一種低電感元件的制造方法
【專利摘要】一種低電感元件的制造方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：A、將50wt％高磁通合金磁粉、50wt％低磁通合金磁粉混合形成導(dǎo)磁材料；B、將所述線圈和磁棒置入注射成型機(jī)上預(yù)設(shè)的模具內(nèi)；C、加溫到80-350℃，使所述導(dǎo)磁材料成為流體，射入模具內(nèi)后凝結(jié)成型，將線圈和磁棒的周圍均勻地完全包覆，脫模即可。
【專利說(shuō)明】一種低電感元件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于磁電領(lǐng)域，特別是涉及一種低電感元件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電感元件是電子產(chǎn)業(yè)中極為重要的元器件，傳統(tǒng)電感元件是在磁性材料元件上繞線制成；另一種電感元件是在線圈外包覆一導(dǎo)磁材料所制成的包覆體，從而構(gòu)成電感元件。傳統(tǒng)的電感元件，由一上一下兩個(gè)磁芯和一線圈組合而成，下位的磁芯設(shè)有一凹槽，用于容置線圈，上位的磁芯與其對(duì)應(yīng)蓋合，再經(jīng)點(diǎn)膠粘接、烘烤等工藝，使兩磁芯結(jié)合成為一包覆體。這種電感元件,在兩塊磁芯組合處會(huì)存在空隙,這是一個(gè)很大的導(dǎo)磁缺陷，由此會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)和噪音，還會(huì)造成磁損加大，影響電感的品質(zhì)因數(shù)(quality factor,簡(jiǎn)稱Q值)。另一方面，這樣的制造方法需要手工作業(yè)，而且上下兩磁芯還需要表面涂裝，還污染環(huán)境，加工成本也較高，不利于大量生產(chǎn)。
[0003]為克服傳統(tǒng)磁性元件繞線問(wèn)題，業(yè)界已逐漸改采柱狀磁芯，其產(chǎn)品除了載流線圈周圍可形成磁力線回圈外，大多都呈現(xiàn)放射線狀由磁芯中心向外逸散，此為電磁干擾(EMI)的主要來(lái)源，且其磁力線路徑都外曝在空氣中，并無(wú)增強(qiáng)磁場(chǎng)感應(yīng)的功能。
[0004]為改善開放式磁性元件缺點(diǎn)，市場(chǎng)多采用在磁芯外部增加一外蓋的方式，俗稱組合式磁芯元件(Drum Core),組合式磁芯元件相較于開放式元件,其具有兩項(xiàng)明顯優(yōu)點(diǎn):
1.增長(zhǎng)外加磁力線于磁性材料路徑，可加強(qiáng)整體磁場(chǎng)強(qiáng)度輸出。
[0005]2.外蓋將磁力線引導(dǎo)至外蓋材質(zhì)中，減少磁力線逸散。
[0006]但此種設(shè)計(jì)仍有組件空隙(Gap)問(wèn)題，由于采用組裝方式構(gòu)成，故組件中必有組件空隙，此部份空隙將造成50%以上的磁損。
[0007]現(xiàn)有的加工方法存在如下問(wèn)題:
1、工人的勞動(dòng)強(qiáng)度高；
2、加工效率低；
3、線圈的繞制密度及間距難以控制，導(dǎo)致所加工的產(chǎn)品一致性差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種加強(qiáng)型磁性儲(chǔ)能元件成品加工方法，本發(fā)明可以降低工人的勞動(dòng)強(qiáng)度，提高加工效率，產(chǎn)品的一致性好。
[0009]本發(fā)明的目的是通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
一種低電感元件的制造方法，該方法包括如下步驟:
A、將50wt%高磁通合金磁粉、50wt%低磁通合金磁粉混合形成導(dǎo)磁材料；
B、將所述線圈和磁棒置入注射成型機(jī)上預(yù)設(shè)的模具內(nèi)；
C、加溫到80-350°C，使所述導(dǎo)磁材料成為流體,射入模具內(nèi)后凝結(jié)成型,將線圈和磁棒的周圍均勻地完全包覆，脫模即可。
[0010]優(yōu)選地,所述高磁通合金磁粉的顆粒大小為7 μ m?9 μ m,所述低磁通合金磁粉的顆粒大小為3 μ m~5 μ m。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):制造簡(jiǎn)單，電氣特性佳。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明創(chuàng)造保護(hù)的范圍。
[0013]實(shí)施例1
一種低電感元件的制造方法，該方法包括如下步驟:
A、將高磁通合金磁粉、低磁通合金磁粉混合形成導(dǎo)磁材料；
B、將所述線圈和磁棒置入注射成型機(jī)上預(yù)設(shè)的模具內(nèi)；
C、加溫到80-350°C，使所述導(dǎo)磁材料成為流體,射入模具內(nèi)后凝結(jié)成型,將線圈和磁棒的周圍均勻地完全包覆，脫模即可。
[0014]所述高磁通合金磁粉的顆粒大小為7 μ m~9 μ m,所述低磁通合金磁粉的顆粒大小為 3 μ m ~5 μ m。
【權(quán)利要求】
1.一種低電感元件的制造方法，其特征在于，該方法包括如下步驟: A、將50wt%高磁通合金磁粉、50wt%低磁通合金磁粉混合形成導(dǎo)磁材料； B、將所述線圈和磁棒置入注射成型機(jī)上預(yù)設(shè)的模具內(nèi)； C、加溫到80-350°C，使所述導(dǎo)磁材料成為流體,射入模具內(nèi)后凝結(jié)成型,將線圈和磁棒的周圍均勻地完全包覆，脫模即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電感元件的制造方法，其特征在于，所述高磁通合金磁粉的顆粒大小為7 μ m?9 μ m,所述低磁通合金磁粉的顆粒大小為3 μ m?5 μ m。
【文檔編號(hào)】H01F17/04GK103489604SQ201210192359
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2012年6月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月12日
【發(fā)明者】徐敖金 申請(qǐng)人:徐敖金