專利名稱：陣列基板的制造方法及陣列基板、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制造方法及陣列基板、顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-IXD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品?；诟呒?jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvancedSuper Dimension Switch, AD-SDS,簡(jiǎn)稱ADS)的TFT-LCD憑借其低功耗、寬視角等特點(diǎn)，應(yīng)用越來(lái)越廣泛。ADS技術(shù)主要是通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了 液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。由于ADS型TFT-IXD中，公共電極也是制作在陣列基板上，因此在ADS型TFT-IXD的陣列基板制作工藝中需要額外增加一次形成公共電極的構(gòu)圖工藝。目前，ADS型TFT-IXD陣列基板的制造過(guò)程中通常需要多次構(gòu)圖工藝，而每一次構(gòu)圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。因此，減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)就意味著能夠降低制造成本?，F(xiàn)有技術(shù)中公開(kāi)有通過(guò)六次構(gòu)圖工藝制造ADS型TFT-IXD陣列基板(如圖I所示)的方法，該方法包括步驟I、沉積第一金屬薄膜，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成柵線、柵電極11及公共電極線12。步驟2、沉積第一絕緣薄膜，半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層13、半導(dǎo)體有源層14 (由半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層構(gòu)成)。步驟3、沉積第一透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成板狀的像素電極14’。步驟4、沉積第二金屬薄膜，通過(guò)第四次構(gòu)圖工藝形成源電極16、漏電極17和數(shù)據(jù)線。步驟5、沉積第二絕緣薄膜形成鈍化層18，通過(guò)第五次構(gòu)圖工藝形成貫穿鈍化層18和柵絕緣層13的過(guò)孔，露出公共電極線12。步驟6、沉積第二透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)第六次構(gòu)圖工藝形成具有狹縫的公共電極19，該公共電極19通過(guò)步驟5形成的過(guò)孔，與公共電極線12實(shí)現(xiàn)電連接。這種方法需要6次構(gòu)圖工藝，制造成本仍然較高。為了增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，提高市場(chǎng)占有率，需要進(jìn)一步減小陣列基板制造過(guò)程中構(gòu)圖工藝的次數(shù)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板的制造方法及陣列基板、顯示裝置，用以減少陣列基板制造過(guò)程中構(gòu)圖工藝的次數(shù)，降低生產(chǎn)成本。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一方面，提供一種陣列基板的制造方法，包括薄膜晶體管、第一透明電極和第二透明電極的制作過(guò)程；所述第一透明電極和第二透明電極產(chǎn)生多維電場(chǎng)；其特征在于，所述第一透明電極的制作過(guò)程包括形成金屬氧化物薄膜，該金屬氧化物薄膜呈半導(dǎo)體特性；
通過(guò)對(duì)部分所述金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理形成第一透明電極，未進(jìn)行所述金屬化處理的部分形成半導(dǎo)體有源層。一方面，提供一種由上述方法制得的陣列基板，包括薄膜晶體管、第一透明電極和第二透明電極；所述第一透明電極和第二透明電極產(chǎn)生多維電場(chǎng)；其特征在于，所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體有源層和所述第一透明電極是由同一金屬氧化薄膜通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成的，形成所述第一透明電極的金屬氧化物薄膜通過(guò)金屬化處理，所述半導(dǎo)體有源層上設(shè)置有刻蝕阻擋層。一方面，提供一種顯示裝置，包括由上述陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法及陣列基板、顯示裝置，通過(guò)對(duì)部分金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理呈現(xiàn)導(dǎo)體特性形成第一透明電極，未進(jìn)行金屬化處理的部分呈現(xiàn)半導(dǎo)體的特性形成半導(dǎo)體有源層。在具有導(dǎo)體特性和半導(dǎo)體特性的同一層金屬氧化物薄膜中通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體有源層和第一透明電極，省略了單獨(dú)制備第一透明電極的步驟，降低生產(chǎn)制造成本。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的流程圖；圖3為本發(fā)實(shí)施例二提供的陣列基板的第一示意圖；圖4為本發(fā)實(shí)施例二提供的陣列基板的第二示意圖；圖5為本發(fā)實(shí)施例二提供的陣列基板的第三示意圖；圖6為本發(fā)實(shí)施例二提供的陣列基板的第四示意圖；圖7為本發(fā)實(shí)施例二提供的陣列基板的第五示意圖；圖8為本發(fā)實(shí)施例二提供的陣列基板的第六示意圖；圖9為本發(fā)實(shí)施例二提供的陣列基板的第七示意圖；圖10為本發(fā)實(shí)施例二提供的陣列基板的第八示意圖；圖11為本發(fā)實(shí)施例二提供的陣列基板的第九示意圖；圖12為本發(fā)實(shí)施例二提供的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為本發(fā)實(shí)施例三提供的陣列基板的第一示意圖14為本發(fā)實(shí)施例三提供的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖15為本發(fā)實(shí)施例四提供的陣列基板的第一示意圖；圖16為本發(fā)實(shí)施例四提供的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1_柵線；2_數(shù)據(jù)線；10_基板，11-柵電極；12_公共電極線；13_柵絕緣層，131-第二過(guò)孔；141_半導(dǎo)體有源層；142_源連接電極，143-漏連接電極，14-第一透明電極，140-金屬氧化物薄膜；15_刻蝕阻擋層，150-刻蝕阻擋層薄膜；16_源電極；17-漏電極；18_鈍化層，181-第一過(guò)孔，182-第三過(guò)孔；19_第二透明電極；20_第一光刻膠、21-第二光刻膠；22_第三光刻膠。
具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，包括薄膜晶體管、第一透明電極和第二透明電極的制作過(guò)程。該第一透明電極和第二透明電極產(chǎn)生多維電場(chǎng)。其中，該第一透明電極的制作過(guò)程包括步驟一形成金屬氧化物薄膜，該金屬氧化物薄膜呈半導(dǎo)體特性。步驟二 通過(guò)對(duì)部分該金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理形成第一透明電極，未進(jìn)行所述金屬化處理的部分形成半導(dǎo)體有源層。進(jìn)一步地，步驟二中“通過(guò)對(duì)部分該金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理形成第一透明電極”，具體可以包括通過(guò)等離子工藝或退火工藝等對(duì)部分該金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理形成第一透明電極。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，所述第一透明電極為像素電極；或者，所述第一透明電極為公共電極。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法及陣列基板、顯示裝置，通過(guò)對(duì)部分金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理呈現(xiàn)導(dǎo)體特性形成第一透明電極，未進(jìn)行金屬化處理的部分呈現(xiàn)半導(dǎo)體的特性形成半導(dǎo)體有源層。在具有導(dǎo)體特性和半導(dǎo)體特性的同一層金屬氧化物薄膜中通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體有源層和第一透明電極，省略了單獨(dú)制備第一透明電極的步驟，降低生產(chǎn)制造成本。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，如圖2所示，該方法具體包括S201、在基板上制作柵線、薄膜晶體管的柵電極和柵絕緣層。示例性的，參照?qǐng)D3，首先采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在基板10(如玻璃基板或石英基板)上形成第一金屬薄膜。其中，該第一金屬薄膜可以是鑰、鋁、鋁銣合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層沉積形成的多層薄膜。在第一金屬薄膜上涂覆光刻膠層后，通過(guò)掩模板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕和剝離等構(gòu)圖工藝處理，形成如圖3所示的柵電極11和圖3中未表示的柵線圖案。隨后，通過(guò)化學(xué)氣相沉積方或蒸鍍等方法在基板10、柵線和柵電極11上形成柵絕緣層13。S202、在形成有柵線、柵電極和柵絕緣層的基板上依次形成金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜。示例性的，如圖4所示，在形成有柵線、柵電極11和柵絕緣層13的基板10上依次形成金屬氧化物薄膜140和刻蝕阻擋層薄膜150。具體可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或化學(xué)氣相沉積等方法形成金屬氧化物薄膜140和刻蝕阻擋層薄膜150。具體的，金屬氧化物薄膜140可以采用呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料，具體的可以是InGaZnO、InGaO, ΙΤΖ0、AlZnO等透明金屬氧化物材料；刻蝕阻擋層薄膜150可以是致密的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等材料。S203、通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)所述刻蝕阻擋層薄膜進(jìn)行處理以形成覆蓋TFT溝道區(qū)域的刻蝕阻擋層的圖形。示例性的，參照?qǐng)D5，在刻蝕阻擋層薄膜150上涂覆第一光刻膠層后，通過(guò)掩模板 進(jìn)行曝光、顯影處理后，得到如圖5所示的保留在TFT溝道區(qū)域上的第一光刻膠20，其他區(qū)域則無(wú)光刻膠。之后，如圖6所示，通過(guò)刻蝕工藝對(duì)沒(méi)有第一光刻膠20覆蓋的刻蝕阻擋層薄膜進(jìn)行刻蝕，處理后僅保留第一光刻膠20覆蓋區(qū)域(即TFT溝道區(qū)域)的刻蝕阻擋層薄膜，形成覆蓋TFT溝道區(qū)域的刻蝕阻擋層15的圖案，露出刻蝕阻擋層15圖案以外的金屬氧化物薄膜140。S204、對(duì)外露的金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理，形成具有導(dǎo)體特性的金屬氧化物薄膜；所述刻蝕阻擋層下未進(jìn)行所述金屬化處理的部分形成半導(dǎo)體有源層。示例性的，如圖7所示，可以通過(guò)等離子工藝或退火工藝等對(duì)外露的金屬氧化物薄膜140進(jìn)行金屬化處理。該步驟可以通過(guò)以下三種方式實(shí)現(xiàn)。方式一將具有圖6所示結(jié)構(gòu)的基板置于真空腔室中加熱到一定溫度，并保持一定時(shí)間后在空氣中冷卻。優(yōu)選的，該一定溫度值可以為200 300°C，保持的一定時(shí)間可以為20 40分鐘。方式二 將具有圖6所示結(jié)構(gòu)的基板置于還原性氣氛中在200 400°C進(jìn)行熱處理。方式三將具有圖6所示結(jié)構(gòu)的基板置于真空腔室中，采用等離子體處理的方法，一般功率為1500 2500W，壓力為1000 2000mtorr，有氫氣(H2)等離子體和氧氣(O2)等離子體處理兩種方法，使用氫氣等離子體或氧氣等離子體處理時(shí)，氫氣或氧氣的氣體流量一般為 5000 15000sccm。通過(guò)上述三種方式，可以使被金屬化處理的金屬氧化物薄膜140的載流子濃度提高，呈現(xiàn)導(dǎo)體特性，可以取代現(xiàn)有的像素電極材料。而刻蝕阻擋層15下未進(jìn)行金屬化處理的金屬氧化物薄膜的載流子濃度較低，呈現(xiàn)半導(dǎo)體特性，即為半導(dǎo)體有源層141。S205、通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)所述具有導(dǎo)體特性的金屬氧化物薄膜進(jìn)行處理以形成第一透明電極，和與所述半導(dǎo)體有源層連接的源連接電極、漏連接電極。示例性的，剝離圖7所示的覆蓋刻蝕阻擋層15的第一光刻膠20后，再在該基板10上涂覆第二光刻膠層，通過(guò)掩模板進(jìn)行曝光、顯影處理后，如圖8所示，得到保留在刻蝕阻擋層15之上及其兩側(cè)的第二光刻膠21，和保留在具有導(dǎo)體特性的金屬氧化物薄膜140上對(duì)應(yīng)第一透明電極區(qū)域的第三光刻膠22，其他區(qū)域則無(wú)光刻膠。之后，如圖9所示，通過(guò)刻蝕工藝對(duì)露出的具有導(dǎo)體特性的金屬氧化物薄膜進(jìn)行刻蝕，形成第一透明電極14，和與所述半導(dǎo)體有源層141連接的源連接電極142、漏連接電極143，最后剝離掉圖9中所示的第二光刻膠21、第三光刻膠22。S206、在形成有半導(dǎo)體有源層、刻蝕阻擋層和第一透明電極的基板上依次形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二透明電極的圖形。需要說(shuō)明的是在本實(shí)施例中，是以第一透明電極14作為像素電極即其與漏電極電連接為例進(jìn)行說(shuō)明的，但本實(shí)施例并不限第一透明電極14必須為像素電極，該第一透明電極14也可以是公共電極。本步驟中源、漏電極、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二透明電極可以分別通過(guò)三次構(gòu)圖工藝形成。具體的，參見(jiàn)圖10，采用現(xiàn)有的成膜方法如磁控濺射或熱蒸發(fā)等方法在基板10上形成金屬薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成與源連接電極142電連接的源電極16，和與漏連接電 極143電連接的漏電極17以及數(shù)據(jù)線(圖10中未顯示出)的圖案。在此，形成源、漏電極和數(shù)據(jù)線的金屬薄膜可以是鑰、鋁、鋁銣合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層沉積形成的多層薄膜。接著，如圖11所示，再在基板10上通過(guò)化學(xué)氣相沉積或熱蒸發(fā)等方法制備絕緣薄膜形成鈍化層18。其中，該絕緣薄膜可以采用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的單層薄膜，也可以采用上述材料的多層沉積形成的多層薄膜。最后，如圖12所示，通過(guò)磁控濺射或熱蒸發(fā)等方法形成透明導(dǎo)電薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成具有狹縫的第二透明電極19。第一透明電極14與第二透明電極19之間可以形成多維電場(chǎng)。其中，第二透明電極19的材料可以是IT0、Zn0、InGaZnO、InZnO、InGaO等透明導(dǎo)電材料。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，通過(guò)對(duì)部分金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理呈現(xiàn)導(dǎo)體特性形成第一透明電極，未進(jìn)行金屬化處理的部分呈現(xiàn)半導(dǎo)體的特性形成半導(dǎo)體有源層。在具有導(dǎo)體特性和半導(dǎo)體特性的同一層金屬氧化物薄膜中通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體有源層和第一透明電極，省略了單獨(dú)制備第一透明電極的步驟，降低生產(chǎn)制造成本。此外，由于金屬氧化物半導(dǎo)體材料很容易在水中或空氣中被氧化，因而在后續(xù)工藝中TFT溝道區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體材料極易在濕法刻蝕時(shí)受到破壞，導(dǎo)致TFT特性低下。本發(fā)明中對(duì)應(yīng)TFT溝道區(qū)域覆蓋有刻蝕阻擋層，TFT溝道區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體材料可以在刻蝕阻擋層的保護(hù)下避免刻蝕時(shí)的破壞，從而能夠保證TFT特性，進(jìn)而確保產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，基本過(guò)程與實(shí)施例二類似，可以參照
實(shí)施例二。本實(shí)施例與實(shí)施例二的不同在于，相對(duì)實(shí)施例二的S201，本實(shí)施例的S20廣包括如圖13所示，在基板10上形成柵線(圖13中未表示)、柵電極11的同時(shí)，還形成公共電極線12，之后，再在基板10上形成柵絕緣層13。進(jìn)一步的，公共電極線12與柵電極11和柵線可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成。
形成柵線、柵電極及公共電極線之后的步驟與實(shí)施例二的步驟S202-S205相同，不再贅述。在形成有半導(dǎo)體有源層、刻蝕阻擋層和第一透明電極的基板上形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二透明電極的圖形，相對(duì)實(shí)施例二的S206，本實(shí)施例的S206'包括參照?qǐng)D14，在形成有半導(dǎo)體有源層141、刻蝕阻擋層15和第一透明電極14的基板上依次形成源電極16、與第一透明電極14電連接的漏電極17和數(shù)據(jù)線。然后再在形成有數(shù)據(jù)線、源電極16和漏電極17的基板上形成包含第一過(guò)孔181的鈍化層18，該第一過(guò)孔181貫穿鈍化層18和柵絕緣層13，露出公共電極線12。接著，再在鈍化層18上制作第二透明電極19，該第二透明電極19通過(guò)第一過(guò)孔181與公共電極線12電連接，該第二透明電極19為具有狹縫的透明電極，第一透明電極14和具有狹縫的第二透明電極19形成多維電場(chǎng)。因此，在本實(shí)施例中，第一透明電極14為像素電極，與漏電極17直接接觸實(shí)現(xiàn)電連接；第二透明電極19為公共電極，通過(guò)第一過(guò)孔181與公共電極線12電連接。
本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，通過(guò)對(duì)部分金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理呈現(xiàn)導(dǎo)體特性形成第一透明電極，未進(jìn)行金屬化處理的部分呈現(xiàn)半導(dǎo)體的特性形成半導(dǎo)體有源層。在具有導(dǎo)體特性和半導(dǎo)體特性的同一層金屬氧化物薄膜中通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體有源層和第一透明電極，省略了單獨(dú)制備第一透明電極的步驟，降低生產(chǎn)制造成本。同時(shí)，將公共電極與公共電極線電連接，可大幅降低公共電極的電阻，隨著面板尺寸的增大，公共電極的電阻可導(dǎo)致畫面延遲或顯示異常等問(wèn)題，通過(guò)上述第一過(guò)孔公共電極與公共電極線直接實(shí)現(xiàn)電連接，可以徹底解決上述問(wèn)題。此外，由于金屬氧化物半導(dǎo)體材料很容易在水中或空氣中被氧化，因而在后續(xù)工藝中TFT溝道區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體材料極易在濕法刻蝕時(shí)受到破壞導(dǎo)致TFT特性低下。本發(fā)明中對(duì)應(yīng)TFT溝道區(qū)域覆蓋有刻蝕阻擋層，TFT溝道區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體材料可以在刻蝕阻擋層的保護(hù)下避免刻蝕時(shí)的破壞，從而能夠保證TFT特性，進(jìn)而確保產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。實(shí)施例四本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，基本過(guò)程與實(shí)施例二類似，可以參照
實(shí)施例二。本實(shí)施例與實(shí)施例二的不同在于，相對(duì)實(shí)施例二的步驟S201，本實(shí)施例的S201"包括如圖15所示，在基板10上形成柵線(圖15中未表示)、柵電極11和公共電極線12、以及柵絕緣層13。之后，再在柵絕緣層13上形成第二過(guò)孔131，該第二過(guò)孔131露出公共電極線12，用以連接后續(xù)工藝形成的第一透明電極14和公共電極線12。之后的步驟與實(shí)施例二的步驟S202-S204類似，參照?qǐng)D16，本實(shí)施例中的第一透明電極14通過(guò)第二過(guò)孔131與公共電極線12連接。相對(duì)于實(shí)施例二的步驟S205，本實(shí)施例的步驟S205"包括參照?qǐng)D16，通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)所述形成導(dǎo)體特性的金屬氧化物薄膜進(jìn)行處理以形成第一透明電極14，和與所述半導(dǎo)體有源層141連接的源連接電極142、漏連接電極143。其中，第一透明電極14通過(guò)第二過(guò)孔131和公共電極線12電連接。相對(duì)實(shí)施例二的步驟S206，本實(shí)施例的步驟S206"包括參照16，在形成有半導(dǎo)體有源層141、刻蝕阻擋層15和第一透明電極14’的基板10上依次形成源電極16、漏電極17、數(shù)據(jù)線(圖16中未表示)后，再在其上形成含有第三過(guò)孔182的鈍化層18，該第三過(guò)孔182貫穿所述鈍化層18，露出漏電極17。接著，在形成有第三過(guò)孔182的鈍化層18上制作第二透明電極19，該第二透明電極19通過(guò)第三過(guò)孔182與漏電極17電連接。因此，在本實(shí)施例中，第一透明電極14為公共電極，通過(guò)柵絕緣層13上的第二過(guò)孔131與公共電極線12電連接。第二透明電極19為像素電極，通過(guò)鈍化層18上的第三過(guò)孔182與漏電極17電連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，通過(guò)對(duì)部分金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理呈現(xiàn)導(dǎo)體特性形成第一透明電極，未進(jìn)行金屬化處理的部分呈現(xiàn)半導(dǎo)體的特性形成半導(dǎo)體有源層。在具有導(dǎo)體特性和半導(dǎo)體特性的同一層金屬氧化物薄膜中通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體有源層和第一透明電極，省略了單獨(dú)制備第一透明電極的步驟，降低生產(chǎn)制造成本。同時(shí)，將公共電極與公共電極線電連接，可大幅降低公共電極的電阻，隨著面板尺寸的增大，公共電極的電阻可導(dǎo)致畫面延遲或顯示異常等問(wèn)題，通過(guò)上述第一過(guò)孔公共電極與公共電極線直接實(shí)現(xiàn)電連接，可以徹底解決上述問(wèn)題。
此外，由于金屬氧化物半導(dǎo)體材料很容易在水中或空氣中被氧化，因而在后續(xù)工藝中TFT溝道區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體材料極易在濕法刻蝕時(shí)受到破壞導(dǎo)致TFT特性低下。本發(fā)明中對(duì)應(yīng)TFT溝道區(qū)域覆蓋有刻蝕阻擋層，TFT溝道區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體材料可以在刻蝕阻擋層的保護(hù)下避免刻蝕時(shí)的破壞，從而能夠保證TFT特性，進(jìn)而確保產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。實(shí)施例五本發(fā)明實(shí)施例提供的利用上述各個(gè)實(shí)施例說(shuō)明的陣列基板的制造方法制得的陣列基板，包括薄膜晶體管、第一透明電極和第二透明電極；所述第一透明電極和第二透明電極產(chǎn)生多維電場(chǎng)；所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體有源層和所述第一透明電極是由同一金屬氧化薄膜通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成的，其中，所述第所述第一透明電極有所述金屬氧化物薄膜通過(guò)金屬化處理得到，所述半導(dǎo)體有源層由未被金屬化處理的金屬氧化物薄膜形成。需要說(shuō)明的是，上述各個(gè)實(shí)施例中是以像素電極和公共電極異層設(shè)置的陣列基板為例進(jìn)行的說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，以上實(shí)施例中像素電極和公共電極同層設(shè)置在陣列基板上時(shí)，也可以通過(guò)構(gòu)圖工藝、金屬化處理等在一層金屬氧化物薄膜上形成有源層、像素電極和公共電極的圖案。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板通過(guò)適當(dāng)?shù)淖冃我部梢赃m用于IPS (平面內(nèi)開(kāi)關(guān))型和AD-SDS型的TFT陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，通過(guò)對(duì)部分金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理呈現(xiàn)導(dǎo)體特性形成第一透明電極，未進(jìn)行金屬化處理的部分呈現(xiàn)半導(dǎo)體的特性形成半導(dǎo)體有源層。在具有導(dǎo)體特性和半導(dǎo)體特性的同一層金屬氧化物薄膜中通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體有源層和第一透明電極，省略了單獨(dú)制備第一透明電極的步驟，降低生產(chǎn)制造成本。實(shí)施例六本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置包括實(shí)施例五所述的陣列基板，該陣列基板由上述實(shí)施一至實(shí)施例四中任意一種陣列基板的制作方法制得。該陣列基板包括薄膜晶體管、第一透明電極和第二透明電極；所述第一透明電極和第二透明電極產(chǎn)生多維電場(chǎng)；所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體有源層和所述第一透明電極是由同一金屬氧化薄膜通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成的，其中，所述第一透明電極由該金屬氧化物薄膜通過(guò)金屬化處理得到，所述半導(dǎo)體有源層由未被金屬化處理的金屬氧化物薄膜形成。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，在其陣列基板上通過(guò)對(duì)部分金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理呈現(xiàn)導(dǎo)體特性形成第一透明電極，未進(jìn)行金屬化處理的部分呈現(xiàn)半導(dǎo)體的特性形成半導(dǎo)體有源層。在具有導(dǎo)體特性和半導(dǎo)體特性的同一層金屬氧化物薄膜中通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體有源層和第一透明電極，省略了單獨(dú)制備第一透明電極的步驟，降低生產(chǎn)制造成本。需要說(shuō)明的是本發(fā)明所提供的顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述，僅為本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，包括薄膜晶體管、第一透明電極和第二透明電極的制作過(guò)程；所述第一透明電極和第二透明電極產(chǎn)生多維電場(chǎng)；其特征在于，所述第一透明電極的制作過(guò)程包括 形成金屬氧化物薄膜，所述金屬氧化物薄膜呈半導(dǎo)體特性； 通過(guò)對(duì)部分所述金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理形成第一透明電極，未進(jìn)行所述金屬化處理的部分金屬氧化物薄膜形成半導(dǎo)體有源層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述制造方法具體包括 在形成有柵線、柵電極和柵絕緣層的基板上依次形成金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜； 通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)所述刻蝕阻擋層薄膜進(jìn)行處理以形成覆蓋TFT溝道區(qū)域的刻蝕阻擋層的圖形； 對(duì)外露的金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理，形成具有導(dǎo)體特性的金屬氧化物薄膜；所述刻蝕阻擋層下未進(jìn)行所述金屬化處理的部分形成半導(dǎo)體有源層； 通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)所述具有導(dǎo)體特性的金屬氧化物薄膜進(jìn)行處理以形成第一透明電極，和與所述半導(dǎo)體有源層連接的源連接電極、漏連接電極； 在形成有所述半導(dǎo)體有源層、刻蝕阻擋層和第一透明電極的基板上形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二透明電極的圖形，其中，所述源電極與所述源連接電極電連接，所述漏電極與所述漏連接電極電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于， 在形成有柵線、柵電極和柵絕緣層的基板上依次形成金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜之前，還包括在基板上形成柵線、柵電極、公共電極線；再在所述基板、所述柵線、所述柵電極、所述公共電極線上形成柵絕緣層； 在形成有半導(dǎo)體有源層、刻蝕阻擋層和第一透明電極的基板上形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二透明電極的圖形，包括在形成有半導(dǎo)體有源層、刻蝕阻擋層和第一透明電極的基板上形成數(shù)據(jù)線、源電極、和與所述第一透明電極電連接的漏電極；再在形成有所述數(shù)據(jù)線、所述源電極和所述漏電極的基板上形成含有第一過(guò)孔的鈍化層，所述第一過(guò)孔貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層，露出所述公共電極線；再在所述鈍化層上形成第二透明電極，所述第二透明電極通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述公共電極線電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于， 在形成有柵線、柵電極和柵絕緣層的基板上依次形成金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜之前，還包括在基板上形成柵線、柵電極、公共電極線、以及柵絕緣層；所述柵絕緣層上形成有第二過(guò)孔，所述第二過(guò)孔用以連接所述第一透明電極與所述公共電極線； 在形成有半導(dǎo)體有源層、刻蝕阻擋層和第一透明電極的基板上形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二透明電極的圖形，包括在形成有所述半導(dǎo)體有源層、所述刻蝕阻擋層和所述第一透明電極的基板上形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；再在形成有所述數(shù)據(jù)線、所述源電極和所述漏電極的基板上形成含有第三過(guò)孔的鈍化層，所述第三過(guò)孔貫穿所述鈍化層，露出所述漏電極；在所述鈍化層上形成第二透明電極，所述第二透明電極通過(guò)所述第三過(guò)孔和所述漏電極電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述通過(guò)對(duì)部分所述金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理形成第一透明電極，具體包括 通過(guò)等離子工藝或退火工藝對(duì)部分所述金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理形成第一透明電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一透明電極為像素電極；或者，所述第一透明電極為公共電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求I 6中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物薄膜采用呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物薄膜為InGaZnO、InGaO,ΙΤΖ0、Α1Ζη0。
9.一種陣列基板,其特征在于，由上述權(quán)利要求I 8任一方法制得。
10.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述權(quán)利要求9所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)一種陣列基板的制造方法及陣列基板、顯示裝置，屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，用于以降低生產(chǎn)成本；該陣列基板的制造方法，包括薄膜晶體管、第一透明電極和第二透明電極的制作過(guò)程；所述第一透明電極和第二透明電極產(chǎn)生多維電場(chǎng)；其中，所述第一透明電極的制作過(guò)程包括形成金屬氧化物薄膜，所述金屬氧化物薄膜呈半導(dǎo)體特性；通過(guò)對(duì)部分所述金屬氧化物薄膜進(jìn)行金屬化處理形成第一透明電極，未進(jìn)行所述金屬化處理的部分形成半導(dǎo)體有源層。本發(fā)明實(shí)施例適用于液晶顯示器的制造。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102790012SQ20121025473
公開(kāi)日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月20日
發(fā)明者劉聖烈, 宋泳錫, 崔承鎮(zhèn), 金熙哲 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司