背接觸式太陽能電池及其制造方法
【專利摘要】一種背接觸式太陽能電池及其制造方法，該電池包括：一包括一第一面的基板，該第一面具有一第一區(qū)域、一第二區(qū)域以及一位于該第一區(qū)域與該第二區(qū)域之間的第三區(qū)域，該第一區(qū)域、該第二區(qū)域及該第三區(qū)域共同形成一個二階階梯結(jié)構(gòu)。該電池還包括分別位于該第一區(qū)域與該第二區(qū)域的一第一摻雜區(qū)與一第二摻雜區(qū)，以及一位于該第一面上且電連接于該第一摻雜區(qū)及該第二摻雜區(qū)的電極單元。該制造方法主要是通過兩次的蝕刻步驟來形成該二階階梯結(jié)構(gòu)，借此能使該電極單元的接觸金屬隔離制程易于進(jìn)行，有助于減少制程步驟并使制程簡單化。
【專利說明】背接觸式太陽能電池及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種太陽能電池及其制造方法，特別是涉及一種背接觸式太陽能電池及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]參閱圖1、2，已知的指叉型背接觸式(Interdigitated Back Contact,簡稱IBC)太陽能電池，主要包括:一基板11、位于該基板11正面的一重?fù)诫s層12與一抗反射層13、位于該基板11背面處的多個第一摻雜區(qū)14與多個第二摻雜區(qū)15、一位于該基板11的背面上并具有多個穿孔161的鈍化層16、多個分別電連接所述第一摻雜區(qū)14的第一電極17以及多個分別電連接所述第二摻雜區(qū)15的第二電極18。所述第一摻雜區(qū)14與第二摻雜區(qū)15分別為p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體，相鄰的第一摻雜區(qū)14與第二摻雜區(qū)15間隔約數(shù)十微米(Pm)。而所述第一電極17與第二電極18實(shí)際上是呈指叉狀地交錯配置。
[0003]該電池在制造上，主要是先利用擴(kuò)散制程于該基板11上制作所述第一摻雜區(qū)14，再利用擴(kuò)散制程制作所述第二摻雜區(qū)15，當(dāng)然，在制作所述摻雜區(qū)時，還必須沉積圖未示出的阻障層以及配合蝕刻步驟，以達(dá)到局部摻雜的目的，但圖中省略示出這些過程。接著形成該鈍化層16，并在該鈍化層16上形成一連續(xù)的金屬層21，再進(jìn)行金屬隔離制程以形成所述第一電極17與第二電極18，然而該制程有以下缺點(diǎn):在形成該金屬層21后，還必須于該金屬層21上沉積一阻擋層22，并配合光罩進(jìn)行區(qū)域定位蝕刻，最后將該阻擋層22的殘余區(qū)塊221移除，才能完成金屬隔離制程，所須步驟較多且復(fù)雜，使制造成本高，而且利用光罩進(jìn)行蝕刻的制程穩(wěn)定性不易控制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)創(chuàng)新、制程步驟較少、較易于制作的背接觸式太陽能電池及其制造方法。
[0005]本發(fā)明背接觸式太陽能電池，包括:一個包括一個第一面的基板、一個第一摻雜區(qū)、一個第二摻雜區(qū)以及一個位于該第一面上且電連接于該第一摻雜區(qū)及該第二摻雜區(qū)的電極單元。該基板的第一面具有一個第一區(qū)域、一個第二區(qū)域以及一個位于該第一區(qū)域與該第二區(qū)域之間的第三區(qū)域，該第一區(qū)域、該第二區(qū)域及該第三區(qū)域共同形成一個二階階梯結(jié)構(gòu)，該第一摻雜區(qū)位于該第一區(qū)域，該第二摻雜區(qū)位于該第二區(qū)域。
[0006]本發(fā)明所述的背接觸式太陽能電池，該電極單元包括一個電連接該第一摻雜區(qū)的第一電極以及一個電連接該第二摻雜區(qū)的第二電極，所述第一摻雜區(qū)與第二摻雜區(qū)的其中一個為P型半導(dǎo)體，另一個為n型半導(dǎo)體。
[0007]本發(fā)明所述的背接觸式太陽能電池，該第一面的二階階梯結(jié)構(gòu)包括二個側(cè)面段，所述側(cè)面段的其中至少一個的延伸角度為75度至90度，所述延伸角度為所述側(cè)面段與鄰接的階梯結(jié)構(gòu)的上表面之間的夾角。
[0008]本發(fā)明所述的背接觸式太陽能電池，該基板還包括一個與該第一面相對的第二面，該基板的第一區(qū)域為該二階階梯結(jié)構(gòu)的最遠(yuǎn)離該第二面的一階，該第二區(qū)域為該二階階梯結(jié)構(gòu)的最靠近該第二面的一階。
[0009]本發(fā)明所述的背接觸式太陽能電池，還包括一個位于該基板的第一面與該電極單元之間的鈍化層，該鈍化層具有可供該電極單元分別電連接于該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)的穿孔。
[0010]本發(fā)明背接觸式太陽能電池的制造方法，包括:
[0011]步驟A:在一個基板的一個第一面形成一個摻雜層；
[0012]步驟B:進(jìn)行第一次蝕刻，使該第一面形成一個一階階梯結(jié)構(gòu)，且該摻雜層的對應(yīng)于該一階階梯結(jié)構(gòu)的部位被移除，該摻雜層的未被移除的部位形成一個第一摻雜區(qū)；
[0013]步驟C:進(jìn)行第二次蝕刻，使該一階階梯結(jié)構(gòu)形成一個二階階梯結(jié)構(gòu)；
[0014]步驟D:在該二階階梯結(jié)構(gòu)上形成一個與該第一摻雜區(qū)分開設(shè)置的第二摻雜區(qū)；
[0015]步驟E:形成一個位于該第一面上且電連接于該第一摻雜區(qū)及該第二摻雜區(qū)的電極單元。
[0016]本發(fā)明所述的背接觸式太陽能電池的制造方法，該步驟B是先在該摻雜層的表面上形成一個第一阻擋層，再移除該第一阻擋層及該摻雜層的局部部位，接著蝕刻該基板而形成該一階階梯結(jié)構(gòu)，并且移除該第一阻擋層。
[0017]本發(fā)明所述的背接觸式太陽能電池的制造方法，該步驟C是以化學(xué)氣相沉積方式在該第一摻雜區(qū)及該一階階梯結(jié)構(gòu)的表面形成一個第二阻擋層，再移除該第二阻擋層的對應(yīng)于該一階階梯結(jié)構(gòu)的部位，接著蝕刻該基板而形成該二階階梯結(jié)構(gòu)。
[0018]本發(fā)明所述的背接觸式太陽能電池的制造方法，該步驟E的該電極單元是以非等向性的沉積方式形成。
[0019]本發(fā)明所述的背接觸式太陽能電池的制造方法，該步驟E是先在該第一摻雜區(qū)、該第二摻雜區(qū)及該二階階梯結(jié)構(gòu)的裸露的表面上形成一個包括多個穿孔的鈍化層，該電極單元沉積在該鈍化層上，并包括一個第一電極及一個第二電極，該第一電極及該第二電極經(jīng)由所述穿孔而分別電連接于該第一摻雜區(qū)及該第二摻雜區(qū)。
[0020]本發(fā)明所述的背接觸式太陽能電池的制造方法，該步驟C是以激光蝕刻方式移除該第二阻擋層的對應(yīng)于該一階階梯結(jié)構(gòu)的部位。
[0021]本發(fā)明所述的背接觸式太陽能電池的制造方法，該第二阻擋層還可以作為形成該第二摻雜區(qū)的時候的摻雜阻擋層，以避免該第二摻雜區(qū)的載子擴(kuò)散到該第一摻雜區(qū)。
[0022]本發(fā)明的有益效果在于:通過該基板形成該二階階梯結(jié)構(gòu)，且該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)分別位于該第一區(qū)域與該第二區(qū)域，為一種創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計。而且本發(fā)明的制造方法使用兩次的階梯制程，每一次的階梯制程都可對階梯深度與寬度進(jìn)行控制，因此兩次制程后所形成的最終階梯結(jié)構(gòu)尺寸，可獲得較佳的調(diào)控，如此也較易于制作出被區(qū)隔開的該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)，后續(xù)還可以通過簡單的蝕刻步驟就完成該電極單元的制作，因此本發(fā)明具有制程步驟較少且簡單、易于制作的優(yōu)點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是一種已知的背接觸式太陽能電池的剖視示意圖；
[0024]圖2是該已知的電池的制造流程示意圖；[0025]圖3是本發(fā)明背接觸式太陽能電池的一較佳實(shí)施例的剖視示意圖；
[0026]圖4是一般的背接觸式太陽能電池的仰視示意圖，用于示意本發(fā)明該較佳實(shí)施例的一電極單元的配置方式；
[0027]圖5是本發(fā)明背接觸式太陽能電池的制造方法的一較佳實(shí)施例的步驟流程圖；
[0028]圖6是該制造方法的部分步驟的流程示意圖；
[0029]圖7是該制造方法的其它步驟的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0031]參閱圖3，本發(fā)明背接觸式太陽能電池的較佳實(shí)施例包括:一基板3、至少一第一摻雜區(qū)41、至少一第二摻雜區(qū)42、一鈍化層43、一電極單元44、一第一摻雜層45以及一抗反射層46。該第一摻雜區(qū)41的“第一”與第二摻雜區(qū)42的“第二”，是指半導(dǎo)體材料的兩種不同的導(dǎo)電型式，在本實(shí)施例中分別為P型與n型，但實(shí)施時也可以相反。
[0032]該基板3具有彼此相對的一第一面31與一第二面32,本實(shí)施例的基板3為n型娃基板，該第一面31為背面，該第二面32為受光面，并可制作成粗糙表面以提高入光量。
[0033]而該第一面31具有一第一區(qū)域311、一第二區(qū)域312以及一位于該第一區(qū)域311與該第二區(qū)域312之間的第三區(qū)域313，該第一區(qū)域311、該第二區(qū)域312及該第三區(qū)域313共同形成一個二階階梯結(jié)構(gòu)314，該二階階梯結(jié)構(gòu)314包括二個側(cè)面段315，所述側(cè)面段315大致呈上下延伸，并且接近90度為佳，實(shí)務(wù)上應(yīng)使所述側(cè)面段315的其中至少一個的延伸角度9為75度至90度，可以簡化形成該電極單元44的制程。
[0034]所述延伸角度0是指側(cè)面段315與鄰接階梯結(jié)構(gòu)上表面之間的夾角，例如對于該第一區(qū)域311及該第三區(qū)域313之間的該側(cè)面段315而言，其延伸角度0為該第一區(qū)域311與該側(cè)面段315的夾角。此外，該第一區(qū)域311為該二階階梯結(jié)構(gòu)314的最遠(yuǎn)離該第二面32的一階，該第二區(qū)域312為該二階階梯結(jié)構(gòu)314的最靠近該第二面32的一階。
[0035]該第一摻雜區(qū)41為p型半導(dǎo)體，并位于該第一面31的第一區(qū)域311。該第二摻雜區(qū)42與該第一摻雜區(qū)41分開設(shè)置，并位于該第一面31的第二區(qū)域312，該第二摻雜區(qū)42為n型半導(dǎo)體，其載子濃度大于該基板3，借此形成n+摻雜。
[0036]該鈍化層43位于該基板3的第一面31與該電極單元44之間，并具有多個可供該電極單元44分別電連接于該第一摻雜區(qū)41與該第二摻雜區(qū)42的穿孔431。實(shí)際上該鈍化層43在對應(yīng)該第一摻雜區(qū)41的部位必須具有至少一穿孔431，在對應(yīng)該第二摻雜區(qū)42的部位也必須具有至少一穿孔431，才能供各個電極分別電連接各個摻雜區(qū)。該鈍化層43的材料為介電材料，可以為氧化物、氮化物或上述材料的組合，用于填補(bǔ)、降低表面缺陷或基板3內(nèi)部缺陷,進(jìn)而降低載子的表面復(fù)合速率(Surface Recombination Velocity,簡稱SRV)，提升電池的轉(zhuǎn)換效率。
[0037]該電極單元44沉積在該鈍化層43上，并包括至少一第一電極441與至少一第二電極442，其中該第一電極441及該第二電極442經(jīng)該多個穿孔431分別電連接于該第一摻雜區(qū)41及該第二摻雜區(qū)42。在本實(shí)施例中，該鈍化層43的表面上至少有部分區(qū)域未形成有該電極單元44，借此使該第一電極441與該第二電極442隔開，該電極單元44的形態(tài)與其制作過程有關(guān)，其制程容后說明。該電極單元44的材料不須限制，只要具有良好導(dǎo)電性就可以，例如鋁、銀等。
[0038]在此補(bǔ)充說明，本發(fā)明在實(shí)施時，該電極單元44位于該基板3的第一面31上，所述的“位于該第一面31上”，不以該電極單元44接觸該第一面31為必要，在該電極單元44與該第一面31之間也可以有其它層體的存在，例如該鈍化層43。本發(fā)明的電極單元44的P、n電極、該第一摻雜區(qū)41與該第二摻雜區(qū)42都位于該第一面31上，此即為背接觸式電池的結(jié)構(gòu)。
[0039]需要說明的是，實(shí)際上在一電池中，該第一摻雜區(qū)41、第二摻雜區(qū)42、第一電極441與第二電極442的數(shù)量都可以為多個，上述結(jié)構(gòu)在電池中重復(fù)排列，而本實(shí)施例的圖式僅是簡單示意，本發(fā)明不以圖式所示的形態(tài)為限。但須注意的是，一電池基本上只要包括至少一第一摻雜區(qū)41與一第二摻雜區(qū)42，以形成至少一 p_n接面，就可以達(dá)到太陽能電池的功能。
[0040]本實(shí)施例的第一摻雜層45設(shè)置在該基板3的第二面32處，其為n型半導(dǎo)體，且載子濃度大于該基板3,借此形成正面電場結(jié)構(gòu)(Front-Side Field,簡稱FSF),能提升載子收集率及光電轉(zhuǎn)換效率。該抗反射層46位于該第一摻雜層45的表面,其材料例如氮化娃(SiNx)等，用于提升光線入射量以及降低載子表面復(fù)合速率，但本發(fā)明不以設(shè)置該抗反射層46為絕對必要。由于本發(fā)明的改良不在于該第一摻雜層45與該抗反射層46，因此不再詳述。
[0041]參閱圖4，補(bǔ)充說明，已知的背接觸式太陽能電池有多種不同形態(tài)，包括指叉型背接觸式(Interdigitated Back Contact,簡稱IBC)太陽能電池、金屬環(huán)繞穿通式(MetalWrap Through,簡稱MWT)太陽能電池以及射極環(huán)繞穿通式(Emitter Wrap Through,簡稱EffT)太陽能電池。本實(shí)施例是以IBC電池為例，由該電池的仰視圖來看，第一電極441及第二電極442呈指狀交叉配置。
[0042]參閱圖3、5、6，本發(fā)明背接觸式太陽能電池的制造方法的較佳實(shí)施例，包括:
[0043](I)進(jìn)行步驟51:首先提供該n型的硅基板3，利用氧化制程或薄膜沉積方式在該基板3的第二面32上形成一個氧化隔絕層61，該氧化隔絕層61需可作為之后進(jìn)行KOH等向性蝕刻時的阻擋層。接著再以擴(kuò)散制程在該基板3的該第一面31處形成一 p型的摻雜層62 (圖6a)，p型摻雜的材料例如硼⑶。
[0044](2)進(jìn)行步驟52:進(jìn)行第一次蝕刻，本步驟是先在該摻雜層62的表面上形成一第一阻擋層63 (圖6a)，該第一阻擋層63可以利用氧化制程或薄膜沉積方式形成，其材料例如氧化硅(SiOx),并可作為之后進(jìn)行KOH等向性蝕刻時的阻擋層。接著利用激光蝕刻方式移除該第一阻擋層63及該摻雜層62的局部部位，此激光蝕刻步驟用于初步定義蝕刻區(qū)域，使該基板3的第一面31處形成一寬度約為500 u m的第一開口 317 (圖6b)。
[0045]接著利用濕式蝕刻方式蝕刻該基板3，使該第一面31形成一個一階階梯結(jié)構(gòu)316 (圖6c)。本步驟的蝕刻液例如KOH但不限于此，KOH對于基板3的硅材料有良好的蝕刻性，且濕式蝕刻為均勻的等向性蝕刻，可以使該第一開口 317的寬度擴(kuò)大到520 ii m左右，其深度也會加深。此時該摻雜層62的對應(yīng)于該一階階梯結(jié)構(gòu)316的部位被移除，該摻雜層62的未被移除的部位進(jìn)而形成所述第一摻雜區(qū)41。
[0046]補(bǔ)充說明的是，由于激光蝕刻會對該基板3造成表面損傷，并使基板3的表面粗糙，而通過該濕式蝕刻能去除該基板3的表面損傷，并降低基板3在開口區(qū)域的表面粗糙度。此外，因為該第一阻擋層63受到該KOH蝕刻的程度遠(yuǎn)小于該摻雜層62受到蝕刻的程度，因此在該第一開口 317的寬度擴(kuò)大時，該第一阻擋層63在對應(yīng)于該第一開口 317處的孔洞的尺寸改變量相對較小。
[0047]最后再進(jìn)行一次濕式蝕刻，將該基板3浸泡HF溶液以移除該第一阻擋層63與該氧化隔絕層61，進(jìn)而如圖6d所示。
[0048](3)進(jìn)行步驟53:進(jìn)行第二次蝕刻，使該一階階梯結(jié)構(gòu)316形成該二階階梯結(jié)構(gòu)314。具體而言，本步驟是以化學(xué)氣相沉積(CVD)方式在該第一摻雜區(qū)41及該一階階梯結(jié)構(gòu)316的表面形成一第二阻擋層64 (圖6e)，該第二阻擋層64的材料例如SiOx，此外，在該基板3的第二面32處也形成一第三阻擋層64’來作為保護(hù)，該第三阻擋層64’可與該第二阻擋層64同時形成。由于CVD制程的覆蓋率較佳,可避免階梯覆蓋(step coverage)不均勻的問題。
[0049]接著利用激光蝕刻移除該第二阻擋層64的對應(yīng)于該一階階梯結(jié)構(gòu)316的部位，此激光蝕刻步驟用于初步定義蝕刻區(qū)域，使該一階階梯結(jié)構(gòu)316處形成一寬度約為380 ii m左右的第二開口 318 (圖6f)。
[0050]參閱圖3、5、7，接著以濕式蝕刻方式蝕刻該基板3，就可以形成該二階階梯結(jié)構(gòu)314 (圖7a)。此時該第二開口 318變深，且寬度擴(kuò)大到400 iim左右。
[0051]本步驟使用的蝕刻液例如KOH但不限于此，而且濕式蝕刻的同時還能去除前述激光蝕刻對該基板3所造成的表面損傷，以降低基板3的表面粗糙度，有利于提升該基板3與后續(xù)形成的該鈍化層43之間的結(jié)合力。
[0052](4)進(jìn)行步驟54:在該第一面31的對應(yīng)于該第二開口 318處的裸露表面，通過磷(P)擴(kuò)散制程形成該n型的第二摻雜區(qū)42 (圖7b)。由于進(jìn)行第二摻雜區(qū)42的擴(kuò)散制程時，該第二阻擋層64及該第三阻擋層64’尚未移除，借此形成阻擋作用，避免n型載子擴(kuò)散到p型的第一摻雜區(qū)41而造成污染。接著再通過濕式蝕刻方式，將該基板3浸泡HF溶液以移除該第二阻擋層64及該第三阻擋層64’，進(jìn)而如圖7c所示。
[0053]需要說明的是，在進(jìn)行接下來的步驟之前，可以先在該基板3的第二面32處形成該第一摻雜層45及該抗反射層46 (圖7d)，但由于其形成方式非本發(fā)明的改良重點(diǎn)，所以不再說明。
[0054](5)進(jìn)行步驟55:形成該鈍化層43及該電極單元44，本步驟是先利用薄膜沉積方式，在該第一摻雜區(qū)41、該第二摻雜區(qū)42及該二階階梯結(jié)構(gòu)314的裸露的表面上形成連續(xù)的鈍化層43膜層，再利用激光或其它方式蝕刻該鈍化層43以形成所述穿孔431 (圖7d)。
[0055]接著利用物理氣相沉積(PVD)方式在該電池的第一面31上進(jìn)行整面的金屬沉積，進(jìn)而形成一連續(xù)的導(dǎo)電層65 (圖7e)，該導(dǎo)電層65的厚度約為數(shù)微米，其材料例如鋁，需要說明的是，所述“在第一面31上進(jìn)行金屬沉積”，不以該導(dǎo)電層65接觸該第一面31為必要，該導(dǎo)電層65與該第一面31之間也可以隔著其它層體。本步驟使用非等向性的PVD制程，主要是因為此制程的階梯覆蓋率較差，可以使沉積而成的該導(dǎo)電層65的膜厚不均勻，在對應(yīng)于該二階階梯結(jié)構(gòu)314的側(cè)面段315與階梯轉(zhuǎn)角的部位上，該導(dǎo)電層65的厚度較薄，如此有利于后續(xù)制程的進(jìn)行。
[0056]接著利用濕式蝕刻方式進(jìn)行金屬蝕刻制程，通過該導(dǎo)電層65的階梯式結(jié)構(gòu)的金屬膜厚不均勻，因此進(jìn)行金屬蝕刻時，該導(dǎo)電層65對應(yīng)于所述側(cè)面段315的部位至少有部分可被移除而完成金屬斷線(圖7f)，進(jìn)而完成p、n摻雜區(qū)的接觸金屬的隔離制程，也就是完成該電極單元44的制作。
[0057]本發(fā)明使用兩次的階梯制程，相較于只設(shè)置一階階梯或者未形成階梯結(jié)構(gòu)的一般電池而言，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:每一次的階梯制程都可對階梯深度與寬度進(jìn)行控制，因此兩次制程后所形成的最終階梯結(jié)構(gòu)尺寸可獲得較佳的調(diào)控，如此也較易于制作出被區(qū)隔開的該第一摻雜區(qū)41與該第二摻雜區(qū)42，而且階梯結(jié)構(gòu)配合以非等向性的PVD沉積該導(dǎo)電層65，使該導(dǎo)電層65的膜厚不均勻，后續(xù)就可以通過簡單的蝕刻步驟使該導(dǎo)電層65的局部部位斷開，完成該電極單元44的制作，因此本發(fā)明在接觸金屬的隔離制程上，步驟較少且簡單、易于進(jìn)行、制程成本較低，而且因為不需要配合光罩蝕刻，所以制程容易控制，制程穩(wěn)定性高。
[0058]另一方面，本發(fā)明在形成該二階階梯結(jié)構(gòu)314的過程中，主要是以激光蝕刻配合等向性的濕式蝕刻，此兩種蝕刻方式的進(jìn)行方式也相當(dāng)簡單且方便，而且在步驟53所形成的第二阻擋層64、第三阻擋層64’，可同時作為形成該二階階梯結(jié)構(gòu)314時的蝕刻阻擋層與形成該第二摻雜區(qū)42的時候所須的摻雜阻擋層，因此第二阻擋層64及第三阻擋層64’兼具雙重阻擋功能。
【權(quán)利要求】
1.一種背接觸式太陽能電池，包括:一個包括一個第一面的基板、一個第一摻雜區(qū)、一個第二摻雜區(qū)以及一個位于該第一面上且電連接于該第一摻雜區(qū)及該第二摻雜區(qū)的電極單元，其特征在于，該基板的第一面具有一個第一區(qū)域、一個第二區(qū)域以及一個位于該第一區(qū)域與該第二區(qū)域之間的第三區(qū)域，該第一區(qū)域、該第二區(qū)域及該第三區(qū)域共同形成一個二階階梯結(jié)構(gòu)，該第一摻雜區(qū)位于該第一區(qū)域，該第二摻雜區(qū)位于該第二區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸式太陽能電池，其特征在于，該電極單元包括一個電連接該第一摻雜區(qū)的第一電極以及一個電連接該第二摻雜區(qū)的第二電極，所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)的其中一個為P型半導(dǎo)體，另一個為n型半導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸式太陽能電池，其特征在于，該第一面的二階階梯結(jié)構(gòu)包括二個側(cè)面段，所述側(cè)面段的其中至少一個的延伸角度為75度至90度，所述延伸角度為所述側(cè)面段與鄰接的階梯結(jié)構(gòu)的上表面之間的夾角。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸式太陽能電池，其特征在于，該基板還包括一個與該第一面相對的第二面，該基板的第一區(qū)域為該二階階梯結(jié)構(gòu)的最遠(yuǎn)離該第二面的一階，該第二區(qū)域為該二階階梯結(jié)構(gòu)的最靠近該第二面的一階。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的背接觸式太陽能電池，其特征在于，該背接觸式太陽能電池還包括一個位于該基板的第一面與該電極單元之間的鈍化層，該鈍化層具有可供該電極單元分別電連接于該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)的穿孔。
6.一種背接觸式太陽能電池的制造方法，其特征在于，該制造方法包括: 步驟A:在一個基板的一個第一面形成一個摻雜層； 步驟B:進(jìn)行第一次蝕刻，使該第一面形成一個一階階梯結(jié)構(gòu)，且該摻雜層的對應(yīng)于該一階階梯結(jié)構(gòu)的部位被移除，該摻雜層的未被移除的部位形成一個第一摻雜區(qū)； 步驟C:進(jìn)行第二次蝕刻，使該一階階梯結(jié)構(gòu)形成一個二階階梯結(jié)構(gòu)； 步驟D:在該二階階梯結(jié)構(gòu)上形成一個與該第一摻雜區(qū)分開設(shè)置的第二摻雜區(qū)； 步驟E:形成一個位于該第一面上且電連接于該第一摻雜區(qū)及該第二摻雜區(qū)的電極單J Li o
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背接觸式太陽能電池的制造方法，其特征在于，該步驟B是先在該摻雜層的表面上形成一個第一阻擋層，再移除該第一阻擋層及該摻雜層的局部部位，接著蝕刻該基板而形成該一階階梯結(jié)構(gòu)，并且移除該第一阻擋層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背接觸式太陽能電池的制造方法，其特征在于，該步驟C是以化學(xué)氣相沉積方式在該第一摻雜區(qū)及該一階階梯結(jié)構(gòu)的表面形成一個第二阻擋層，再移除該第二阻擋層的對應(yīng)于該一階階梯結(jié)構(gòu)的部位，接著蝕刻該基板而形成該二階階梯結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背接觸式太陽能電池的制造方法，其特征在于，該步驟E的該電極單元以非等向性的沉積方式形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的背接觸式太陽能電池的制造方法，其特征在于，該步驟E是先在該第一摻雜區(qū)、該第二摻雜區(qū)及該二階階梯結(jié)構(gòu)的裸露的表面上形成一個包括多個穿孔的鈍化層，該電極單元沉積在該鈍化層上，并包括一個第一電極及一個第二電極，該第一電極及該第二電極經(jīng)由所述穿孔而分別電連接于該第一摻雜區(qū)及該第二摻雜區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背接觸式太陽能電池的制造方法，其特征在于，該步驟C是以激光蝕刻方式移除該第二阻擋層的對應(yīng)于該一階階梯結(jié)構(gòu)的部位。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背接觸式太陽能電池的制造方法，其特征在于，該第二阻擋層還能作為形成該第二摻雜區(qū)的時候的摻雜阻擋層，以避免該第二摻雜區(qū)的載子擴(kuò)散到該第一摻雜區(qū)。`
【文檔編號】H01L31/0352GK103531653SQ201210236070
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2012年7月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月6日
【發(fā)明者】謝伯宗, 賴光杰, 李可欣, 黃世賢 申請人:茂迪股份有限公司