發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明揭露了一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、形成于基板上的電極、與電極電性連接的發(fā)光二極管芯片、環(huán)繞發(fā)光二極管芯片的反射杯以及填充于反射杯內(nèi)并覆蓋發(fā)光二極管芯片于基板上的封裝體，所述反射杯環(huán)繞基板和封裝體的四周，并且該反射杯在與封裝體的鄰接處形成朝向封裝體凸起的凸曲面。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，其作為一種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來越廣泛地應(yīng)用。
[0003]現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通常包括基板、在基板上形成的電極、固定于基板上且與電極電性連接的發(fā)光二極管芯片以及覆蓋發(fā)光二極管芯片的封裝層。現(xiàn)有技術(shù)中為了改善發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光效果通常會在發(fā)光二極管芯片周圍設(shè)置一反射杯，使發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線經(jīng)由反射杯進(jìn)行反射，從而得到所需角度的光線。然而在結(jié)構(gòu)尺寸較小的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中的反射杯的內(nèi)壁通常是斜面或直面，因此會限制光的反射角度，從而導(dǎo)致整體的出光效果不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，有必要提供一種能夠改善出光效果的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
[0005]一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、形成于基板上的電極、與電極電性連接的發(fā)光二極管芯片、環(huán)繞發(fā)光二極管芯片的反射杯以及填充于反射杯內(nèi)并覆蓋發(fā)光二極管芯片于基板上的封裝體，所述反射杯環(huán)繞基板和封裝體的四周，并且該反射杯在與封裝體的鄰接處形成朝向封裝體凸起的凸曲面。
[0006]一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，包括以下步驟:
提供一基板，并在基板上形成若干間隔的電極；
將若干發(fā)光二極管芯片與電極電性連接；
在基板上形成封裝體覆蓋發(fā)光二極管芯片；
貼設(shè)一載板于封裝體上；
在基板和封裝體中形成自基板一側(cè)向封裝體延伸的若干凹陷；
在所述凹陷中形成反射杯并去除載板；及 切割反射杯形成若干個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0007]本發(fā)明實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的反射杯具有朝向封裝體凸起的凸曲面，發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線一部分直接從封裝體出射至發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)以外，另一部分經(jīng)反射面的反射后再從封裝體出射，而由于反射面的外凸的形狀使最終形成特定的光場效果。
[0008]下面參照附圖，結(jié)合【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
【專利附圖】

【附圖說明】[0009]圖1為本發(fā)明提供的實(shí)施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0010]圖2為圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0011]圖3為圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。
[0012]圖4至圖14為本發(fā)明一實(shí)施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造過程中各步驟所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0013]其中，圖4為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造過程中整體基板的剖面示意圖。
[0014]圖5為圖4中整體基板的俯視不意圖。
[0015]圖6為圖4中整體基板的側(cè)視示意圖。
[0016]圖7為圖4中整體基板的仰視不意圖。
[0017]主要元件符號說明
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、形成于基板上的電極、與電極電性連接的發(fā)光二極管芯片、環(huán)繞發(fā)光二極管芯片的反射杯以及填充于反射杯內(nèi)并覆蓋發(fā)光二極管芯片于基板上的封裝體，其特征在于:所述反射杯環(huán)繞基板和封裝體的四周，并且該反射杯在與封裝體的鄰接處形成朝向封裝體凸起的凸曲面。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述凸曲面為反射面，所述反射面位于基板的上方并環(huán)繞發(fā)光二極管芯片設(shè)置，所述反射面朝向發(fā)光二極管芯片的方向凸出。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述反射杯還包括與反射面相接的結(jié)合面，所述結(jié)合面貼設(shè)于基板的側(cè)部。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基板包括上表面和下表面以及上表面和下表面之間的若干側(cè)壁，所述基板的其中一個(gè)側(cè)壁向內(nèi)凹陷形成有分別貫穿上表面和下表面的第一凹槽和第二凹槽。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電極包括相互間隔的第一電極和第二電極，該第一電極自基板的上表面經(jīng)由第一凹槽延伸至基板的下表面，該第二電極自基板的上表面經(jīng)由第二凹槽延伸至基板的下表面。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一凹槽和第二凹槽貫穿基板的上表面和下表面并在上表面和下表面均形成開口，第一凹槽和第二凹槽在基板的上表面形成的開口被電極覆蓋。
7.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，包括以下步驟: 提供一基板，并在基板上形成若干間隔的電極； 將若干發(fā)光二極管芯片與電極電性連接； 在基板上形成封裝體覆蓋發(fā)光二極管芯片； 貼設(shè)一載板于封裝體上； 在基板和封裝體中形成自基板一側(cè)向封裝體延伸的若干凹陷； 在所述凹陷中形成反射杯并去除載板；及 切割反射杯形成若干個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于:所述在自基板上方在基板和封裝體中形成若干凹陷的步驟是通過一具有向下突出的凸面的模具對基板和封裝體進(jìn)行切割或研磨制成。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于:所述模具呈圓柱形，所述凹陷是通過沿軸向旋轉(zhuǎn)圓柱形模具、使旋轉(zhuǎn)中的圓柱形模具側(cè)面自基板向封裝體移動直至模具與載板接觸形成。
10.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于:所述若干凹陷形成于相鄰兩電極之間，該凹陷在基板上形成平坦斷面，該凹陷在封裝體上形成曲面斷面，所述在所述凹陷中形成反射杯的步驟是在凹陷中形成反射杯，并在平坦斷面處形成反射杯的結(jié)合面，在曲面斷面處形成反射杯的、朝向封裝體凸起的反射面。
【文檔編號】H01L33/60GK103515520SQ201210220901
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月29日
【發(fā)明者】林厚德 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司