導電類型漂移區(qū)上的漏端場氧
區(qū)；
分別位于所述第二導電類型漂移區(qū)兩側(cè)的第一導電類型阱區(qū)，所述第一導電類型阱區(qū)與所述第二導電類型漂移區(qū)之間由第一導電類型外延層隔開；
位于所述第一導電類型阱區(qū)上的第二導電類型源極重摻雜區(qū)和第一導電類型柵極重摻雜區(qū)，所述第二導電類型源極重摻雜區(qū)和第一導電類型柵極重摻雜區(qū)之間設(shè)有柵源端場氧區(qū)將其隔開；
分別位于所述第二導電類型源極重摻雜區(qū)與第二導電類型漂移區(qū)之間的第二導電類型溝道層；
分別位于所述第二導電類型溝道層之上的場極板，所述場極板延伸至漏端場氧區(qū)的部分表面，所述場極板與所述第二導電類型溝道層和第二導電類型漂移區(qū)之間設(shè)有介電層；其中，漏極由第二導電類型漏極重摻雜區(qū)電引出；源極由漏極兩側(cè)的場極板與第二導電類型源極重摻雜區(qū)電連接后引出；柵極由漏極兩側(cè)的第一導電類型柵極重摻雜區(qū)電連接后引出。
[0015]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述第二導電類型溝道層為離子注入形成的第二導電類
型注入層。
[0016]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述場極板為多晶層或金屬層。[0017]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，在所述高壓場效應晶體管兩側(cè)設(shè)有第二導電類型阱區(qū)，在所述第一導電類型外延層之下設(shè)有第二導電類型深阱區(qū)，以將所述高壓場效應晶體管隔離。
[0018]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述第一導電類型為P型，第二導電類型為N型。
[0019]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述第一導電類型為N型，第二導電類型為P型。
[0020]本發(fā)明的有益效果在于:
本發(fā)明提供的高壓結(jié)型場效應晶體管借鑒了 LDMOS的耐高壓結(jié)構(gòu)，將溝道設(shè)置于外延層表面，并利用RESURF (降低表面電場)原理在溝道和漏端場氧區(qū)上設(shè)置場極板，極大地堤高了 JFET的崩潰電壓；其截止電壓可由溝道注入層的注入條件進行調(diào)節(jié)；且其制造エ藝可與典型CM0S/LDM0S集成電路制造エ藝兼容，滿足了高壓半導體集成電路エ藝的需求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為本發(fā)明一實施例中高壓JFET器件結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖2為本發(fā)明另ー實施例中高壓JFET器件結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖3為本發(fā)明另ー實施例中高壓JFET器件的Id-Vgs特性曲線。
[0025]圖4為本發(fā)明另ー實施例中高壓JFET器件的Id-Vds特性曲線。
【具體實施方式】
[0026]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0027]正如【背景技術(shù)】部分所述，傳統(tǒng)的結(jié)型場效應晶體管JFET受限于PN結(jié)，其崩潰電壓約為2(T30V左右，為了滿足高壓半導體集成電路エ藝的需要，本發(fā)明提供了一種高壓JFET，使其可以應用于更高的輸入電壓，并與CM0S/LDM0S集成電路制造エ藝兼容。下面結(jié)合附圖對該器件結(jié)構(gòu)進行詳細的描述。
[0028]實施例一
請參閱圖1，一種高壓結(jié)型場效應晶體管，包括:
具有第一導電類型外延層100的半導體襯底；位于所述第一導電類型外延層100上的第二導電類型漂移區(qū)110 ;位于所述第二導電類型漂移區(qū)110中的第二導電類型漏極重摻雜區(qū)120 ;位于所述第二導電類型漏極重摻雜區(qū)120 —側(cè)、第二導電類型漂移區(qū)110上的漏端場氧區(qū)130 ;位于所述第二導電類型漂移區(qū)110 —側(cè)的第一導電類型阱區(qū)140，所述第一導電類型阱區(qū)140與所述第二導電類型漂移區(qū)110之間由第一導電類型外延層100隔開；位于所述第一導電類型阱區(qū)140上的第二導電類型源極重摻雜區(qū)150和第一導電類型柵極重摻雜區(qū)160，所述第二導電類型源極重摻雜區(qū)150和第一導電類型柵極重摻雜區(qū)160之間設(shè)有柵源端場氧區(qū)170將其隔開；位于所述第二導電類型源極重摻雜區(qū)150與第二導電類型漂移區(qū)110之間的第二導電類型溝道層180 ;位于所述第二導電類型溝道層180之上的場極板190,所述場極板190延伸至所述漏端場氧區(qū)130的部分表面,所述場極板190與所述第二導電類型溝道層180和第二導電類型漂移區(qū)110之間設(shè)有介電層191 ;漏極D由第ニ導電類型漏極重摻雜區(qū)120電引出；源極S由所述場極板190與第二導電類型源極重摻雜區(qū)150電連接后引出；柵極G由第一導電類型柵極重摻雜區(qū)160電引出。
[0029]當所述第一導電類型選為P型，第二導電類型選為N型時，則該器件為N溝道JFET ;當所述第ー導電類型選為N型，第二導電類型選為P型吋，則該器件為P溝道JFET。漏極D、源極S、柵極G的引出可以通過金屬布線實現(xiàn)，此為本領(lǐng)域技術(shù)人員習知，故不再贅述。
[0030]其中，柵極G通過第一導電類型柵極重摻雜區(qū)160連接第一導電類型阱區(qū)140，因此第一導電類型阱區(qū)140與第二導電類型溝道層180之間的空乏區(qū)受到柵極電壓的影響，從而控制該結(jié)型場效應晶體管的電流及開關(guān)。優(yōu)選地，第二導電類型溝道層180為離子注入形成的第二導電類型注入層，通過控制注入條件可以調(diào)節(jié)場效應晶體管的截止電壓(Pinch-off Voltage)。
[0031]該JFET的漏端借鑒了 LDMOS的耐高壓結(jié)構(gòu)，設(shè)置了第二導電類型漂移區(qū)110、漏端場氧區(qū)130以及延伸至所述漏端場氧區(qū)130部分表面的場極板190，并將溝道設(shè)置于外延層表面，利用RESURF原理極大地提高了 JFET的崩潰電壓。其中，場極板190可以是多晶(poly)層或金屬層，本實施例優(yōu)選為多晶層。場極板190與源極S連接，以保持相同的電位。這樣的金屬布線方式，可使截止電壓完全僅由第一導電類型阱區(qū)140及第ニ導電類型溝道層180之間的空乏區(qū)控制，若是場極板190電位為浮接(floating)則可能因感應電位而造成截止電壓的波動，若是場極板190與柵極G也就是第一導電類型阱區(qū)140相連接，則產(chǎn)生的反向偏壓將容易耗盡圖1中A處區(qū)域的第二導電類型漂移區(qū)110的電荷，造成截止電壓不受第二導電類型溝道層180的エ藝條件控制，或是晶體管提前進入截止區(qū)的情形。
[0032]此外，為了將器件與襯底隔離，以滿足不同電路設(shè)計的需求，在所述高壓場效應晶體管兩側(cè)可以設(shè)置第二導電類型阱區(qū)101，并在所述第一導電類型外延層100之下設(shè)置第ニ導電類型深阱區(qū)102，形成隔離結(jié)構(gòu)，從而將所述高壓場效應晶體管隔離。
[0033]由于高壓JFET的漏極D加載高壓，作為本實施例的優(yōu)選方案，在所述第二導電類型漂移區(qū)110相對第一導電類型阱區(qū)140的另ー側(cè)可以設(shè)置抗高壓結(jié)構(gòu)，例如低濃度、大尺寸的阱區(qū)，即傳統(tǒng)的阱隔離結(jié)構(gòu)(圖中未示出)，以避免該JFET加載高壓時對周圍器件的影響。
[0034]實施例ニ
請參閱圖2，另ー種高壓結(jié)型場效應晶體管，包括:
具有第一導電類型外延層200的半導體襯底；位于所述第一導電類型外延層200上的第二導電類型漂移區(qū)210 ;位于所述第二導電類型漂移區(qū)210中的第二導電類型漏極重摻雜區(qū)220 ;分別位于所述第二導電類型漏極重摻雜區(qū)220兩側(cè)、第二導電類型漂移區(qū)210上的第一漏端場氧區(qū)230和第二漏端場氧區(qū)2300 ;分別位于所述第二導電類型漂移區(qū)210兩側(cè)的第一第一導電類型阱區(qū)240和第二第一導電類型阱區(qū)2400，所述第一第一導電類型阱區(qū)240和第二第一導電類型阱區(qū)2400與所述第二導電類型漂移區(qū)210之間由第一導電類型外延層200隔開；位于所述第一第一導電類型阱區(qū)240內(nèi)的第一第二導電類型源極重摻雜區(qū)260和第一第一導電類型柵極重摻雜區(qū)250，所述第一第二導電類型源極重摻雜區(qū)260和第一第一導電類型柵極重摻雜區(qū)250之間設(shè)有第一柵源端場氧區(qū)270將其隔開；位于所述第二第一導電類型阱區(qū)2400內(nèi)的第二第二導電類型源極重摻雜區(qū)2600和第二第一導電類型柵極重摻雜區(qū)2500，所述第二第二導電類型源極重摻雜區(qū)2600和第二第一導電類型柵極重摻雜區(qū)2500之間設(shè)有第二柵源端場氧區(qū)2700將其隔開；位于所述第一第二導電類型源極重摻雜區(qū)250與第二導電類型漂移區(qū)210之間的第一第二導電類型溝道層280 ;位于所述第二第二導電類型源極重摻雜區(qū)2500與第二導電類型漂移區(qū)210之間的第二第二導電類型溝道層2800 ;分別位于所述第一第二導電類型溝道層280和第二第二導電類型溝道層2800之上的第一場極板290和第二多晶區(qū)場極板2900，第一場極板290和第二場極板2900分別延伸至第一漏端場氧區(qū)230和第二漏端場氧區(qū)2300的部分表面，所述第一場極板290與第一第二導電類型溝道層280和第二導電類型漂移區(qū)210之間設(shè)有第一介電層291 ；所述第二場極板2900與第二第二導電類型溝道層2800和第二導電類型漂移區(qū)210之間設(shè)有第二介電層2910 ;漏極D由第二導電類型漏極重摻雜區(qū)220電引出；源極S由漏極D兩側(cè)的第一場極板290和第二場極板2900與第一第二導電類型源極重摻雜區(qū)250和第二第二導電類型源極重摻雜區(qū)2500電連接后引出；柵極G由漏極D兩側(cè)的第一第一導電類型柵極重摻雜區(qū)260和第二第一導電類型柵極重摻雜區(qū)2600電連接后引出。[0035]當所述第一導電類型選為P型，第二導電類型選為N型吋，則該器件為N溝道JFET ;當所述第ー導電類型選為N型，第二導電類型選為P型吋，則該器件為P溝道JFET。漏極D、源極S、柵極G的引出可以通過金屬布線實現(xiàn)，此為本領(lǐng)域技術(shù)人員習知，故不再贅述。
[0036]優(yōu)選地，所述第一第二導電類型溝道層280和第二第二導電類型溝道層2800均為離子注入形成的第二導電類型注入層。
[0037]優(yōu)選地，所述場極板190可以是多晶(poly)層或金屬層，本實施例為多晶層。
[0038]優(yōu)選地，在所述高壓場效應晶體管兩側(cè)設(shè)有第二導電類型阱區(qū)201，在所述第一導電類型外延層200之下設(shè)有第二導電類型深阱區(qū)201，以將所述高壓場效應晶體管隔離。
[0039]該結(jié)構(gòu)與實施例一提供的JFET結(jié)構(gòu)不同之處在于:在漏極D兩側(cè)設(shè)置了対稱的有源結(jié)構(gòu)(源極和柵扱)，這樣設(shè)計可避免當漏極加載高壓時對周圍其他器件的影響，不需要增加額外的抗高壓結(jié)構(gòu)，節(jié)約了芯片面積，雙源端和柵端結(jié)構(gòu)的設(shè)計同時也提升了器件性倉^:。
[0040]制作上述高壓JFET器件結(jié)構(gòu)，除了需增加一次光刻并注入第二導電類型注入層以形成溝道區(qū)之外，其余的エ藝流程，制成條件皆可與典型的CM0S/LDM0S集成電路制造エ
藝兼容。
[0041]為了驗證本方案的可行性，對制作的器件結(jié)構(gòu)進行了測試:
請參考圖3、圖4，圖3為Id-Vgs的漏電流-柵源電壓特性曲線，圖4為Id-Vds的漏電流-漏源電壓特性曲線，其截止電壓約為-6V，崩潰電壓均高于50V。
[0042]可見，本發(fā)明提供的高壓JFET晶體管在滿足高耐壓的同時具有良好的JFET的IV特性，且CM0S/LDM0S集成電路制造エ藝兼容，易于集成。
[0043]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于，包括: 具有第一導電類型外延層的半導體襯底； 位于所述第一導電類型外延層上的第二導電類型漂移區(qū)； 位于所述第二導電類型漂移區(qū)中的第二導電類型漏極重摻雜區(qū)； 位于所述第二導電類型漏極重摻雜區(qū)ー側(cè)、第二導電類型漂移區(qū)上的漏端場氧區(qū)； 位于所述第二導電類型漂移區(qū)ー側(cè)的第一導電類型阱區(qū)，所述第一導電類型阱區(qū)與所述第二導電類型漂移區(qū)之間由第一導電類型外延層隔開； 位于所述第一導電類型阱區(qū)上的第二導電類型源極重摻雜區(qū)和第一導電類型柵極重摻雜區(qū)，所述第二導電類型源極重摻雜區(qū)和第一導電類型柵極重摻雜區(qū)之間設(shè)有柵源端場氧區(qū)將其隔開； 位于所述第二導電類型源極重摻雜區(qū)與第二導電類型漂移區(qū)之間的第二導電類型溝道層； 位于所述第二導電類型溝道層之上的場極板，所述場極板延伸至所述漏端場氧區(qū)的部分表面，所述場極板與所述第二導電類型溝道層和第二導電類型漂移區(qū)之間設(shè)有介電層；其中，漏極由第二導電類型漏極重摻雜區(qū)電引出；源極由所述場極板與第二導電類型源極重摻雜區(qū)電連接后引出；柵極由第一導電類型柵極重摻雜區(qū)電引出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于:所述第二導電類型溝道層為離子注入形成的第二導電類型注入層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于:所述場極板為多晶層或金屬層。`
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于:在所述高壓場效應晶體管兩側(cè)設(shè)有第二導電類型阱區(qū)，在所述第一導電類型外延層之下設(shè)有第二導電類型深阱區(qū)，以將所述高壓場效應晶體管隔離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于:在所述第二導電類型漂移區(qū)相對第一導電類型阱區(qū)的另ー側(cè)設(shè)有抗高壓結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于:所述第一導電類型為P型，第二導電類型為N型。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于:所述第一導電類型為N型，第二導電類型為P型。
8.一種高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于，包括: 具有第一導電類型外延層的半導體襯底； 位于所述第一導電類型外延層上的第二導電類型漂移區(qū)； 位于所述第二導電類型漂移區(qū)中的第二導電類型漏極重摻雜區(qū)； 分別位于所述第二導電類型漏極重摻雜區(qū)兩側(cè)、第二導電類型漂移區(qū)上的漏端場氧區(qū)； 分別位于所述第二導電類型漂移區(qū)兩側(cè)的第一導電類型阱區(qū)，所述第一導電類型阱區(qū)與所述第二導電類型漂移區(qū)之間由第一導電類型外延層隔開； 位于所述第一導電類型阱區(qū)上的第二導電類型源極重摻雜區(qū)和第一導電類型柵極重摻雜區(qū)，所述第二導電類型源極重摻雜區(qū)和第一導電類型柵極重摻雜區(qū)之間設(shè)有柵源端場氧區(qū)將其隔開； 分別位于所述第二導電類型源極重摻雜區(qū)與第二導電類型漂移區(qū)之間的第二導電類型溝道層； 分別位于所述第二導電類型溝道層之上的場極板，所述場極板延伸至漏端場氧區(qū)的部分表面，所述場極板與所述第二導電類型溝道層和第二導電類型漂移區(qū)之間設(shè)有介電層； 其中，漏極由第二導電類型漏極重摻雜區(qū)電引出；源極由漏極兩側(cè)的場極板與第二導電類型源極重摻雜區(qū)電連接后引出；柵極由漏極兩側(cè)的第一導電類型柵極重摻雜區(qū)電連接后引出。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于:所述第二導電類型溝道層為離子注入形成的第二導電類型注入層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于:所述場極板為多晶層或金屬層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于:在所述高壓場效應晶體管兩側(cè)設(shè)有第二導電類型阱區(qū)，在所述第一導電類型外延層之下設(shè)有第二導電類型深阱區(qū)，以將所述高壓場效應晶體管隔離。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于:所述第一導電類型為P型，第二導電類型為N型。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高壓結(jié)型場效應晶體管，其特征在于:所述第一導電類型為N型，第二導電類型為P型。
【文檔編號】H01L29/10GK103489912SQ201210192221
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2012年6月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月12日
【發(fā)明者】韓廣濤 申請人:無錫華潤上華半導體有限公司