專利名稱：低功率氧化鋁陶瓷基板1瓦20dB衰減片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氧化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種低功率氧化鋁陶瓷基板I瓦20dB衰減片。
背景技術(shù)：
目前集成了三個膜狀電阻設(shè)計的衰減片廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域。使用負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時還能抽取需要的信號進行分析，并在高頻電路上調(diào)整功率電平，去耦，對相關(guān)設(shè)備起到了保護作用。由于國外對同類產(chǎn)品的研發(fā)與制造比國內(nèi)起步早，無論在產(chǎn)品系列還是產(chǎn)品特性 上都處于優(yōu)勢地位。同時國內(nèi)市場上現(xiàn)有的衰減片衰減精度低，且能使用的頻段相對較窄。我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當衰減精度或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻抗?jié)M足50± I. 5 Q，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為20± ldB，駐波要求輸入、輸出端在I. 2以內(nèi)，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的低功率氧化鋁陶瓷基板I瓦20dB衰減片，取代國外同類產(chǎn)品，并在特性上填補國內(nèi)產(chǎn)品的空白。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種低功率氧化鋁陶瓷基板I瓦20dB衰減片，其包括一 0. 635mm厚度的超薄形氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的整個背面印刷有高溫銀漿，所述氧化鋁基板的正面印刷有高溫銀漿電導(dǎo)線，所述高溫銀漿電導(dǎo)線之間印刷有黑色電阻，所述電路通過所述電阻的依次排布形成衰減電路，所述衰減電路的衰減值通過精確調(diào)試所述阻值得出，所述電路的駐波特性通過導(dǎo)線排布得出。優(yōu)選的，所述電路通過加厚所述電阻厚度增加了其耐電壓擊穿的能力。優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層耐酸堿腐蝕保護膜。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該低功率氧化鋁陶瓷基板I瓦20dB衰減片采用超薄形基板設(shè)計，降低了材料成本，線路設(shè)計讓衰減電路處于一個完全對稱的狀態(tài)，該產(chǎn)品體積小，頻率特性好，耐電壓擊穿性能穩(wěn)定，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)。可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發(fā)明的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。


圖I為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。如圖I所示，該低功率氧化鋁陶瓷基板I瓦20dB衰減片，包括一 0. 635mm厚度的超薄形氧化鋁基板1，氧化鋁基板I的整個背面印刷有高溫銀漿，氧化鋁基板I的正面印刷有高溫銀漿電導(dǎo)線2及膜狀電阻Rl、R2、R3，膜狀電阻Rl、R2、R3通過導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過銀漿與背導(dǎo)層電連接，從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路沿氧化鋁基板的中心線對稱，膜狀電阻Rl、R2、R3上印刷有玻璃保護膜3，導(dǎo)線2及玻璃保護膜3的上表面還印刷有一層黑色耐酸堿腐蝕堅保護膜4，這樣可對導(dǎo)線2及膜狀電阻R1、R2、R3形成 保護。該低功率氧化鋁陶瓷基板I瓦20dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50 ± I. 5 Q，輸出端和接地端的阻抗為50 ± I. 5 Q。信號從輸入端進入衰減片，經(jīng)過膜狀電阻Rl、R3、R2對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。該低功率氧化鋁陶瓷基板I瓦20dB衰減片采用超薄形基板設(shè)計，降低了材料成本，線路設(shè)計讓衰減電路處于一個完全對稱的狀態(tài)，該產(chǎn)品體積小，頻率特性好，耐電壓擊穿性能穩(wěn)定，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)?？蓮V泛應(yīng)用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。以上對本發(fā)明實施例所提供的一種低功率氧化鋁陶瓷基板I瓦20dB衰減片進行了詳細介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種低功率氧化鋁陶瓷基板I瓦20dB衰減片，其特征在于其包括一 0. 635mm厚度的超薄形氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的整個背面印刷有高溫銀漿，所述氧化鋁基板的正面印刷有高溫銀漿電導(dǎo)線，所述高溫銀漿電導(dǎo)線之間印刷有黑色電阻，所述電路通過所述電阻的依次排布形成衰減電路，所述衰減電路的衰減值通過精確調(diào)試所述阻值得出，所述電路的駐波特性通過導(dǎo)線排布得出。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氧化鋁陶瓷基板I瓦20dB衰減片，其特征在于所述電路通過加厚所述電阻厚度增加了其耐電壓擊穿的能力。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氧化鋁陶瓷基板I瓦20dB衰減片，其特征在于所述導(dǎo)線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層耐酸堿腐蝕保護膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低功率氧化鋁陶瓷基板1瓦20dB衰減片，其包括一0.635m厚度的超薄形氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的整個背面印刷有高溫銀漿，所述氧化鋁基板的正面印刷有高溫銀漿電導(dǎo)線，所述高溫銀漿電導(dǎo)線之間印刷有黑色電阻，所述電路通過所述電阻的依次排布形成衰減電路，所述衰減電路的衰減值通過精確調(diào)試所述阻值得出，所述電路的駐波特性通過導(dǎo)線排布得出。該衰減片在設(shè)計上充分考慮了基板變薄后電壓擊穿，介電常數(shù)，電容效應(yīng)的影響，通過合理的線路設(shè)計，使得其性能能夠滿足目前市場3G頻率的使用要求。
文檔編號H01P1/22GK102723548SQ20121021651
公開日2012年10月10日 申請日期2012年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月28日
發(fā)明者陳建良 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司