專利名稱：薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(OLED,OrganicLight-Emitting Display)是一種新興的平板顯示器件，由于其制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、響應(yīng)速度快、易于實(shí)現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、功耗低、容易實(shí)現(xiàn)和集成電路驅(qū)動(dòng)器的匹配、發(fā)光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄且易于實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，使其具有廣闊的應(yīng)用前景。按照驅(qū)動(dòng)方式的不同，OLED可以分為無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)0LED(PM0LED，Passive MatrixOrganic Light Emission Display)和有源矩陣驅(qū)動(dòng)0LED(AM0LED,Active Matrix OrganicLight Emission Display)兩種。無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)雖然工藝簡(jiǎn)單,成本較低,但因存在交叉串?dāng)_、高功耗、低壽命等缺點(diǎn)，不能滿足高分辨率大尺寸顯示的需要。相比之下，有源矩陣驅(qū)動(dòng)因?yàn)樵诿姘迳霞尤肓吮∧ぞw管(TFT, Thin Film Transistor)使得像素單元在一巾貞時(shí)間內(nèi)都能夠發(fā)光，所以其所需要的驅(qū)動(dòng)電流小，功耗低，壽命更長(zhǎng)，可以滿足高分辨率多灰度的大尺寸顯示需要。目前AMOLED顯示屏的驅(qū)動(dòng)電路，主要有兩種，一種是利用非晶硅(a_Si，Amorphous-Silicon) TFT ;另一種是利用多晶娃(p-Si, poly-Silicon) TFT。a_Si TFT 技術(shù)雖然工藝簡(jiǎn)單，成本低廉，但是其載流子的遷移率非常低，無(wú)法提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)非晶硅TFT只能提供N型器件，并且其穩(wěn)定性在長(zhǎng)期應(yīng)力作用下也存在問(wèn)題。而多晶硅TFT,由于其載流子遷移率高，響應(yīng)速度快，易于實(shí)現(xiàn)大面積的動(dòng)態(tài)視頻顯示。同時(shí)高的載流子遷移率可以利用多晶硅TFT將外圍驅(qū)動(dòng)電路集成在顯示背板之上，大大減少了外接引線，降低了外圍驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜性。目前，國(guó)際上普遍采用多晶硅TFT進(jìn)行AMOLED背板的研究與開發(fā)。相比較于僅需要4-5次光刻的非晶娃TFT技術(shù)而言,低溫多晶娃TFT技術(shù)的工藝更復(fù)雜，成本也更高。目前已知的低溫多晶硅薄膜晶體管的制程通常均需要6次以上的光刻實(shí)現(xiàn)，其工藝復(fù)雜，制造成本很高，生產(chǎn)周期較長(zhǎng)。光刻次數(shù)越多，良率越難以提高。所以光刻次數(shù)可以衡量制造低溫多晶硅薄膜晶體管的繁簡(jiǎn)程度，減少光刻次數(shù)就意味著制造成本的降低。因此，亟需減少光刻次數(shù)來(lái)縮短低溫多晶硅薄膜晶體管的生產(chǎn)周期，降低制造低溫多晶硅薄膜晶體管的成本。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是，針對(duì)上述缺陷，如何提供一種薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法，其能夠在保證器件性能的基礎(chǔ)上，減少光刻次數(shù)，從而縮短薄膜晶體管的生、產(chǎn)周期并降低制造薄膜晶體管的成本。(二)技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管的制造方法，包括步驟10、在基板上依次形成緩沖層和有源層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有源區(qū)；30、依次形成柵絕緣層和柵極層，形成柵電極；50、形成Ni沉積窗口；70、形成介質(zhì)層,形成與Ni沉積窗口對(duì)應(yīng)的源漏接觸孔；90、形成源漏金屬層，形成源漏電極,所述源漏電極通過(guò)源漏接觸孔和Ni沉積窗 口與有源區(qū)相連接。其中，所述有源層和所述柵電極的材料分別為非晶硅薄膜，在步驟50和步驟70之間，進(jìn)一步包括步驟60、利用金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶方法將所述有源層和所述柵電極的非晶硅薄膜材料再結(jié)晶為多晶硅薄膜材料。其中,所述步驟60具體包括在Ni沉積窗口中和柵電極上沉積Ni金屬，在Ni沉積窗口中注入源漏離子，形成源漏區(qū)域，再高溫退火。其中，所述緩沖層和所述介質(zhì)層的材料分別為Si02、SiNx或二者的混合物；所述源漏金屬層的材料為Mo、導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖?。其中，所述Ni沉積窗口和所述源漏接觸孔分別為兩個(gè)。本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法，包括步驟SI、在基板上依次形成緩沖層和有源層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有源區(qū)；S3、依次形成柵絕緣層和柵極層，形成柵電極；S5、形成Ni沉積窗口；S7、形成介質(zhì)層,形成與Ni沉積窗口對(duì)應(yīng)的源漏接觸孔；S9、形成源漏金屬層，形成源漏電極，所述源漏電極通過(guò)源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區(qū)相連接。SI I、形成像素界定與絕緣層，形成像素陣列。其中，所述有源層和所述柵電極的材料分別為非晶硅薄膜，在步驟S5和步驟S7之間，進(jìn)一步包括步驟S6、利用金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶方法將所述有源層和所述柵電極的非晶硅薄膜材料再結(jié)晶為多晶硅薄膜材料。其中,所述步驟S6具體包括在Ni沉積窗口中和柵電極上沉積Ni金屬，在Ni沉積窗口中注入源漏離子，形成源漏區(qū)域，再高溫退火。本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管，包括依次形成于基板上的緩沖層和有源區(qū)；依次覆蓋在所述緩沖層和有源區(qū)上的具有Ni沉積窗口的柵絕緣層、柵電極和具有源漏接觸孔的介質(zhì)層，所述源漏接觸孔與所述Ni沉積窗口一一對(duì)應(yīng)；通過(guò)源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區(qū)相連接的源漏電極。
本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括基板，依次形成于所述基板上的緩沖層和有源區(qū)；依次覆蓋在所述緩沖層和有源區(qū)上的具有Ni沉積窗口的柵絕緣層、柵電極和具有源漏接觸孔的介質(zhì)層，所述源漏接觸孔與所述Ni沉積窗口一一對(duì)應(yīng)；通過(guò)源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區(qū)相連接的源漏電極；覆蓋在所述介質(zhì)層和源漏電極上的像素界定與絕緣層。(三)有益效果
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法，利用本發(fā)明所述的上述制造方法制造薄膜晶體管，僅采用5次光刻過(guò)程，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低生產(chǎn)成本，提高了良率。采用金屬側(cè)向誘導(dǎo)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)多晶硅的晶化過(guò)程，利用低溫多晶硅層作為柵電極，改善了與柵介質(zhì)的界面，能夠降低閾值電壓，并減小泄漏電流，達(dá)到簡(jiǎn)化工藝流程，提高器件性能的技術(shù)效果。采用本發(fā)明所述制造方法制造的薄膜晶體管能夠被適用于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)及低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPS-IXD)等領(lǐng)域。


圖I是本發(fā)明實(shí)施例I中步驟A所示的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例I中步驟B所示的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例I中步驟C所示的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例I中步驟D所示的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例I中步驟E所示的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例I中步驟F所示的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明實(shí)施例I中步驟G所示的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，I :基板；2 :緩沖層；3 :有源區(qū)；4 :柵絕緣層；5 :柵電極；6 :介質(zhì)層；7 :源漏電極；8 :像素界定與絕緣層；9 =Ni金屬。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。目前，對(duì)非晶硅進(jìn)行再結(jié)晶從而形成多晶硅的再結(jié)晶方法可以包括準(zhǔn)分子激光退火(ELA, Excimer Laser Annealing)方法，順序橫向晶化(SLS, Sequential LateralSolidification)方法,金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC, Metal Induced Crystallization)方法,或者金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶(MILC, Metal Induced Lateral Crystallization)方法。在這些方法中，MILC技術(shù)與ELA以及SLS技術(shù)相比，TFT器件的均勻性更好，更容易實(shí)現(xiàn)大尺寸AMOLED顯示的需要，同時(shí)，利用MILC技術(shù)的成本也更為低廉。而且與MIC技術(shù)相比，MILC技術(shù)可以有效的降低溝道區(qū)殘留金屬的污染。因此，MILC技術(shù)非常適合應(yīng)用于未來(lái)大尺寸AMOLED中。實(shí)施例I參見圖I-圖6，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管的制造方法，該技術(shù)能夠減少制程中所需的掩膜數(shù)量，從而簡(jiǎn)化工藝流程，提高產(chǎn)率及良率，包括如下步驟A、如圖I所示，在基板I上依次形成緩沖層2和有源層，所述基板可以是石英玻璃、普通玻璃或塑料基板等，所述緩沖層2用于保護(hù)溝道區(qū)，所述緩沖層2的厚度可以為200(T4000 A(埃)，所述緩沖層2的材料可以為SiO2 (二氧化硅)、SiNx (氮化硅)或二者的混合物；所述有源層的厚度可以為50(T800 A，所述有源層的材料可以為非晶硅a-Si薄膜，形成有源區(qū)3，例如刻蝕(Active-Mask)所述有源層；B、如圖2所示，依次形成柵絕緣層4和柵極層，所述柵絕緣層4的厚度可以為800 1500人5所述柵極層的厚度可以為150(T2500A，所述柵極層的材料可以為非晶硅a-Si薄膜，形成柵電極5，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述柵極層，所述構(gòu)圖工藝包括掩膜曝光、顯影和刻蝕等工藝；C、如圖3所示，形成，例如兩個(gè)，Ni (鎳)沉積窗口(Ni-Mask)例如刻蝕柵絕緣層；
D、如圖4所示，利用金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶方法將所述有源層3和所述柵電極5的非晶硅薄膜材料再結(jié)晶為多晶硅薄膜材料；本步驟具體包括在Ni沉積窗口中和柵電極5上沉積Ni金屬9，作為金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶的先驅(qū)金屬，在Ni沉積窗口中注入源漏離子，形成源漏區(qū)域，再高溫退火；E、如圖5所示，形成介質(zhì)層6，所述介質(zhì)層6的厚度可以為200(T4000 A，所述介質(zhì)層6的材料可以為Si02、SiNx或二者的混合物，形成，例如兩個(gè)，與Ni沉積窗口一一對(duì)應(yīng)的源漏接觸孔(CNT-Mask)，例如刻蝕介質(zhì)層6 ；F、如圖6所不,形成源漏金屬層,所述源漏金屬層的厚度可以為2000 3500 A，所述源漏金屬層的材料可以為Mo、其他導(dǎo)電金屬或合金,形成源漏電極7 (SD-Mask),例如刻蝕源漏金屬層，所述源漏電極7通過(guò)源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區(qū)3相連接，所述源漏電極7與所述柵電極5被介質(zhì)層6隔開。利用本發(fā)明所述的上述制造方法制造薄膜晶體管，僅采用5次光刻過(guò)程，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低生產(chǎn)成本，提高了良率。采用金屬側(cè)向誘導(dǎo)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)多晶硅的晶化過(guò)程，利用低溫多晶硅層作為柵電極，改善了與柵介質(zhì)的界面，能夠降低閾值電壓，并減小泄漏電流，達(dá)到簡(jiǎn)化工藝流程，提高器件性能的技術(shù)效果。采用本發(fā)明所述制造方法制造的薄膜晶體管能夠被適用于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)及低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPS-IXD)等領(lǐng)域。實(shí)施例2本發(fā)明所述的陣列基板的制造方法包括上述實(shí)施例I所述的薄膜晶體管的制造方法步驟，并進(jìn)一步包括步驟G、如圖7所示，形成像素界定與絕緣層8(PI)，所述像素界定與絕緣層8的厚度可以為f 2um，形成像素陣列，例如刻蝕所述像素界定與絕緣層(PDL-Mask)。利用本發(fā)明所述的上述制造方法制造的陣列基板，僅采用6次光刻過(guò)程，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低生產(chǎn)成本，提高了良率。采用金屬側(cè)向誘導(dǎo)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)多晶硅的晶化過(guò)程，利用低溫多晶硅層作為柵電極，改善了與柵介質(zhì)的界面，能夠降低閾值電壓，并減小泄漏電流，達(dá)到簡(jiǎn)化工藝流程，提高器件性能的技術(shù)效果。
采用本發(fā)明所述制造方法制造的陣列基板能夠被適用于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)及低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPS-IXD)等領(lǐng)域。實(shí)施例3如圖5所示 ，本發(fā)明所述的薄膜晶體管，包括依次形成于所述基板I上的緩沖層2和有源區(qū)3，所述基板I可以是石英玻璃、普通玻璃或塑料基板等，所述緩沖層2用于保護(hù)溝道區(qū)，所述緩沖層2的厚度可以為200(T4000 A(埃)，所述緩沖層2的材料可以為SiO2(二氧化硅)、SiNx (氮化硅)或二者的混合物；所述有源區(qū)3的厚度可以為50(T800 A，所述有源區(qū)3的材料可以為多晶硅薄膜，依次覆蓋在所述 緩沖層2和有源區(qū)3上的具有，例如兩個(gè)，Ni沉積窗口的柵絕緣層4、柵電極5和具有源漏接觸孔的介質(zhì)層6，所述源漏接觸孔與所述Ni沉積窗口一一對(duì)應(yīng)，所述柵絕緣層4的厚度可以為80(T1500 A，所述柵電極5的厚度可以為150(T2500 A5所述柵電極5的材料可以為多晶硅薄膜；所述介質(zhì)層6的厚度可以為200(T4000 A，所述介質(zhì)層6的材料可以為Si02、SiNx或二者的混合物；通過(guò)源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區(qū)3相連接的源漏電極7，所述源漏電極7與所述柵電極5被介質(zhì)層6隔開。利用本發(fā)明所述的上述薄膜晶體管，采用金屬側(cè)向誘導(dǎo)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)多晶硅的晶化過(guò)程，利用低溫多晶硅層作為柵電極，改善了與柵介質(zhì)的界面，能夠降低閾值電壓，并減小泄漏電流，達(dá)到簡(jiǎn)化工藝流程，提高器件性能的技術(shù)效果。采用本發(fā)明所述的薄膜晶體管能夠被適用于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)及低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPS-IXD)等領(lǐng)域。實(shí)施例4本發(fā)明所述的陣列基板包括上述實(shí)施例3所述的薄膜晶體管，進(jìn)一步包括覆蓋在所述介質(zhì)層6和源漏電極7上的像素界定與絕緣層8 (PI)，所述像素界定與絕緣層8的厚度可以為f 2um，所述像素界定與絕緣層8 (PDL-Mask)用于形成像素陣列。利用本發(fā)明所述的陣列基板，采用金屬側(cè)向誘導(dǎo)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)多晶硅的晶化過(guò)程，利用低溫多晶硅層作為柵電極，改善了與柵介質(zhì)的界面，能夠降低閾值電壓，并減小泄漏電流，達(dá)到簡(jiǎn)化工藝流程，提高器件性能的技術(shù)效果。采用本發(fā)明所述的陣列基板能夠被適用于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)及低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPS-IXD)等領(lǐng)域。綜上所述，本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法，利用本發(fā)明所述的上述制造方法制造薄膜晶體管，僅采用5次光刻過(guò)程，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低生產(chǎn)成本，提高了良率。采用金屬側(cè)向誘導(dǎo)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)多晶硅的晶化過(guò)程，利用低溫多晶硅層作為柵電極，改善了與柵介質(zhì)的界面，能夠降低閾值電壓，并減小泄漏電流，達(dá)到簡(jiǎn)化工藝流程，提高器件性能的技術(shù)效果。采用本發(fā)明所述制造方法制造的薄膜晶體管能夠被適用于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)及低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPS-IXD)等領(lǐng)域。以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括步驟 10、在基板上依次形成緩沖層和有源層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有源區(qū)； 30、依次形成柵絕緣層和柵極層，形成柵電極； 50、形成Ni沉積窗口； 70、形成介質(zhì)層,形成與Ni沉積窗口對(duì)應(yīng)的源漏接觸孔； 90、形成源漏金屬層，形成源漏電極，所述源漏電極通過(guò)源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區(qū)相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述有源層和所述柵電極的材料分別為非晶硅薄膜，在步驟50和步驟70之間，進(jìn)一步包括步驟 60、利用金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶方法將所述有源層和所述柵電極的非晶硅薄膜材料再結(jié)晶為多晶硅薄膜材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步驟60具體包括 在Ni沉積窗口中和柵電極上沉積Ni金屬，在Ni沉積窗口中注入源漏離子，形成源漏區(qū)域，再高溫退火。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，所述緩沖層和所述介質(zhì)層的材料分別為Si02、SiNx或二者的混合物；所述源漏金屬層的材料為Mo、導(dǎo)電金屬或?qū)щ奍=I -Wl o
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，所述Ni沉積窗口和所述源漏接觸孔分別為兩個(gè)。
6.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括步驟 51、在基板上依次形成緩沖層和有源層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有源區(qū)； S3、依次形成柵絕緣層和柵極層，形成柵電極； 55、形成Ni沉積窗口； S7、形成介質(zhì)層,形成與Ni沉積窗口對(duì)應(yīng)的源漏接觸孔； S9、形成源漏金屬層，形成源漏電極，所述源漏電極通過(guò)源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區(qū)相連接。
S11、形成像素界定與絕緣層，形成像素陣列。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述有源層和所述柵電極的材料分別為非晶硅薄膜，在步驟S5和步驟S7之間，進(jìn)一步包括步驟 56、利用金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶方法將所述有源層和所述柵電極的非晶硅薄膜材料再結(jié)晶為多晶硅薄膜材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S6具體包括 在Ni沉積窗口中和柵電極上沉積Ni金屬，在Ni沉積窗口中注入源漏離子，形成源漏區(qū)域，再高溫退火。
9.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括 依次形成于基板上的緩沖層和有源區(qū)； 依次覆蓋在所述緩沖層和有源區(qū)上的具有Ni沉積窗口的柵絕緣層、柵電極和具有源漏接觸孔的介質(zhì)層，所述源漏接觸孔與所述Ni沉積窗口一一對(duì)應(yīng)； 通過(guò)源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區(qū)相連接的源漏電極。
10.一種陣列基板，其特征在于，包括 基板， 依次形成于所述基板上的緩沖層和有源區(qū)； 依次覆蓋在所述緩沖層和有源區(qū)上的具有Ni沉積窗口的柵絕緣層、柵電極和具有源漏接觸孔的介質(zhì)層，所述源漏接觸孔與所述Ni沉積窗口一一對(duì)應(yīng)； 通過(guò)源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區(qū)相連接的源漏電極； 覆蓋在所述介質(zhì)層和源漏電極上的像素界定與絕緣層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法，所述制造方法包括在基板上依次形成緩沖層和有源層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有源區(qū)；依次形成柵絕緣層和柵極層，形成柵電極；形成Ni沉積窗口；形成介質(zhì)層，形成與Ni沉積窗口一一對(duì)應(yīng)的源漏接觸孔；形成源漏金屬層，形成源漏電極，所述源漏電極通過(guò)源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區(qū)相連接。利用本發(fā)明所述的方法制造薄膜晶體管，僅采用5次光刻過(guò)程，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低生產(chǎn)成本，提高了良率。采用金屬側(cè)向誘導(dǎo)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)多晶硅的晶化過(guò)程，利用多晶硅作為柵電極和有源層，能夠降低閾值電壓，減小泄漏電流，簡(jiǎn)化工藝流程，提高器件性能。
文檔編號(hào)H01L29/786GK102751200SQ20121022659
公開日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月29日
發(fā)明者梁逸南 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司