專利名稱：槽式太陽(yáng)能集熱器用減反射膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于太陽(yáng)能發(fā)電的技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種槽式太陽(yáng)能集熱器用減反射膜。
背景技術(shù)：
伴隨著傳統(tǒng)能源的日漸枯竭、環(huán)境污染問題的日益加劇，新能源的開發(fā)和應(yīng)用已經(jīng)成為人類研究的熱點(diǎn)。取之不盡用之不竭、綠色無(wú)污染的太陽(yáng)能是新能源開發(fā)利用的重點(diǎn)之一 O降低成本和提高轉(zhuǎn)換效率是太陽(yáng)能電池研究的重點(diǎn)方向。硅太陽(yáng)能電池由于原料來源廣泛，成本較低，占據(jù)太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。減少電池受光面上入射陽(yáng)光的反射是提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率的手段之一。常用的減反射措施主要有刻蝕硅襯底，在 硅襯底表面或電池的受光面沉積二氧化鈦、氮化硅、二氧化硅等減反射膜。現(xiàn)有技術(shù)有研究使用表面的織構(gòu)化來降低一部分反射，一般是通過腐蝕處理，增加硅片表面的粗糙度，但是反射率的降低并不明顯，特別是對(duì)于多晶硅，使用各向異性的酸法制絨，產(chǎn)生的黑線容易破壞PN結(jié)，使太陽(yáng)能電池片的漏電流增大?，F(xiàn)有技術(shù)普遍使用的是在硅片表面覆蓋一層折射率適中的透光介質(zhì)膜，從而降低硅片表面反射?，F(xiàn)有工藝化的減反射膜一般為一層，也有研究在硅片表面制備兩層折射率不同的減反射膜。納米薄膜材料的減反射膜由于工藝復(fù)雜、成本較高且難控制，并不利于大規(guī)模生產(chǎn)。同時(shí)這種多層減反射膜由于每層的折射率和厚度較難控制，且折射率變化太大，硅片表面對(duì)光的反射率降低效果并不理想，同時(shí)由于減反射膜的減反射效果與對(duì)硅片的表面和體鈍化的效果是相互矛盾，相互制約的，因此此種減反射膜對(duì)硅片的表面和體鈍化效果較差，制備的太陽(yáng)能電池片的性能仍然不能滿足現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)問題中存在的上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能有效提高硅基太陽(yáng)能薄膜電池工作效率的槽式太陽(yáng)能集熱器用減反射膜。一種槽式太陽(yáng)能集熱器用減反射膜，其特征在于所述的減反射膜為Si02_x，其中X=O. 10-0. 25。其中，所述減反射薄膜的厚度為100-200 nm。其中，所述透明薄膜采用磁控濺射方法制備，所述磁控濺射方法包括以下步驟 利用純鈦板作為靶材，利用磁控濺射方法制備薄膜材料以硅片或石英為襯底，通入
純度為99. 99%的O2，襯底溫度為300-500°C，工作氣壓為I 10Pa，之后在還原氣氛下于400-500°C退火處理 O. 5-1. 5 h。與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明的減反射膜對(duì)波長(zhǎng)為300-900nm的電磁波平均反射率降低到了 2. 5-3. 5%。將本發(fā)明所述的透明薄膜沉積在硅太陽(yáng)電池上表面，能夠降低硅太陽(yáng)電池的熱化效應(yīng)，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I
采用純鈦板為靶材，采用中頻反應(yīng)立式磁控濺射鍍膜設(shè)備進(jìn)行鍍膜。以硅片為襯底，首先對(duì)硅片進(jìn)行清洗，烘干后裝入鍍膜室中，通入純度為99. 99%的02，流量為50-150 sccm,電壓為800 V,電流為20 A，襯底溫度為300°C，工作氣壓為
O.5Pa，濺射沉積完成之后在還原氣氛下于450°C退火處理I. 5 h。實(shí)施例2 采用純鈦板為靶材，采用中頻反應(yīng)立式磁控濺射鍍膜設(shè)備進(jìn)行鍍膜。以硅片為襯底，首先對(duì)硅片進(jìn)行清洗，烘干后裝入鍍膜室中，通入純度為99. 99%的02，流量為50-150 sccm,電壓為700 V,電流為20 A，襯底溫度為400°C，工作氣壓為
O.5Pa，濺射沉積完成之后在還原氣氛下于400°C退火處理lh。實(shí)施例3
采用純鈦板為靶材，采用中頻反應(yīng)立式磁控濺射鍍膜設(shè)備進(jìn)行鍍膜。以硅片為襯底，首先對(duì)硅片進(jìn)行清洗，烘干后裝入鍍膜室中，通入純度為99. 99%的02，流量為50-150 sccm,電壓為600 V,電流為20 A，襯底溫度為500°C，工作氣壓為
O.5Pa，濺射沉積完成之后在還原氣氛下于500°C退火處理O. 5 h。
權(quán)利要求
1.一種槽式太陽(yáng)能集熱器用減反射膜，其特征在于所述的減反射膜為Si02_x，其中X=O. 10-0. 25。
2.權(quán)利要求I所述的減反射膜，其特征在于所述減反射薄膜的厚度為100-200nm。
3.權(quán)利要求I所述的減反射膜，其特征在于所述透明薄膜采用磁控濺射方法制備，所述磁控濺射方法包括以下步驟利用純鈦板作為靶材，利用磁控濺射方法制備薄膜材料以硅片或石英為襯底，通入純度為99. 99%的02，襯底溫度為300-500°C，工作氣壓為I 10Pa，之后在還原氣氛下于400-500°C退火處理O. 5-1. 5 h。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種槽式太陽(yáng)能集熱器用減反射膜，其特征在于所述的減反射膜為SiO2-X，其中X=0.10-0.25。本發(fā)明的減反射膜對(duì)波長(zhǎng)為300-900nm的電磁波平均反射率降低到了2.5-3.5%。將本發(fā)明所述的透明薄膜沉積在硅太陽(yáng)電池上表面，能夠降低硅太陽(yáng)電池的熱化效應(yīng)，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號(hào)H01L31/0216GK102723375SQ201210220318
公開日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月29日
發(fā)明者葛波 申請(qǐng)人:蘇州嘉言能源設(shè)備有限公司