專利名稱：一種去除晶圓上SiGe薄膜的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體微電子技術領域，尤其涉及一種采用濕法刻蝕除去晶圓上SiGe薄膜的方法。
背景技術：
為了提高半導體器件的性能，很多應力技術被采用，e-SiGe技術是一種典型的提高PMOS性能的應力技術。在實際的生產中，為了維持外延SiGe生長制程的穩(wěn)定性，需要用裸晶圓來生長SiGe作為日常的檢測手段，檢測SiGe膜的厚度及Ge含量。這種生長有SiGe的晶圓一般不能再使用，需要報廢，這使得生產成本增加。去除SiGe薄膜通常的方法一般是采用HF和氧化性試劑(如HNO3, H2O2等)的混合液，也有報道采用低蝕刻率的蝕刻液(如NH4OH和H2O2的混合液)來去除，但是由于這些溶劑對于襯底硅也有一定的蝕刻率，故會造成清洗后晶圓表面粗糙。

發(fā)明內容
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術中存在的不足，提供一種改進的去除SiGe薄膜的方法，避免去除SiGe薄膜過程中對清 洗后晶圓表面的傷害。為了實現(xiàn)上述目的本發(fā)明提供一種去除晶圓上SiGe薄膜的方法，包括以下順序步驟:
步驟1，首先用高刻蝕率的刻蝕液清洗晶圓，除去晶圓表面上大部分的SiGe ;其次用低刻蝕率的刻蝕液清洗晶圓，除去晶圓表面上剩余的SiGe。步驟2，用爐管高溫氧化在晶圓表面形成一層二氧化硅薄膜。步驟3，用氫氟酸去除晶圓表面二氧化硅薄膜。在本發(fā)明提供的一優(yōu)選實施例中，其中所述高刻蝕率的刻蝕液為HF和HNO3混合溶液。進一步優(yōu)選，所述HF和HNCV混合液中HF與HNCV混合溶液的體積比為1:30(Tl:2000。進一步優(yōu)選，所述HF和HNO3混合溶液的溫度范圍為23 ^40° C。在本發(fā)明提供的一優(yōu)選實施例中，其中所述低刻蝕率的刻蝕液為NH4OH和H2O2的混合溶液。在本發(fā)明提供的一優(yōu)選實施例中，其中所述爐管高溫氧化形成的二氧化硅薄膜厚度范圍為IOOA 1000Α。本發(fā)明提供的去除晶圓上SiGe薄膜方法，可以去除晶圓表面上的SiGe薄膜并優(yōu)化表面狀況，使得晶圓能被再利用，降低工藝成本。


圖1是本發(fā)明提供的去除晶圓上SiGe薄膜方法的流程圖。
具體實施方式
本發(fā)明提供一種去除晶圓上SiGe薄膜的方法，通過改進原有的去除方法，使得SiGe薄膜去除后晶圓表面不會受到損傷。以下通過實施例對本發(fā)明提供的去除晶圓上SiGe薄膜方法作進一步詳細說明，以便更好理解本發(fā)明創(chuàng)造的內容，但實施例的內容并不限制本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍。通常生長有SiGe的日常檢測晶圓中，SiGe薄膜的厚度一般在300-1000 A，Ge的重量百分含量為10%_30%。如不去除SiGe薄膜，則不能作為生產所使用。通過以下步驟來去除晶圓上的SiGe薄膜層。首先，在晶圓清洗機臺里用高刻蝕率的刻蝕液清洗晶圓，除去晶圓表面上大部分的SiGe。高刻蝕率的刻蝕液為HF和HNO3混合溶液，其中HF溶液與HNO3溶液的體積比為1:30(Tl:2000，HF和HNCV混合溶液的溫度范圍為23 ^40° C。之后，在晶圓清洗機臺里用低刻蝕率的刻蝕液清洗晶圓，除去晶圓表面上剩余的SiGe。低刻蝕率的刻蝕液為NH4OH和H2O2的混合溶液。在高溫爐管中，在晶圓表面氧化形成一層二氧化硅薄膜，所形成的二氧化硅薄膜厚度范圍為ΙΟΟΑΙΟΟΟΑ。二氧化硅薄膜的厚度可以調整以取得最優(yōu)的表面狀況，表面狀況可以通過AFM檢測表面的粗糙度及用SP2檢測表面粒子來評估。最后，在晶圓清洗機臺里用氫氟酸去除二氧化硅薄膜。以上對本發(fā)明的具體實施例進行了詳細描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實施例。對于本領域技術人員而言，任何對本發(fā)明進行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應涵蓋在本發(fā)明的 范圍內。
權利要求
1.一種去除晶圓上SiGe薄膜的方法，其特征在于，包括以下順序步驟: 步驟1，首先用高刻蝕率的刻蝕液清洗晶圓，除去晶圓表面上大部分的SiGe ;其次用低刻蝕率的刻蝕液清洗晶圓，除去晶圓表面上剩余的SiGe ； 步驟2，用爐管高溫氧化在晶圓表面形成一層二氧化硅薄膜； 步驟3，用氫氟酸去除晶圓表面二氧化硅薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述高刻蝕率的刻蝕液為HF和HNO3混合溶液。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述HF和HNO3混合溶液中HF溶液與HNO3溶液的體積比為1:30(Tl:2000。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述HF和HNO3混合液的溫度范圍為23 40。C。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述低刻蝕率的刻蝕液為NH4OH和H2O2的混合溶液。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述爐管高溫氧化形成的二氧化硅薄膜厚度范圍為iooA ιοοοΑ。
全文摘要
本發(fā)明提供一種去除晶圓上SiGe薄膜的方法，包括以下順序步驟步驟1.首先用高刻蝕率的刻蝕液清洗晶圓，除去晶圓表面上大部分的SiGe；其次用低刻蝕率的刻蝕液清洗晶圓，除去晶圓表面上剩余的SiGe。步驟2.用爐管高溫氧化在晶圓表面形成一層二氧化硅薄膜。步驟3.用氫氟酸去除晶圓表面二氧化硅薄膜。本發(fā)明提供的去除晶圓上SiGe薄膜方法，可以去除晶圓表面上的SiGe薄膜并優(yōu)化表面狀況，使得晶圓能被再利用，降低工藝成本。
文檔編號H01L21/02GK103117208SQ20121022579
公開日2013年5月22日 申請日期2012年7月3日 優(yōu)先權日2012年7月3日
發(fā)明者徐友峰 申請人:上海華力微電子有限公司